Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Electronica de Potencia - Parte I 2010 PDF
Electronica de Potencia - Parte I 2010 PDF
INTRODUCCIN
Lser industrial
Calentamiento por induccin
Soldadura
Transporte Control de traccin de vehculos elctricos
Cargadores de bateras para vehculos elctricos
Locomotoras elctricas
Metros
Tranva
Electrnica automotriz incluyendo el control del motor
Redes elctricas Transmisin en alto voltaje DC (HVDC)
Generacin esttica de potencia reactiva
Fuentes alternas de energa (fotovoltaicas, elicas)
Sistemas de almacenamiento de energa
Aeroespacial Sistemas de alimentacin de energa para naves espaciales
Sistemas de alimentacin para satlites
Sistemas de alimentacin para aviones
Telecomunicaciones Cargadores de bateras
Fuentes de energa
INTERRUPTORES ELECTRNICOS
DE POTENCIA
El incremento de las capacidades, facilidad de control y costo reducido de los
dispositivos semiconductores de potencia modernos comparados a los existentes hace
algunos aos atrs, ha hecho que los convertidores aparezcan en un gran nmero de
aplicaciones y ha abierto las puertas para la creacin de nuevas topologas para las
aplicaciones de electrnica de potencia. Con miras a entender la viabilidad de las nuevas
topologas y aplicaciones, es esencial que las caractersticas de los dispositivos de
potencia disponibles sean puestas en perspectiva. Con este fin se presentar un resumen
de las caractersticas de los dispositivos de potencia, como voltaje, corriente, velocidad
de conmutacin, entre otras.
2.1 DIODOS
En la figura 2.1 se muestra el smbolo del diodo sus caractersticas i-v en estado
estable. Cuando el diodo es polarizado en directa, ste conduce presentando una pequea
cada de voltaje, la cual est en el orden de 1V y depende en cierto grado de la corriente
que atraviesa el dispositivo y de la temperatura de su juntura. Cuando el diodo es
polarizado en reversa, slo se presenta una pequea corriente de fuga, la cual es de valor
despreciable y fluye por el dispositivo hasta que se alcance el voltaje de ruptura inverso.
En operacin normal el voltaje de ruptura inverso no debe ser alcanzado porque se
compromete al dispositivo.
La regin n-, conocida tambin como regin de deriva, es una parte esencial en la
estructura, la cual no est presente en los diodos de seal. Esta regin debe ser ms
gruesa para diodos con voltajes reversos de gran valor, por lo cual el voltaje inverso pico
que puede manejar el dispositivo depende del grosor de esta capa.
Figura 2.4 Diodo Schottky. Seccin transversal de su estructura vertical. Observe que
el nodo est formado por la lmina de aluminio.
En la curva de la derecha se
muestra como la temperatura permitida
para el encapsulado decrece desde 175C
para una corriente de 0 A hasta 120C para
una corriente de 140 A DC
Especificaciones trmicas
Las resistencias trmicas definen la facilidad con que el dispositivo puede deshacerse
del calor generado en la juntura por la disipacin de potencia. En el siguiente captulo se
revisar el clculo de la potencia disipada en los dispositivos semiconductores de potencia, as
como el clculo del disipador de calor y los mtodos de reduccin de estrs.
Estos diodos son diseados para que su cada de voltaje en directa durante la
conduccin sea lo ms bajo posible, con el propsito de disminuir las prdidas durante la
conduccin, pero como una consecuencia directa se tiene un valor elevado del tiempo de
recuperacin reversa trr, los cuales son aceptables para diodos de frecuencia de lnea.
Estos diodos estn disponibles con especificaciones de voltaje inverso pico de varios
kilovolts y especificaciones de corriente de varios kiloamperes. Adems, estos diodos
pueden ser conectados en serie o en paralelo para satisfacer los requerimientos de
corriente y voltaje del convertidor. Ntese, que la principal aplicacin de estos diodos
son los circuitos rectificadores, los cales normalmente operan a 50 60 Hz.
4920 A. Ntese que para estos niveles de corriente ya no se utilizan los encapsulados de
plstico.
Otro diodo al que hacemos referencia es el SD6000C, que puede manejar hasta
6690 A, el cual es un valor bastante elevado. Las caractersticas principales de este diodo
se muestran en la siguiente tabla, junto al encapsulado del mismo.
Estos diodos son diseados para ser utilizados en circuitos de alta frecuencia en
combinacin con interruptores controlables, donde sea necesario tener un tiempo de
Cuando se comparan estos parmetros con los del diodo anterior, se nota
inmediatamente la diferencia. Para una corriente mayor, en este caso 30 A, el tiempo de
recuperacin es de 77ns. Obsrvese que el aumento de la temperatura de la juntura
degrada el desempeo del diodo, ya que para temperaturas mayores el diodo como buen
semiconductor presenta una mayor conductividad y es ms difcil su recuperacin.
Obsrvese tambin que la corriente de recuperacin reversa es de valor inferior a las
presentadas por el diodo anterior.
Esta nueva estructura permite que estos transistores puedan comportarse de forma
algo diferente a los transistores de seal, hecho que queda de manifiesto al observar su
caracterstica de salida, donde aparece una nueva regin llamada regin de cuasi-
saturacin. Debido a que el objetivo principal del uso de los transistores en electrnica
de potencia es hacerlos operar como interruptores, los mismos no operan en forma
permanente en la regin de activa, slo la atraviesan para pasar del estado de corte a la
saturacin y viceversa.
M D M D (2.1)
Figura 2.7. Circuito para un Darlington de potencia de 2 etapas. El diodo D2 es til para
aplicaciones en convertidores de puente H.
as tener dos bases. Luego se hace la metalizacin del emisor de transistor D a la base del
transistor M, y est listo el dispositivo.
Figura 2.9 Smbolo y Estructura bsica del MOSFET de potencia. Observe que las tres
caractersticas mencionadas para los transistores de potencia estn presentes
en esta estructura.
BJT o Darlington de potencia. Sin embargo, para elevados valores de voltajes las
prdidas se haran inmanejables, por lo tanto, no se consiguen MOSFET de potencia para
altos voltajes y corrientes.
Hojas de datos
A continuacin se presenta los datos principales del MOSFET IRF2204 de
International Rectifier. Este dispositivo soporta un voltaje mximo entre drenaje y
fuente de 40V y puede manejar una corriente promedio de 210 A, con una resistencia de
encendido de 3.6m.
Mximos absolutos
Caractersticas trmicas
En la tabla anterior se muestran los valores para los tiempos de conmutacin para
un punto de operacin especfico, lo que deja en evidencia que los tiempos de
conmutacin no son parmetros constantes para el dispositivo. En este caso los retardos
(td) estn relacionados principalmente con la carga y descarga de la capacitancia de
entrada. El tiempo de subida (tr) en este caso alcanza los 140ns y el tiempo de cada (tf)
los 110ns.
IRF3415
IRFP360
IRFPG50
VDSS ID RDS(ON) tr tf
IRF2204
IRF3415
IRFP360
IRFPG50
Tambin debe aclararse que aunque los tiempos de cambio para la corriente y el
voltaje durante la conmutacin sean diferentes, en las datas de fabricante slo se definen
los tiempos para las corrientes, por lo tanto, si se requieren los tiempos para los voltajes
debern aproximarse a los tiempos de las corrientes.
Como punto final debe acotarse que los MOSFET de potencia pueden operar a
frecuencias tan altas como 100KHz, esto claro, dependiendo de la carga y el circuito de
comando de la compuerta. Por ejemplo, para el ltimo dispositivo la suma de los tiempos
de conmutacin es de 220ns. Si se considera que este tiempo no debera ser mayor al 5%
del perodo, entonces el perodo mnimo sera de 4.4s, lo que da como resultado una
frecuencia mxima de 225kHz.
El desarrollo de este dispositivo tuvo como principal objetivo reunir las ventajas
del BJT de potencia y del MOSFET de potencia en un solo dispositivo. O sea, el
dispositivo debera tener caractersticas de entrada similares a las del MOSFET de
potencia (controlado por voltaje) y caractersticas de salida similares al BJT de potencia
(voltaje de salida prcticamente constante).
En la figura 2.11 se muestran las caractersticas del IGBT as como los smbolos
utilizados para representarlos. Existe quizs algo de desacuerdo en la representacin de
este dispositivo, porque en ocasiones se representa por un smbolo muy semejante al de
un MOSFET y en otros casos se le representa con un smbolo muy semejante a un BTJ.
Es ms, no est claro si los terminales de salida se denominan emisor y colector (por el
BJT) o si se denominan drenaje y fuente (por el MOSFET).
potencia, tampoco debe conectarse directamente a un circuito integrado, sino que debe
utilizarse un circuito de comando como interfaz.
(d)
Figura 2.11 Smbolo y curvas caractersticas para un IGBT. Se puede observar que se
presentan dos smbolos, y es que en la literatura suelen aparecer ambos.
Quiz la ambigedad est relacionada con los orgenes mismos del transistor.
De la misma forma, en ocasiones se nombras los terminales de salida como
drenaje-fuente y a veces como colector-emisor.
Figura 2.12 Seccin transversal de la estructura vertical de un IGBT, junto con una vista
isomtrica del mismo.
Hojas de datos
Las hojas de datos de los IGBT no aportan elementos nuevos a nuestro anlisis,
pero debe mencionarse que a pesar de que los IGBT no poseen un diodo en antiparalelo
como los MOSFET, algunos fabricantes le aaden este dispositivo para facilitar su uso en
el control de velocidad para motores elctricos.
Mximos absolutos
Resistencia trmica
tr=44ns y tf=510ns, para una corriente de colector de 55A y una temperatura de juntura
de 25C, la cual es una condicin bastante difcil de obtener. Tambin se muestran estos
mismos datos para una temperatura de juntura de 150C.
Con relacin a las curvas, si hay varias curvas que debemos analizar las cuales
muestran la dependencia o relacin entre ciertos parmetros vitales del IGBT.
PREGUNTAS:
1. Por qu el semiconductor en contacto con los terminales principales de los
dispositivos de potencia est altamente dopado?
2. Qu potencia puede disipar el MOSFET IRF2204 cuando la temperatura del
encapsulado es de 100C?
3. En qu situacin se debe utilizar el valor de la resistencia trmica entre la juntura
y el ambiente que provee la data de fabricante?
4. Por qu los BJT de potencia no son utilizados en circuitos de medias potencias?
5. Por qu un MOSFET de potencia a pesar de se controlado por voltaje no puede
ser manejado directamente por un circuito integrado.
6. Explique con sus palabras y haciendo referencia al diagrama de la estructura del
MOSFET de potencia, por qu la resistencia de encendido aumenta con el voltaje
mximo que pueden soportar.
7. Por qu es necesario aplicar un voltaje negativo a la base de los BJT de potencia
cuando se quiere apagarlos, en circuitos de electrnica de potencia.
b. MOSFET de potencia
PON RDS ON I O2 D (3.2)
Las prdidas por conmutacin son algo ms complejas que las prdidas por
conduccin, ya que las mismas dependen del tipo de carga que est manejando el
transistor. En la mayora de las aplicaciones de electrnica de potencia, los transistores
tienen como objetivo manejar una carga con caractersticas inductivas, pero puede darse
el caso de que la carga se presente como una resistencia pura. En este folleto nos
enfocaremos al caso inductivo que es presentado en la figura 3.1.
Figura 3.1 Circuito y formas de onda para la conmutacin de cargas inductivas por un
transistor de potencia.
Analizando las curvas, podemos ver que para el caso inductivo, la corriente y el
voltaje en el transistor no evolucionan a la vez, como sucede en el caso resistivo, y esto
se debe exclusivamente al diodo colocado en antiparalelo con la carga. Ntese tambin
que existen tiempos tdON y tdOFF, los cuales estn relacionados con la colocacin y
remocin de la carga del transistor. Por otra parte, los tiempos asociados con la subida y
cada del voltaje y la corriente no son iguales, sin embargo, en las hojas de
especificaciones no se dan los valores para ambas variables, slo se definen los
relacionados a la corriente.
PS 12 VO I O f S t ri t fv t rv t fi (3.3)
Cuando se considera que las hojas de datos no presentan todos los parmetros
necesarios, se hace obligatorio aproximar los tiempos de conmutacin de corriente y
voltaje a los presentados en la hoja de especificacin y obtener la siguiente ecuacin.
PS VO I O f S t r t f (3.4)
Para el clculo del disipador de calor debe obtenerse la potencia total (PTOT), que
es simplemente la suma de la potencia disipada por conduccin y la potencia disipada por
conmutacin. Debe considerarse tambin la temperatura mxima de la juntura del
transistor y el rango de variacin de la temperatura ambiente. En el caso de la resistencia
trmica entre la juntura y el encapsulado, su valor se ve definido por el fabricante, pero
en el caso de la resistencia trmica entre el encapsulado y el disipador, la misma depende
del tipo de montaje y el fabricante slo da un valor de referencia para un tipo de montaje
especfico.
Con todos los datos definidos se puede obtener el valor de la resistencia trmica
del disipador (RSA) de calor con la siguiente ecuacin:
Figura 3.2 Comparacin entre la cada de voltaje y la corriente manejada por diferentes
dispositivos.
diC
vCE Vd L (3.6)
dt
I Ot 2
vCS (3.7)
2CS t fi
Esto funciona adecuadamente para el fin deseado, pero al inicio del siguiente
perodo el capacitor se descargar sobre el transistor provocando un pico de corriente que
no es deseable.
Para evitar esto, se coloca una resistencia en serie con el capacitor, pero slo una
resistencia aumentara mucho la constante de tiempo durante el bloqueo, y la frecuencia
de conmutacin podra verse afectada. Para tener dos constantes de tiempo diferentes se
coloca un diodo en paralelo con la resistencia, lo cual permite que el capacitor se cargue a
travs del diodo durante el bloqueo y se descargue a travs de la resistencia durante el
disparo. El valor del capacitor CS1 puede determinarse a travs de la siguiente ecuacin.
I O t fi
CS1 (3.8)
2Vd
El valor de la resistencia serie, as como su potencia, pueden ser calculados por las
siguientes ecuaciones
Vd
0.2 I O (3.9)
RS
CSVd2
PR fS (3.10)
2
Para mejorar las condiciones durante el disparo se coloca un inductor en serie con
el transistor de potencia, sin embargo, este inductor puede tambin tener un efecto
adverso sobre el transistor durante el bloqueo del mismo, por lo tanto, es necesario poner
Las frmulas apropiadas para el clculo de los elementos del snubber son las
siguientes:
LS I O
VCE (3.11)
t ri
LS I O2
PR fS (3.13)
2
PROBLEMAS RESUELTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET de potencia para controlar una carga
de 24V/100 A, la cual puede conmutarse a 2.5kHz (modo econmico) o a 25kHz
(modo silencioso). La relacin cclica para el control de la carga puede variar
entre 0.2 y 0.75 y la temperatura ambiente vara entre 23 y 42C.
Determine el valor mximo de la resistencia trmica del disipador de calor?
PT Pon PS
Pon 47.25W
PS VO I O f S t r t f
PS 24100 25 103 110 10 9 140 10 9
PS 15W
Potencia Total
PT Pon PS
PT 47.25W 15W
PT 62.25W
TJ Ta
RSA RJC RCS
PT
140 42
RSA 0.45 0.5
62.25
RSA 0.62C / W
VDSS = 150V
ID = 43 A
De la data del fabricante tenemos
T =175 grados
JMax
R =0.75 Grados/watt
JC
P R =0.5 Grados/watt
T CS
R =?
SA
T =42 grados
a
+
Pon 88.45W
El factor 2.6 se obtiene de la curva normalizada RDSON VS. TJ, a
una temperatura de 175 C.
TJ Ta
RSA RJC RCS
PT
175 42
RSA 0.75 0.5
98.49
RSA 0.1004C / W
RSA que acabamos de calcular es el valor mximo que da el tamao mnimo
del disipador. Si RSA hubiera sido negativa se tendra que bajar la Ta o
disminuir la frecuencia de operacin. Si aun as sigue negativa se procede a
cambiar el transistor.
VCES = 250V
IC = 55 A
De la hoja de datos
PT 43.956W 65.60W
PT 109.557W
TJ Ta
RSA RJC RCS
PT
150 42
RSA 0.64 0.24
109.557
RSA 0.1057C / W
1 1
PRS CSVd2 f S 96.6 109 1802 10 103
2 2
PRS 15.65W
37 940 10 9 10 10 3
2
I o2 t 2f f s 2
PQ
24C S1
24 9.66 10 8
PQ 5.22W
VCE
LS I O
, entonces Ls
VCE t r 0.45180 45 10 9
tr Io 37
Ls 98.51nH
98.51 10 9 37
2
L S I o2
PR fs 10 10 3
2 2
PR 0.67W
VCE = 81V
99 V
tr = 45ns
ic Io
tr t
1 tr IO
PQ
TS 0
VCE
tr
tdt
VCE I O t r2 VCE I O t r
PQ fS
TS t r 2 2
PQ 0.824W
Disparo on Bloqueo
TJ Ta
RSA RJC RCS
PT
150 42
RSA 0.64 0.24
50.00
RSA 1.28C / W
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1: Se utiliza un MOSFET para conmutar una carga de 24 V y 100A
a una frecuencia de 50kHz. Calcule la potencia total disipada por el transistor.
El ciclo de trabajo vara entre 0.2 y 0.8.
a.)
Pon 54.88 W
PS 19.64 W
Snubber de Disparo
Ls 120 nH
RLS 0.3636
PR 2.6136 W
Para seleccionar el disipador solo observe la figura y escoja el disipador con una
resistencia trmica ligeramente menor a la obtenida en nuestros clculos.
TIRISTORES
Los SCR fueron inventados a finales de la dcada del 50 por General Electric y
desde entonces han sido utilizados en una infinidad de aplicaciones, en donde se haca
necesario el control de la energa proporcionada a una carga elctrica.
Es importante sealar que al adquirir un SCR su voltaje VDRM o VBO debe ser
mayor al voltaje mximo de la aplicacin. Por ejemplo, si se utilizar el SCR en un
circuito de 120Vrms, se debe considerar que el voltaje mximo es de 169.7V, por lo
que el SCR debe ser por lo menos de 200V.
Con los SCR se da un fenmeno parecido al que se presenta en los diodos con el
tiempo de recuperacin reversa. Al apagar el dispositivo polarizndole inversamente, se
genera una corriente de recuperacin reversa Irr, durante un tiempo identificado como
trr. Esto obliga al diseador a no aplicar un voltaje directo hasta que no haya
transcurrido un tiempo conocido como tiempo de recobro (tq), caso contrario el
dispositivo volver a conducir.
Con el circuito anterior se puede variar el momento en que se aplican los valores
de corriente y voltaje de compuerta necesarios para la conduccin del SCR (IGT, VGT).
Esto se consigue mediante la variacin de R2.
mostrado en la figura 4.3, slo puede ser aumentado hasta un lmite de 90, ms all de
este valor no se tiene control sobre el ngulo de disparo.
Pregunta:
Explique por que razn no se pueden conseguir ngulos de disparo mayores con este
circuito.
Figura 4.4. ngulos de disparo diferentes para el circuito de disparo anterior. El valor
de R2 para el caso a) es mayor que el valor utilizado para el caso b).
Figura 4.5 Circuitos de control de compuerta para SCR, con los cuales se pueden
conseguir ngulos mayores que 90.
En la figura 4.6 se muestra un circuito con dos SCR, el cual permite utilizar
ambos semiciclos de la seal de voltaje de corriente alterna. En la parte b) se observa la
forma de onda rectificada y el ngulo de disparo. En esta figura no se hace nfasis en el
circuito de control del ngulo de disparo, pero este puede ser similar a los mostrados
anteriormente o puede ser algo ms complejo, inclusive puede ser una seal generada por
un microcontrolador y aplicada al SCR a travs de un optoacoplador.
NOTA:
La mayora de los circuitos de control para los SCR y TRIAC permite el control del
ngulo de disparo entre 30 y 150, lo que a primera vista puede parecer el resultado
de un control con poca precisin, al pensar que no se tiene control sobre un tercio de
la seal total (180). Ahora bien, si se piensa en el objetivo del circuito, que es
controlar la potencia aplicada a la carga y se recuerda que la potencia es funcin del
cuadrado del voltaje, se tendr una situacin muy particular. La onda de voltaje es
senoidal y si se grafica el seno2 se tendr que la potencia aplicada a la carga es
proporcional al rea bajo esta curva. Durante los primeros 30 y los ltimos 30
grados de la seal seno2, el rea bajo la curva es realmente mnima, menor al 5%,
Figura 4.6 Control de potencia rectificada de onda completa, usando dos SCR y un
transformador con derivacin central.
Hojas de datos
ST180C
Caractersticas
Compuerta con amplificacin central
Encapsulado metlico con aislante
cermico
Aplicaciones
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
ST3230C
Caractersticas
Enfriamiento de doble lado
Alta capacidad contra transitorios
Libre de fatiga
Aplicaciones tpicas
Control de motores DC
Fuentes de energa DC
Controladores AC
En varios aspectos, los tiristores estn cerca de ser los interruptores ideales para
usarse en las aplicaciones de electrnica de potencia. Ellos pueden bloquear altos
voltajes (varios miles de volts) cuando estn apagados y pueden conducir grandes
corrientes (varios miles de amperes) cuando estn encendidos, con una cada de voltaje
de slo unos cuantos volts. Adems, una de sus mejores caractersticas es que pueden ser
disparados con una pequea corriente que se aplica a su terminal de compuerta.
Sin embargo, los tiristores tienen una seria deficiencia, la cual impide su uso
como interruptores controlables; esta es la incapacidad de bloquear al dispositivo
mediante la aplicacin de una seal de control en su terminal de compuerta. La inclusin
de esta capacidad en un tiristor requiere de algunas modificaciones al dispositivo y de
algunos compromisos que deben cumplirse para la operacin del mismo.
El GTO mantiene la estructura bsica de cuatro capas y los perfiles de dopaje del
SCR, pero presenta tres diferencias fundamentales. Primero, la estructura ctodo-
compuerta est altamente interdigitalizada, donde se usan varios tipos de formas
geomtricas entre el ctodo y la compuerta, con el fin de maximizar la periferia del
ctodo y minimizar la distancia de la compuerta al centro de la regin del ctodo.
Las curvas caractersticas del GTO son muy similares a las del SCR en
polarizacin directa, sin embargo, en polarizacin inversa los GTO prcticamente no
poseen capacidad de bloqueo de voltaje, gracias a la estructura conocida como nodo en
corto. La capacidad de bloqueo de los GTO se define por la unin J3 y est limitada a 20
30V, por este motivo algunos GTO se fabrican sin la estructura conocida como nodo
en corto. Si es necesario aumentar la capacidad del bloqueo del circuito, puede usarse un
diodo en serie con el GTO, con lo cual se cubre su deficiencia.
Los GTO son muy tiles cuando los otros interruptores controlables no pueden
manejar la potencia requerida por la carga, sin embargo el utilizarlos no es lo ms fcil
que pueda encontrarse en electrnica de potencia. Estos dispositivos tienen
amplificaciones de corriente diferentes para el disparo y el bloqueo, siendo mucho ms
sensibles a la hora del disparo, y presentando lmites en las corrientes que pueden ser
bloqueadas.
0
Figura 4.8 Circuito de control de la compuerta para un Tiristor de bloqueo por
compuerta GTO.
Para evitar que la sensibilidad de disparo para el semiciclo positivo y negativo sea
diferente se prefiere utilizar una fuente de voltaje negativo, cuando la polaridad de la
corriente de disparo no depende de la polaridad de los terminales principales, o sea,
cuando la fuente de disparo es independiente.
Hojas de datos
capacidad para manejar una corriente rms de 16A y una corriente mxima no-repetitiva
de 150A durante un ciclo completo de una seal de 60Hz. Se puede obtener para 400,
600 y 800V. La potencia promedio disipada por la compuerta es de 0.5W y en rango de
operacin de la temperatura de la juntura esta definido por 40 y 125C.
Operativamente los terminales del UJT no tienen ninguna relacin con los terminales de
un transistor bipolar.
A partir del modelo del UJT, se puede definir la relacin intrnseca en funcin de
sus resistencia internas. A partir de este valor se puede definir el valor del voltaje pico
para el cual el dispositivo conducir.
rB1
VEB1 VD VB 2 B1 (4.1)
rB1 rB 2
rB1 r
B1 (4.2)
rB1 rB 2 rBB
VP VS VD (4.3)
Oscilador de relajacin
De lo anterior se desprende que RE tiene un valor mximo que est definido por
VP, IP y VS, esta relacin puede observarse en la siguiente ecuacin.
VS VP
RE _ max (4.4)
IP
Cuando la carga del capacitor se agota, la corriente del emisor ser igual a la
corriente que atraviesa la resistencia RE, si sta es menor que la corriente de valle el
transistor se apagar, si es mayor que la corriente de valle el transistor continuar
conduciendo. Para que el circuito oscile es necesario que el transistor se apague al llegar
al voltaje de valle, es por esto que la resistencia de emisor tambin tiene un lmite inferior
el cual est definido por la siguiente ecuacin.
VS VV
RE _ min (4.5)
IV
Para definir el valor de R1 debe considerarse la forma de onda del voltaje en esta
resistencia, en la cual se generan picos de voltaje en el momento que el UJT conduce, y
permanece un voltaje residual cuando el mismo est apagado. Los tiristores slo deben
ser disparados por los picos de voltaje y nunca por seales de ruido que se sumen al
voltaje residual. Por esta razn el voltaje residual debe mantenerse alrededor de 0.3V,
algo alejado del voltaje de disparo de los tiristores (0.6V). Si se considera que los
voltajes tpicos en estos circuitos, as como los valores de resistencia interbase, se tendr
como resultado una corriente en R1 cercana a los 3mA. Para que el voltaje en R1 no
supere los 0.3V, dicha resistencia no debe superar los 100.
Ejemplo de aplicacin
El funcionamiento del circuito de la figura 4.13 puede describirse de la siguiente forma:
1. Durante el semiciclo positivo el voltaje de entrada aumenta rpidamente hasta
alcanzar el valor del voltaje zener.
2. En este momento el zener fija el voltaje para el circuito de oscilacin y la
resistencia Rd soporta el voltaje excedente.
3. El capacitor CE se carga a travs de las resistencia de emisor, esta carga durar
ms o menos, dependiendo de los valores fijados en las resistencias.
4. Cuando el voltaje en el capacitor alcance el valor de Vp el UJT conducir y el
capacitor se descargar a travs del UJT.
5. Durante la descarga del capacitor se presentar un pico de voltaje en R1. Dicho
voltaje ser utilizado para el disparo del SCR.
Figura 4.13 Uso de un oscilador de relajacin con UJT para el disparo de un SCR en los
semiciclos positivos.
que no se pueda definir el rango correcto de valores de RE para los cuales el dispositivo
oscila.
Figura 4.15 Oscilador de relajacin con PUT. El voltaje de salida puede ser utilizado
para el disparo de un SCR o TRIAC.
La ventaja del oscilador de relajacin con PUT, mostrado en la figura 4.15, con
relacin al oscilador con UJT es su inmunidad al ruido. Esto se debe a que antes de que
el dispositivo conduzca, la corriente que lo atraviesa es aproximadamente cero, y el
voltaje residual en el resistor de 20 es prcticamente cero.
PUT 2N6027
Ejemplo
Calcule el valor de la corriente pico y la corriente valle para el circuito mostrado en la
figura 4.15, asumiendo VB=10V.
Solucin:
Definidos los valores para la resistencia de puerta (RG=10k) y el voltaje de puerta
(Vs=6.28V) se utilizan las curvas respectivas para la definicin de estos parmetros.
Observe las grficas correspondientes. Con flechas rojas se define el valor de las
corrientes respectivas. Para el caso de la corriente de valle el valor aproximado es de
110A. Para el caso de la corriente de pico, su valor aproximado es de 4.2A. Con
estos valores puede calcularse ahora el rango apropiado de valores para RE, y conseguir
as que el circuito oscile sin mayores complicaciones.
PROBLEMAS RESUELTOS:
Rcarga
+ R1
1k
SCR1
115 Vrms SCR
60Hz R2 I =35mA
GT
Solucin
a)
VS 115 2sen(90) 162.63 V a 90
162.63
R1 R2 4.65 k
35 10 3
R2 4.65 1 3.65 k
b)
R1 R2 2.5 1 3.5 k Rtotal
VS 115 2 sin
122.5
sin 1 48.87
115 * 2
conducin 180 48.87 131.13
Rcarga
R1
S1 1k
R2
+ 2.5k R3 D1
60V 1k SCR1
SCR
C
0.5uF
Solucin:
a.) 1 R1 R2 C 3.5 103 0.5 10 6 1.75 ms
VC I GT R3 VD VGT 1 103 10 10 3 0.7 0.6 11.3 V
t
VC VS 1
t
11.3 601 1.7510
3
De aqu, resolviendo para t tenemos que
t 0.365 mseg
b.) Para resolver este apartado recurrimos nuevamente a la ecuacin de carga
del capacitor. Con esto encontraremos la constante de tiempo necesaria para
que el disparo del SCR ocurra en 70 ms y a partir de aqu el valor de la
capacitancia necesaria para dicha constante de tiempo
3
7010
11.3 601
70103
1 0.1883
7010
3
ln 0.811667 ln
70 10 3
0.208665
335.5 ms
335.5 10 3
C 95.86 F
R1 R2 3.5 10 3
Rcarga
16
R1
Fuente de R2
Voltaje
Solucin: Para calcular la potencia disipada por la carga para los diferentes
ngulos de disparo haremos uso de la ecuacin de la potencia instantnea por
medio de la integral del cuadrado del voltaje
1 2 V 2
T 1 R
P d
donde:
V 2 220 2 * sin( ) 2 * 220 2 sin 2
2
220 2 2
P sin 2 d
16 1
Rd
R2
25k
5k
R4
1k
PNP
24v D2
60 Hz n=0.58 SCR1
RF 8k C1 . T2 SCR
0.5uF
Solucin:
dvC dv i vc I c
a. Debemos recordar que iC C de aqu que c c , entonces .
dt dt C t C
Con esto vemos que es necesario calcular IC. Es importante notar que
VR 2 R2 I E 2.5 103 1.308 10 3 3.27 V
VRF 20.03
RF
I RF 0.794 10 3
RF 25.2 k
PROBLEMAS PROPUESTOS
PROBLEMA 1
En el circuito de la figura 4.15 se mide el voltaje en el capacitor Cc con un osciloscopio
para observar la forma de onda, o sea, la carga y descarga del capacitor, sin embargo,
slo se observa un valor constante de 12V, que es el mismo valor de alimentacin VB.
a) Qu sucedi con el PUT y que habra que hacer para que el circuito pueda oscilar.
b) Conteste la pregunta anterior si el voltaje visto en el osciloscopio fuera igual al
voltaje de valle.
PROBLEMA 2
El siguiente circuito tiene como funcin autorregular el voltaje que se le aplica al foco de
manera que la iluminacin se mantenga constante aunque se presente variaciones en el
voltaje de alimentacin. Indique como este circuito regula el voltaje aplicado a la
lmpara partiendo de un supuesto aumento en el voltaje de alimentacin de CA:
PROBLEMA 3
Para el siguiente circuito responda lo siguiente:
a. Qu dispositivo es el encargado de limitar la corriente que le llega a la carga.
PROBLEMA 4
Utilice el circuito mostrado abajo para disear un generador de diente de sierra con un
voltaje mximo de 10V y una frecuencia de 10Hz. Adems:
a. Determine la amplitud mxima que puede ser generada con este circuito.
b. Por qu la carga del capacitor no es de tipo exponencial, sino lineal?
c. Cmo nos aseguramos de que el circuito en realidad est oscilando?
NOTA: Puede cambiar el valor de los elementos excepto el de las resistencias del
transistor. Utilice las curvas para el PUT presentadas en este folleto.
PROBLEMA 5
Cul es el error en el circuito del ltimo problema de los problemas resueltos?
CIRCUITOS RECTIFICADORES
del rectificador. Este proceso contina hasta que la energa contenida en el inductor se
extingue (b)
Figura 5.1. Rectificador monofsico a diodos. a) circuito, b)formas de onda sin el capacitor
de filtro Cd.
Definiciones bsicas
P VS I S1 cos 1 (5.1)
S VS I S (5.2)
P
power _ factor _ PF (5.3)
S
VS I S1 cos 1 I S1
PF . cos 1 (5.4)
VS I S IS
I S1
PF .DPF (5.5)
IS
El valor rms de la corriente de lnea puede ser calculado por medio de la raz
media cuadrtica de la forma de onda de iS utilizando la siguiente ecuacin.
1
1 T
I S is2 t . dt
2
(5.6)
T 0
1
2
I S I S21 I sh2 (5.7)
h2
2
I sh2
1
I dis I I
2
S
2
S1
2
(5.8)
h2
I dis
%THD 100 (5.9)
I S1
I s , pico
Factor _ de _ cresta (5.10)
IS
Se puede definir otra cantidad llama Factor de forma, la cual relaciona la corriente
rms de la entrada con la corriente directa de la salida.
IS
Factor _ de _ Forma (5.11)
Id
En las figuras 5.4 y 5.5 se muestran curvas desarrolladas para los rectificadores
monofsicos, donde se muestra la relacin de los factores mencionados con un parmetro
normalizado, el cual permite utilizar dichas curvas para muchas condiciones de operacin
diferentes.
Antes de aparecer los circuitos autorregulados, exista una opcin muy prctica
para aplicaciones que podran ser utilizadas en redes pblicas con diferentes niveles de
voltaje. Este circuito se conoce como doblador de voltaje, y le daba al usuario la opcin
de conectar el equipo a redes de alimentacin de 115Vrms o 230Vrms. Dicho circuito se
muestra en la figura 5.6 y los modos de operacin se identifican por flechas de diferente
color.
El objetivo de este circuito es hacer que el voltaje a la salida del rectificador sea
siempre el mismo, aproximadamente 300VDC. Cuando el circuito opera de una
alimentacin de 230Vrms, el interruptor debe abrirse para que trabaje como rectificador
normal quedando C1 y C2 en serie. En cada semiciclo la corriente pasa por ambos
capacitores cargndolos al mismo tiempo. En caso de que el voltaje de entrada sea de
115Vrms, el interruptor debe estar cerrado para que el capacitor C1 se cargue durante el
a) b)
Figura 5.6 Circuito doblador de voltaje. A) Circuito operando con un voltaje de entrada
de 230Vrms, interruptor abierto, b) Circuito operando con un voltaje de
entrada de 115Vrms, interruptor cerrado. La lnea roja representa la
circulacin de corriente durante el semiciclo positivo y la lnea azul durante
el semiciclo negativo.
Este circuito tambin se conoce como rectificador de seis pulsos, eso se debe a
que para un perodo de la seal de entrada, se presentarn seis picos de voltaje en la seal
de salida. Esta caracterstica se puede apreciar en la figura 5.8, donde se muestra que
cada diodo conduce por 120 y que cada pareja de diodos conduce por 60. La corriente
de entrada para este rectificador puede ser continua o discontinua, lo que depende
bsicamente del valor del inductor Ld, ubicando entre el rectificador y el capacitor de
filtro, Cd. El valor mnimo de este inductor, necesario para garantizar una corriente
continua, est definido por la siguiente ecuacin:
0.013VLL
Ld ,min (5.12)
I d
Figura 5.8. Formas de onda para un rectificador trifsico sin capacitor de filtro ni corriente
de carga.
Ad 3 2
Vd V 1.35VLL (5.13)
/3 LL
obtener un voltaje de salida negativo, con lo cual se puede transferir energa de la parte
DC a la parte AC, convirtiendo al circuito en un inversor.
Figura 5.10. Circuito equivalente y formas de onda para un rectificador controlado con
una fuente de voltaje como carga. Caso ms prximo a la realidad.
momento en que la seal diente de sierra se hace mayor que la seal de referencia se
genera un pulso de corriente para el SCR respectivo.
3 2
Vd VLL cos 1.35VLL cos (5.15)
3 2 3LS
Vd VLL cos Id (5.16)
Figura 5.12 Estrategia para el control de la compuerta de los SCR del rectificador
controlado.
Ejemplo:
Un rectificador trifsico controlado se utiliza en modo inversor. El valor del voltaje de
entrada es de 460V a 60Hz, el valor de la fuente de corriente directa es de 550V, y la
inductancia de la fuente es de 0.5mH. La potencia entregada por la fuente DC es de
55kW. Calcule el ngulo de disparo (), el ngulo de conmutacin (u) y el ngulo de
conduccin ().
Solucin:
P 55 x103
Id 100 A
E 550
3 377 0.5 x10 3
Vd 1.35 460 cos 100 E 550
ngulo de disparo =149
2 377 0.5 x10 3
cos u cos 149 100
2 460
+u=156
u=7 o 0.324ms
= 180 - (+u) = 24
5.3 MEDICIONES.
cargado, se debe medir su corriente rms y entonces comparar este valor con el valor
especificado en el dispositivo en cuestin.
Respuesta
Correcta 10% mayor 40% menor 5-30% menor
promedio
RMS-
Correcta Correcta Correcta Correcta
verdadero
Figura 5.11 Respuestas a diferentes tipos de formas de onda para ampermetros de tipo
rms-promedio y rms-verdadero.
Figura 5.12 Medicin de un mismo ramal con un ampermetro rms-promedio (izq) y uno
rms-verdadero (der). Observe que la diferencia es de un 32%.
Figura 5.13. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga
monofsica.
Figura 5.14. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en delta. Observe como se calcula la energa total.
Figura 5.15. Cmo medir los parmetros relacionados con la energa en una carga trifsica
en estrella. Observe como debe calcularse la energa total.
PROBLEMAS
1. Para un rectificador controlado con una corriente de carga de 60A y un voltaje de
alimentacin de 120Vrms, con una inductancia de fuente de 0.1mH, determine:
a. El factor de potencia y el desplazamiento del factor de potencia.
b. El Factor de cresta y el factor de forma.
c. La corriente pico en los diodos y la corriente rms.
d. La distorsin armnica total.
e. Si midiese la corriente de entrada con un ampermetro de valor promedio,
cul sera probablemente el valor ledo?
2. Para un rectificador trifsico con un voltaje de alimentacin de 208Vrms,
determine los valores del ngulo de disparo(en grados) y de conmutacin(en
microsegundos), si el voltaje de salida debe ser de 250V para una corriente de
45A. El valor de la inductancia de la fuente es de 0.58mH.
3. Cules son las condiciones necesarias para que un rectificador trifsico controlado
trabaje en modo inversor?
4. Para un rectificador trifsico de 230Vrms que alimenta una carga de 36A, cual
debe ser el valor del inductor DC para que el factor de potencia sea igual a 0.9.
5. Por qu un ampermetro de valor promedio, no puede leer el valor correcto de la
corriente rms cuando hay distorsin en la forma de onda de la misma.
NOTAS:
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________
________________________________________________________________________