FUNDACIN UNIVERSITARIA AGRARIA DE COLOMBIA
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TRANSISTOR BJT
ResumenEste documento contiene el anlisis terico del
comportamiento de un transistor npn y un transistor pnp en DC,
y a partir del anlisis terico, que conlleva a un diseo de circuito
elctrico con especificaciones preestablecidas, se procede al
Ospina Ros Julin-Carreo Hctor
registro de la obtencin de datos experimentales. Bsicamente el
ospina.julin-carreo.hector{@uniagraria.edu.co}
anlisis en DC, permite un conocimiento de la localizacin del
punto (activo), que contiene la suficiente informacin del
comportamiento del transistor en el circuito.
Palabras ClaveAnlisis, transistor, circuito, datos,
experimentales, activo.
Abstract This document contains the theoretical analysis of
the behavior of an npn transistor and a pnp transistor in DC, and
from the theoretical analysis, which leads to an electrical circuit
design with preset specifications, we proceed to record the
obtaining of experimental data. Basically the analysis in DC,
allows a knowledge of the location of the (active) point, which
contains enough information on the behavior of the transistor in
the circuit.
Keywords Analysis, transistor, circuit, data, experimental,
active.
I. INTRODUCCIN
Este documento es una sustentacin de la prctica de
laboratorio n1 de electrnica anloga, que consiste en
transistores npn y pnp. Una de las principales aplicaciones del
transistor BJT, es la amplificacin de seales, es decir, en un
circuito que contiene dicho componente, al inyectarle una
seal, la salida puede ser amplificada; dichas seales pueden
ser voltajes o corrientes. La amplificacin, cuyo valor est
contenido en la ganancia, depende bsicamente de dos
condiciones o situaciones; una de ellas es la ubicacin del
punto de operacin del transistor, si ste es ubicado de tal
manera que se garantice la mxima excursin, entonces la
amplificacin es la ptima; caso contrario ocurre cuando el
punto de operacin est cercano a la regin de corte o regin de
saturacin, pues en estas zonas, el transistor se comporta como
interruptor, mas no como amplificador. La otra situacin es la
configuracin misma del transistor, es decir, si est configurado
como emisor comn, colector comn o base comn, pues se
pueden tener ganancias positivas, negativas unitarias; vale la
pena aclarar que el signo en una ganancia indica el desfase
entre la seal de entrada y la seal de salida. En cuanto a la
ubicacin del punto de operacin, se procede a hacer un
anlisis en DC, este anlisis implica la obtencin de valores de
componentes meramente resistivos.
OBJETIVO GENERAL
Encontrar el punto de operacin del transistor BJT
regulando un voltaje DC
OBJETIVOS ESPECIFICOS
Reconocer algunas de las caractersticas de los
transistores BJT en sus distintas zonas de operacin..
Obtener conocimiento acerca de la polarizacin del
transistor.
Desarrollar competencias y prctica con el fin de
agilizar y poner aprueba el conocimiento adquirido en
clase.
II. ASPECTOS TERICOS
TRANSISTOR BJT
Si ahora nos unimos dos diodos de seal individuales de
back-to-back, esto nos dar dos uniones pn conectadas
entre s en serie que comparten un
comn P o N terminal. La fusin de estos dos diodos
produce un dispositivo de tres capas, dos de unin, tres
terminales que forma la base de una Bipolar Junction
Transistor, o BJT, para abreviar.
Los transistores son tres dispositivos activos terminales
hechas de diferentes materiales semiconductores que
pueden actuar ya sea como un aislante o un conductor
mediante la aplicacin de un pequeo voltaje de la
seal. La capacidad del transistor para cambiar entre
estos dos estados le permite tener dos funciones bsicas:
"Cambio" (electrnica digital) o "amplificacin"
(electrnica analgica). A continuacin, los transistores
bipolares tienen la capacidad de operar dentro de tres
regiones diferentes:
Regin activa - el transistor funciona como
un amplificador y Ic = .Ib
Saturacin - el transistor es "Fully-ON" que
funciona como un interruptor y Ic = I (saturacin)
De corte - el transistor est "totalmente
apagado" que funciona como un interruptor y Ic =
0
Fig. 1 Tipos de transistor [2]
La palabra transistor es un acrnimo, y es una
combinacin de las palabras Trans fer Var istor us para
describir su modo de funcionamiento camino de vuelta
en sus primeros das de desarrollo. Hay dos tipos bsicos
de construccin transistor bipolar, PNP y NPN , que
bsicamente describe la disposicin fsica de los de tipo
P y materiales semiconductores de tipo N de la que estn
hechos.
El transistor bipolar de construccin bsica se compone
de dos uniones pn produciendo tres terminales de
conexin con cada terminal se le asigna un nombre para
identificar que de los otros dos. Estos tres terminales son
conocidos y se marcaron como el emisor ( E ),
la base ( B ) y el Colector ( C ), respectivamente.
Transistores bipolares son dispositivos de regulacin
actuales que controlan la cantidad de corriente que fluye
a travs de ellos en proporcin a la cantidad de tensin
de polarizacin aplicada a su terminal de base que acta
como un interruptor controlado por corriente. El
principio de funcionamiento de los dos tipos de
transistores PNP y NPN , es exactamente el mismo con
la nica diferencia en su polarizacin y la polaridad de la
fuente de alimentacin para cada tipo.[1]
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
CONSTRUCCIN.
Fig. 2 Estructura interna del transistor npn y pnp [3]
Los smbolos de la construccin y de circuito, tanto para
el PNP y NPN se dan transistor bipolar de arriba con la flecha
en el smbolo de circuito siempre que muestra la direccin de
"flujo de corriente convencional" entre el terminal de base y su
terminal de emisor. La direccin de la flecha siempre apunta a
la regin de tipo P positiva a la regin de tipo N negativo para
los dos tipos de transistores, exactamente el mismo que para el
smbolo de diodo estndar.[4]
EL TRANSISTOR BIPOLAR DE
CONFIGURACIONES
A medida que el transistor bipolar es un dispositivo de tres
terminales, existen bsicamente tres formas posibles de
conectar dentro de un circuito electrnico con un terminal es
comn tanto a la entrada y la salida. Cada mtodo de conexin
de responder de manera diferente a su seal de entrada dentro
de un circuito como las caractersticas estticas del transistor
varan con cada disposicin de circuito.[5]
Configuracin de base comn - tiene una
ganancia de tensin, pero sin ganancia de
corriente.
Configuracin de emisor comn - tiene tanto
actuales como Ganancia de voltaje.
Configuracin del colector comn - tiene
ganancia de corriente pero no hay ganancia de
voltaje.
III. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Desarrollar un trabajo que nos permita responder a las
preguntas que surjan durante la prctica de laboratorio, as
como cuestionar nuestros conocimientos y poner a prueba
nuestro circuito, con el fin de fomentar el aprendizaje para
elaborar estrategias que propicien parte del conocimiento
requerido en el campo de la ingeniera.

Para la prctica utilizaremos materiales como :

1. Fuente DC.
2. Resistencias
3. Transistor npn
4. Transistor pnp
5. 1 multmetro
6. 1 Protoboard
7. Potencimetro
8.
Foto 2 Circuito de escala npn.
IV. ASPECTOS EXPERIMENTALES
Posterior mente se tomaron unos valores en cada terminal y se
alimentaron las siguientes tablas respectivas a cada transistor.
NPN PN2222A V=5v Vc=5v
1 2 3 Indicacin Medicin
+ - 729 / V Potenciometro V Base V Emisor
- + / / 0 0,04 0,00
- + 722 / 0,5 0,6 0,02
1 1,01 0,47
+ - / / 1,5 1,60 0,96
- + / / 2 1,95 1,38
+ - / / 2,5 2,5 1,90
Tabla 1 medicion de valores en terminales de transistor npn. 3 2,97 2,38
3,5 3,49 2,9
4 3,96 3,37
Se montaran dos circuitos dados, uno con el transistor npn y 4,5 4,49 3,89
otro con el transistor pnp. 5 4,98 4,37
Se tomaran mediciones con la fuente en 5v y variaremos el Tabla 2 medicion de voltajes en terminales de transistor npn.
potencimetro.
A continuacin veremos la relacin que existe entre IE en fincin de
Circuito en NPN pn2222A IB, por lo cual debemos calcular estas variables de la siguiente
manera:

IE=VE/
IB=VB/RB

IE IB
0 0,004
0,002 0,06
0,047 0,101
Foto 1 Circuito de transistor npn.
0,096 0,16
0,138 0,195
Se procedio a montar los 2 circuitos en la protoboard.
0,19 0,25
0,238 0,297
0,29 0,349
0,337 0,396
0,389 0,449
0,437 0,498
Tabla 3, Corriente en el emisor con respecto al cambio de corriente en Circuito en PNP 2N3906
la base.

Lugo para entenderlo mejor obtamos por hacer una grafica

comparativa de la anterior tabla:

IB( mA) vs IE( mA)

0.6
0.5 Foto 2 Circuito de transistor pnp.
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 0.4 0.45 0.5

Grafica 1, corriente en miliamperios de IB vs IE.

Esto nos da una interpretacion grafifica de el cambio en cuanto a

corriente del nuestro transistor NPN.

Luego la sisguiente grafica nos muestra el cambio que sufre el voltaje Foto 3 Circuito de escala pnp
en el emisor conrespecto al voltaje en la base:
Posterior mente se tomaron unos valores en cada terminal y se
V base vs V emisor alimentaron las siguientes tablas respectivas a cada transistor.

5 V=-5v Vc=-5v

4 V Potenciometro V Base V Emisor

-0 -0,04 -0,00
3 -0,5 -0,5 -0,01
2 -1 -1,02 -0,5
-1,5 -1,58 -0,95
1 -2 -1,85 -1,4
-2,5 -2,51 -1,85
0 -3 -2,96 -2,4
0 1 2 3 4 5 6
-3,5 -3,5 -2,85
-4 -3,94 -3,41
-4,5 -4,5 -3,91
Grafica 2, voltajes comparativos entre base y emisor. -5 -4,98 -4,37
Tabla 5 medicion de voltajes en terminales de transistor pnp.

Puesto que ya tenemos estos datos procederemos a buscar una mejor

PNP 2N3906 interpretacion de estos, por lo cual buscaremos el mismo
procedimiento efectuado con el transistor NPN anteriormente.
1 2 3 Indicacin Medicin
+ - / /
- + 665 / IE=VE/
- + / /
+ - 614 / IB=VB/RB
- + / /
+ - / /
Tabla 3 medicion de valores en terminales de transistor pnp.
IB IE
 -0,004 0
-0,05 -0,001 V Base vs V emisor
-0,102 -0,05 0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
-0,158 -0,095 -0.5
-0,185 -0,14 -1
-0,251 -0,185 -1.5
-0,296 -0,24 -2
-0,35 -0,285 -2.5
-0,394 -0,341 -3
-0,45 -0,391
-3.5
-0,498 -0,437
-4
Tabla 2, Corriente en el emisor con respecto al cambio de corriente -4.5
en la base. -5

Lugo para entenderlo mejor obtamos por hacer una grafica

comparativa de la anterior tabla:
IB (mA) vs IE (mA)
0
-0.6 -0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0
-0.1

-0.2

-0.3

-0.4

-0.5

Grafica 3, corriente en miliamperios de IB vs IE.

V. CONCLUSIONES
La relacin que existe entre el voltaje del emisor y el
voltaje de la base es directamente proporcional casi
lineal en los transistores NPN.
La corriente que influye en el emisor tiene un
comportamiento casi lineal con la corriente de la base
en los transistores NPN.
El funcionamiento de un transistor depende de la
polarizacin que se aplica en sus terminales.
El voltaje del colector depende del voltaje de la base.
El transistor opera en tres estados: lineal, saturacin y
corte.
Adems de todos esto, ahora si podremos comprobar
o hacer la prueba de los transistores para conocer si
se encuentra en buenas condiciones para su uso.
Siempre debemos analizar el datasheet del transistor
para analizar sus ganancias y parmetros con los que
trabaja.
 Para sta prctica, el mtodo ms factible para
determinar las corrientes es usando la Ley de Ohm,
ya que si conectramos el multmetro en serie con el
circuito corremos el riesgo de desconectar un
elemento y obtener un dato errneo.
VI. REFERENCIAS
La informacin tomada en este informe incluye datos de los
siguientes sitios de acceso pblico y est debidamente
referenciada.
Este documento :incluye
[1] http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_1.html
[2]https://static.rapidonline.com/catalogueimages/Module/M5
18576P01WL.jpg
[3]http://www.electronics-tutorials.ws/wp content/ uploads/
2013/09/ tran61.gif?x98918
[4]http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_1.html
[5] http://www.electronics-tutorials.ws/transistor/tran_1.html
[6]https://en.wikipedia.org/wiki/Light-
emitting_diode#/media/File:RBG-LED.jpg
Bibliografias.
[1] Malik, N. Circuitos Electronicos. Anlisis, Simulacin Y
Diseo. Prentice Hall, 1996
[2] Boylestad, N. Electronica: Circuitos y Dispositivos.
Prentice Hall Latinoamerica. 2005