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Capítulo I. Electrónica de Estado Sólido PDF
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Conductividad y Resistividad:
( )( )
Ejemplo:
Resistividad de:
8
Plata: 55
8
Cobre: 7
8
Grafito: 6
= 1.7 *
( )
= 1.7 *
UNIVERSIDAD DE PIURA 3
Electrnica de estado slido
8
= 1.7 *
Las bandas de energa son un modelo que consiste en que los electrones de un mismo nivel
de energa se encuentran en estados energticos ligeramente diferentes. Es por ello que no
es correcto hablar de capas de energa sino que ms bien de bandas de energa. Estas bandas
se siguen los siguientes principios:
Los electrones poseen niveles de energa de valor discreto pues se mueven en distintas
trayectorias respecto del ncleo.
Los electrones tienden siempre a ocupar los niveles de energa ms bajos.
En cada nivel de energa el nmero de electrones no puede ser mayor al nmero de
estados cunticos.
Principio de Exclusin de Pauli: solo un electrn puede ocupar un estado cuntico.
Para el estudio de los fenmenos presentes en la electrnica nos ocuparemos de las dos
ltimas bandas de energa. Estas son la banda de valencia y banda de conduccin las cuales
a su vez estn separadas por la banda prohibida (Ilustracin 1)
Conductor y Aislante
el nombre de electrn libre, el cual puede ser arrancado fcilmente por una fuerza
externa. An la tensin ms pequea puede hacer que los electrones libres de un conductor
de cobre se muevan de un tomo al siguiente, siendo ste el principio de la conductividad.
Los mejores conductores (plata, cobre y oro) tienen un nico electrn de valencia.
Ilustracin 2.- Diferencias entre las bandas de energa de los materiales conductores, semiconductores y
aislantes)
Enlace Covalente
diferencia de esta entre los tomos no es lo suficientemente grande como para que haya
transferencia de electrones.
En el caso particular del silicio, cada tomo vecino comparte un electrn con el tomo
central, quedando este con cuatro tomos adicionales sumando un total de 8 electrones en
su rbita de valencia (rbita ms exterior en la cual se encuentran los electrones de
valencia), estando ahora compartidos por tomos adyacentes, por medio de fuerzas iguales
y opuestas, constituyendo un enlace entre las partes internas opuestas.
1.2. Semiconductores
Silicio (Si):
El tomo de silicio posee 14 protones y 14 electrones, de tal forma que en la primera orbita
contiene 2 electrones, la segunda contiene 8 y dejando en la ltima orbita 4 electrones
(caracterstica del semiconductor).
Germanio (Ge):
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Electrnica de estado slido
Algunas de las caractersticas nicas del Ge y Si, son el resultado de su estructura atmica.
Los tomos de ambos materiales organizan un patrn bien definido que por naturaleza es
peridico. Un patrn completo se denomina Cristal y el arreglo peridico de los tomos se
denomina red. Para el caso del Ge y Si, el cristal presenta la estructura tridimensional del
diamante. Cualquier material compuesto nicamente de estructuras cristalinas repetidas del
mismo tipo se denomina estructura de monocristal.
Cristales Semiconductores
Las vibraciones de los tomos de silicio pueden, ocasionalmente hacer que se desligue un
electrn de la rbita de valencia. Al suceder esto, el electrn que es liberado gana la engera
suficiente para situarse en una rbita mayor. En dicha rbita el electrn es un electrn libre,
y adems su salida deja un vaci, el cual se denomina hueco.
Es un material semiconductor de un cristal sin ningn otro tipo de tomos dentro del cristal,
es decir puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene
unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica, mientras que a cero
grados Kelvin no existen electrones libres.
Material (eV)
( )
Dopado de un Semiconductor:
El proceso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces covalentes y
cambiar el estado del silicio del slido. En el caso de querer aumentar el nmero de
electrones libres se aaden tomos pentavalentes al silicio fundido. Como estos materiales
donarn un electrn extra un electrn extra al cristal de silicio se les conoce como
impurezas donadoras.
Son los que estn dopados, con elementos pentavalentes, como por ejemplo (As, P, Sb).
Que sean elementos pentavalentes, quiere decir que tienen cinco electrones en la ltima
capa, lo que hace que al formarse la estructura cristalina, un electrn quede fuera de ningn
enlace covalente, quedndose en un nivel superior al de los otros cuatro. Como
consecuencia de la temperatura, adems de la formacin de los pares electrn-hueco, se
liberan los electrones que no se han unido.
1
Portadores de carga mayoritarios: electrones
Portadores de carga minoritarios: huecos
Portadores de carga minoritarios: huecos
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Electrnica de estado slido
En cuanto a la conductividad del material, esta aumenta de una forma muy elevada, por
ejemplo; introduciendo slo un tomo donador por cada 1000 tomos de silicio, la
conductividad es 24100 veces mayor que la del silicio puro.
Ilustracin 8.- Representacin de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con elemento de 5
electrones de valencia.
En este caso son los que estn dopados con elementos trivalentes, (Al, B, Ga, In). El hecho
de ser trivalentes, hace que a la hora de formar la estructura cristalina, exista un nmero
insuficiente de electrones para completar los enlaces covalentes de la red recin formada
dejando una vacante con un nivel energtico ligeramente superior al de la banda de
valencia, pues no existe el cuarto electrn que lo rellenara.
Esto hace que los electrones salten a las vacantes con facilidad, dejando huecos en la banda
de valencia, y siendo los huecos portadores mayoritarios.
2
Portadores de carga mayoritarios: huecos
Portadores de carga minoritarios: electrones
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Electrnica de estado slido
Ilustracin 10.- Representacin en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un tomo de 3
electrones de valencia.
La unin PN
semiconductor tipo n y uno tipo p se llama unin pn, tambin denominada como zona de
deplexin.
Bajo condiciones sin polarizacin (sin un voltaje aplicado), cualquier portador minoritario
(hueco) en el material tipo n que se encuentre dentro de la frontera pn fluir directamente
hacia el material tipo p.
Zona de Deplexin
La repulsin mutua entre los electrones libres en el lado n, tiende a dispersarlos en cualquier
direccin, ocasionando que algunos de estos se difundan atravesando la unin. Cuando un
electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario, que estar
rodeado de huecos, por lo que este electrn libre tendr un tiempo de vida corto, ya que
poco despus de entrar en la regin p se recombinar, convirtindose en un electrn de
valencia. Cada vez que el electrn abandona el lado n deja un tomo pentavalente al que le
falta una carga negativa, convirtindose en un ion positivo. Algo anlogo sucede cuando un
electrn cae en un hueco en el lado p, el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte
en un ion negativo. Por lo tanto cada vez que un electrn se difunde crea un par de iones, lo
cual es apreciable en la ilustracin 12.
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Electrnica de estado slido
Cada par de iones positivo y negativo se llama dipolo. Al aumentar el nmero de dipolos, la
regin cercana se va quedando sin portadores, siendo esta, la zona de deplexin.
Barrera de Potencial
Existe un campo elctrico entre los iones positivo y negativo de cada dipolo formado. Por lo
tanto este campo elctrico tratar de devolver los electrones libre adicionales que intenten
entrar en la zona de deplexin a la zona n. Este campo elctrico ser proporcional al nmero
de electrones que atraviesen la zona de deplexin, por lo tanto luego de cierto tiempo
terminar por detener la difusin de electrones a travs de la unin. Este campo elctrico
entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada barrera de potencial,
la cual es aproximadamente 0.3 V para el Germanio y 0.7 V para el Silicio.
Se explicara mediante el uso de una fuente de corriente continua conectada a un diodo (este
trmino quedo definido anteriormente como la unin de las zonas p y n en un solo
elemento); el terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, mientras que
el terminal positivo se conecta al material tipo p; a esta forma de conexin se denomina
Polarizacin Directa.
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Electrnica de estado slido
Debido a esta configuracin, la batera empuja a los huecos y a los electrones libres hacia la
zona de unin. Adems, hay que prestar atencin en la medida de tensin; ya que si esta no
es mayor que la barrera de potencial, los electrones libre no poseern la suficiente energa
para atravesar la zona de deplexin. Por lo tanto si no se supera la barrera de potencial, no
circular corriente por el diodo, ya que cuando los electrones entre en la zona de deplexin,
no la atravesaran sino que los iones se ven empujados de regreso a la Zona n.
Cuando el voltaje es mayor a la barrera de potencial, los electrones libres y los huecos son
empujados a la zona de deplexin, pero esta vez los electrones libres si cuenta con la
suficiente energa para pasar dicha zona y recombinarse con los huecos; ahora como los
electrones libres entran continuamente por el extremo derecho del diodo, y continuamente
se crean hueco en el extremo izquierdo, existir una corriente que circula por el diodo.
Si ahora aplicamos a dicha unin una tensin de signo contrario a la barrera de potencial
interna, sta ir disminuyendo en anchura. A mayor tensin aplicada externamente
corresponder una barrera interna menor y podremos llegar a conseguir que dicha barrera
desaparezca totalmente.
El terminal negativo de la fuente atrae los huecos, y el terminal positivo atrae los electrones
libres, por ellos los huecos y los electrones libres se alejan de la unin; como consecuencia
la zona de deplexin se ensancha y los iones recin creados hacen que aumente la diferencia
de potencial hasta que iguale a la tensin inversa aplicada.
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Electrnica de estado slido
En esta situacin tenemos que tener en cuenta la generacin trmica de pares electrn-
hueco. Los pocos electrones generados trmicamente pierden energa y bajan de p a n, es la
"Corriente Inversa de Saturacin" (Is) que es muy pequea.
Adems de esta corriente tenemos otra corriente debida a las fugas, que se denomina
"Corriente de Fugas" (If).
Ruptura
Cuando se polariza en inversa, se tiene que tener en cuenta una tensin inversa de ruptura,
que es la mxima tensin en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en
conduccin; esta tensin para un diodo es destructiva, ya que cuando alcanza dicha tensin
una gran cantidad de portadores minoritarios aparecen repentinamente en la zona de
deplexin y el diodo conduce descontroladamente. Esta gran cantidad de portadores
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Electrnica de estado slido
Cuando la tensin inversa disminuye, provoca que los portadores minoritarios se muevan
ms rpido, chocando de esta forma con los tomos de cristal. Si dichos portadores tienen la
energa suficiente pueden golpear a los electrones de valencia y liberarlos, y aumentar el
nmero de electrones libres que a su vez provocaran la liberacin de otros electrones de
valencia, de ah viene el nombre de Efecto Avalancha.
Efecto Zener
Referencias
Ecuaciones
Ecuacin 1.- Resistividad ..................................................................................................................... 2
Ecuacin 2.- Concentracin de portadores intrnsecos ...................................................................... 7
Tablas
Tabla 1.- Algunos valores de B y Eg...................................................................................................... 8
Ilustraciones
Ilustracin 1.- Modelo de bandas........................................................................................................ 3
Ilustracin 2.- Diferencias entre las bandas de energa de los materiales conductores,
semiconductores y aislantes) .............................................................................................................. 4
Ilustracin 3.- tomo de silicio ............................................................................................................ 5
Ilustracin 4.- tomo de Germanio..................................................................................................... 6
Ilustracin 5.- Estructura de monocristal de Ge y Si. .......................................................................... 7
Ilustracin 6.- Enlaces Covalentes ....................................................................................................... 7
Ilustracin 7.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco .................................................... 8
Ilustracin 8.- Representacin de dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con
elemento de 5 electrones de valencia. ............................................................................................. 10
Ilustracin 9.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo n ....................................... 11
Ilustracin 10.- Representacin en dos dimensiones de una estructura de silicio dopada con un
tomo de 3 electrones de valencia. .................................................................................................. 12
Ilustracin 11.- Bandas de energa de un semiconductor intrnseco tipo p ..................................... 12
Ilustracin 12.- Zona de deplexin .................................................................................................... 13
Ilustracin 13.- Zona deplexin y barrera de potencial .................................................................... 14
Ilustracin 14.- Polarizacin directa .................................................................................................. 15
Ilustracin 15.- Flujo de electrn ...................................................................................................... 16
Ilustracin 16.- Ensanchamiento de la zona de deplexin ................................................................ 17
Ilustracin 17.- Simbologa ................................................................................................................ 18
Ilustracin 18.- Polarizacin .............................................................................................................. 18
Ilustracin 19.- Efecto avalancha ...................................................................................................... 19
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Bibliografa