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11.4 Filtrado 50
11.6 Aplicaciones 62
11.1 Introduccin
Los inversores estticos son circuitos que generan una tensin o intensidad alterna a partir de una
fuente de continua.
La aparicin de los transistores de potencia y los tiristores ha facilitado enormemente la solucin de
esta funcin, promoviendo la proliferacin de diversos circuitos con muy buenas caractersticas que
hubieran sido de difcil realizacin mediante las tcnicas clsicas.
Los inversores u onduladores se pueden estudiar como rectificadores controlados funcionando en
sentido inversor. Sin embargo, estos dispositivos tienen la caracterstica, que en muchas ocasiones es
un gran inconveniente, de que para transformar la energa de corriente continua en alterna deben
conectarse a una fuente alterna del exterior que impone la frecuencia de funcionamiento, con lo cual
se les llama inversores controlados o guiados (inversores no autnomos).
En la mayora de las ocasiones se precisan inversores que funcionen autnomamente, es decir, que no
estn conectados a ninguna fuente de corriente alterna exterior y que la frecuencia sea funcin de las
caractersticas propias del sistema. stos son conocidos como inversores u onduladores autnomos.
Su representacin simblica se aprecia en la figura 11.1.
Fig. 11. 1
Smbolo del inversor autnomo.
En muchas ocasiones estos dispositivos se utilizan para aplicaciones que exigen una componente de
armnicos muy pequea, una estabilidad de tensin y frecuencia de salida muy grande. La
disminucin de armnicos se logra con procedimientos adecuados de disparo, control y con la
colocacin de filtros especiales a la salida del inversor. En cuanto a la estabilidad, regulacin y
control de la tensin y de la frecuencia se logra mediante el funcionamiento en bucle cerrado.
Los inversores tienen mltiples aplicaciones, entre las cuales podemos destacar los Sistemas de
Alimentacin Ininterrumpida (S.A.I.), que se emplean para la alimentacin de ordenadores u otros
equipos electrnicos que a la vez que una gran seguridad de funcionamiento deben tener una gran
estabilidad de tensin y frecuencia. El control de motores de C.A., instalaciones de energa solar
fotovoltaica, etc.
Fig. 11. 2
Circuito bsico con batera con toma intermedia.
Fig. 11. 3
Circuito bsico sin batera de toma intermedia.
Configuracin en puente.
El circuito de la figura 11.2, tiene el inconveniente de necesitar una fuente con toma intermedia,
mientras que en el circuito de la figura 11.3 este problema se ha solventado utilizando cuatro
interruptores los cuales se cierran dos a dos; durante el primer semiperodo se cierran I1 e I3, y
durante el segundo lo hacen I2 e I4. Adems con el circuito de la figura 11.3, a igualdad de valor de la
batera, tenemos una tensin de salida igual al doble que la del circuito de la figura 11.2.
En la figura 11.4 se describe este circuito y las formas de onda de las variables ms interesantes.
Fig. 11. 4
Inversor con transformador de toma media.
La fuente de C.C. est representada por una batera de tensin VS. El polo positivo est
permanentemente conectado a la toma media de un transformador que se considera ideal (intensidad
magnetizante nula, resistencia de los devanados nula, inductancia de dispersin nula). El polo
negativo de la batera, que se toma como referencia de tensiones para el circuito asociado al primario,
se conecta alternativamente a los extremos A y B del primario mediante los interruptores IN1 e IN2,
cuya secuencia de funcionamiento queda representada en la figura 11.4.
En los semiperodos en que IN1 est abierto e IN2 cerrado, como sucede en el instante t1 , se imprime a
los terminales X-B del transformador una tensin VS con la polaridad indicada en la segunda figura.
Suponiendo que los devanados AX, XB y el secundario tienen el mismo nmero de espiras N, se
tendr que la tensin de salida es:
vo (t ) = VS
Fig. 11. 5
Circuito inversor con batera de toma media.
Durante los semiperodos en que Q1 est excitado y saturado, la tensin en el extremo derecho de la
carga es +VS/2 respecto de la toma media de la batera, salvo cadas de tensin despreciables en el
semiconductor. Durante los semiperodos en que se excita Q2, la tensin en dicho extremo de la carga
es -VS/2. La tensin resultante en la carga es una onda cuadrada de amplitud VS/2.
Para realizar las ondas de intensidad de salida io(t) se ha supuesto por simplicidad que la carga
consiste en un circuito RLC que tiene una impedancia a los armnicos de la tensin de salida de
forma que absorbe una intensidad io(t) senoidal pura. El ngulo de retardo de dicha intensidad
respecto a la componente fundamental de vo(t) se ha supuesto de 60.
La corriente media entregada al circuito por cada mitad de batera es igual a la que circula por los
transistores menos la que circula por los diodos, es decir:
Ip
I S ( AV ) = [cos cos ( )] E 11.3
2
La tensin eficaz de salida viene dada por la siguiente expresin:
T
2 2 VS2 V
Vo ( RMS ) =
T 0 4
dt = S
2
E 11.4
2VS
Vo1( RMS ) = = 0.45 VS E 11.6
n 2
Para una carga RLC la corriente instantnea de salida viene dada por:
2VS
io (t ) = sen (nt n )
2
n =1 1
n R 2 + nL
nC
1
nL
nC
n = arctg E 11.7
R
donde n = 1,3,5...
PROBLEMA 11.1
Dado el circuito inversor con batera de toma media de la figura, donde VS = 48 V y la carga es
resistiva y de valor R = 2.4. Calcular:
a) La tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental Vo1(RMS) .
b) Potencia eficaz de salida Po(RMS) .
c) La corriente media y de pico de cada transistor.
d) La tensin inversa de pico VQ(BR) de bloqueo cada transistor.
e) La distorsin armnica total THD.
f) El factor de distorsin DF.
g) El factor armnico y el factor de distorsin del armnico de menor orden.
h) Simular este circuito con Pspice y obtener: Tensin e intensidad en la carga.
Intensidades instantnea y media en los transistores. Anlisis espectral de Fourier.
Listado de componentes de Fourier para la tensin de salida (visualizar el fichero
.OUT). Comparar los resultados con los obtenidos tericamente.
Solucin:
a) Segn la ecuacin [E 11.6], la tensin eficaz de salida a la frecuencia del fundamental
es:
Vo1( RMS ) = 0.45 48 = 21.6 V
VS 48 Vo2( RMS ) 24 2
Vo ( RMS ) = = = 24 V Po ( RMS ) = = = 240 W
2 2 R 2.4
c) La corriente de pico de cada transistor es:
VS 24
I pQ = = = 10 A
R 2 .4
Cada transistor conduce durante el 50 % de cada ciclo, por tanto, la corriente media que circula
por cada transistor es:
I Q ( AV ) = 0.5 10 = 5 A
VQ ( BR ) = 2 24 = 48 V
1 1
THD = Von2 = Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
Vo1 n =3,5, 7... Vo1( RMS )
=
1
21.6
(24 2
)
21.6 2 = 0.4834 = 48.34%
24 21.6 = 2.4 V
2 2 2
V2 V V V
VH = on2 = o23 + o25 + o27 + ...
n =3,5,7... n 3 5 7
Como:
Vo1 0.45 VS
Von = Vo1 = 0.45 Vs Von =
n n
La tensin eficaz de todos los armnicos quedar, sustituyendo la igualdad anterior en la
expresin de VH, como:
2 2 2 2 2
0.45 0.45 0.45 0.45 0.45
V H = VS 3 + 3 + 3 + 3 + 3 ... 0.01712 VS
3 5 7 9 11
El factor de distorsin, ser:
VH V
DF = = 0.01712 S = 3.804 %
Vo1 Vo1
Vo1 21.6
Vo 3 = Vo 3( RMS ) = = 7.2 V
3 3
Factor armnico (distorsin normalizada del tercer armnico):
Vo1
Vo 3 3 1
HF3 = = = = 33.33%
Vo1 Vo1 3
Factor de distorsin del tercer armnico:
Vo 3 Vo1
2 3
3 3 1
DF3 = = = = 3.704%
Vo1 Vo1 27
h) Para simular el circuito hay que excitar los transistores con fuentes de tensin
alternas y desfasadas entre s 180. Estas fuentes excitan a los transistores a travs
de una resistencia de base Rg tal como se muestra en la figura.
Las dems consideraciones para el anlisis se pueden observar en el listado de la simulacin que
proporcionamos ms abajo.
La comparacin entre los datos tericos y los que nos ofrece Pspice se muestra en la siguiente
tabla:
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 21.6 V Vo1(RMS) = 21.46 V
b) Vo(RMS) = 24 V Vo(RMS) = 23.835 V
c) IpQ = 10 A IpQ = 9.928 A
c) IQ(AV) = 5 A IQ(AV) = 4.8828 A
e) THD = 48.34% THD = 42.8%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%
g) Vo3(RMS) = 7.2 V Vo3(RMS) = 7.156 V
La variacin existente entre la distorsin armnica total THD que proporciona Pspice con
respecto a la terica se debe a que el programa slo tiene en cuenta, como ya hemos mencionado,
los nueve primeros armnicos.
PROBLEMA 11.2
Solucin:
VS di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2 dt
y para el segundo intervalo tendremos:
VS di (t )
= vo (t ) = R io (t ) + L o
2 dt
Estas dos ecuaciones son iguales salvo en el signo, por tanto, su solucin es:
V
t t
i o (t ) = S 1 e I e
2 R o
donde:
T
V 1 e 2 L 0.05
Io = S T
= = = 0.005 seg.
2R R 10
1+ e
2
Como f = 50 Hz, tendremos un perodo T = 0.02 seg., por tanto, la intensidad mxima en la carga
es:
0.02
600 1 e 20.005
Io = = 22.85 A
2 10
0.02
1 + e
20.005
b) El tiempo t1 de paso por cero de la intensidad io(t) lo obtenemos igualando a cero la
ecuacin que rige a esta intensidad y sustituyendo en ella la ecuacin de Io.
Haciendo esto obtendremos como solucin:
2 2
t1 = T ln T = 0.005 ln 0.02 = 2.83 mseg.
1 + e 2 1 + e 20.005
c) Como la carga no es resistiva, el desfase entre tensin e intensidad viene dado por:
L 2 50 0.05
= arctg = arctg = 57.51
R 10
El valor de la intensidad media por los transistores lo vimos en la teora y viene dada por la
ecuacin:
Io
I Q ( AV ) = [1 cos( )] = 22.85 [1 cos(180 57.51 )] = 5.6 A
2 2
d) El clculo para la intensidad media de los diodos se realiza de igual forma:
Io
I D ( AV ) = (1 cos ) = 22.85 (1 cos 57.51 ) = 1.68 A
2 2
Fig. 11. 6
Inversor monofsico.
Consta de dos ramas semiconductoras conectadas como se especifica en las figuras 11.6 y 11.7; en
estas figuras se han materializado los circuitos mediante tiristores, a los cuales se han conectado
diodos en antiparalelo para conducir la intensidad reactiva.
Manteniendo excitados T1 y T4 (instante t1), el extremo X de la carga queda conectado al polo
positivo de la batera y el extremo Y al polo negativo, quedando la carga sometida a la tensin VS de
la batera. Bloqueando T1 y T4 y excitando T2 y T3 (instante t3), la tensin en la carga se invierte.
Haciendo esto de forma alternativa, la carga queda sometida a una tensin alterna cuadrada de
amplitud igual a la tensin de la batera VS , lo cual supone una ventaja con respecto al inversor con
batera de toma media. En contrapartida, aqu se necesitan el doble semiconductores que en dicha
configuracin.
Fig. 11. 7
Formas de onda en la carga.
En la figura 11.7 se muestran los perodos de conduccin, la forma de onda en la carga y los
elementos que atraviesa la corriente en cada intervalo de tiempo. Para el instante t2 la carga tendr
una tensin positiva en el extremo Y y negativa en el X, por tanto, sta se descargar a travs de
La forma de onda en la carga se ha representado suponiendo una impedancia infinita para los
armnicos de la tensin de salida, y por tanto tenemos una tensin senoidal pura. El ngulo de
retardo de la intensidad de carga con respecto a la onda fundamental de la tensin de salida se ha
tomado aproximadamente de 60.
Las ecuaciones [E 11.1] y [E 11.2] del apartado anterior siguen siendo vlidas para este caso, pero la
intensidad media suministrada por la batera es el doble de la expresada en [E 11.31].
Por otra parte la tensin eficaz de salida viene dada por:
T
2 2 2
T 0
Vo ( RMS ) = VS dt = VS E 11.8
La tensin instantnea de salida en serie de Fourier difiere de la que tenamos para un circuito
inversor con batera de toma media en que ahora tenemos el doble de tensin en la salida y por tanto:
4VS
vo (t ) = sen (n t ) para n = 1,3,5... E 11.9
n =1, 3, 5... n
4VS
Vo1( RMS ) = = 0.90 VS E 11.10
2
La intensidad instantnea de salida para una carga RLC ser:
4 VS
io (t ) = sen (nt n )
2
n =1 1
n R 2 + nL
nC E 11.11
1
nL
n = arctg nC
R
PROBLEMA 11.3
Problema11_3.cir
Solucin:
a) La tensin eficaz del fundamental viene dada por la ecuacin [E 11.10] y es:
VS2 48 2
Po ( AV ) = = = 960 W
R 2.4
c) La intensidad de pico por cada pareja de transistores ser:
48
I PQ = = 20 A
2.4
Cada rama del inversor conduce durante el 50% de cada ciclo, por tanto, la intensidad
media de cada rama es:
20
I Q ( AV ) = = 10 A
2
d) La tensin de pico de bloqueo, ser igual a la que tiene la fuente C.C. y es:
V BR = 48 V
e) Para calcular la distorsin armnica total THD de forma exacta necesitamos
conocer la tensin aportada por todos los armnicos.
48 - 43.2 = 4.8 V
1 1
THD =
Vo1
V
n =3, 5 , 7...
2
on =
Vo1( RMS )
Vo2( RMS ) Vo21( RMS ) =
1
= 48 2 43.2 2 = 48.43%
43.2
f) El factor de distorsin aplicando un filtro de segundo orden ser:
2 2 2
1 Von 1 Vo 3 Vo 5 0.3424 VS
DF =
Vo1
2 =
n =3, 5... n
2 + 2 + ... =
Vo1 3 5 0 .9 V S
= 3.804%
g) El armnico de orden ms bajo es el tercero:
Vo1
Vo 3 =
3
Vo 3 1
HF3 = = = 33.33%
Vo1 3
Vo 3
2
3 1
DF3 = = = 3.704%
Vo1 27
. La tensin de pico inversa de bloqueo de cada transistor y la tensin de salida para inversores
con batera de toma media e inversores en puente monofsico son las mismas, sin embargo, para
el inversor en puente la potencia de salida es cuatro veces mayor y la componente del
fundamental es el doble que en el inversor con batera de toma media.
h) Para simular el circuito hemos introducido cuatro fuentes de tensin alterna Vg con
sus respectivas resistencias en serie Rg.
Los diodos que se introducen en el circuito no son necesarios para este anlisis, puesto que la
carga es puramente resistiva y no desfasa la tensin e intensidad de salida. Sin embargo, se ha
introducido para que el lector pueda experimentar con otras cargas en este tipo de configuracin
Como podramos comprobar en el listado las amplitudes obtenido en el .OUT de los armnicos
pares es nula, esto se debe a que la tensin de salida es una onda cuadrada en cuya composicin
slo intervienen los armnicos impares.
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo1(RMS) = 43.2 V Vo1(RMS) = 42.76 V
c) IpQ = 20 A IpQ = 19.792 A
c) IQ(AV) = 10 A IQ(AV) = 10.058 A
e) THD = 48.43% THD = 42.87%
f) HF3 = 33.33% HF3 = 33.33%
PROBLEMA 11.4
El puente inversor de la figura tiene una carga RLC de valor R = 10, L = 31.5mH y C = 112F.
La frecuencia del inversor es de 60 Hz y la tensin de entrada VS = 220 V. Calcular:
Solucin:
2
1
Z o1 = 10 + 2 60 31.5 10 3
2
6
= 15.4
2 60 112 10
1
2 60 31.5 10
3
6
o1 = arctg 2 60 112 10 = 49.7
10
La tensin instantnea en series de Fourier viene dada por la ecuacin [E 11.9] con la que
calculamos la amplitud de cada armnico, por tanto, para n = 1:
4 220
Vo1 = sen (2 60 t ) = 280.1 sen(120 t )
Vo1 280.1
I o1 = = sen (120 t + 49.7 ) = 18.1 sen(120 t + 49.7 )
Z o1 15.4
Dando valores a n (3, 5 ,7...) se calculan los siguientes armnicos:
I o 3 = 3.17 sen(3 120 t 70.17 )
Vo 5 = 56 sen(5 120 t )
Z o5 = 55.5
o5 = 79.63
I o 5 = 1 sen(5 120 t 79.63 )
(I )
1 1 1
THD =
I o1
I
n =3,5...
2
on =
I o1
2
o I o21 =
18.1
18.4 2 18.12 = 18.28%
Po 1692
I ( AV ) = = = 7.69 A
VS 220
I pQ = 18.4 A
7.69
I Q ( AV ) = = 3.845 A
2
El circuito que se simular con Pspice es el que se muestra en la figura siguiente:
Los valores tomados para la simulacin son: R = 10, L = 31.5 mH, C = 112 F, f = 60 Hz y las
resistencias de base Rg1 = Rg2 = Rg3 = Rg4 = 100.
Para el caso de carga RLC, sabemos que la tensin y la intensidad se desfasan un cierto ngulo
que corresponde con el argumento que presenta la carga. En este caso al ser de carcter
capacitivo, la intensidad se adelanta en fase respecto de la tensin. Esto es apreciable en la figura
11.8, donde adems se puede observar que la intensidad es ahora ms senoidal que en los casos
anteriores. Esto se debe a la presencia del condensador y de la bobina en la carga. El desfase
mencionado anteriormente se encuentra reflejado en la figura 11.9. En ella se puede comprobar
el perodo de conduccin del diodo D3 y las intensidades que recorren a D1 y D3.
TERICO PSPICE
Apartado Dato Dato
a) Vo = 220 V Vo = 221.808 V
b) Io = 18.4 A Io = 20.298 A
b) Io(RMS) = 13.01 A Io(RMS) = 12.92 A
f) IQ(AV) = 3.845 A IQ(AV) = 4.706 A
a) Io1 = 18.1 A Io1 = 18.02 A
a) Io3 = 3.17 A Io3 = 2.726 A
a) Io5 = 1 A Io5 = 1.040 A
c) THD = 18.28% THD = 16.58%
Ntese que a partir del quinto armnico (en el listado) la amplitud que se presenta para cada uno
de ellos es tan pequea que no es significativo introducirla en los clculos tericos.
PROBLEMA 11.5
En un inversor monofsico en puente como el de la figura tenemos los siguientes datos: VS = 200
V, R = 30, L = 0.16 H y T = 12.5 mseg. Calcular:
Solucin:
L 0.16
= = = 5.33 mseg
R 30
por tanto, la intensidad de pico es:
T
0.0125
1 e
V 2 200 1 e 20.00533
Io = S T
= 0.0125
= 3.51 A
R 30
1+ e 1+ e
2 2 0.00533
b) El tiempo de conduccin de cada diodo ser:
L 2 0.16
= arctg = arctg = 69.54
R 0.0125 30
69.5412.5
t D on = = 2.41 mseg.
360
c) El tiempo de conduccin de cada transistor ser:
d) Para las intensidades medias de los diodos y de los transistores los clculos se
efectan del siguiente modo:
Io
I D ( AV ) = (1 cos ) = 3.51 (1 cos 69.54 ) = 0.36 A
2 2
Io
I Q ( AV ) = [1 cos( )] = 3.51 [1 cos(180 69.54 )] = 0.75 A
2 2
La intensidad media que suministra la batera ser igual a la que soportan los transistores menos
la reactiva que devuelven los diodos, para cada semiperodo:
( )
I S ( AV ) = 2 I Q ( AV ) I D ( AV ) = 2 (0.75 0.36 ) = 0.78 A
e) La potencia media que consume la carga es igual a la que cede la batera y es:
El inversor trifsico se utiliza normalmente para los circuitos que necesitan una elevada potencia a la
salida.
Los primarios de los transformadores deben estar aislados unos de los otros, sin embargo, los
secundarios se pueden conectar en tringulo o en estrella, tal como se muestra en la figura 11.10.
Los secundarios de los transformadores se conectan normalmente en estrella para de esta forma
eliminar los armnicos de orden 3, (n = 3, 6, 9...) de la tensin de salida.
Fig. 11. 10
Formas de conexin.
Este inversor se puede conseguir con una configuracin de seis transistores y seis diodos como se
muestra en la figura 11.11.
Fig. 11. 11
Inversor trifsico.
A los transistores le podemos aplicar dos tipos de seales de control: desfasadas 120 180 entre s.
Cada transistor conduce durante 180. Desfasando convenientemente las seales de control de los
transistores hacemos que conduzcan en cualquier instante tres de ellos. En la figura 11.11 cuando se
dispara Q1 el terminal a queda conectado al extremo positivo de la fuente de continua.
Tenemos seis modos de operacin durante un ciclo y la duracin de cada uno de ellos es de 60,
siendo la secuencia de disparo de los transistores: 1,2,3 - 2,3,4 - 3,4,5 - 4,5,6 - 5,6,1 - 6,1,2. Las
seales aplicadas en puerta a los transistores se muestran en la figura 11.12.
Fig. 11. 12
Seales aplicadas a las bases de los
transistores y formas de onda en la salida.
La carga se puede conectar en estrella o en tringulo tal y como se muestra en la figura 11.13. Para
una conexin en tringulo la corriente de fase se obtiene directamente de la tensin entre lneas. Para
una conexin en estrella la tensin entre lnea y neutro viene determinada por la intensidad de lnea.
Existen tres modos de operacin por semiciclo y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura
11.14.
Fig. 11. 13
Tipos de conexiones.
Fig. 11. 14
Circuitos equivalentes.
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i1 (t )R V S 2VS
v an (t ) = v cn (t ) = = vbn (t ) = i1 (t )R =
2 3 3
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i 2 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i 2 (t )R VS 2VS
vbn (t ) = v cn (t ) = = v an (t ) = i2 (t )R =
2 3 3
VS 2V
Req = R +
R 3R
= i1 (t ) = = S
2 2 Req 3R
i3 (t )R VS 2VS
v an (t ) = vbn (t ) = = v cn (t ) = i3 (t )R =
2 3 3
Fig. 11. 15
Tensiones de fase.
Fig. 11. 16
Tensiones de lnea.
En las figuras 11.15 y 11.16, se muestran las tensiones de fase y de lnea respectivamente como vab(t)
que puede ser expresada en series de Fourier como sigue, teniendo en cuenta que cambia para /6 y
que los armnicos pares son cero:
4VS n
v ab (t ) =
n =1,3,5... n
cos
6
sen n t +
6
E 11.12
vbc(t) y vca(t) vienen dadas por las siguientes ecuaciones en las que se cambia la fase de la tensin.
120 para vbc(t) y 240 para vca(t):
4V S n
vbc (t ) =
n =1, 3, 5... n
cos
6
sen n t
2
E 11.13
4VS n
vca (t ) =
n =1, 3, 5... n
cos
6
sen n t 7
6
2
2 2
V L ( RMS ) =
2 0
3 VS2 d t =
3
VS = 0.8165 VS E 11.14
De la ecuacin [E 11.12] obtendremos que la n-sima componente de la tensin eficaz de lnea ser:
4VS n
VLn ( RMS ) = cos E 11.15
2 n 6
por tanto, para n = 1, tendremos la tensin eficaz de lnea del fundamental:
4VS
V L1( RMS ) = cos 30 = 0.7797 VS E 11.16
2
V L ( RMS ) 2VS
V F ( RMS ) = = = 0.4714 V S E 11.17
3 3
Para cargas puramente resistivas, los diodos en antiparalelo con los transistores no conducen, pero
para una carga inductiva la intensidad en cada rama del inversor puede estar retrasada con respecto a
la tensin como se muestra en la figura 11.17:
Fig. 11. 17
Inversor trifsico con carga RL.
Cuando el transistor Q4 de la figura 11.11 est en corte, el nico camino para que circule la corriente
negativa de lnea ia(t) es a travs de D1, en este caso el terminal a de la carga queda conectado a la
fuente de continua a travs de D1 hasta que la intensidad en la carga invierte su sentido para t = t1 .
Durante el perodo entre 0 t < t1, el transistor Q1 no conduce. De igual forma, el transistor Q4 no
conducir para t = t2. El tiempo de conduccin de los transistores y diodos depende de la potencia
entregada a la carga.
Para una conexin de la carga en estrella, la tensin de fase es:
Vab
Van = E 11.18
3
con un retraso de 30, de la ecuacin [E 11.12] obtenemos la intensidad de lnea ia(t) para una carga
RLC:
4 VS n
ia (t ) = cos sen(n t n )
6
E 11.19
2
n =1, 3, 5...
3 n R 2 + j n L 1
n C
donde:
1
n L
n C
n = arctg E 11.20
R
PROBLEMA 11. 6
El inversor trifsico de la figura tiene una carga conectada en estrella de valor R = 5 y un valor
de L = 23 mH, la frecuencia del inversor es f = 33 Hz y la tensin C.C. de entrada es VS =220 V.
Solucin:
v ab (t ) = 242.58 sen(207 t + 30 ) 48.52 sen 5(207 t + 30 ) 34.66 sen 7(207 t + 30 ) +
+ 22.05 sen 11(207 t + 30 ) + 16.66 sen 13(207 t + 30 ) 14.27 sen 17(207 t + 30 )...
Z L = R 2 + (n L ) = 5 2 + (8.67n )
2 2
arg = arctg
(n L ) = 8.67 n
R 5
Usando la siguiente ecuacin podemos obtener la intensidad instantnea de lnea ia(t):
4 VS n
i a (t ) =
n =1, 3, 5... 3 n R + (n L )
2 2
cos
6
sen(n t n )
donde:
n L
n = arctg
R
por lo que nos queda:
i a (t ) = 14 sen(207 t 43.6 ) 0.64 sen (5 207 t 78.1 ) 0.33 sen (7 207 t 81.4 ) +
+ 0.13 sen (11 207 t 84.5 ) + 0.10 sen (13 207 t 87.5 ) 0.06 sen (17 207 t 86.4 )...
179.63
V F ( RMS ) = = 103.7 V
3
4 220 cos 30
V L1( RMS ) = = 171.53 V
2
j) Aplicando nuevamente la ecuacin [E 11.17] obtendremos la tensin eficaz de fase
del fundamental:
171.53
V F 1( RMS ) = = 99.03 V
3
V L1( RMS ) = 0.8165 VS V Ln
n =5, 7 ,11...
2
= V L2 V L21 = 0.2423 VS
0.2423 VS
THD = = 29.65%
0.8165 VS
l)
2
V Ln 0.00667 VS
V LH = 2 = 0.00667 V S
n =5, 7 ,11... n
DF1 =
0.8165 VS
= 0.81%
m) El armnico de orden ms bajo es el quinto, puesto que en la configuracin trifsica
se eliminan los armnicos de orden triple:
VL5 1
HF5 = = = 20%
V L1 5
VL5 1
DF5 = 2
= = 0.8%
V L1 5 125
Po ( RMS ) 1473
I S ( AV ) = = = 6 .7 A
VS 220
Problema11_6.cir
A partir del circuito y de su listado correspondiente:
Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de fase y de lnea en la
carga. Tensin e intensidad de fase junto con la intensidad instantnea del diodo D1.
Comparacin de la intensidad de base de los transistores. Tensin eficaz de lnea, de fase e
intensidad eficaz en la carga. Anlisis espectral de la tensin de lnea y componentes de Fourier
de sta.
Fig. 11. 18
Tensiones de puerta y de lnea.
Para este tipo de control cada transistor conduce durante 120, hacindolo dos transistores al mismo
tiempo. Siendo, por tanto, las seales de puente y la de salida las mostradas en la figura 11.18.
De la grfica se deduce que la secuencia de conduccin de los transistores es: 6,1 1,2 2,3 3,4
4,5 5,6 6,1. Luego existen tres modos de operacin por semiciclo, siendo el circuito equivalente
para una carga conectada en estrella el mostrado en la figura 11.19.
Fig. 11. 19
Circuito equivalente para la conexin de una carga resistiva en
estrella.
Durante el modo 1, para 0 < /3, conducen los transistores Q1 y Q6. Siendo:
V VS
v an (t ) = S vbn (t ) = vcn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 2, para /3 < 2/3, conducen los transistores Q1 y Q2. Siendo:
V VS
v an (t ) = S vcn (t ) = vbn (t ) = 0
2 2
Durante el modo 3, para 2/3 < , conducen los transistores Q2 y Q3. Siendo:
V VS
vbn (t ) = S v cn (t ) = v an (t ) = 0
2 2
Los inversores no modulados (de onda cuadrada), aunque son muy sencillos de implementar tienen
un gran nmero de desventajas:
Una seal no modulada presenta armnicos muy prximos a la fundamental, por lo que requiere
filtros con frecuencias de corte muy bajas y pueden atenuar no solo a los armnicos, sino tambin al
fundamental.
Para evitar el problema anterior sera muy interesante obtener una seal donde los armnicos y la
fundamental estuvieran muy separadas. Esto se puede conseguir con el control por modulacin PWM
(Pulse Width Modulation) como se ver ms adelante.
Resumen
[11_4]
Las soluciones existentes para este ltimo problema se pueden agrupar en tres procedimientos:
El mtodo ms eficiente para la regulacin interna del inversor consiste en modular la anchura de los
pulsos (PWM). Las tcnicas ms utilizadas son:
En un control de este tipo slo existe un pulso por cada semiciclo, y variando la anchura de este pulso
controlamos la tensin de salida del inversor. En la figura 11.20 se muestra la generacin de las
seales de puerta de los transistores y la tensin de salida de un inversor en puente monofsico.
Dicha generacin de seales de puerta se obtienen por comparacin de una onda rectangular (onda de
referencia) de amplitud Ar con una onda triangular (portadora) de amplitud Ac.
Ar
M = E 11.21
Ac
+
2
V d ( t ) = V
2
Vo ( RMS ) =
2
S S E 11.22
2 2
Fig. 11. 20
Modulacin en anchura de un pulso por
semiperodo.
Fig. 11. 21
Evolucin de los armnicos.
Fig. 11. 22
Fundamental y armnicos en funcin de .
En esta figura se observa que la distorsin armnica es mnima aproximadamente para el ancho de
impulso = 120, cuando el tercer armnico vale cero.
PROBLEMA 11. 7
Disear un circuito inversor en puente monofsico para una simulacin con Pspice. Se desea que
convierta a alterna la tensin continua que proporciona una sola batera de valor VS = 100 V y
que acte sobre una carga puramente resistiva de valor R = 2.5. La frecuencia de salida ha de
ser 50 Hz.
Como especificaciones tenemos que se debe controlar la tensin de salida mediante una
modulacin PWM de un pulso por semiperodo y presentar un ndice de modulacin M = 0.6.
Se pide:
Solucin:
a) Para el diseo del circuito inversor se opta por un puente monofsico tal y como se
muestra en la figura.
Problema11_7.cir
en donde: VS = 100 V; Rg1==Rg4=100 ; VX = VY = 0 V (Fuentes que permiten medir la
intensidad de paso); R = 2.5 ; f = 50 Hz
Para excitar los transistores ajustndose a las especificaciones es necesario disear un circuito de
control que insertaremos en el listado de Pspice a modo de subcircuito y actuar directamente
sobre los transistores. Dicho circuito de control se muestra en la siguiente figura y consta de un
amplificador que compara las seales de referencia con la portadora, las cuales son generadas a
parte. Los valores tomados para el diseo son:
El circuito de control acta a modo de cuadripolo en donde los dos polos de entrada son los
nudos 1 y 2. En dichos polos se conectan los nudos 17 y 15 de las fuentes Vc y Vr1
respectivamente para una rama inversora y los nudos 17 y 16 de las fuentes Vc y Vr2 para la otra
rama. En general lo que se hace es amplificar la diferencia de tensiones V(17,16) para una rama
y la diferencia V(17,15) para la otra, estando Vr1 desfasada 180 respecto de Vr2 .
Ar
M = Ar = M Ac = 0.6 50 = 30 V
Ac
Para calcular basta con aplicar una relacin: si para un M = 1 tendramos un ancho de pulso de
180, para M = 0.6 tendremos un ancho de pulso = 108 que equivale a un tiempo T = 6 mseg.
+
2 108
Vo ( RMS ) =
2 VS2 d ( t ) = VS = 100 = 77.45 V
2
-
2
180
En las figuras 11.23 y 11.24 se comprueba que el tiempo de conduccin de los transistores es
aproximadamente igual al indicado en teora.
PROBLEMA 11.8
Cuando la tensin entregada a la carga se necesita que sea lo ms senoidal posible, con o sin filtro de
salida, conviene reducir al mximo el contenido de armnicos de la onda de salida.
Fig. 11. 26
Modulacin en anchura de pulsos.
Este mtodo consiste en hacer que en cada semiperodo haya un nmero entero de impulsos a la
salida, los cuales estn modulados en anchura. La seal de salida se obtiene por comparacin de una
seal de referencia con una portadora tal y como se ve en la figura 11.26 conjuntamente con las
seales de puerta que se utilizan para conmutar a los transistores.
fc mf
p= = E 11.25
2 f 2
donde:
fc
mf =
f
es conocida como la proporcin de la frecuencia de modulacin.
La variacin del ndice de modulacin de cero a uno nos variar el ancho del pulso de 0 a /p y la
tensin de salida desde cero a VS.
+
2 p p
p
VS2 d ( t ) = VS
2
Vo ( RMS ) = 2 E 11.26
p
2
vo (t ) = B n sen(n t ) E 11.27
n =1, 3, 5...
donde el coeficiente Bn se determina al considerar un par de pulsos, tal que el pulso positivo, de
duracin comienza para t = m y el pulso negativo de la misma anchura comienza para t =m+.
A medida que aumentamos el nmero de pulsos por ciclo cobran mayor importancia en amplitud los
armnicos superiores, por lo que resulta mucho ms fcil el filtrado posterior de la seal y obtener
una onda senoidal lo ms perfecta posible.
PROBLEMA 11.9
Dado el circuito de la figura, en donde: Rg1 = ... = Rg4 = 100 , f = 50 Hz, VS = 100 V, VX = VY
= 0 V y R = 2.5 .
Se pide:
a) Disear el circuito de control para obtener cinco pulsos por semiciclo. Con un ndice de
modulacin M = 0.6, calcular el ancho de pulso que se produce para estas condiciones.
b) Calcular la tensin eficaz Vo(RMS).
c) Obtener mediante simulacin con Pspice las siguientes grficas: Tensin de salida.
Comparacin de la seal de referencia con la portadora. Anlisis espectral de la tensin de
salida.
Problema11_9.cir
Solucin:
a) Para obtener cinco pulsos por semiperodo a la salida es necesario comparar dos
seales (una portadora triangular y otra de referencia cuadrada) en donde la frecuencia de la
portadora ha de ser diez veces superior a la de referencia y como sta debe tener una frecuencia fr
= f = 50 Hz, tendremos:
f c = 10 f = 10 50 = 500 Hz
El ancho de pulso que se produce viene dado por la relacin siguiente: si para M = 1 el ancho de
pulso es 180/5 para un M = 0.6 tenemos:
Como puede observarse en la figura 11.30, los armnicos de orden ms bajo estn disminuidos
en amplitud con respecto a los que produce la modulacin de un pulso por semiperodo, sin
embargo, los de mayor orden (a partir del sptimo) crecen en amplitud. Por lo tanto, para este
tipo de modulacin es ms fcil aplicar un filtro de segundo orden para obtener una seal
senoidal lo ms perfecta posible, eliminando los armnicos de orden ms alto.
Modulacin senoidal.
Para generar las seales de control de los interruptores de forma que se consigan formas de onda de
este tipo son necesarias dos seales:
1. Una seal de referencia: es la forma de onda que se pretende conseguir a la salida. En caso
de los inversores suele ser una senoide.
2. Una seal portadora: es la que establece la frecuencia de conmutacin. Se utiliza una seal
triangular
Tanto para la modulacin senoidal como para los otros tipos de modulacin estudiados pueden existir
a su vez dos tipos: modulacin bipolar y modulacin unipolar.
Modulacin bipolar:
Se compara la seal de referencia con la portadora
Modulacin unipolar:
Fig. 11. 34
Generacin de pulsos utilizando dos ondas
senoidales y tensin de salida.
M1 y M4 son complementarios
M2 y M3 son complementarios
PROBLEMA 11.10
Problema11 10.cir
En lugar de mantener constante la anchura de todos los pulsos como en el caso anterior, se varan en
proporcin a la amplitud de una onda senoidal; de esta forma el factor de distorsin y los armnicos
de orden ms bajos son reducidos significativamente.
Las seales de puerta se obtienen por comparacin entre la citada seal senoidal (seal de referencia)
y una seal triangular (seal portadora). La frecuencia de la seal de referencia fr determina la
frecuencia f de la tensin de salida y su amplitud Ar controla el ndice de modulacin M y por
consiguiente la tensin eficaz de salida Vo(RMS) . El nmero de pulsos por semiciclo depende de la
frecuencia de la seal portadora como se puede observar en la figura 7.43.
Fig. 11. 36
Comparacin entre una onda senoidal y una triangular
unidireccional.
Podemos observar en la figura 11.34 que la anchura de cada pulso de la seal de excitacin
corresponde a los intervalos existentes entre los puntos de corte de la onda portadora y la de
referencia, obtenindose el doble de pulsos si utilizamos dos ondas senoidales en vez de una. m es la
anchura de un pulso p-simo que vara al modificar el ndice de modulacin y modificando ste se
altera la tensin eficaz de salida, que vendr dada por:
p
m
Vo ( RMS ) = VS
p =1
E 11.28
La tensin de salida PWM tiene una frecuencia fundamental que coincide con la frecuencia de la
seal de referencia senoidal y las frecuencias armnicas existen en y alrededor de los mltiplos de la
frecuencia de conmutacin. Al aumentar la frecuencia de la portadora (aumento de mf) aumentan las
frecuencias a las que se producen los armnicos.
3. Las pendientes de la seal triangular y de la senoidal deben ser opuestas en los cruces por
cero
- Seales sincronizadas
- mf entero impar
- Pendientes opuestas
Fig. 11. 37
Simetra impar, slo tiene trminos seno impares
Vreferencia f
ma = = senoidal
Vportadora f triangular
V1 = m a Vin
Esto implica que podemos controlar la amplitud de la tensin de salida controlando el valor de ma.
Si ma >1, la amplitud de la tensin de salida aumenta al aumentar ma pero de forma no lineal. A esto
se le llama sobremodulacin
Fig. 11. 38
ndice de modulacin de amplitud ma.
Sobremodulacin.
Fig. 11. 39
Efectos de la sobremodulacin
Fig. 11. 40
Relacin entre el voltaje de pico fundamental de salida y el ndice de
modulacin ma.
La serie de Fourier se calcula eligiendo un mf que sea entero impar, entonces la salida muestra una
simetra impar y la serie de Fourier se expresa como:
v0 (t ) = Vn sen(n 0 t )
n =1
Cada armnico Vn se calcula sumando el armnico n de cada uno de los p pulsos de un periodo
completo
p
Vn = Vnk
k =1
Fig. 11. 41
Clculo de Vn
Fig. 11. 42
Espectro de frecuencia
para PWM bipolar para
ma = 1
Fig. 11. 43
Espectro de frecuencia
para PWM unipolar para
ma = 1
Los coeficientes de Fourier normalizados Vn / Vin para el esquema PWM unipolar son los siguientes:
ma=1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1
n=1 1.00 0.90 0.80 0.70 0.60 0.50 0.40 0.30 0.20 0.10
n = 2mf 1 0.18 0.24 0.31 0.35 0.37 0.36 0.33 0.27 0.19 0.10
n = 2mf 3 0.21 0.18 0.14 0.10 0.07 0.04 0.02 0.01 0.00 0.00
PROBLEMA 11.11
Dado el circuito inversor en puente monofsico de la figura, en el que los datos son:
Problema11_11.cir
Se pide:
a) Disear el circuito de control para modular la tensin de salida senoidalmente con cinco
pulsos por semiperodo unipolar y con ndice de modulacin M = 0.9.
c) Simular el circuito con Pspice y obtener las siguientes grficas: Tensin de salida.
Comparacin de las seales de referencia con la portadora. Anlisis espectral de la tensin
de salida. Listado del programa.
d) Simular el circuito para diez pulsos por semiperodo y comprese el anlisis espectral de la
tensin de salida con el de cinco pulsos por semiperodo.
Solucin:
Para obtener la modulacin pedida, se compara las seales de referencia senoidales (Vr1 y Vr2) de
frecuencia fr = 60 Hz con una seal portadora (Vc) de frecuencia fc diez veces mayor para
obtener cinco pulsos por semiperodo.
Para que el ndice de modulacin sea M = 0.9 se fija la amplitud de la seal portadora
(triangular) a 50 voltios, por lo que la amplitud de la de referencia ha de ser:
Ar = M Ac = 0.9 50 = 45 V
p
m
Vo ( RMS ) = VS
p =1
Analizando con Pspice un semiciclo de la tensin de salida, podemos obtener la duracin de cada
uno de los pulsos.
Seguidamente mostramos una figura en la que se han anotado las anchuras de cada uno de los
pulsos. Estos datos se obtienen utilizando las herramientas que proporciona el programa.
En la figura 11.47 observaremos que los armnicos de menor orden (3, 5 y 7), son atenuados,
pero en cambio, los de orden algo mayor (9,11...) son amplificados.
Para que el mismo circuito module la tensin de salida con diez pulsos por semiperodo, basta
con cambiar en el listado las frecuencias de las seales de referencia y portadora. En general,
basta con sustituir el apartado "* Generacin de seales de referencia y portadora" del listado
ofrecido anteriormente por el que mostramos a continuacin:
Como conclusin al comparar las dos simulaciones podemos decir que al aumentar el nmero de
pulsos por semiciclo se reduce el contenido de armnicos significativamente, tal y como se
aprecia en las grficas de los anlisis espectrales. Esto se debe a que este tipo de modulacin
elimina los armnicos de orden menor o igual a 2p-1.
La tensin eficaz de salida para la simulacin de cinco pulsos por semiperodo que Pspice
proporciona es Vo(RMS) = 76.459 V. Esto lo podemos comprobar simulando el ejemplo para
varios ciclos.
Si se desea, se puede utilizar para la simulacin con diez pulsos por semiperodo el
archivo (Problema11_11A.CIR) contenido en el disquete adjunto.
[Rashid]
PROBLEMA 11.12
Utilizamos un puente inversor de onda completa para generar una tensin de 60Hz en bornas de
una carga R-L serie, usando PWM bipolar. La entrada de continua del puente es de 100V, el
ndice de modulacin de amplitud ma es 0,8 y el ndice de modulacin de frecuencia mf es 21
(ftriangular = 2160 = 1260Hz). La carga tiene una resistencia R = 10 y una inductancia L= 20mH.
Calcular:
a) La amplitud de la componente de 60Hz de la tensin de salida y la corriente de la carga
b) La potencia absorbida por la resistencia de carga
c) El factor DAT de la corriente de carga
Problema11_12.cir
Solucin:
a) Con ayuda de la tabla de los coeficientes de Fourier normalizados para PWM bipolar, la
amplitud de la frecuencia fundamental de 60Hz es:
Vn Vn
In = =
Zn R + (n 0 L )
2 2
b) Con mf = 21, los primeros armnicos tienen lugar para n = 21, 19 y 23. Ayudndonos
nuevamente de la tabla de coeficientes de Fourier:
2
I
Pn = (I n,ef ) R = n R
2
En la siguiente tabla se resumen las amplitudes de las tensiones, las corrientes y las potencias
resultantes a estas frecuencias.
Los armnicos de nivel superior aportan poca potencia, y pueden ser despreciados.
(I )
2
n =2
n, ef
(0,11)2 + (0,36)2 + (0,09)2
DAT = = 0,087 = 8,7%
I1,ef 4,52
11.4 Filtrado
11.4.1 FILTRADO DE LA TENSIN DE SALIDA.
Zs
C
Representacin esquemtica de un filtro y
Von Zp VoFn
A
R Z Ln armnicos a eliminar por el filtro
G
A [11_5]
Fig. 11. 53
Esquema de conexin de un filtro.
Filtro
La rama serie debe tener una baja impedancia a la frecuencia del fundamental para que no halla
prdidas de tensin y una alta impedancia a la frecuencia de los armnicos que se quieren eliminar.
La rama paralelo debe comportarse de forma opuesta para no cargar al inversor con una intensidad de
frecuencia igual a la del fundamental y para cortocircuitarse a la frecuencia de los dems armnicos.
Se llama atenuacin del filtro para una determinada frecuencia, a la relacin entre la tensin de
salida y la de entrada a dicha frecuencia. Llamando Zsn y Zpn a la impedancia de las ramas serie y
paralelo. Para el armnico de orden n y para funcionamiento en vaco se tiene:
VoFn Z pn
atenuacin = = E 11.29
Von Z sn + Z pn
Zsn y Zpn dependen de la frecuencia considerada y por tanto, al igual que la atenuacin, suele ser
mayor para frecuencias ms elevadas debido al comportamiento inductivo de Zsn y capacitivo de Zpn .
En caso de tener una cierta carga de impedancia ZLn, la atenuacin mejora porque la impedancia
paralelo Zpn a considerar sera el equivalente de Zpn y ZLn:
Z pn Z Ln
Z pn =
Z pn + Z Ln
En la figura 11.54 se presentan algunos de los filtros en L ms utilizados. Los que tienen en la rama
serie una sola bobina tienen el inconveniente de que se pierde en ella tensin de la frecuencia
fundamental. Los que tienen en la rama paralelo un condensador slo tienen el inconveniente de que
se deriva por l una parte de la intensidad de la frecuencia fundamental.
Fig. 11. 54
Diversos tipos de filtros en L.
Ambos inconvenientes se pueden eliminar en los inversores de frecuencia fija utilizando ramas
resonantes sincronizadas con la frecuencia fundamental de forma que a dicha frecuencia:
1
1 LS =
1 C S
E 11.30
1
1 L p =
1 C p
con lo que:
1
Z s1 = j1LS j =0
1CS
E 11.31
( j L ) j 1
1C p
1 p
Z p1 = =
( j1 L p ) + j 1
1C p
y por tanto, la cada de tensin en la rama serie es nula y el consumo de intensidad en la paralela
tambin lo es.
La atenuacin de un filtro de este tipo para un armnico de orden n puede deducirse sustituyendo
en la ecuacin [E 11.29] las expresiones de Zsn y Zpn para la frecuencia n1 y resulta:
VoFn 1
= 2
E 11.32
Von 1 Cp
1 n
n Cs
Para disear un filtro de tensin a la salida de un inversor y para el caso genrico de que RL sea
mucho mayor que R hacemos las siguientes consideraciones:
La ganancia G 1.
La pulsacin n toma el valor:
1
n
LC
Fig. 11. 55
R C
2 L
La definicin de estos parmetros tambin puede hacerse teniendo en cuenta lo siguiente:
b) R suele tener un valor pequeo, el suficiente para que 0.4 < < 0.7.
PROBLEMA 11.13
Simular con Pspice el circuito inversor de batera de toma media de la figura al que se le aplica
un circuito de control que produce una modulacin en anchura de un pulso por semiperodo.
Problema11_13.cir
Datos para la simulacin:
Los valores para el circuito de control son los mismos que para ejemplos anteriores.
a) Obtener las siguientes grficas: Tensin antes del filtro. Tensin despus del filtro y
anlisis espectral de esta tensin. Intensidad por D1.
PROBLEMA 11.14
Dado el circuito inversor de la figura, se pide disear y calcular el filtro de tensin que presenta
entre los nudos (4) y (6). Los valores de los componentes tomados para el puente inversor son
los mismos que para el problema 11.11.
Se debe controlar la tensin de salida con un circuito comparador como el del problema 11.13
que proporcione una modulacin senoidal con cinco pulsos por semiperodo y un ndice de
modulacin M = 0.9. Los valores de los componentes del circuito comparador se tomarn del
ejemplo 11.11.
Problema11_14.cir
Como especificaciones tenemos que: f = 600 Hz. y RL = 100
Asimismo obtener las grficas: Tensin antes del filtro. Tensin despus del filtro. Anlisis
espectral de la tensin de salida. Listado para la simulacin.
Solucin:
Para disear el filtro de tensin utilizaremos el mtodo expuesto en teora. Suponiendo un valor
n = 4200, asignando un valor a R = 0.4 (R debe ser mucho menor que RL) y tomando = 0.6
(donde 0.4 < < 0.7) tenemos que:
2
R C C 1.2 C
= = 0.6 1.2 = R = C = 9L
2 L L 0.4 L
1 1 1
n = LC = C=
LC 2
n L n2
igualando ambas ecuaciones:
1 1 1
9L = L2 = L=
L 2
n 9 2
n 9 n2
Comparando las figuras 11.56 y 11.57 podemos ver el efecto que produce el filtro en la
reduccin de picos de tensin. La supresin de los armnicos n3 y n5 es un efecto producido
por la modulacin senoidal. La atenuacin que produce el filtro sobre el resto de los armnicos
ser comprobable con la simulacin del ejemplo sin filtro y comprobando que dichos armnicos
(superiores al quinto) tienen una amplitud ligeramente mayor.
Para eliminar el filtro basta con introducir un asterisco * al principio de cada lnea que
deseemos eliminar.
Recordamos que si se desea eliminar algn componente para la simulacin habr que
reajustar el valor de los nudos en el listado.
PROBLEMA 11.15
Disea un filtro LC pasabajo para un inversor en puente monofsico con control PWM senoidal
con once pulsos por semiperodo para que la amplitud del componente armnico de orden once
no exceda del 4% siendo el coeficiente de Fourier de ste armnico b11 = 0.601. La tensin de
salida es Vo = 240 V, la frecuencia f = 50 Hz y la intensidad de salida Io = 16 A siendo la carga
resistiva.
Solucin:
Von V
= oFn
LS + C p // R C p // R
VoFn LS + C p // R 1
= =
jL
Von C p // R
(1 2
CL + ) R
La frecuencia de resonancia debe ser mayor a 50 Hz y no ser mltiplo de sta para no afectar al
fundamental, tomamos, por ejemplo, fr = 140 Hz y tendremos:
1 1
fr = LS C p = = 1.29 10 6
2 LS C p (2 140)2
que debe ser atenuada por el filtro hasta el 4% de la tensin de salida, es decir, hasta:
240 4
VoFn = = 9.6 V
100
sustituyendo estos datos en la ecuacin de definicin del filtro tendremos:
VoFn 9.6 1
= =
Von 144.24
[
]
L
1 (2 550) 1.29 10 6 + j 2 550 S
2
15
1.29 10 6
Cp = = 72 F
0.018
PROBLEMA 11.16
La figura muestra un inversor en medio puente con modulacin PWM. Para obtener una
alimentacin con un punto medio se han utilizado dos fuentes de tensin continua. En las
prcticas se utilizarn dos condensadores exteriores iguales. El tamao de estos condensadores
deber ser lo suficientemente grande para que la tensin a travs de ellos pueda considerarse
constante.
La tensin obtenida en los terminales VA0 variar entre VD/2 y VD/2 con una secuencia que
depender de la seal de control y la seal triangular. Los resultados mostrados en la figura han
sido obtenidos con un ndice de modulacin en amplitud de 0,8 y un ndice de modulacin en
frecuencia 15. Como puede comprobarse en esa misma figura, los armnicos de VA0 aparecen
en las cercanas de la frecuencia de la seal triangular. Adems dada la simetra de la tensin
solo tiene armnicos impares.
S1 cerrado y S2 abierto.
S1 abierto y S2 cerrado.
S1 abierto y S2 abierto. (solo transiciones).
Queremos obtener una seal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30 y L = 78mH y se utilizar una seal triangular de 5KHz, como portadora.
Solucin:
Como sabemos una carga formada por una resistencia y una bobina o inductancia en serie, se
comportan como un filtro paso bajo, por tanto primeramente comprobaremos que la frecuencia
de trabajo (50Hz) se encuentra por debajo de la frecuencia de corte de dicho filtro, para no
atenuarla. Para ello calcularemos la frecuencia de corte del filtro.
R 30
W= = = 38461 rad/s
L 78 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 f despejando f tenemos f = = 612 Hz
2
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la seal ser atenuada.
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma VD/2= VCC = 50 = 25 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 25 voltios
menos la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 19.9 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 19'9
Si despreciamos L IRcarga = = = 0.633 A
R 30
CALCULO DE VA (seal maxima)
Datos: VD = 100 V
VTRI = 10V, 5KHz;
VCONTROL = 10V, 50Hz;
VCONTROL 10
VA = ma VD/2 = VCC = 50 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 398 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
IRcarga = = = 132 A
R 30
A continuacin se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una seal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imgenes se muestra la tensin en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
PROBLEMA 11.17
En esta topologa no es necesario que la alimentacin en continua disponga de punto medio (0).
Las tensiones instantneas en los semipuentes (VA0 y VB0) son iguales pero de signo contrario
(figura 11.60), por lo que al restarlas para obtener la tensin VAB se obtiene una tensin similar a
VA0 pero de valor doble.
Queremos obtener una seal alterna de 50Hz en la carga, y los valores elegidos para R y L son R
= 30 y L = 78mH y se utilizar una seal triangular de 5KHz, como portadora.
Solucin:
R 30
W= = = 38461 rad/s
L 78 10 -3
Y como:
384'61
W = 2 f despejando f tenemos f = = 612 Hz
2
Por tanto, comprobamos que para la frecuencia de trabajo de 50 Hz estamos cerca de la
frecuencia de corte y la seal ser atenuada.
VCONTROL 5
Como sabemos VA = ma VD= VCC = 100 = 50 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 50 voltios menos
la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 398 V y una frecuencia igual a la de control
(50Hz).
VA 39'8
Si despreciamos L IRcarga = = = 132 A
R 30
VCONTROL 10
VA = ma VD = VCC = 100 = 100 V
VTRI 10
Por tanto en la resistencia de carga obtendremos una onda senoidal de amplitud 100 voltios
menos la cada de tensin provocada por el filtro, o sea 796 V y una frecuencia igual a la de
control (50Hz).
VA 79'6
IRcarga = = = 265 A
R 30
A continuacin se muestra una imagen real tomada con el osciloscopio para una seal triangular
de 500 Hz y 5 KHz respectivamente. En estas imgenes se muestra la tensin en la carga sin
filtro y la corriente con filtro.
En los inversores vistos hasta ahora los circuitos de potencia se comportaban frente a la carga como
una fuente de tensin que, al menos tericamente, no cambia la forma de onda de la tensin de salida
ni su valor al variar la carga y s lo hace la intensidad de salida fluctuando de positivo a negativo y
viceversa. Por el contrario, en el circuito inversor como fuente de intensidad no existe este efecto ya
que tiene como entrada una fuente de este tipo y la intensidad de salida se mantiene constante
independientemente de la carga.
En la figura 11.63, se muestra un inversor monofsico de este tipo en donde la bobina L debe tener
un valor muy alto para que la intensidad se mantenga constante, siendo los diodos D1, D2, D3 y D4,
dispuestos en serie con los transistores, utilizados para bloquear las tensiones inversas en los
transistores.
Fig. 11. 63
Inversor en fuente de corriente.
Fig. 11. 64
Formas de onda en el inversor.
11.6 Aplicaciones
Actualmente existen multitud de aplicaciones para los convertidores DC/AC. Entre ellas puede
citarse el control de motores de corriente alterna, donde se hace necesario un rectificador controlado
para convertir a continua la seal alterna y regular la potencia entregada al motor, para despus
volver a ondular la seal mediante un inversor.
2
S =
p
El deslizamiento, s, se define en trminos de la velocidad del rotor r:
s r
s=
s
El par es proporcional al deslizamiento
Si se cambia la frecuencia elctrica aplicada, la velocidad del motor cambiar proporcionalmente. Sin
embargo, si la tensin aplicada se mantiene constante al disminuir la frecuencia, el flujo magntico
en el entrehierro aumentar hasta el punto de saturacin. Es aconsejable mantener el flujo en el
entrehierro constante e igual a su valor nominal. Esto se consigue variando la tensin aplicada ade
forma proporcional a la frecuencia. La relacin entre la tensin aplicada y la frecuencia aplicada
debera ser constante:
V
= constante
f
Fig. 11. 65
Control de motor C.A.
Sin embargo, las dos aplicaciones que se han considerado como ms generalizadas en la actualidad
son los sistemas de alimentacin ininterrumpida de C.A. y los sistemas de conversin de energa
fotovoltaica.
Los sistemas de alimentacin ininterrumpida (S.A.I. o U.P.S.) se encargan a groso modo de proveer
de energa a una instalacin cuando falla la tensin de red y constan de tres partes esencialmente. La
primera es especficamente un rectificador que se encarga de alimentar las bateras de C.C. cuando la
tensin de red no est cortada. La segunda parte es el inversor que se necesita para convertir la
energa de la batera a alterna, siendo la tercera parte del sistema los interruptores necesarios para
aislar al inversor de la red.
CORRIENTE DE CONEXIN
SE AL DEL
DEL FILTRO
RECTIFICADOR
120 HZ.
AC DC DC
RECTIFICADOR
DE ALTA INVERSOR
INVERSOR TRANSFORMADOR DE FRECU ENCIA
DE ALTA ALTA FRECUENCIA
FRECUENCIA
PANEL CONVERTIDOR AC - AC
FOTOVOLTAICO
En un sistema fotovoltaico residencial (de unos pocos kilowatios) la potencia disponible, que vara
con la radiacin solar y la temperatura, se convierte con un inversor a la tensin alterna de la lnea de
consumo. La carga del consumidor se conecta al terminal de alterna y en das de sol, la potencia solar
El esquema de conversin de potencia usado en los sistemas actuales se muestra en la figura 11.66.
Bsicamente la potencia continua es convertida a la lnea a travs de una conexin por transformador
de alta frecuencia. La tensin continua fotovoltaica se convierte primero a alta frecuencia mediante
un inversor que se acopla mediante transformador a un convertidor AC/AC para obtener la intensidad
de la lnea de consumo.
El convertidor AC/AC consta de un rectificador de alta frecuencia, un filtro y un inversor tal y como
se muestra en la figura 11.66 en la que se indica tambin las formas de onda de los diferentes estados
de conversin. Comparado con el diseo convencional de conmutacin aislado, el diseo de
conexin de alta frecuencia usado aqu permite una considerable reduccin en peso del convertidor
de potencia y suavizar la fabricacin de la seal de intensidad senoidal de salida en fase con la
tensin de lnea.
El circuito de potencia est detallado con el diagrama de bloques del controlador y se muestra en la
figura 11.67.
El sistema de tensin continua variable se convierte a alterna de alta frecuencia con un inversor en
puente completo con transistores, el cual opera en un rango de frecuencia de 10 - 16 KHz.
La tensin alterna tiene en la conexin de alta frecuencia un control PWM que la modula
senoidalmente hasta conseguir una seal de 50 Hz. La seal PWM de alta frecuencia se rectifica con
un puente de diodos el cual despus de filtrar las componentes portadoras tiene la forma de onda de
un rectificador en puente. La intensidad resultante de la conexin AC/DC es mandada
alternativamente por el inversor que est alimentado por la lnea de alterna para que est en fase con
la tensin. El inversor de alta frecuencia con el rectificador y el filtro en L se considera una conexin
de alta frecuencia c.c.-c.c. buck chopper donde los transistores son controlados para sintetizar un
rectificador en puente en la conexin de continua.
El chopper opera como un rectificador de onda completa y contador de seal EMF grabado por la
inversin de polaridad del inversor. En vista de que la potencia a la frecuencia del fundamental de la
seal de salida del convertidor ha de compensar la salida, la corriente del sistema flucta con un
armnico de orden dos elevado. Se ha dispuesto un filtro por condensador de alta capacidad para
suavizar la intensidad del sistema.
Q1 Q2 Q5 Q6
D1 D2 CONTACTORE S
T1
D5 TE NSIN AC
Q3 Q4 Q7 Q8
D3 D4
CONTROL DE LAS
BASE S D E LOS
TRANSISTORES
MICROPROCESADOR
HART, Daniel W. Electrnica de Potencia. Ed. Prentice Hall. Madrid 2001. ISBN 84-205-3179-0
Bibliografa ampliacin
FINNEY, David. The Power Thyristor and its applications. Ed. McGraw Hill, cop, Londres, 1980.
LORENZO, S.; RUIZ, Jose M., MARTN, A.; VALENTN, E. L. Convertidores cc/ca (versin
bsica) PECADS. II. Ed. Edibon S.A.
RASHID, M. H. Spice for circuits and electronics using Pspice. Ed. Prentice-Hall International,
1990