CARRERA DE INGENIERA ELCTRICA.

Prcticas de Laboratorio de Electrnica II. Practica No. 1

INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y Elctrica

INGENIERA ELCTRICA

LABORATORIO DE ELECTRNICA II.

PRACTICA 4: TRANSISTOR MONOUNION (UJT) OSCILADOR.

(Octubre de 2016)
Nmero de Equipo: ___________

Grupo: ________

INTEGRANTES

Nombre de los Alumnos: No. de Boleta:

1). ____________________________________ ____________

2).____________________________________ ____________

Nombre de los Profesores:

Prof. Titular: _______________________________________________

Prof. Adjunto:_________________________________________________

Prof. Adjunto:_________________________________________________

Fecha de realizacin: _____________

Calificacin: _____________

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Prcticas de Laboratorio de Electrnica II. Practica No. 4

PRACTICA 3: TRANSISTOR MONOUNION (UJT).

Objetivo.

La finalidad de la prctica es la de comprender la forma de operar del transistor

monounin como dispositivo de relajacin y determinar experimentalmente sus
parmetros.

Equipo y material a emplear.

1 Pz Fuente de tensin variable de C. C.

1 Pz Osciloscopio de doble trazo.
1 Pz Multmetro.
1 Pz Potenciometro 1M -0.5W (lineal preferentemente).
1 Pz Potenciometro 20k -0.5W (lineal preferentemente).
1 Pz Resistencias de 100, 470 y 1K - a 0.5 W.
1 Pz Resistencia de Shunt 1 a 25W (para medicin de la corriente).
2 Pz Puntas de Osciloscopio, preferentemente Atenuadas.
1 Pz Capacitores:

Mesa/equipo 1 2 3 4 5 6
C1 (nFd) 10 12 14.7 11 22 5
C2 (nFd) 68 78 90 100 110 120
C3 (Fd) 0.47 0.5 0.33 0.6 0.7 0.52
C4 (Fd) 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0

NOTA: De los valores indicados, algunos no existen comercialmente pero haciendo el

arreglo correspondiente en serie o en paralelo de valores comerciales se
pueden obtener el valor solicitado.

2 Pz Transistor 2N2646.
1 Pz Fusible de cristal tipo americano de 500 mA - 250 V.

Introduccin.

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Desarrollo.

I. Empleando el hmetro, efectu las mediciones de las terminales del

dispositivo, segn se indica en la figura 1, reportando las mediciones
realizadas en su hoja de campo.

Figura 1. Prueba del Transistor UJT.

II. Del circuito mostrado en la figura 2, para una tensin de 20V y 10V de la
fuente de tensin VBB de polarizacin; efectuar lo siguiente:

a) Selecciones la posicin de los potencimetros en un valor del 50% o

menor y energice el circuito.

b) Tome las grficas de las formas de onda de los puntos E, B2 y B1;

identificando los parmetros del dispositivo de las mismas (VP y VV).

c) Modifique lo posicin de los potencimetros a su valor mximo, hasta

que no exista oscilacin, reporte la lectura del ampermetro.

d) Modifique la posicin de los potencimetros a su valor mximo, hasta

que no exista oscilacin, reporte la lectura del ampermetro.

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Figura 2. Oscilador de Relajacin.

e) Para la condicin del punto a, a una tensin de 20V, intercambie el

capacitor y anote los incrementos de tiempo en la tabla de valores,
para el perfil de la onda de salida en base 1, indicada en la figura 3.

CE C1 C2 C3 C4
t
VB1
Tabla de Valores.

Figura 3. Perfil de la Onda de Salida.

f) Graficar el periodo de conmutacin del transistor para los diferentes

valores del capacitor.

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III. Mediciones y Resultados.

IV. Simulacin.
V. Conclusiones Individuales.
VI. Aportaciones.
VII. Bibliografa.

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