El diodo semiconductor.

Caractersticas en polarizacin directa del diodo.

Cuando una polarizacin directa se aplica en el diodo hay flujo de corriente. Esta
corriente es denominada corriente directa y es designada como IF. Cuando se aplica
voltaje al diodo, la corriente y el voltaje a travs del diodo se incrementa gradualmente
conforme la aumenta el voltaje de la fuente. Cuando el voltaje de la fuente de voltaje
es relativamente mayor a 0.7V y por lo tanto la corriente directa se incrementar
notablemente, pero el voltaje a travs del diodo se incrementar ligeramente arriba de
0.7V. La grfica que muestra el comportamiento del diodo en polarizacin directa se
muestra a continuacin.
 Curva del diodo en polarizacin directa.

Circuito de prueba para la obtencin de la curva del diodo.

Caracterstica en polarizacin inversa.

Cuando un voltaje inverso es aplicado a travs del diodo, existe solo una pequea
corriente inversa IR a travs de la unin PN. Cuando gradualmente de aumenta el
voltaje inverso hay una pequea corriente y el voltaje a travs del diodo se incrementa
VR si se aumenta el voltaje que alimenta al diodo en un momento dado se alcanzar el
voltaje de ruptura VBR y entonces la corriente inversa se incrementar rpidamente.

Existe una muy pequea corriente inversa (usualmente de A a nA )hasta que el diodo
alcanza el voltaje de ruptura inverso en el codo de la curva. Despus de este punto el
voltaje inverso se mantiene a VBR pero IR se incrementa rpidamente que puede
resultar en un posible dao.
 Curva del diodo en polarizacin inversa.

Circuito del diodo en polarizacin inversa.

La curva completa del diodo V-I.

Mediante la aplicacin de la fsica del estado slido y las caractersticas generales del
diodo semiconductor pueden definirse por la ecuacin que se muestra en la figura
misma que se muestra en la siguiente figura.
Regin Zener.

En la curva que se muestra en la figura en polarizacin inversa la escala es de

decenas de volts existe un punto donde se presenta un cambio brusco. La corriente se
incrementa es una porcin muy rpida. El potencial de polarizacin inversa que resulta
de este cambio dramtico se le denomina regin zener al voltaje inverso en el diodo se
le denomina voltaje zener VZ.

El mximo potencial de polarizacin inversa que puede aplicarse al diodo antes de

entrar a la regin zener se le denomina voltaje pico inverso. (VPI).

Silicio vs Gemanio.

El silicio se ha convertido en el material ms utilizado en la actualidad como

semiconductor debido a su abundancia en la naturaleza adems de presentar las
siguientes:

a) Los diodos de silicio tienen valores nominales mayores de VPI.

b) La elevacin de temperatura afecta en menor grado a los semiconductores de
silicio que a los de germanio.
c) Los semiconductores de silicio manejan corrientes directas IF nominalmente
mayores que las de germanio.
d) Las corrientes inversas son mayores en el germanio (A) que en el silicio (nA).

En cuanto al voltaje de umbral o voltaje de polarizacin directa en el diodo de silicio es

de 0.7V y para el germanio es de 0.3V.

Las grficas del germanio y del silicio se muestran a continuacin.

 Grfica de comportamiento del silicio y del germanio.

Efectos de la temperatura en el diodo semiconductor.

La temperatura puede tener un marcado efecto sobre las caractersticas de un diodo

semiconductor de silicio:

a) La corriente de saturacin inversa IS aumentar cerca del doble de su magnitud

por cada 10C de incremento de temperatura lo cual es ms visible en el diodo
de germanio.
b) La cada de voltaje en el diodo en polarizacin directa va disminuyendo
comportndose en cierta medida como un diodo ideal a medida que la
temperatura aumenta.
c) En el caso de corriente que fluye en polarizacin directa tender a aumentar lo
cual a largo plazo pude daar al dispositivo.

Efecto de la temperatura en el diodo de silicio.

Resistencia del diodo.

Resistencia de CD o esttica.

La aplicacin de un voltaje de corriente directa en el diodo resultar en un punto de

operacin sobre la curva que no variar con el tiempo. La resistencia del diodo en este
punto de operacin se obtiene nicamente de la siguiente manera:

VD
D =
ID

Resistencia dinmica.

Una entrada de voltaje variable en el diodo mover de arriba hacia abajo el punto de
operacin del diodo y por lo tanto el voltaje y la corriente en el diodo a largo de la
curva por eso es llamada resistencia dinmica o resistencia ac se describe con la
siguiente ecuacin:

rd =V/I .

E n razn de esto podemos decir que la resistencia dinmica se puede encontrar a

partir de la derivacin de la funcin que describe el comportamiento del diodo y aplicar
la inversa al final.
Circuitos equivalentes del diodo.

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos escogidos de forma

adecuado de tal forma que representan o simulan el comportamiento de un dispositivo
de la manera ms fidedigna.

Circuito equivalente de segmentos lineales.

En este circuito se aproxima el comportamiento del diodo por segmentos lineales

suficientemente cercanos al comportamiento de la curva original. Para la seccin de la
pendiente en la equivalencia corresponde una resistencia promedio de ca a
continuacin se coloca un diodo para indicar el sentido de la corriente, puesto que un
diodo semiconductor de silicio no alcanza el estado de conduccin hasta VD alcanza el
valor de 0.7V con una polarizacin directa, una batera VT opuesta a la direccin de
conduccin. Lo que simplemente especifica que si no se supera ese voltaje no habr
conduccin de corriente.
Circuito equivalente simplificado.

Para las aplicaciones la resistencia rav es lo suficientemente pequea para poder

ignorarse. La eliminacin de rav del circuito equivalente es lo mismo que considerar
que la caracterstica del diodo aparezca con polarizacin directa acompaado de una
sola fuente de voltaje que representa la cada de voltaje en el diodo de 0.7V en estado
de conduccin.

Circuito equivalente ideal.

El circuito equivalente del diodo ideal es un interruptor. Cuando el diodo se polariza en

forma directa ste acta como un interruptor cerrado mientras que si se polariza
inversamente acta como un interruptor abierto lo cual se grafica de la siguiente forma:
Capacitancia de transicin y de difusin.

Los semiconductores son susceptibles a las frecuencias elevadas: La mayor parte de

los efectos capacitivos pueden ignorarse a bajas frecuencias ya que su reactancia es
muy baja: Xc = 1 /2FC es muy grande (equivalente a un circuito abierto), sin embargo
a altas frecuencias estos valores no pueden ignorarse. En el diodo semiconductor dos
efectos capacitivos se presentan cuando polarizamos al diodo tanto de forma directa
como inversa.

En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de transicin CT en tanto

que en directa se tiene la capacitancia de difusin CD o almacenamiento.

Recuerde que la ecuacin bsica para describir un capacitor es: = donde

es la permitividad del dielctrico entre las placas del capacitor que tienen un rea A
y estn a una distancia d. En polarizacin inversa la regin de agotamiento o deplexin
se comportan como un aislante entre mayor sea el valor del voltaje en polarizacin
inversa, menor ser la capacitancia de transicin. Esta caracterstica de hecho es
aplicable a ciertos tipos de diodos como el varicap.

El efecto capacitivo se presenta tambin en polarizacin directa y depende

directamente de la corriente que circula a travs del diodo. Los niveles de corriente
crecientes originarn un aumento en la capacitancia de difusin. El comportamiento de
estos dos tipos de capacitancias de muestran en la figura siguiente.
Tiempo de recuperacin inversa.

En las hojas de especificaciones los fabricantes proporcionan entre otros datos, el

tiempo de recuperacin inversa, el cual se representa por trr. Anteriormente vimos que
en la regin de polarizacin directa, existe un gran nmero de electrones que se
desplazan del material tipo n hacia el material tipo p, y una gran cantidad de huecos
que se desplazan en sentido contrario de los electrones. Siendo este el requisito para
que exista conduccin. Luego, los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden
a travs del material tipo n establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en
cada material. Si se aplica un voltaje inverso al estado anterior, el diodo cambia de
estado de conduccin a un estado de no conduccin. Pero, debido al gran nmero de
portadores minoritarios en cada material, la corriente del diodo sencillamente se
invierte y se mantiene en este nivel durante un tiempo ts(tiempo de almacenamiento),
que requieren los portadores minoritarios para regresar a su estado de portadores
mayoritarios en el material opuesto.

Tiempo de recuperacin inverso.

Esto es, el diodo permanece en estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa
determinada por los parmetros de la red. Una vez, el tiempo de almacenamiento
termine, la corriente se reducir hasta alcanzar el estado de no conduccin. Esta
segunda etapa se reconoce como el tiempo de recuperacin y se designa por tt,
conocido como el intervalo de transicin de tal forma que trr =ts + tt

En la prctica los tiempos estn en el orden de 1 microsegundo (1 Seg) pero pueden

existir trr del orden de unos cientos de picosegundos (10-12).

En la prctica este efecto se puede observar en forma prctica cuando inyectamos una
seal de alta frecuencia a un diodo de propsito general.

Esto se observa en la figura que se muestra a continuacin. La seal inyectada a un

circuito con diodos es la siguiente:

Seal inyectada a un diodo.

El efecto del trr grande:

Hojas de especificaciones.

En las hojas de datos dadas por el fabricante de cualquier dispositivo electrnico

encontramos la informacin necesaria como para poder operar al dispositivo sin
exceder sus lmites de funcionamiento

Valores tpicos en rgimen esttico de bloqueo.

VRWM.- Tensin inversa de pico de trabajo Es la que puede ser soportada por el
diodo sin llegar a la zona de ruptura.

VRRM.- Tensin inversa de pico repetitiva Es la que puede ser soportada por el diodo
en picos de cierta duracin.

VRSM.- Tensin inversa de pico no repetitiva Es la mxima tensin inversa transitoria

que puede ser soportada por el diodo en forma no repetitiva.

V(BR).- Tensin inversa de ruptura por avalancha. Cuando se alcanza este valor de
tensin la corriente inversa comienza a aumentar abruptamente y si se somete al
diodo a este rgimen por un tiempo mayor que 10 ms puede daarse.

VR (o VDC).- Tensin inversa continua. Es la que soporta el diodo en estado de

bloqueo.

VF.- Cada tensin directa. Es la tensin que cae en el diodo en polarizacin directa a
la intensidad y temperatura indicadas.

IF.- Corriente directa Es la corriente que circula en estado de conduccin.

IF(AV).- Corriente directa media nominal Valor medio de la corriente que puede
soportar el diodo.

IFRM.- Corriente directa de pico repetitiva Se define como la corriente que puede ser
soportada cada 20 ms con un pico de duracin de 1 ms a T= 25 C

IFSM.- Corriente directa de pico no repetitiva Mximo pico de intensidad de corriente

que puede soportar el dispositivo

Pmx.- Mxima potencia disipable Mxima potencia que puede disipar el dispositivo y
no corresponde a la potencia de trabajo.

PAV.- Potencia media disipada Es la potencia que corresponde al estado de

conduccin

Trr.-Tiempo de recuperacin inversa. Es el tiempo que tarda el diodo en recuperarse

al pasar de polarizacin directa a inversa.

Trd.-Tiempo de recuperacin directa. Es el tiempo que tarda el diodo en recuperarse

al pasar de polarizacin inversa a directa.

. A continuacin se presenta en la figura las especificaciones ms importantes para los

diodos de la familia 1N4000.

De forma comparativa se presentan las caractersticas del diodo 1n4148.

Bibliografa.

Boylestad, R. (1994). Electrnica, Teora de circuitos. Mxico: Prentice Hall.

Electronics-Tutorial. (2005). PN Junction Diode. Recuperado el 8 de Julio de 2016, de

http://www.electronics-tutorials.ws/diode/diode_3.html

Floyd, T. L. (2002). Dispositivos Electrnicos. New Yersey: Prentice Hall.

Malvino, A. (2007). Principios de Electrnica. Nueva York: Mc Graw Hill.