UNIVERSIDAD CATOLICA DE CUENCA SEDE

AZOGUES

TEMA:
Taller y deber del bloque 1.

ALUMNO:
Fabin Garca.

CURSO:
4to ciclo de Ing. Electrnica.

CATEDRATICO:
Ing. Miguel Andrade.

FECHA:
26 De Mayo del 2015

0
INDICE
1. TALLER ........................................................................................................................................ 2
2. DEBER ..................................................................................................................................... 12

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 1. TALLER
2) Con sus propias palabras, defina un material intrnseco, coeficiente de
temperatura negativo y enlace covalente.

Intrnseco: Material semiconductor que haya sido refinado cuidadosamente para lograr
tener un menor nmero de impurezas.
Coeficiente de temperatura negativo: Todo material semiconductor tiene un coeficiente
de temperatura negativo ya que presentan una conductividad con el nivel de calor.
Enlace covalente: Se refiere a como estn enlazados los tomos entre s para formar una
estructura cristalina.

4) Cunta energa en Joules se requiere para mover una carga de 6C a travs de

una diferencia de potencial de 3V.
W=Q.V
W=6(3)=18 J

6) Consulte su biblioteca de referencia y determine el nivel de Eg para GaP y

ZnS, dos materiales semiconductores de valor practico. Adems, determine el
nombre escrito por cada material.

http://www.fisicarecreativa.com/informes/infor_mod/semicon_gap.pdf

http://www.semi1source.com/glossary/default.asp?searchterm=bandgap

2
 8) Describa la diferencia entre impurezas de donadores y aceptores.

Las impurezas de donadores son difundidas con cinco electrones de valencia, mientras que
las impurezas de aceptores son difundidas con tres electrones de valencia.

10) Bosqueje la estructura atmica del silicio e inserte una impureza de

arsnico como se demostr para el silicio en la figura 1.7.

12) Consulte su biblioteca de referencia y busque otra explicacin del flujo de

huecos contra el de electrones. Con ambas descripciones, describa con sus
propias palabras el proceso de conduccin de huecos.

Al estar una temperatura por encima del cero absoluto habrn electrones que sern
excitados causando la banda y entrando a la banda de conduccin donde podrn producir
corriente al cruzar el electrn deja un puesto vacante o hueco en la estructura cristalina del
silicio tanto el electrn como el hueco pueden moverse a travs material.
(http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/solids/intrin.html)

14) Describa cmo recordar los estados de polarizacin en directa y en inversa

del diodo de unin p-n. Es decir, cmo recordar cual potencial (positivo
o negativo) se aplica a cual terminal?

En la regin tipo p positivo y en la regin tipo n el negativo, para conectar de forma inversa
se invierte la polaridad se puede saber cul es positivo y negativo basndonos en la banda
de color que tienen los diodos.

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 16) Repita el problema 15 con T= 100C (punto de ebullicin del agua).
Suponga que Is se ha incrementado a 50 mA.

T= 273 + C = 273 + 100 = 373 K

VT=32.17mv

18) a. Grafique la funcin y= con x de 0 a 10. Por qu es difcil hacerlo?

b. Cul es el valor de y = con x = 0?
c. Basado en los resultados de la parte (b), por qu es importante el factor
de 1 en la ecuacin (1.1)?

Es difcil hacerlo ya que la grfica es demasiado grande para el intervalo de 0 a 10.

b) y= =1
c) Porque V = 0 V, por lo tanto = 1 y reemplazando en la formula I = Is(1 1) = 0 mA

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 20) Compare las caractersticas de un diodo de silicio y uno de germanio y
determine cul preferira utilizar en la mayora de las aplicaciones prcticas. D
algunos detalles. Consulte la lista del fabricante y compare las caractersticas de un
diodo de silicio y de uno de germanio de caractersticas nominales mximas similares.

Mi eleccin seria el diodo de silicio gracias a su temperatura tiene ms alta capacidad

puede ser usado hasta un mximo de 200 grados centgrados a diferencia del Ge que
mximo 85 grados centgrados. Con el diodo de Si se pueden usar para seales ms
grandes.

22) Describa con sus propias palabras el significado de la palabra ideal como se
aplica a un dispositivo o a un sistema.

Se dice que un diodo es ideal cuando esta tiene una buena aproximacin de la respuesta
general del diseo es decir las tolerancias de la fabricacin cuando este es ms preciso a
sus caractersticas reales de funcionamiento.

24) Cul es la diferencia importante entre las caractersticas de un interruptor

simple y las de un diodo ideal?

El interruptor es mecnico y gracias a esto es capaz de conducir la corriente a cualquier

direccin mientras que el diodo solo permite el flujo a travs de este en una sola direccin.

26) Repita el problema 25 con una corriente en directa de 15 mA y compare los

resultados.
ID = 15 mA, VD = 0.83 V

RDC=

5
 28) a. Determine la resistencia dinmica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA por medio de la ecuacin (1.4)
b. Determine la resistencia dinmica (ca) del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA con la ecuacin (1.5)
c. Compare las soluciones de las partes (a) y (b).

a) rd=

b) rd=

c) La diferencia es por muy poco es de 0.4

30) Con la ecuacin (1.4) determine la resistencia de ca con una corriente de 1

mA y 15 mA del diodo de la figura 1.27. Compare las soluciones y desarrolle una
conclusin general con respecto a la resistencia de ca y niveles crecientes de la
corriente en el diodo.

1mA rd=

15mA rd=

Mientras ms aumenta la corriente la resistencia del diodo disminuye permitiendo as una

facilidad mayor para la conductividad atravez del diodo.

32) Determine la resistencia de ca promedio para el diodo de la figura 1.15 en

la regin entre 0.6 V y 0.9 V.

rd=

6
 34) Determine el circuito equivalente lineal por segmentos del diodo de la
figura 1.15. Use un segmento de lnea recta que intersecte el eje horizontal
en 0.7 V y aproxime lo mejor que se pueda la curva correspondiente a la
regin mayor que 0.7 V.

rd=

36) Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de transicin con

potenciales de polarizacin en inversa de -25 V y 10 V. Cul es la relacin
del cambio de capacitancia al cambio de voltaje?

VR = 25 V: CT 0.75 pF
VR = 10 V: CT 1.25 pf

| | | |

VR = 10 V: CT 1.25 pF
VR = 1 V: CT 3 pF

| | | |

La sensibilidad a cambio de voltaje aumenta.

38) Describa con sus propias palabras cmo difieren las capacitancias de
difusin y transicin.

La transicin es producida por el campo de agotamiento propio del diodo, mientras que la
difusin se da fuera de los lmites de la zona de agotamiento en estado de polarizacin
directa.

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 40) Trace la forma de onda de i de la red de la figura 1.66 si tt = 2ts y el tiempo
de recuperacin en inversa es de 9 ns.

ts + tt = trr = 9 ns
ts + 2ts = 9 ns
ts = 3 ns
ts = 2ts = 6 ns

Iinversa= =0.5mA

42) Comente sobre el cambio de nivel de capacitancia con el incremento del

potencial de polarizacin en inversa para el diodo de la figura 1.37.

Al aumentar el potencial de polarizacin en inversa la capacitancia disminuye de manera

rpida. Para los potenciales de ms de 10 V este se normaliza maso menos en 1.5 pF

8
 44) Para el diodo de la figura 1.37 determine el nivel de Ig a temperatura
ambiente (25C) y al punto de ebullicin del agua (100C). Es significativo el
cambio? Se duplica el nivel por cada 10C de incremento de la temperatura?

TA = 25C, IR = 0.5 nA
TA = 100C, IR = 60 nA

El cambio es significativo de 0.5nA sube significativamente a 60nA habiendo una

diferencia de 59.5nA entre los dos.

46) Con las caractersticas de la figura 1.37, determine los niveles de disipacin
de potencia nominal mximos para el diodo a temperatura ambiente (25C) y a 100C.
Suponiendo que VF permanece fijo en 0.7 V, Cmo cambia el nivel mximo de IF
entre los dos.

T = 25C: Pmax = 500 mW

T = 100C: Pmax = 260 mW
Pmax = VFIF

IF=

IF=

A menor temperatura mayor corriente.

48) Se especifican las siguientes caractersticas para un diodo Zener particular:

VZ= 29 V, VR = 16.8 V, IZT= 10 mA, IR = 20 A e IZM = 40 mA Trace la
curva caracterstica como aparece en la figura 1.47.

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 50) Determine el coeficiente de temperatura de un diodo Zener de 5 V (valor
determinado a 25C) si el voltaje nominal se reduce a 4.8 V a una temperatura de
100C.

TC=

TC=

52) Determine la impedancia dinmica del diodo de 24 V con IZ =10 mA de la

figura 1.48b. Observe que es una escala logartmica.

54) Recurriendo a la figura 1.53e, qu valor de Vg parecera apropiado para

este dispositivo? Cmo se compara con el valor de Vg para silicio y germanio?

El valor ms apropiado es 2.0V ya que es ms alto que el germanio 0.3V o silicio 0,7V.

56) a. Cul es el incremento en porcentaje de la eficiencia relativa del

dispositivo de la figura 1.53 si la corriente pico se incrementa de 5 mA a 10 mA?
b. Repita la parte (a) con 30 mA a 35 mA (el mismo incremento de corriente).
c. Compare el incremento en porcentaje de las partes (a) y (b). En qu punto de la
curva dira que hay poco que ganar con un incremento adicional de la corriente pico?

(a) 5 mA 0.82
10 mA 1.02

Radio de

(b) 30 mA 1.38
35 mA 1.42

10
 Radio de

(c) Para corrientes mayores a 30 mA el porcentaje de aumento es significativamente menor

que para aumentar corrientes de una magnitud menor.

(58) Trace la curva de reduccin de la corriente en directa promedio del LED

rojo de alta eficiencia. De la figura 1.53 determinada por la temperatura.
(Considere las cantidades nominales mximas absolutas).

X=

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 2. DEBER

1) Bosqueje la estructura atmica del cobre y explique por qu es un buen

conductor y en qu forma su estructura es diferente de la del germanio, el silicio y el
arseniuro de galio.

El cobre es un buen conductor ya que tiene 20 electrones en su rbita y un solo electrn en

la capa externa aplicando un campo elctrico con su polaridad correcta puede conducir
fcilmente mientras que el Si y el Ge tienen capas exteriores completas ya que tienen
enlaces covalente de electrones entre tomos.

3) Consulte su biblioteca de referencia y haga una lista de tres materiales que

tengan un coeficiente de temperatura negativo y de tres que tengan un coeficiente de
temperatura positivo.

http://www.gayatlacomulco.com/tutorials/electymagnet/tem4_2_.htm

5) Si se requieren 48 eV de energa para mover una carga a travs de una

diferencia de potencial de 12 V, determine la carga implicada.

48 eV = 48(1.6 1019 J) = 76.8 1019 J

Q= =

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 7) Describa la diferencia entre materiales semiconductores tipo n y tipo p.

El material tipo n tiene un exceso de electrones para de conduccin con tomos donadores
para establecer un enlace covalente.

El material tipo p est formado por un material intrnseco con tomos que tiene un nmero
insuficiente de electrones.

9) Describa la diferencia entre portadores mayoritarios y minoritarios.

En un material tipo n el electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador

minoritario. En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el
minoritario.

11) Repita el problema 10, pero ahora inserte una impureza de indio.

13) Describa con sus propias palabras las condiciones establecidas por
condiciones de polarizacin en directa y en inversa en un diodo de unin p-n y cmo
se ve afectada la corriente resultante.

Al conectar el terminal positivo al al material tipo n y el negativo conectado al material tipo

p ya que el nmero de iones positivos en la regin de empobrecimiento del material tipo n
se incrementara para la gran cantidad de electrones libres atrados por el voltaje aplicado.

La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD presionar a los electrones

en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los
iones prximos al lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento.

15) Con la ecuacin (1.1), determine la corriente en el diodo a 20C para un

diodo de silicio con Is = 50 nA y una polarizacin en directa aplicada de 0.6

TK = 20 + 273 = 293
k = 11,600/n = 11,600/2 = 5800

ID=Is
13
ID=

17) a. Con la ecuacin (1.1) determine la corriente a 20C en un diodo de silicio

con Is=0.1 mA con un potencial de polarizacin en inversa de -10 V.
b. Es el resultado esperado? Por qu?

TK = 20 + 273 = 293
k = 11,600/n = 11,600/2 = 5800

ID=Is
=0.1 ( )=0.1 (1.07 )
ID=0.1

19) En la regin de polarizacin en inversa la corriente de saturacin de un

diodo de silicio es de alrededor de 0.1 A (T= 20C). Determine su valor aproximado
si la temperatura se incrementa 40C.

T = 20C: Is = 0.1 A
T = 60C: Is = 2(0.8 A) = 1.6 A

21) Determine la cada de voltaje en directa a travs del diodo cuyas

caractersticas aparecen en la figura 1.19 a temperaturas de -75C, 25C, 125C y una
corriente de 10 mA. Determine el nivel de corriente de saturacin para cada
temperatura. Compare los valores extremos de cada una y comente sobre la relacin
de las dos.

-75C 25C 125C

VF 1.1V 0.85 V 0.6 V
Is 0.01pA 1 pA 1.05 A

23) Describa con sus propias palabras las caractersticas del diodo ideal y cmo
determinan los estados de encendido y apagado del dispositivo. Es decir, describa
por qu los equivalentes de cortocircuito y circuito abierto son correctos.

En polarizacin en directa cualquier nivel de voltaje produce una resistencia de cero

ohmios y se produce la conduccin mientras que en inversa cualquier voltaje produce una
resistencia muy alta interrumpiendo la conduccin.

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 25) Determine la resistencia esttica o de cd del diodo comercialmente
disponible de la figura 1.15 con una corriente en directa de 2 mA.

VD 0.66 V, ID = 2 mA

RDC=

27) Determine la resistencia esttica o de cd del diodo comercialmente

disponible de la figura 1.15 con un voltaje en inversa de -10 V. Cmo se compara con
el valor determinado con un voltaje en inversa de -30 V?

VD= -10 ID=IS= -0.1A

RDC=

VD= -30V ID=IS= -0.1A

RDC=

Al ser el voltaje menor en inversa la Resistencia aumenta.

29) Calcule las resistencias de cd y ca del diodo de la figura 1.27 con una
corriente en directa de 10 mA y compare sus magnitudes.

ID = 10 mA, VD = 0.76 V

RDC=

rd= =

31) Con la ecuacin (1.5), determine la resistencia de ca con una corriente de 1

mA y 15 mA del diodo de la figura 1.15. Modifique la ecuacin como sea necesario
para niveles bajos de corriente del diodo. Compare con las soluciones obtenidas en el
problema 30.

ID=1mA, rd=2 ( ) =2(26 ) =52

Ejercicio 30= 55

15
ID=15mA,

rd=
Ejercicio 30=2

33) Determine la resistencia de ca para el diodo de la figura 1.15 con 0.75 V y

comprela con la resistencia de ca promedio obtenida en el problema 32.

Rd=

Ejercicio 32= 24.4

35) Repita el problema 34 con el diodo de la figura 1.27.

rd=

37) Recurriendo a la figura 1.33, determine la capacitancia de difusin con 0 V

y 0.25 V.

VD = 0 V, CD = 3.3 pF
VD = 0.25 V, CD = 9 pF

39) Determine la reactancia ofrecida por un diodo descrito por las

caractersticas de la figura 1.33, con un potencial en directa de 0.2 V y un potencial en
inversa de 20 V si la frecuencia aplicada es de 5 MHz.

VD = 0.2 V, CD = 7.3 pF

XC=

VD = 20 V, CT = 0.9 Pf

XC=

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 41) Trace IF contra VF utilizando escalas lineales para el diodo de la figura
1.37. Observe que la grfica provista emplea una escala logartmica para el eje
vertical (las escalas logartmicas se abordan en las secciones 9.2 y 9.3).

43) Cambia significativamente la magnitud de la corriente de saturacin en

inversa del diodo de la figura 1.37 con potenciales de polarizacin en inversa en el
intervalo de -25 V a -100 V?

La magnitud de corriente no cambia significativamente tiene un cambio muy pequeo en

cuanto a corriente ya que:

VD = -25 V, ID = -0,2 nA
VD = -100 V, ID= -0,45 nA

45) Para el diodo de la figura 1.37 determine la resistencia de ca (dinmica)

mxima con una corriente en directa de 0.1, 1.5 y 20 mA. Compare los niveles y
comente si los resultados respaldan las conclusiones derivadas en las primeras
secciones de este captulo.

IF = 0.1 mA rd = 700
IF = 1.5 mA rd = 70
IF = 20 mA rd = 6

47) Con las caractersticas de la figura 1.37, determine la temperatura a la cual

la corriente en el diodo ser 50% de su valor a temperatura ambiente (25C).

IF = 500 mA T = 25C
IF = 250 mA... T=104C

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 49) A qu temperatura el diodo Zener de 10 V de la figura 1.47 tendr un
voltaje nominal de 10.75 V? (Sugerencia: Observe los datos de la tabla 1.7).

TC = +0.072% = X 100%

0.072 % = X 100%

0.072% =

T1-25=

T1= 104.17 + 25 = 129.17

51) Con las curvas de la figura 1.48a, qu nivel de coeficiente de temperatura

esperara para un diodo de 20 V? Repita para un diodo de 5 V. Considere una escala
lineal entre los niveles de voltaje nominal y un nivel de corriente de 0.1 mA.

53) Compare los niveles de impedancia dinmica para el diodo de la figura 1.48
con niveles de corriente de 0.2, 1 y 10 mA. Cmo se relacionan los resultados con la
forma de las caractersticas en esta regin?

Diodo Zener 24V

0.2 mA: = 400
1 mA: = 95
10 mA: = 13

55) Con la informacin de la figura 1.53, determine el voltaje en directa a

travs del diodo si la intensidad luminosa relativa es de 1.5.

Fig. 1.53 f. IF = 13 mA
Fig. 1.53 e VF = 2.3 V

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 57) a. Si la intensidad luminosa a un desplazamiento angular de 0 es de 3.0
mcd para el dispositivo de la figura 1.53, a qu ngulo ser de 0.75 mcd?
b. A qu ngulo la prdida de intensidad luminosa se reduce a menos de 50%?

a.

b. A un Angulo de 40 grados.

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