LABORATORIO 1

CARACTERISTICAS DE LOS
DIODOS
1.1 OBJETIVO
Observacin de la curva de caractersticas del diodo y
medicin de los parmetros operacionales del dispositivo.

1.2 DESCRIPCION TEORICA

El anlisis terico de la juntura P-N muestra que el
comportamiento elctrico del diodo est dado por la
expresin:
I I 0 ( eV /VT 1) , (1)

6000

5000

4000

3000
I/Io

2000

1000

0
-0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4
Voltaje en el Diodo (V)

Fig. 1: Caracterstica I vs V del Diodo

(Resultado Terico)
2 Electrnica Analgica

conocida como la ecuacin del diodo rectificador. En esta

expresin I es la corriente a travs del dispositivo, I0 la
corriente inversa de saturacin, V el voltaje aplicado y VT el
valor efectivo del potencial trmico electrnico (*); una grfica
de esta ecuacin se presenta en la Fig. 1 con VT = 45 mV.
Obsrvese la fuerte dependencia de la corriente con el voltaje
para valores positivos de la polarizacin: en un intervalo de
slo 0.4 V la corriente a travs del dispositivo aumenta 6000
veces; para valores negativos del voltaje de polarizacin, la
corriente es tan pequea, que su valor no alcanza a apreciarse
en la grfica. Es fcil ver de esta grfica que el diodo no
conduce cuando est polarizado inversamente, esto es,
cuando el nodo es negativo respecto al ctodo; se dice
tambin que el diodo est CERRADO. Si la polarizacin es
directa (nodo positivo respecto al ctodo) la cada de
potencial en el dispositivo es pequea y prcticamente
constante como lo indica su gran pendiente, se dice entonces
que el diodo esta ABIERTO dada su baja resistencia en el
estado de conduccin. Obsrvese adems que el cambio del
estado de conduccin al de no conduccin es abrupto y ocurre
a un valorc determinado del voltaje aplicado conocido como
de operacin o de compuerta Vop. Estos elementos de
anlisis, permiten proponer el modelo operacional del diodo
ilustrado en la Fig. 2, que utilizaremos para interpretar las
mediciones.

Fig. 2: Modelo operacional del diodo

1.3 CIRCUITO DE MEDICION Y

DESCRIPCION DE PARTES.
 Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor3

El circuito montado en el mdulo E-1 (Fig. 3) permite

estudiar los diodos rectificador, Zener y emisor de luz (LED)
conectando el terminal A a los puntos 1, 2 o 3 segn el diodo
a estudiar. La fuente de alimentacin se conecta como se
indica en la figura. Identifique las partes y endienda el
funcionamiento del circuito antes de comenzar la prctica.

Fig. 3: Circuito montado en el Mdulo E-1

Los puntos X - COMUN - Y son terminales de medicin en

donde se obtienen las cadas de potencial en el diodo Vd , y en
la resistencia, Vr , respectivamente. En la Tabla No. 1 se
resumen las especificaciones tcnicas de las partes usadas.
Toda aplicacin debe tener en cuenta estos parmetros para
prevenir daos en los dispositivos.

Tabla No. 1: Parmetros tpicos de las partes usadas.

Nmero Descripcin
ECG
116 (1N4004) Rectificador de Voltaje pico de Max. Corr. de Cada de voltaje
propsito Reversa: PRV = rectificacin: I = 1 directa: 0.8 V @ 1
general 600 V A A
5014A Diodo Zener Voltaje de Max. Disip. de
Ruptura: 6.8 V (2 Potencia: 0.5 W
% Tol.)
3007 Indicador de Voltaje Directo Voltaje pico de Max. Corr. (DC) =
propsito (VF): 1.68 V Reversa: 5 V 50 mA. Max. Dis.
General. Color: Pot. = 100 mW
Rojo

1.4 DIODO RECTIFICADOR: ESTUDIO CON

CORRIENTE CONTINUA.
4 Electrnica Analgica

El circuito de medicin se presenta en la Fig. 4. Esta

configuracin se consigue conectando los puntos A y 1 en el
impreso. La medicin para esta primera parte se efecta con
un multmetro digital colocado en sus rangos de DC. Se
recomienda conectar el terminal negativo del instrumento a
COMUN y el positivo a X y Y alternadamente para obtener
los respectivos valores de Vd y Vr .

Fig. 4: Circuito de medicin

Tabla No. 2: Resultados de Medicin

Vd Vr Vap=Vr+Vd Vd Vr Vap=Vr+Vd
(V) (V) (V) (V) (V) (V)

0.0000 0.0000 0.00 0.666 2.940 3.61

0.0024 0.0000 0.00 0.676 3.600 4.28
0.0387 0.0000 0.04 0.682 4.030 4.71
0.1186 0.0000 0.12 0.690 4.590 5.28
0.1793 0.0000 0.18 0.696 5.190 5.89
0.2750 0.0008 0.28 0.706 6.250 6.96
0.3250 0.0025 0.33 0.716 7.290 8.01
0.3930 0.0109 0.40 0.724 8.020 8.74
0.4260 0.0224 0.45 0.732 9.090 9.82
0.350 0.005 0.35 0.741 10.500 11.24
0.386 0.010 0.40 0.748 11.610 12.36
0.418 0.020 0.44 0.751 12.230 12.98
0.463 0.053 0.52 0.757 13.470 14.23
0.493 0.099 0.59 0.766 15.150 15.92
0.503 0.123 0.63 0.772 16.530 17.30
0.519 0.164 0.68 0.774 17.180 17.95
0.527 0.198 0.72 0.781 18.580 19.36
0.534 0.224 0.76 0.783 19.060 19.84
0.541 0.257 0.80 0.784 19.380 20.16
0.549 0.304 0.85 0.785 19.740 20.53
0.560 0.375 0.94 0.785 19.760 20.55
0.570 0.451 1.02 0.787 20.400 21.19
0.580 0.563 1.14 0.787 20.500 21.29
0.593 0.715 1.31 0.790 21.000 21.79
0.602 0.868 1.47 0.794 22.100 22.89
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor5

0.624 1.322 1.95 0.798 22.600 23.40

0.632 1.546 2.18 0.800 23.200 24.00
0.644 1.942 2.59 0.798 23.400 24.20
0.649 2.150 2.80 0.799 23.800 24.60
En la Tabla No. 2 se presentan los resultados de medicin. La
tercera columna contiene los datos del voltaje aplicado Vap,
obtenido sumando los valores de Vr y Vd. La corriente por el
circuito (cuarta columna) se obtiene dividiendo Vr por el
valor real de la resistencia de 300 , esto es, el valor medido
con el ohmmetro, que en nuestro caso result ser de 334 .

1.4.1 ANALISIS DE DATOS:

DETERMINACION DEL VOLTAJE DE
OPERACION.

Considerando que el comportamiento del diodo empleado

est descrito por el modelo operacional simplificado
propuesto en el numeral 2 y suponiendo adems que la
resistencia es un elemento puramente hmico, la
carcterstica I-V para el circuito de medicin debe
observarse como se propone a continuacin:

Fig. 5: Caracterstica I-V para el circuito de medicin.

La grfica se obtiene considerando que el diodo ideal es un

dispositivo que no permite el flujo de corriente cuando el
voltaje de polarizacin es menor que el de compuerta, Vop.
Sin embargo, una vez superado este valor, la conductividad
del diodo es infinita, lo cual implica que la resistencia total
del circuito se reduce a R. En el laboratorio se verifica la
6 Electrnica Analgica

validez de esta suposicin mediante el ajuste de los datos de I

vs Vap, con Vap >10 V (Fig. 6). En la Tabla No. 3 se presentan
los resultados de la regresin lineal; invirtiendo la pendiente
de la recta se obtiene para R el valor de 335.5 que coincide
con el valor medido de 334 dentro de un 0.5%. El voltaje de
operacin se calcula dividiendo el trmino independiente por
la pendiente, con los valores obtenidos para estos parmetros
se obtiene Vop = 0.695 V, en excelente concordancia con lo
reportado en la literatura para diodos de silicio (0.6 - 0.7 V).

0.08
Recta de ajuste y puntos experimentales

0.06
I = 0.00298V - 0.00208
Cor
rie
nte 0.04
(A)

0.02

0.00

0 5 10 15 20 25
Voltaje Aplicado (V)

Fig. 6: Grfica de I Vs Vap para el circuito de medicin

Tabla No. 3: Resultados de la regresin lineal de I vs Vap para Vap >

10 V

Pendiente 0.002980
Desviacin Estndar: 0.000000
Trmino independiente: - 0.00208
Desviacin Estndar: 0.000004
Coeficiente de Correlacin: 0.999999
Numero de Observaciones: 20

Es de notar que con los instrumentos disponibles, no es

posible obtener datos para la corriente bajo polarizacin
inversa, hecho puede entenderse si se considera que la
corriente inversa es del orden rden nanoamperios (nA).
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor7

0.008
0.007 Recta de ajuste y puntos experimentales
0.006

Corriente (A) 0.005

0.004
0.003
0.002
I = 0.00298V - 0.00208
0.001
0.000
(0.695,0.000)
-0.001
-0.002
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
Voltaje Aplicado (V)
Fig. 7: Detalle de la grfica de I vs Vap para el circuito de medicin.

Como ya se mencion el ajuste se hizo para los datos con Vap

mayor que 10V. El valor de 10 V se justifica teniendo como
base la curva trazada en la Fig. 8 donde se grafican las
fracciones del voltaje aplicado que caen en el diodo y en la
resistencia.

1.0

0.8
Vd/Vap
Vr/Vap
0.6

0.4

0.2

0.0
0 5 10 15 20 25
Vap(V)

Fig. 8: Fraccin del voltaje aplicado que cae en el diodo

y en la resistencia .
8 Electrnica Analgica

Puede apreciarse de esta curva que para valores de voltaje

mayores que 10 V cae en la resistencia mas del 90% del
voltaje aplicado y puede, en consecuencia, con muy buena
aproximacin suponerse que la resistencia del diodo es
despreciable frente a R, indicando que para estos voltajes el
diodo est totalmente abierto. Obsrvese adems que para
voltajes menores que Vop, el voltaje de alimentacin cae en el
diodo, indicndonos as que su estado es de no conduccin o
cerrado.

1.4.2 COMPORTAMIENTO DEL DIODO PARA

VOLTAJES PEQUEOS

La Fig. 7 detalla el comportamiento del diodo para valores

pequeos del voltaje aplicado. En ella se observa el rpido
crecimiento de la resistencia del circuito en la medida en que
Vap disminuye hasta aproximarse a 0 V; recurdese que la
resistencia es el inverso de la pendiente de esta curva. Ntese
que la mxima desviacin entre el modelo propuesto y el
experimento se presenta a un voltaje cercano a los 0.7V, y es
menor que 1 mA (Fig. 7). Para estos rangos de voltaje el
comportamiento del dispositivo no es lineal como lo
muestran, tanto la Fig. 7 como la Fig. 9. En esta ltima se ha
graficado el ln(I) vs Vap y puede en ella apreciarse cmo la
relacin entre la corriente y el voltaje en el diodo es
exponencial, confirmando el comportamiento predicho por la
ecuacin (1). Cuando el voltaje aplicado es suficiente para
abrir el diodo, esto es, cuando su resistencia es pequea
frente a la resistencia en serie R, la relacin entre la corriente
y el voltaje deja de ser exponencial, dado que, como se dijo
anteriormente, el comportamiento del circuito de prueba est
determinado por la resistencia R.

En la Fig. 9 se presenta tambin el resultado de ajustar los

datos de medicin del ln(I) vs Vd con Vap < 2 V a una recta,
los resultados de esta regresin lineal se presentan en la
Tabla No. 4.
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor9

-2

-4

ln(I) -6

-8

Datos exp.
-10 Ajuste: ln(I) = 21.103*Vd - 18.605

-12

-14
0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

Vd (Voltios)

Fig. 9: Datos experimentales y recta de ajuste, Vap < 2 V

para la obtencin del potencial trmico electrnico

Tabla No. 4: Resultados de la regresin lineal de ln(I) vs Vd para

Vap < 2 V

Pendiente 21.103
Desviacin Estndar: 0.141168
Trmino independiente: - 18.600
Desviacin Estndar: 0.062183
Coeficiente de Correlacin: 0.999150
Nmero de Observaciones: 21

El inverso de la pendiente de la recta obtenida es el voltaje

trmico electrnico, que en nuestro caso result ser 47 mV
valor que est en concordancia con lo reportado en la
literatura(1) para diodos de silicio (30 - 50 mV). Es pertinente
anotar que la ecuacin del diodo rectificador (1) da una recta
slo cuando el trmino Exp(Vd/VT) >> 1. Como se aprecia en
la Fig. 10 esta condicin se satisface bien para Vd > 0.10 V con
VT = 0.047 V; este anlisis confirma la validez del
tratamiento experimental de datos y de la interpretacin
dada a la pendiente de la recta de la Fig. 9.
10 Electrnica Analgica

4
ln(I/Io)

-2
0.00 0.05 0.10 0.15 0.20 0.25 0.30 0.35

Vd (Voltios)

Fig. 10: Determinacin del rango de linealidad de la expresin

ln[Exp(Vd/VT) - 1]. VT = 47 mV. La relacin es lineal si Vd > 100
mV

1.5 MEDICIONES CON VOLTAJE

ALTERNO: OBSERVACION DE LA
FUNCION RECTIFICADORA Y
MEDICION DE PARAMETROS
OPERACIONALES UTILIZANDO EL
OSCILOSCOPIO.
El diodo como rectificador se emplea en circuitos que
necesitan voltaje contnuo, razn por la cual dichos diseos
cuentan con una primera etapa denominada rectificadora
cuyos elementos principales son los diodos semiconductores.

El estudio de la funcin rectificadora puede realizarse

cmodamente polarizando el diodo con una fuente de
corriente alterna, que para nuestro caso ser de 12 Vac. La
forma de la seal de salida es apreciada directamente sobre la
pantalla de un Osciloscopio. Este instrumento, gracias a su
versatilidad, permite efectuar mediciones muy precisas de
parmetros importantes que rigen el comportamiento del
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
11

sistema a considerar y evita la toma del elevado nmero de

puntos de medicin requeridos en las prcticas anteriores.

1.5.1 MEDICIONES CON EL DIODO

RECTIFICADOR DE SILICIO
1.5.1.1 MEDICION DE LA FRECUENCIA Y
AMPLITUD DEL VOLTAJE DE
ALIMENTACION Y OBSERVACION
DE LA FUNCION RECTIFICADORA
DEL DIODO.
Empezaremos observando el voltaje de alimentacin,
Vap, y la cada de potencial en la resistencia, Vr,
conectando las puntas del osciloscopio en la forma
indicada en la Fig. 11. Tngase en cuenta que el
terminal negativo de las puntas de prueba es comn
para ambos canales y que, por lo tanto, si se conectan a
sitios distintos, entre ellos se establecer un camino de
resistencia cero o corto circuito a travs de la caja del
osciloscopio. Para evitar los daos que as se ocasionan
sirven las 3 resistencias de 1 k que posee el circuito de
medicin, que quedan en serie con la resistencia
interna del voltmetro (M ). y tienen por tanto
influencia despreciable en las lecturas. Es prctica gil
y segura en este caso conectar el negativo de solo una
de las puntas.
12 Electrnica Analgica

Fig. 11: Conexiones para observar Vap y Vr en los canales 1 y 2 del

osciloscopio.

Para realizar correctamente las medidas es necesario

disponer los controles del osciloscopio como se
describe a continuacin: Utilice disparo por la lnea
(triger en line), seleccione una frecuencia de
barrido que le permita observar unos 3 ciclos de la
seal, ajuste la ganancia vertical hasta que la amplitud
sea de unas dos divisiones y seleccione modo de
chopper para ver simultneamente los dos canales.
Asegrese adems, de que la lnea de base para los dos
canales sea la misma, para ello aterrice ambos
canales, llevando el selector AC GND DC de cada uno
a GND y desplace la lnea de base de cada canal con el
control de posicin vertical -POSITION-, hasta que
coincidan con la lnea horizontal central de la
cuadrcula; regrese el selector AC GND DC a DC y
realice las mediciones.

En la Fig. 12 (a) y (b) se representan cualitativamente

las seales Vap y Vr tal y como deben verse en la
pantalla despus de los ajustes descritos. Es interesante
medir frecuencia (60 Hz) y amplitud de la seal de
alimentacin (17 V) y comprobar que la razn entre
esta lectura y la obtenida con un multmetro en AC es
2, dado que este ltimo instrumento mide el valor
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
13

eficaz de la seal. Obsrvese la funcin rectificadora del

diodo: slo hay cada de tensin en la resistencia
durante el semiciclo positivo de Vap , cuando el diodo
esta polarizado directamente (nodo positivo respecto
al ctodo); durante el semiciclo negativo el diodo se
polariza inversamente y no conduce, no hay corriente
en la resistencia y, por lo tanto, Vr permanece constante
e igual a cero voltios. La forma de Vd (Fig. 12c) se puede
deducir de estas dos seales, dado que en cualquier
instante se cumple que Vap = Vr+Vd, como lo exige el
principio de conservacin de la energa; por esta causa
la amplitud de Vr es menor en 0.7 V que la amplitud de
Vap dado que ste es el voltaje (Vop) que cae en el diodo
cuando se encuentra en conduccin. La magnitud de la
corriente a travs de la resistencia se calcula de la
divisin entre la cada de tensin medida directamente
de la pantalla del instrumento y el valor de la
resistencia R.

(a)

(b)
14 Electrnica Analgica

(c)

Fig. 12: Rectificacin del diodo. (a): Seal de alimentacin, f= 60

Hz.
(b): Voltaje en la resistencia, Vr. (c): Voltaje en el diodo, Vd.

1.5.1.2 OBSERVACION DEL

COMPORTAMIENTO DEL DIODO.

Conecte las puntas del osciloscopio como se indica en la

Fig. 13 manteniendo los controles del instrumento en la
forma descrita en el numeral anterior. Observe que Vd
(canal 1) aparece derecha mientras que Vr (canal 2)
aparece invertida respecto al eje horizontal; esta
inversin puede explicarse si se tiene en cuenta que
ambas seales se miden respecto a COMUN, punto
respecto al cual Vd es positivo y Vr negativo, lo
demuestran. los siguientes razonamientos:
Voltaje aplicado al canal 1 = VX - VCOMUN = Vd
Voltaje aplicado al canal 2 = VY - VCOMUN = -Vr
(Vr puede enderezarse si el osciloscopio tiene la
posibilidad de invertir el canal 2).
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
15

Fig. 13: Conexiones para observar Vd y Vr.

Para observar el comportamiento de Vd seleccione el

canal 1. La regin de conduccin del diodo es la
comprendida entre los puntos P1 y P2 . En estos puntos
hay discontinuidades en la pendiente de la seal, lo que
indica un cambio brusco en la conductividad (Figura
12c) . Como en esta regin el voltaje permanece
prcticamente constante y la corriente en el circuito
vara, la resistencia del dispositivo, que est dada por
dV/dI es cero. Aumente la ganancia vertical para
realizar una observacin ms detallada y compruebe
que el diodo est abierto cuando Vd > 0.7 V.

1.5.1.3 REPRESENTACION X-Y

Es posible utilizar el osciloscopio para visualizar la
caracterstica I vs Vd del diodo. Conserve las conexiones
descritas en el numeral anterior y seleccione en el
osciloscopio la opcin X - Y. La cada de potencial en el
diodo se aplica al eje horizontal (canal 1) y al eje
vertical se lleva la cada de potencial en la resistencia;
as, las coordenadas de un punto en la pantalla sern
(Vd ,Vr). Como I = Vr/R, la ordenada es proporcional a
la intensidad de corriente. Haga, por comodidad, que el
origen coincida con el punto central de la cuadrcula,
aterrice ambos canales y mueva la traza con los
controles POSITION, regrese a DC para realizar las
mediciones. Con estas especificaciones la grfica que
debe observarse sobre el Osciloscopio es similar a la
16 Electrnica Analgica

presentada en la Fig. 14.

Fig. 14: Caractersticas del diodo observada utilizando

la opcin X-Y de un Osciloscopio.

En esta grfica est contenida toda la informacin de

inters y los parmetros de operacin se miden
utilizando la cuadrcula:

El voltaje de operacin del diodo se determina

midiendo la tensin a la cual se presenta la
discontinuidad en la pendiente, como se indica en la
Fig. 14. Aumente la ganancia del eje X y observe que
pendiente deja de ser nula cuando Vd > 0.6 V;
compruebe adems que por arriba de este valor la curva
es prcticamente vertical, esto significa que la corriente
(Vr/R) cambia mientras que Vd permanece
escencialmente constante.

El voltaje aplicado, Vap, se obtiene en cualquier

momento, sumando la abcisa y la ordenada de un punto
dado; hecha esta operacin con los puntos de los
extremos vertical y horizontal se encuentra que la
amplitud es de 17 V.

Como la corriente es el valor de la ordenada dividida

por la resistencia R; la mxima corriente puede
calcularse a partir del valor de pico del voltaje en la
resistencia. En el circuito utilizado, el valor medido
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
17

para esta cantidad fue de 16V y, por tanto, la corriente

mxima que circula a travs del diodo est dada
aproximadamente por:

Imax= Vrmax/R= 16 V/334 = 48 mA.

1.5.2 DIODO ZENER

Considerando otros parmetros que determinan el

funcionamiento de los diodos de estado slido, como la
disipacin de calor en la juntura, se ha logrado
construir una serie de dispositivos para aplicaciones
especiales. Este es el caso de los diodos que son
operados continuamente en su modo de polarizacin
inversa y que se conocen en general como diodos Zener.

El estudio de este dispositivo se realiza utilizando el

circuito implementado en el modulo E-1, estableciendo
un puente entre los puntos A y 2. La Fig. 15 muestra el
voltaje como funcin del tiempo para el diodo Zener
ECG5014A.

Figura 15: Voltaje en el diodo Zener.

Puede apreciarse de esta grfica que cuando el ctodo

es negativo con respecto al nodo (polarizacin
directa), el elemento conduce con una cada de
potencial entre sus extremos de 0.7V, comportndose
como un diodo de silicio normal.
18 Electrnica Analgica

En el semiciclo negativo de Vap se invierte la

polarizacin del diodo Zener y la cada de potencial en
este elemento aumenta en el sentido negativo hasta un
valor de 6,8 V, conocido como Voltaje de Ruptura
Zener. En el intervalo comprendido entre 0.7 V y el
voltaje Zener, no existe circulacin de corriente a travs
del diodo que se comporta como un rectificador
convencional. La caracterstica fundamental del Zener
radica en que cuando se alcanza una polarizacin
inversa de 6,8 V, la cada de potencial en el dispositivo
permanece prcticamente constante e independiente de
la corriente de conduccin.

En el intervalo comprendido entre -6.8 y 0.7 V la

conduccin del diodo Zener es nula y como
consecuencia, la totalidad del voltaje aplicado por la
fuente de alimentacin caer en l. Durante este
tiempo, de 1,2 ms, Vr es cero, como puede comprobarse
directamente en la pantalla (Fig. 15).

La Fig. 16 muestra la variacin del voltaje en la

resistencia R.. El valor pico de voltaje positivo medido
sobre el osciloscopio es de 16V y se produce cuando la
unidad Zener conduce en el sentido directo, con un
voltaje de operacin de 0,7 V. Anlogamente el valor de
pico del voltaje negativo es de 10 V y se da luego de
producirse la ruptura Zener a los 6,8 V en polarizacin
inversa, lo que arroja para la corriente inversa un valor
pico de 9 V/334 = 27 mA.
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
19

Figura 16: Cada de voltaje en la resistencia usando un diodo

Zener .

Un clculo importante que se realiza al disear el

circuito es el de la mnima resistencia que puede
conectarse en serie con el diodo, para evitar que la
unidad transporte corrientes cuyas magnitudes
sobrepasen la capacidad para la cual fue diseada. El
parmetro que proporciona esta informacin y
especificado por el fabricante, es la mxima potencia
que puede disipar el dispositivo. El diodo empleado en
esta prctica est diseado para una potencia mxima
de 0.5 W, con un voltaje de ruptura aproximado de 6.8
V. Con estas dos magnitudes puede calcularse que la
unidad Zener est en capacidad de transportar una
corriente mxima de ruptura de 0.5 W/6.8 V o 73 mA.
Este valor define el de la resistencia mnima, que es
entonces igual al valor de pico de Vr dividido por la
corriente mxima:

R= Vr/Imax.= 10 V/0.073 A 130 .

Utilizando la opcin X-Y se obtiene una curva similar a
la indicada en la Fig. 17, donde se indica cmo medir
los parmetros de inters.
20 Electrnica Analgica

Fig. 17: Carracterstica I vs V del Diodo Zener,

usando la opcin X-Y de un Osciloscopio.

1.5.3 DIODO EMISOR DE LUZ. (LED).

La energa proveniente de la radiacin

electromagntica puede causar que un electrn sea
excitado a la banda de conduccin. Sin embargo cuando
ocurren los procesos de recombinacin, la energa
absorbida por el electrn, es liberada en forma de
fotones. Existen semiconductores como los basados en
Arseniuro de Galio (GaAs) cuya radiacin emitida se
encuentra en las regiones visible e infrarroja.
Utilizando esta propiedad se han construido diodos que
emiten luz en estos rangos y que se emplean en los
indicadores y visualizadores numricos o en los
sensores y acopladores.

El comportamiento de un diodo LED se estudia

utilizando el circuito que resulta de unir los terminales
tres (3) y A del mdulo E-1. La resistencia de 334
sirve para limitacin de corriente, y su valor se calcula
de la relacin IF= (Vap VF)/R, donde Vap representa el
valor del voltaje aplicado y VF el voltaje de polarizacin
directa a travs del diodo LED. Los valores de VF e IF
dependen del tipo de diodo empleado, que se
caracterizan por el color de la luz emitida. Para el color
rojo estos parmetros tpicamente estn comprendidos
entre 1.6 - 2.5 V y 5 - 25 mA respectivamente(2).
Laboratorio 1: Caractersticas de los Diodos - Gua del Profesor
21

Las curvas tpicas encontradas para el circuito se

indican en las figuras 18a y 18b.

(a)

(b)
Fig. 18: Cada del voltaje en la combinacin del
LED y el diodo normal (a) y en la resistencia (b).

El voltaje de ruptura inverso de los diodos LEDs se

encuentra tpicamente entre 3 y 11V. En nuestro
circuito el valor de pico del voltaje al que se somete el
LED supera este rango (17 V), siendo necesaria su
proteccin; esto se consigue conectando en reversa y en
paralelo un diodo normal que conducir siempre que el
voltaje aplicado supere Vop, impidiendo as que el LED
se exponga a voltajes inversos excesivos.

La caracterstica I vs V del LED se puede observar,

como en el caso anterior, con la opcin X - Y del
22 Electrnica Analgica

osciloscopio. La grfica que se obtiene se presenta en la

Fig. 19, donde tambin se indica la forma de medicin
de las variables importantes. Obsrvese que la
pendiente es menor cuando conduce el LED que
cuando lo hace el diodo normal, indicando que en este
ltimo la dependencia del voltaje con la corriente es
mayor que en el primero. El comportamiento de estas
magnitudes depende directamente de la naturaleza del
material del cual se construyan las unidades.

Fig. 19: Caracterstica I vs V para la combinacin

LED diodo normal.

1.6 REFERENCIAS.
(*) Para detalles tericos consultar:
1. Texto Gua del Curso de Electrnica:
ELECTRONICA ANALOGICA
2. Brophy: Electronica para Cientficos
(1) Ch. Weddigen, W. Jnst : ELEKTRONIK. pp 73 -74. 2
ed. Springer Verlag, 1993.
(2) N. M. Morris: SEMICONDUCTORS DEVICES. pp 31.
The Macmillan Press Ltd, 1976, London.