Electrnica de potencia (parte 3)

En las ediciones anteriores, expusimos sobre las caractersticas de los

materiales semiconductores y cul es la diferencia entre estos con los
conductores y aislantes. En esta edicin, estaremos viendo cmo con
la combinacin de algunos tipos de semiconductores se realizan
componentes electrnicos que permiten el control de corrientes elctricas.

Diodo semiconductor Tal como nos indican las flechas, en

l diodo semiconductor es uno de una estrecha capa a ambos lados de la
E los componentes bsicos ms superficie de contacto los huecos y los
empleados actualmente y su aplica- electrones tienden a desplazarse a la
cin ms usual es en aquellos disposi- parte opuesta del cristal. Este movi-
tivos electrnicos donde se requiera P miento se denomina difusin. Cuando
rectificacin de corrientes elctricas, los electrones se difunden en el cristal
ya sean estas pequeas seales de de tipo P se toparn con huecos y se
excitacin o grandes corrientes como recombinarn con ellos. Lo mismo
podran ser las de un sistema rectifica- ocurre con los huecos que se difunden
dor de una fuente de alimentacin. en el cristal del tipo N.

Los diodos suelen tener una estructura Por tanto, causada la recombinacin
PN
en la que un material de tipo P se de los huecos y electrones aparecer
encuentra en ntimo contacto con uno una zona exenta de portadores de
de tipo N, denominndoselos como N carga mviles (Imagen 2). La corriente
unin PN. elctrica no puede circular en condicio-
nes normales a travs de esta zona,
Unin PN que se denomina capa barrera y cuyo
La Imagen 1 nos muestra dos trozos espesor vale algunas milsimas de
unidos de materiales semiconducto- milmetro.
res, uno de tipo N y el otro de tipo P. contina en pgina 20 u
Figura 1. Unin PN antes de la difusin.

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u viene de pgina 18

Figura 2. Unin PN tras la difusin. Figura 3. Diodo semiconductor.

Debido a la difusin, entran portadores de Ejemplo: Comportamiento de la unin PN al aplicarle una tensin
carga negativos en la zona del cristal de
tipo P y portadores positivos en la zona de Circuito
tipo N. Por tanto, durante la difusin, el
material de tipo P de la capa barrera se car- Experimento A Se utiliza una fuente de tensin ajus-
gar negativamente y el de tipo N, positiva- table.
mente (Figura 2). Aparecer pues una ten- A - +
sin llamada tensin de difusin, que repe- Realizacin
ler a los nuevos electrones y huecos, los - Se va aumentando lentamente la ten-
cuales ya no podrn difundirse. Por tanto, ~T - V R sin hasta alcanzar 2 V.
la capa barrera deja de ensancharse. +
Resultado
La tensin de difusin del germanio vale No circula prcticamente corriente
entre 0,2 V y 0,4 V y la del silicio, entre alguna.
0,5 V y 0,8 V.
Experimento B
Realizacin
Efecto de vlvula de la unin PN + - Se ve aumentado la tensin hasta
A
El diodo semiconductor es un componen- que la aguja del ampermetro se des-
te formado bsicamente por una unin va.
PN (Figura 3). +
~T - - V R Resultado
El tringulo en el smbolo de conexin del Auna tensin de aproximadamente
diodo simboliza la zona de tipo P y la raya 0,6 V circula una corriente a travs
transversal, la de tipo N. del diodo semiconductor.
contina en pgina 22 u

El experimento nos muestra que:

Un diodo semiconductor slo deja pasar la corriente en un sentido.

La unin PN presenta pues un efecto de vlvula.

Cuando el polo positivo de la fuente est aplicado a la zona P, y el polo negativo a la zona N del diodo semiconductor,
se encontrar ste conectado en sentido de paso o directo.

Cuando el polo negativo de la fuente est aplicado a la zona P y el polo positivo a la N, el diodo se encontrar conec-
tado en sentido de bloqueo o inverso.

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u viene de pgina 20

Caracterstica y punto de trabajo contrario el diodo se deteriorara.

Diodo semiconductor al aplicar una tensin Para poder valorar, comparar y seleccio-
A) En sentido de bloqueo nar correctamente un diodo semicon- La zona de paso de la caracterstica
ductor, es de suma importancia conocer nos indica el comportamiento del
- + su curva caracterstica. En la Imagen 5 diodo funcionando en sentido
podemos ver la caracterstica de un directo.
diodo de silicio.
R La caracterstica nos muestra, adems,
Capa barrera
La curva caracterstica nos indica la en la zona de bloqueo, que por el diodo
intensidad de la corriente que circula por apenas circula corriente inversa hasta
el diodo en funcin de la tensin aplica- una determinada tensin inversa UR. Sin
da a sus terminales. embargo, medidas ms exactas nos indi-
~ caran la circulacin de una corriente
B) En sentido de paro En la Figura 5 hemos caracterizado inversa de intensidad muy reducida, del

expresamente la zona de paso y la zona orden de unos pocos micro- o nanoam-
pere (Figura 5). La zona de bloqueo de la
+ - de bloqueo.

caracterstica se extiende pues desde UR

La caracterstica nos muestra en la zona = 0 V hasta la tensin disruptiva, para la
de paso que la corriente empieza a cir- cual la intensidad inversa crece muy fuer-
R
- +
+
4
Tensin de difusin 4 - cular a travs del diodo para una tensin temente. El valor de la tensin disruptiva
Tensin en sentido directo en sentido directo, de unos 0,6 V. A partir depende de la estructura y del procedi-
de este punto la tensin directa se hace miento de fabricacin del diodo, y puede
mayor que la tensin de difusin. llegar a valer algunos millares de volt.

Figura 4.
~ Cuando se aumenta la tensin directa La zona de bloqueo de la caracters-
UF aumentar rpidamente la intensi- tica nos indica el comportamiento
La Figura 4 nos aclara el origen de este
dad de la corriente directa IF. No obstan- del diodo funcionando en sentido
efecto de vlvula de la unin PN; su
te, la corriente no debe sobrepasar una inverso.
esquema a) nos muestra que al aplicar
determinada intensidad pues en caso continuar...
una tensin en sentido de bloqueo se
ensancha la capa barrera en compara-
I F en A
4
cin con la Figura 2, pues una parte de
los portadores de carga mviles ha des-
aparecido atrados por los polos de la
fuente de signo opuesto. Por tanto, prc- UF : Tensin en sentido de paso
ticamente no puede circular corriente a (tensin directa)
travs del diodo semiconductor.
I F : Intensidad en sentido de paso 300
Por el contrario, si aplicamos una ten- (intensidad derecta)
sin en sentido de paso, la capa barrera
absorbe los electrones y huecos y va UR : Tensin en sentido de bloqueo
desapareciendo (Figura 4 B), con lo que (tensin inversa)
podr circular una corriente a travs del 200
diodo. I R : Intensidad en sentido de
bloqueo (intensidad inversa)
An nos queda por explicar por qu la
circulacin de la corriente a travs de la 100
unin PN polarizada en sentido de paso
empieza a partir de aproximadamente 4
Zona 4
de
0,6 V, tal como vimos en el experimento.
4 Zona de bloqueo
UR en V paso
Observemos al respecto la Figura 4 B.
4
4
Podemos ver que la tensin de difusin 1000 500 1 U en V
y la tensin aplicada en sentido de paso F
estn orientadas en sentidos opuestos. Tensin
Por consiguiente, la tensin exterior disruptiva
deber ser mayor que la de difusin, 0,1
4

para que los portadores puedan pene-

trar en la capa barrera provocando su I R en A
desaparicin. Figura 5. Caracterstica de un diodo.

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