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conexiones. Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente slo tras haberse
superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al valor
caracterstico para ese dispositivo. El comportamiento es fundamentalmente el mismo para
ambas direcciones de la corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de
alrededor de 30 V. En este sentido, su comportamiento es similar a una lmpara de nen.
Los DIAC son una clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los triac, otra clase
de tiristor.
DIAC de tres capas: Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con
las regiones de colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece
bloqueado hasta que se alcanza la tensin de avalancha en la unin del colector.
Esto inyecta corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose
un efecto regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas
polaridades, intercambiando el emisor y colector sus funciones.
DIAC de cuatro capas. Consiste en dos diodos Shockley conectados en
antiparalelo, lo que le da la caracterstica bidireccional.
Triac
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Smbolo.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de
la familia de los transistores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste
es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse
que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos
SCR en antiparalelo.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de una
resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece con un
pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de la
corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de la
tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de corriente
corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el
nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica
invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado de
bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual
METODOS DE DISPARO
Como hemos dicho, el Triac posee dos nodos denominados ( MT1 y MT2) y una
compuerta G.
La polaridad de la compuerta G y la polaridad del nodo 2, se miden con respecto al
nodo 1.
El triac puede ser disparado en cualquiera de los dos cuadrantes I y III mediante la
aplicacin entre los terminales de compuerta G y MT1 de un impulso positivo o
negativo. Esto le da una facilidad de empleo grande y simplifica mucho el circuito
de disparo. Veamos cules son los fenmenos internos que tienen lugar en los
cuatro modos posibles de disparo.
1 El primer modo del primer cuadrante designado por I (+), es aquel en que la
tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son positivas con respecto al
nodo MT1 y este es el modo mas comn (Intensidad de compuerta entrante).
La corriente de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la union
P2N2 y en parte a travs de la zona P2. Se produce la natural inyeccin de
electrones de N2 a P2, que es favorecida en el rea prxima a la compuerta por la
caida de tensin que produce en P2 la circulacin lateral de corriente de compuerta.
Esta cada de tensin se simboliza en la figura por signos + y - .
Parte de los electrones inyectados alcanzan por difusin la unin P2N1 que bloquea
el potencial exterior y son acelerados por ella inicindose la conduccin.
2 El Segundo modo, del tercer cuadrante, y designado por III(-) es aquel en que
la tensin del nodo MT2 y la tensin de la compuerta son negativos con respecto al
nodo MT1 (Intensidad de compuerta saliente).
Se dispara por el procedimiento de puerta remota, conduciendo las capas
P2N1P1N4.
La capa N3 inyecta electrones en P2 que hacen ms conductora la unin P2N1. La
tensin positiva de T1 polariza el rea prxima de la unin P2N1 ms positivamente
que la prxima a la puerta. Esta polarizacin inyecta huecos de P2 a N1 que
alcanzan en parte la unin N1P1 y la hacen pasar a conduccin.
3 El tercer modo del cuarto cuadrante, y designado por I(-) es aquel en que la
tensin del nodo MT2 es positiva con respecto al nodo MT1 y la tensin de
disparo de la compuerta es negativa con respecto al nodo MT1( Intensidad de
compuerta saliente).
El disparo es similar al de los tiristores de puerta de unin. Inicialmente conduce la
estructura auxiliar P1N1P2N3 y luego la principal P1N1P2N2.
El disparo de la primera se produce como en un tiristor normal actuando T1 de
puerta y P de ctodo. Toda la estructura auxiliar se pone a la tensin positiva de T2
y polariza fuertemente la unin P2N2 que inyecta electrones hacia el rea de
potencial positivo. La unin P2N1 de la estructura principal, que soporta la tensin
exterior, es invadida por electrones en la vecindad de la estructura auxiliar,
entrando en conduccin.
4 El cuarto modo del Segundo cuadrante y designado por III(+) es aquel en que
la tensin del nodo T2 es negativa con respecto al nodo MT1, y la tensin de
disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo MT1(Intensidad de
compuerta entrante).
El disparo tiene lugar por el procedimiento llamado de puerta remota. Entra en
conduccin la estructura P2N1P1N4.
La inyeccin de N2 a P2 es igual a la descrita en el modo I(+). Los que alcanzan por
difusin la unin P2N1 son absorbido por su potencial de unin, hacindose ms
conductora. El potencial positivo de puerta polariza ms positivamente el rea de
unin P2N1 prxima a ella que la prxima a T1, provocndose una inyeccin de
huecos desde P2 a N1 que alcanza en parte la unin N1P1 encargada de bloquear la
tensin exterior y se produce la entrada en conduccin.
El estado I(+), seguido de III(-) es aquel en que la corriente de compuerta necesaria
para el disparo es mnima. En el resto de los estados es necesaria una corriente de
disparo mayor. El modo III(+) es el de disparo ms difcil y debe evitarse su empleo
en lo posible.
En general, la corriente de encendido de la compuerta, dada por el fabricante,
asegura el disparo en todos los estados.
Nota: dv/dt, di/dt: Ver parmetros del SCR en SCR en corriente continua
Tiristor
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de
controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un
diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras
no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el
instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. El pulso de disparo
ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo. Segn se atrase o adelante ste,
se controla la corriente que pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin
de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un
circuito de bloqueo forzado.
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste
puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como
caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR.
Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
[editar] Funcionamiento
Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se crea una
regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece lo
suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en
la regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa
entonces a estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y
drenador dar lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia
controlada por la tensin de puerta.
[editar] Saturacin
Cuando la tensin entre drenador y fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin bajo
la puerta sufre un estrangulamiento en las cercanas del drenador y desaparece. La corriente
entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debida al campo elctrico entre ambos,
pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
[editar] Aplicaciones
[editar] Ventajas
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-
mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: