&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

'()(&726(162/,'26

Cristal ideal todo arreglo atmico es perfecto

Cristal real materiales de ingeniera, presentan imperfecciones
punto
Defectos de superficie
lnea.

    vacancias
'HIHFWRVGHSXQWR tomos sustitucionales
tomos intersticiales

L9DFDQFLDV

Ausencia de un tomo en un punto de la red.

Ocurren durante la solidificacin del material y tambin como
consecuencia de vibraciones.

Q : cantidad de sitios vacantes

1: nmero total de puntos de la red

Fraccin de vacancias: I  Q 1

I  H[S4N7 H[S'+57

Concentracin de vacancias Cv

&  H[S'* 57

Q: energa necesaria para crear una vacancia

H: calor molar de reaccin necesario para crear una vacancia
Gv: energa libre de formacin de vacancias
k: constante de Boltzmann (= 1,38 x 10-23 J/tomosK)
R: constante de los gases(= 8,31 J/molK)

Ejemplo: Cu puro, H = 20.000 cal/mol

T (K) 0 300 1000 1350
nv/N 0 3 x 10-15 4 x 10-5 6 x 10-4

nv (N=1015) 0 3 4 x 1010 6 x 1011

1
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

LL$WRPRVXVWLWXFLRQDO

Sustitucin de un tomo de la matriz por uno de soluto.

0DWUL]: elemento que est en mayor concentracin

6ROXWR: elemento que est en menor concentracin

cantidad de tomos sustitucionales

(QGXUHFLPLHQWR depende de:
diferencia de radios matriz - soluto.

2
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

/tPLWH GH VROXELOLGDG : cantidad mxima de tomos sustitucionales que

hay en una matriz dada

DPRUIR         VROXELOLGDG
OtTXLGR         WRWDO

H[FHGHHO
OtPLWHGH
VROXELOLGDG

Ejemplos:

Cu-Ni: RCu = 0,1246 nm (fcc) solubilidad

RNi = 0,1278 nm (fcc) total

Cu-Al RCu = 0,1246 nm (fcc) Lm. solubilidad 20 % at.

RAl = 0,1431 nm (fcc)

Al-Cu Lm. solubilidad 5 % at.

LLL$WRPRLQWHUVWLFLDO

radio del soluto es mucho menor que el de la matriz

tomo de la propia matriz se ubique en un intersticio de ella

RFe = 0,1241 nm (bcc)

RC = 0,077 nm (hex.)
3
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

'HIHFWRVGHOtQHDGLVORFDFLRQHV

Defectos lineales o unidimensional en torno a algunos tomos
desalineados.
9HFWRU GH %XUJHUV E: determina la magnitud y direccin de la
distorsin de la red asociada a una dislocacin

L'LVORFDFLyQGHERUGHA

semiplano de tomos extra inserto en la red, cuya arista termina dentro

del cristal.

E

Circuito de burgers

4
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

Si se aplican esfuerzos de corte, los tomos rompen sus enlaces en el

defecto y la dislocacin se mueve (deslizamiento), en la direccin de
deslizamiento, en el plano de deslizamiento.

LL'LVORFDFLyQKHOLFRLGDORGHWRUQLOOR

se forma al aplicar un esfuerzo de cizalle, los planos atmicos trazan
alrededor de la dislocacin un camino helicoidal

E

Circuito de Burgers

5
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

LLL'LVORFDFLyQPL[WD

presentan componentes de borde y helicoidales

Dislocacin mixta:

A: helicoidal

B: de borde

Mixta zona entre ambas

7HQVLyQGHOtQHD7 energa por unidad de longitud

2 *E 2
7 = *E 
8 2



6
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

lmites de granos cristalinos

'HIHFWRVGHVXSHUILFLH
maclas

L/tPLWHVGHJUDQRVFULVWDOLQRV

separa dos JUDQRV FULVWDOLQRV o cristales con diferentes orientaciones

cristalogrficas.




6ROLGLILFDFLyQ:

transformacin desde fase lquida (estructura amorfa) a fase slida

(estructura cristalina).

QXFOHDFLyQ (pequeas partculas de slido, de dimensiones crticas, se

forma dentro del lquido).

FUHFLPLHQWR (el resto de los tomos del lquido se unen a estos ncleos)

material solidifica cuando Tlquido < Tsolidificacin

Gslido es progresivamente menor que la del lquido, hacindose el slido

cada vez ms estable.

7
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

slido lquido
G estable estable
Energa
libre

slido

lquido

Ts T

'*: cambio de energa libre para la transformacin lquido a slido

'* *
    *

      '+7'6

H : cambio de entalpa
S : cambio de entropa

Si se considera el ncleo como una esfera de radio R, el cambio de energa

total es:
'* (QHUJtDYROXPpWULFD(QHUJtDVXSHUILFLDO

VyOLGRGHUDGLR5

lquido
volumen: 9 S5 
superficie: $ S5
interfase slido-lquido


(QHUJtDYROXPpWULFD S5 ) 

Fv (-): energa libre volumtrica por unidad de volumen


(QHUJtDVXSHUILFLDO S5 V

: energa libre superficial por unidad de superficie

 
'* S5 ) S5 V

8
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

'*YV5
   

5
 5 HPEULyQ

5
 !5 Q~FOHR

cuando G'*G5 5  V)

 
'*   SV ) 

1XFOHDFLyQKRPRJpQHD\KHWHURJpQHD

*UDQRVFULVWDOLQRV

Porcin de material slido, donde el ordenamiento atmico en el

material es idntico pero la orientacin cristalogrfica cambia de un
grano a otro.

Secuencia de formacin de un grano:

77 5!5
/tTXLGR HPEULyQ Q~FOHR FUHFLPLHQWR JUDQR FULVWDOLQR

a) nucleacin

b) crecimiento

c) policristal

d) monocristal

9
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

forma del grano

Propiedades Mecnicas f tamao del grano g (solidificacin)
orientacin preferencial

)RUPDGHOJUDQRFULVWDOLQR

Regular (equiaxial) Dendrtico

Zona sobre-enfriada; granos finos

Estructura granular de un lingote: Zona de granos columnares
Zona central; granos regulares

JUDQRVILQRV

JUDQRV
     FROXPQDUHV

JUDQRVFHQWUDOHV

10
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

5HVXOWDGR un material slido con inhomogeneidad en el grano cristalino y
en la concentracin de soluto (segregacin qumica).

7DPDxRGHJUDQR

La relacin de +DOO3HWFK asocia el tamao de grano promedio (d) con el

lmite de fluencia del material (f):

f = i + kyd-1/2 i = o + kocn

f i

ky ko
i o

d-1/2 cn
$PHQRUWDPDxRGHJUDQRoPD\RUOtPLWHGHIOXHQFLD

&UHFLPLHQWRGHOJUDQRFULVWDOLQR

El tamao promedio de grano crece con el tiempo si la temperatura es

superior que la temperatura de recristalizacin (produce movimientos
atmicos importantes en los bordes de grano).

Como no todos los granos pueden crecer, algunos de ellos lo hacen a

expensas de otros.

Movimiento de tomos
Movimiento del borde de grano
11
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

Micrografa de un
bronce.

5HGXFFLyQGHOWDPDxRGHJUDQR

El crecimiento de grano es un proceso irreversible

La nica manera de reducir el tamao de grano es mediante la

deformacin plstica de los granos ya existentes.

Si el grano ha sido deformado y se lleva a la WHPSHUDWXUD GH

UHFULVWDOL]DFLyQ, el material UHFULVWDOL]D (QXFOHDFLyQ\FUHFLPLHQWRGH
QXHYRVJUDQRV)

Deformacin plstica de un material cristalino mediante laminacin en

caliente.


12
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

Micrografa: recristalizacin de un bronce previamente deformado.

En resumen:

(a) microestructura inicial

(b) granos deformados despus de la deformacin plstica
(c) comienzo de la recristalizacin con la nucleacin de granos nuevos
(d) crecimiento de estos ncleos
(e) se completa la recristalizacin, se obtienen granos nuevos libres de
deformacin
(f) crecimiento de los nuevos granos, mientras se mantenga la temperatura
por sobre la temperatura de recristalizacin.

13
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR

&DOFXORGHWDPDxRGHJUDQRSURPHGLRG

Segn Normas ASTM E 112

D 3URFHGLPLHQWRGH-HIIULHV

Se inscribe un crculo o rectngulo de rea conocida sobre la

micrografa, a un cierto aumento x.

Se mide el N de granos que caen completamente dentro del crculo (Nc)

Se mide el N de granos que intercepta el crculo (Ni)

Segn la norma, el N de granos/mm2, NA, a un aumento de 1x (real), es:

NA = f(Nc + Ni/2) granos/mm2

donde f es el multiplicador de Jeffries (funcin del aumento de la

micrografa)

aumento 50x 100x 200x 500x

f 0,5 2,0 8,0 50,0

El N de granos/mm, N, es: N = NA granos/mm

El dimetro promedio de grano cristalino, d ser:

G 1PP



14
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR&

E 0HGLDQWHtQGLFHGHWDPDxRGHJUDQR

n = ndice o nmero de tamao de grano, a un aumento de 100x (segn

Norma ASTM)

Nb = 2(n-1) = granos/pulgada2 a un aumento de 100x

NA* = Nb/625 = granos/mm2 a un aumento de 100x

100 1 mm2 1 1 mm2

100 100 x 100 1

Aumento: 100 x 1x

NA = 100*100 * NA* = granos/mm2 a un aumento de 1x (real)

N = NA = granos/mm a un aumento de 1x

G 1 GLiPHWURSURPHGLRGHOJUDQRFULVWDOLQRPHGLGRHQPP

Ejercicio:

Un material con ndices ASTM de tamao de grano n = 6 y 10 tienen un

lmite de fluencia (f) de 275 y 375 MPa, respectivamente. Si el material
tuviera un ndice n = 8, cul sera su lmite de fluencia?. Cul tendra que
ser su tamao de grano promedio para obtener un material con un f = 318
MPa?

15
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR&

LL/tPLWHGHPDFODV

Tipo especial de lmite de grano

Un plano separa dos partes de un grano, formando una imagen especular
en el plano del borde de la macla.
Ocurre durante la deformacin o tratamiento trmico de algunos metales
o aleaciones.

a) cristal sin maclas

b) formacin de la macla

c) micrografa






16
&LHQFLDGHORV0DWHULDOHV('RQRVR&

3UREOHPDV\SUHJXQWDV

1. Explique los principales defectos puntuales y su influencia en las propiedades
mecnicas.

2. Explique que son los tomos sustitucionales y su influencia en las propiedades

mecnicas de la matriz (con respecto a la concentracin de soluto y su tamao).

3. Defina y/o explique: fase, matriz, soluto, solucin slida, lmite de solubilidad al
estado slido.

4. Explique la diferencia entre un tomo intersticial y un grano cristalino.

5. En una aleacin (por ejemplo Cu-6 % wt. Al) explique el trmino solucin slida
sustitucional e indique porque una solucin slida es ms dura y resistente que los
metales bases que las forman. Grafque en una curva esfuerzo-deformacin las
curvas esquemticas para un material con dos concentraciones de Al distintos (en la
misma figura las 2 curvas).

6. La densidad de Fe puro se determin experimentalmente (a temperatura ambiente) y

result ser de 7,88 x 103 kg/m3. Si el radio atmico del Fe es 0,124 nm, su peso
atmico es de 55,85 uma y su estructura es cbica de caras centrada, calcule el
porcentaje de vacancias en el hierro puro (N de avogadro = 6,023 x 1023 mol-1).

7. Se determin experimentalmente que la densidad del Cu puro fue de 8,89 g/cm3.

Calcule el porcentaje de vacancias en el material.

8. Calcule la concentracin de vacancias en equilibrio para el cobre puro a temperatura

ambiente (25 C), a 450C y a 650 C. Que pasa si templa desde los 650 C a
temperatura ambiente. Cual sera el objetivo de realizar este tratamiento trmico?.

9. Se tienen las siguientes aleaciones (% en peso): Cu-3% Al, Cu-9 % Al, Cu-9% Zn y
Cu-2% Be (Radio y estructura del Cu: 0,128 nm y fcc, del Al: 0,143 nm y fcc, del
Zn: 0,133 nm y hc y del Be: 0,114 nm y hc). Que tipo de defecto produce cada
tomo de soluto en la matriz de cobre (explique). Ordnelas de mayor a menor de
acuerdo al endurecimiento que producen los tomos de soluto en la matriz de Cu
(justifique su respuesta).

10. Explique, con la ayuda de dibujos, los diferentes defectos de lnea. Indique como
obtener el vector de Burger en cada caso.

11. Explique la formacin de un grano cristalino de un material, a partir de la fase

lquida.

12. Explique la formacin de un grano cristalino y su influencia en las propiedades

mecnicas del material.

17
13. Explique la influencia del tamao de grano en las propiedades mecnicas del
material. Grafque dicha influencia en una curva esfuerzo-deformacin (dibuje en la
misma figura las curvas para un material con dos tamaos de granos distintos).

14. Se tiene un cierto material con un tamao de grano promedio de 100 m. Explique
cual es el mecanismo y proceso para agrandar dicho tamao de grano a 200 m, y
cual es su influencia en las propiedades mecnicas de este material.

15. Explique el proceso y mecanismo para afinar el grano cristalino de un material.

Dibuje en una curva esfuerzo-deformacin las curvas esquemticas para un material
con dos tamaos de granos distintos (en la misma figura las 2 curvas).

16. La cuenta de granos cristalinos, segn norma ASTM, en un acero blando es de 160
granos/pulg2. Calcule el dimetro de grano promedio para este material.

17. Explique la relacin de Hall-Petch.

18. Un material con ndices ASTM de tamao de grano n = 6 y n = 10 tienen un lmite

de fluencia de 275 MPa y 375 MPa respectivamente. Si el mismo material se tuviera
con ndice n = 8, cul sera su lmite de fluencia?. Cual tendra que ser su tamao de
grano promedio para aumentar a 418 MPa su lmite de fluencia.

19. Una muestra de aluminio de 0,5 cm de ancho por 1,5 cm de largo es pulida en la
direccin paralela al plano (210). Si la energa de activacin para la formacin de
vacancias es 4,2 x 104 cal/mol, calcule la cantidad aproximada de sitios vacantes en
la muestra a temperatura ambiente.

20. Dado un material de tamao de grano D1, explique el mecanismo, proceso e

influencia en su limite de fluencia cuando dicho grano cristalino se aumenta a un
tamao D2 > D1. Dibuje la relacin de Hall-Petch y la curva esfuerzo-deformacin
para este material en ambas condiciones.

21. En una aleacin dada, su lmite de fluencia (f) vara con el tamao de grano
promedio d (relacin de Hall-Petch), de acuerdo a :
G x 10-6 m 4 9 16 25
V MPa 2100 1433 1100 900
Determine: las constantes de la relacin de Hall-Petch (explique el significado de
cada una de ellas), determine el tamao de grano promedio para obtener el material
con un lmite de fluencia de 4100 MPa.

22. Cual es la diferencia entre una macla y un grano cristalino.

18