Coleccion - Problemas Analogica (Politecnica de Cataluña)

Problemas Resueltos de
Introduccin a la Electrnica
Juan A. Carrasco
Departament dEnginyeria Electrnica
Universitat Politcnica de Catalunya
Barcelona, Septiembre 2009

II
Prefacio
La presente coleccin de problemas resueltos abarca todos los contenidos tericos de la asigna-
tura Introduccin a la Electrnica, tal y como es impartida en la Escuela Tcnica Superior de
Ingeniera Industrial de Barcelona, de la Universidad Politcnica de Catalua relacionados con el
anlisis de circuitos. Se espera que la coleccin sea un instrumento til para el estudio de dicha
asignatura y que pale el dficit crnico de resolucin de problemas en clase, que siempre ha
existido en dicha asignatura, debido el reducido nmero de horas lectivas disponibles.
En la resolucin de todos los problemas de anlisis de circuitos se usa, por defecto, el habitual
sistema consistente de unidades V, mA, k, que hace que los valores numricos que tpicamente
aparecen en la resolucin de dichos problemas no disten muchos rdenes de magnitud de la
unidad.
Unos ltimos comentarios. Es sabido que los circuitos lineales pueden no tener solucin o tener
infinitas soluciones. Todos los circuitos lineales comprendidos en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica.
De modo similar, los circuitos con diodos modelados con modelos lineales a tramos pueden no
tener solucin o tener infinitas soluciones. Un ejemplo de circuito con diodos sin solucin es:
3V 2V
donde el diodo se supone ideal. En efecto, la hiptesis diodo en ON conduce a un circuito sin
solucin, pues la fuente de tensin de valor 3 V queda conectada a la fuente de tensin de va-
lor 2 V. Por otro lado, la hiptesis diodo en OFF conduce a una tensin nodo-ctodo positiva
(1 V), no cumplindose la condicin de estado del diodo. Un ejemplo de circuito con infinitas
soluciones es el circuito del problema 25 con vi = 2 V. Tal y como se razona en la resolucin
de dicho problema, con esa vi la corriente i vale 0 y los dos diodos estn en OFF. El valor de
la tensin nodo-ctodo de D1 puede tomar, sin embargo, cualquier valor dentro del intervalo
[2,7, 0,7], pues, siendo vAK1 y vAK2 las tensiones nodo-ctodo de, respectivamente, D1 y
D2, cualquiera de esos valores es compatible con vAK1 0,7, 4,7 vAK2 0,7 y vAK1
vAK2 = 2. Todos los circuitos con diodos considerados, con la excepcin antes comentada,
tienen solucin nica. Los problemas correspondientes, sin embargo, son resueltos suponiendo
IV Prefacio
que el circuito puede no tener solucin. Es decir, se da por terminado el anlisis del circuito
cuando se determina una combinacin de estados para los diodos para la que el circuito lineal
resultante tiene solucin y se cumplen las condiciones de estado de cada diodo.
Los circuitos con transistores presentan una problemtica ms rica. Dichos circuitos admiten un
nmero finito de soluciones. Esa posibilidad es de hecho aprovechada para disear biestables,
circuitos con dos soluciones (estados). La siguiente figura muestra un biestable constituido por
dos BJTs.
5V
R R
Q1 Q2
Es fcil comprobar que con VBE ,u = VBE ,act = VBE ,sat = 0,7, VCE ,sat = 0,2 y un valor
suficientemente elevado del parmetro de los BJTs, caben dos soluciones: en una de ellas Q1
est en CORTE y Q2 est en SATURACIN; en la otra Q1 est en SATURACIN y Q2 est
en CORTE. Todos los circuitos con transistores analizados en los problemas de la coleccin
tienen solucin nica dentro del dominio para el comportamiento en continua de los dispositivos
cubierto por los modelos utilizados para los transistores (VCE 0 para los BJTs npn, VEC 0
para los BJTs pnp, VDS 0 para los MOSFETs de canal n, y VDS 0 para los MOSFETs
de canal p). Sin embargo, al igual que en los problemas de anlisis de circuitos con diodos,
la resolucin de problemas de anlisis de circuitos con transistores se hace aceptando que el
circuito pudiera no tener solucin dentro del dominio para el comportamiento en continua de
los dispositivos cubierto por los modelos utilizados para los transistores. Es decir, se da por
concluido el anlisis del circuito cuando se encuentra una combinacin para los estados (zonas
de trabajo) de los transistores para la que el circuito lineal resultante tiene solucin y se cumplen
las condiciones de estado de cada dispositivo.
Captulo 1
Problemas de Anlisis de Circuitos con

Diodos
Problema 1: Los diodos D1 y D2 del siguiente circuito tienen corrientes inversas de saturacin
IS1 = 1012 A e I S2 = 2 1011 A, respectivamente, y un parmetro = 1. Analice el circuito
y determine V e I. Suponga VT = 25,9 mV.
I
D1
5V +
D2 V

Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V VT = 0,0259 V. Ello implica que, con mucha

precisin, I = IS1 = 1012 A = 109 mA. La tensin V puede ser calculada utilizando

I = IS2 eV /VT 1 ,
obtenindose

I 109
V = VT ln 1 + = (0,0259) ln 1 + = 0,001264 = 1,264 mV .
IS2 2 108
Resulta 5 V = 5 0,001264 = 4,999, que es 0,0259. As pues, los valores calculados para
V e I son correctos.
IS1 = 1012 A e IS2 = 8 1012 A, respectivamente, y un parmetro = 1. Analice el circuito
2 1 Problemas de Anlisis de Circuitos con Diodos
y determine I1 e I2 .
I1 I2
1 A D1 D2
Solucin: Llamando VAK a la tensin ando-ctodo comn a los dos diodos, tenemos

I1 = IS1 eVAK /VT 1 ,

I2 = IS2 eVAK /VT 1 ,
de donde,
I1 IS1 109
= = = 0,125 .
I2 IS2 8 109
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que estn conectados los nodos de los dos
diodos, obtenemos 103 = I1 + I2 , y usando la relacin anterior entre I1 e I2 ,
103 = 0,125I2 + I2 = 1,125I2 ,
de donde
103
I2 = = 8,889 104 = 0,8889 A .
1,125
Finalmente, usando 103 = I1 + I2 ,
I1 = 103 I2 = 103 8,889 104 = 1,111 104 = 0,1111 A .
IS1 = 3 1011 A e IS2 = 1012 A, respectivamente, y un parmetro = 1. Analice el circuito
y determine V e I. Suponga VT = 25,9 mV.
D1
5V D2 +
10 M I V

Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V VT = 0,0259. Llamando I a la corriente inversa

por el diodo D1, se tendr, con mucha aproximacin, I = IS1 = 3 1011 A = 3 108 mA.
Sea R la resistencia del circuito. La corriente a travs de dicha resistencia vale V /R. Aplicando
la primera ley de Kirchoff al nodo conectado a los nodos de los diodos y utilizando la ecuacin
del diodo D2, se obtiene
V V
I = I + = IS2 eV /VT 1 + ,
R R
3
y, sustituyendo valores,
V
3 108 = 109 eV /0,0259 1 + 4 ,
10
que da

3 104 = 105 eV /0,0259 1 + V ,

V = 3 104 105 eV /0,0259 1 .
Dicha ecuacin trascendente tiene la forma V = f (V ). Para resolverla, usamos una iteracin
de punto fijo Vk+1 = f (Vk ). Con V1 = 3 104 , se obtiene V2 = 2,999 104 , V3 =
2,999 104 . As pues, una solucin de la ecuacin es V = 2,999 104 V = 0,2999 mV. Se
puede argumentar que dicha solucin es nica observando que
df 105 V /0,0259
= e = 3,861 106 eV /0,0259 < 0 .
dV 0,0259
Entonces, al hacerse V mayor a 2,999 104 , f (V ) se har menor, haciendo imposible que
para valores mayores a 2,999 104 se pueda verificar V = f (V ). De modo similar se puede
razonar que no se podr verificar V = f (V ) para valores menores a 2,999 104 . La solucin
encontrada para V verifica 5 V = 5,000, que es 0,0259, como se haba supuesto. Falta
calcular I. Usando la ecuacin del diodo D2 se obtiene

I = IS2 eV /VT 1 = 109 e2,99910 /0,0259 1
4
= 1,165 1011 mA = 1,165 1014 A .
Problema 4: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine I1 , I2 y V .
10 V
10 k
V
I1 I2
9,9 k
10 V
Solucin: Supondremos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
10 V
10 k
V
A A
I1 I2
K K
I1 + I2 9,9 k
10 V
Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Por inspeccin, V = 0. Adems, las diferencias de tensin en

las dos resistencias resultan ser iguales a 10 V, obtenindose
10 = 9,9 (I1 + I2 ) = 9,9I1 + 9,9I2 ,

10 = 10I2 ,
de donde I2 = 1, que es 0, e
10 9,9 I2 10 (9,9)(1)
I1 = = = 0,01010 ,
9,9 9,9
que tambin es 0. As pues, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,01010 mA, I2 = 1 mA y V = 0.
Problema 5: Utilizando para el diodo el modelo diodo ideal, analice el siguiente circuito y
determine los valores de I1 , I2 , I3 y V .
30 V
I1 10 k
I2
V
I3 20 k 20 k
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de
valor 30 V y las resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la resistencia
de valor 20 k, se obtiene una tensin de Thvenin
20
Vth = 30 = 20 V
10 + 20
5
y una resistencia de Thvenin

(10)(20)
Rth = 10 k 20 = = 6,667 k .
10 + 20
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin resulta el circuito
6,667 k
V
20 V I2 20 k
Analizando dicho circuito es fcil deducir que el diodo estar en ON y calcular el valor de la co-
rriente I2 . En efecto, el punto de trabajo (VAK , I2 ) del diodo estar en la interseccin del modelo
lineal a tramos del diodo y la recta de carga cuya ecuacin se obtiene aplicando la segunda ley
de Kirchoff:
20 = 6,667I2 + VAK + 20I2 = 26,67I2 + VAK .
Grficamente, tenemos:
I2
20
= 0,7499 mA
26,67
20 V VAK
Sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON se obtiene el circuito

30 V
I1 10 k
I2
V
A K
I3 20 k 20 k
La tensin V puede ser calculada aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 20 k de la

derecha, obtenindose
V = 20I2 = (20)(0,7499) = 15,00 V .
Por simetra,
I3 = I2 = 0,7499 mA .
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al nodo del diodo,
I1 = I2 + I3 = 0,7499 + 0,7499 = 1,500 mA .
Problema 6: Utilizando para el diodo el modelo con tensin nodo-ctodo nula para corrien-
tes directas y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para corrientes inversas, determine la funcin de
transferencia vo = F (vi ) del siguiente cuadripolo.
10 k
+ +
vi 10 k vo
Solucin: Supondremos cada uno de los tres estados posibles para el diodo Zener y determina-
remos, para cada uno de ellos, el intervalo de tensiones vi para el cual el diodo est en el estado
y la relacin entre vo y vi .
Para el estado ON, se obtiene el circuito

i1 + i2
10 k
+
i1 i2
+ K
vi 10 k vo
A
Se ha de imponer i1 0. Por inspeccin, vo = 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de

valor 10 k de la derecha, se obtiene
0 = 10i2 ,
i2 = 0 .
Aplicando al segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , la
resistencia de valor 10 k de la izquierda y el diodo, se obtiene
vi = 10(i1 + i2 ) = 10i1 ,
vi
i1 = .
10
La condicin i1 0 se traduce en
vi
0,
10
7
vi 0 .
As pues, para vi (, 0], el diodo est en ON y vo = 0
Para el estado OFF, se obtiene el circuito

10 k
+
+ K
vi vAK 10 k vo
+ A
Se ha de imponer 5 vAK 0. Utilizando la frmula del divisor de tensin, se obtiene
10 vi
vo = vi = .
10 + 10 2
Por inspeccin, vAK = vo . La condicin 5 vAK 0 se traduce en 5 vo 0,
0 vo 5, y utilizando vo = vi /2, en 0 vi /2 5, 0 vi 10. As pues, para vi [0, 10],
el diodo est en OFF y vo = vi /2.
Para el estado RUPTURA, se obtiene el circuito

i1 + i2
10 k
+
i1 i2
+ K
vi 5V 10 k vo
A
Se ha de imponer i1 0. Por inspeccin, vo = 5. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de

valor 10 k de la derecha, se obtiene
vo = 10i2 ,
5 = 10i2 ,
i2 = 0,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , la
resistencia de valor 10 k de la izquierda y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
vi = 10(i1 + i2 ) + 5 = 10i1 + 10i2 + 5 = 10i1 + (10)(0,5) + 5 = 10i1 + 10 ,

vi 10
i1 = .
10
La condicin i1 0 se traduce en vi 10 0, vi 10. As pues, para vi [10, ) el diodo

est en RUPTURA y vo = 5.
La siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).

vo
10 vi
Problema 7: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
circuito de la figura y determine los valores de la corriente directa I y la tensin nodo-ctodo
VAK del diodo.
5 k
5V
1 k
Solucin: Empezaremos suponiendo el diodo en OFF. Ello conduce al circuito
5 k
5V
+
1 k VAK

La condicin a verificar es VAK 0,7. Aplicando la frmula del divisor de tensin, se obtiene
1
VAK = 5 = 0,8333 ,
1+5
que es > 0,7. Por lo tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el diodo est en ON. Ello
9
conduce al circuito
I + I
5 k
I
5V +
I
A
0,7 V VAK
1 k K

La condicin a verificar es I 0. Por inspeccin, VAK = 0,7. Aplicando la ley de Ohm a la

resistencia de valor 1 k, se obtiene
0,7 = (1)I ,
I = 0,7 .
Por ltimo, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de
valor 5 V y las resistencias, se obtiene
5 = 5(I + I ) + (1)I = 5I + 6I = 5I + (6)(0,7) = 5I + 4,2 ,
5 4,2
I= = 0,16 ,
5
que es 0. As pues, el diodo est en ON, I = 0,16 mA y VAK = 0,7 V.
Problema 8: Utilizando para el diodo el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y resistencia
incremental en conduccin directa rD = 1 , analice el circuito de la figura y determine los
valores de la corriente directa I y de la tensin nodo-ctodo VAK del diodo.
100 mA 10
Solucin: Empezaremos suponiendo que el diodo est en OFF. Ello conduce al circuito
A+
100 mA 10 VAK
K

La condicin a verificar es VAK 0,7. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene

VAK = (0,01)(100) = 1, que es > 0,7. Por tanto, el diodo no est en OFF. Supongamos que el
diodo est en ON. El circuito resultante es
I
N
A
I
1
100 mA
10
0,7 V
K
La condicin a verificar es I 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo N, se obtiene
100 = I + I .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 0,7 V
y las resistencias, se obtiene
0,7 = 0,001I + 0,01I ,
dando lugar al sistema lineal
I + I = 100
I + 10I = 700 ,
cuya solucin para I es

100 1
700 10 300
I= = = 27,27 ,

1 1 11
1 10
que es 0. As pues, el diodo est en ON e I = 27,27 mA. La tensin nodo-ctodo resulta valer
VAK = 0,7 + 0,001 I = 0,7 + (0,001)(27,27) = 0,7273 V.
Problema 9: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, analice el
siguiente circuito y determine I.
10 k
I
5V D1
1 k D2
Solucin: Con el diodo D1 en OFF, el diodo D2 quedara polarizado exclusivamente por la

resistencia de valor 1 k y tambin estara en OFF. Con esos estados para D1 y D2, tendramos
11
VAK1 = 5, que no es 0,7 V. As pues, el diodo D1 no est en OFF. Supongamos que el diodo
D1 est en ON y que el diodo D2 est en OFF. Se obtiene el circuito
I 10 k
A
5V 0,7 V
K
+
A
1 k VAK2
K
Se ha de verificar I 0 y VAK2 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada

por las fuentes de tensin y las resistencias, se obtiene
5 = 10I + 0,7 + (1)I ,
5 = 11I + 0,7 ,
5 0,7
I= = 0,3909 ,
11
que es 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 1 k, se obtiene
VAK2 = (1)I = I = 0,3909 ,
que es 0,7. As pues, los estados supuestos para los diodos son correctos e I = 0,3909 mA.
Problema 10: Utilizando para los diodos el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V, resisten-
cia incremental en conduccin directa rD = 10 , tensin de ruptura VZ0 = 5 V y resistencia
incremental en ruptura rZ = 20 , analice el circuito de la figura y determine I1 e I2 .
1 k
10 k 1 k
10 V
I1 D1 I2 D2
Solucin: Supondremos que D1 est en ON y que D2 est en RUPTURA. Sustituyendo los

diodos por los circuitos equivalentes correspondientes a esos estados, se obtiene el circuito
I1 + I2
1 k
10 k 1 k
I1 A K I2
10 V
10 20
0,7 V 5V
K A
Las condiciones a verificar son I1 0 e I2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 1 k de la izquierda, la
resistencia de valor 10 k, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin de valor 0,7 V y a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, las resistencias de valor 1 k, la resistencia
de valor 20 y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
10 = (1)(I1 + I2 ) + 10I1 + 0,01 I1 + 0,7 ,

10 = (1)(I1 + I2 ) + (1)I2 + 0,02 I2 + 5 ,
que conducen al sistema lineal
11,01I1 + I2 = 9,3
I1 + 2,02I2 = 5 ,
cuya solucin es

9,3
1

5 2,02 13,79
I1 = = = 0,6492 ,
11,01
1
21,24
1 2,02
5 I1 5 0,6492
I2 = = = 2,154 .
2,02 2,02
Tanto I1 como I2 son 0. As pues, el diodo D1 est en ON, el diodo D2 est en RUPTURA,
I1 = 0,6492 mA e I2 = 2,154 mA.
Problema 11: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a 5 V para
13
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine I1 e I2 .
1 k D1 I1
10 mA
200 D2 I2
Solucin: Por cada conjunto formado por un diodo y la resistencia que tiene en paralelo ha de
circular una corriente de valor 10 mA. Ello permite el anlisis independiente de esos dos grupos
de elementos. Supongamos que el diodo D1 est en ON. Se obtiene el circuito
I I1
A
10 mA 1 k 0,7 V
K
Se ha de verificar I1 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
0,7 = (1)I ,
I = 0,7 .
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al nodo del diodo, se obtiene
10 = I + I1 = 0,7 + I1 ,
I1 = 10 0,7 = 9,3 ,
que es 0. As pues, D1 est en ON e I1 = 9,3 mA.
Supongamos que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito
I I2
K
10 mA 200 5V
A
Se ha de verificar I2 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
5 = (0,2)I ,
5
I = = 25 .
0,2
Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado al ctodo del diodo, se obtiene
10 = I + I2 = 25 + I2 ,
I2 = 10 25 = 15 ,
que no es 0. Supongamos D2 en OFF. Se obtiene el circuito
I I2

K
10 mA 200 VAK2
A
+
Se ha de verificar 5 VAK2 0,7. Por inspeccin, I2 = 0 e I = 10. Por otro lado, aplicando
la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene
VAK2 = 0,2 I = (0,2)(10) = 2 ,
que es 5 y 0,7. As pues, el diodo D2 est en OFF e I2 = 0.
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine los valores de I y V .
D1
10 k D2 I
10 V
+
1 k V

Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en ON. Con el diodo D2 en ON, todas las corrientes
entrantes al nodo al que estn conectados los ctodos de los diodos seran 0, con al menos una
de ellas (la procedente de la resistencia) > 0, lo cual es imposible. Supongamos que el diodo D2
est en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
I

A K K
10 k VAK2
A
10 V +
I +
1 k V

Se ha de verificar I 0 y 5 VAK2 0,7. Por inspeccin, I = 0. Aplicando la segunda ley

15
de Kirchoff a la malla con corriente I se obtiene
10 = 0,7 + 10I + (1)I = 0,7 + 11I ,
10 0,7 9,3
I = = = 0,8455 ,
11 11
que es 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k, se obtiene
VAK2 = 10I = (10)(0,8455) = 8,455 ,
que es < 5. As pues, el estado supuesto para el diodo D2 no es correcto. Supongamos que est
en RUPTURA. Se obtiene el circuito
0,7 V
I + I I
A K K
10 k 5V
I A
10 V
+
I +I 1 k V

Se ha de verificar I 0 e I + I 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k,

se obtiene
5 = 10I ,
5
I = = 0,5 .
10
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V,
la fuente de tensin de valor 0,7 V, la fuente de tensin de valor 5 V y la resistencia de valor 1 k,
se obtiene
10 = 0,7 + 5 + (1)(I + I ) = 5,7 + I + I = 5,7 + I + 0,5 = 6,2 + I ,
I = 10 6,2 = 3,8 ,
que es 0. Adems, I+I = 3,8+0,5 = 4,3, que tambin es 0. As pues, los estados supuestos
para los diodos son correctos e I = 3,8 mA. La tensin V puede ser calculada aplicando la ley
de Ohm a la resistencia de valor 1 k. Se obtiene
V = (1)(I + I ) = I + I = 3,8 + 0,5 = 4,3 V .
el diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo 5 V en ruptura,
analice el circuito de la figura y determine los valores de las corrientes I1 e I2 .
10 k I1 2 k I2
1 mA
D1 D2
Solucin: Supongamos que el diodo D1 est en estado OFF. Tenemos I2 = 1 mA, implicando
que D2 estar en estado RUPTURA. Entonces, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por los diodos y las resistencias, se obtiene
VAK1 = 5 + 2I2 = 5 + (2)(1) = 7 ,
que no es 0,7. As pues el diodo D1 no estar en OFF. Supongamos que el diodo D1 est en
ON y que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito
10 k I1 2 k I2
1 mA A K
0,7 V 5V
K A
Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado a las

resistencias, se obtiene
1 = I1 + I2 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por las fuentes de tensin y las resis-
tencias, se obtiene
0,7 + 10I1 = 5 + 2I2 ,
10I1 2I2 = 4,3 ,
que combinada con I1 + I2 = 1 da el sistema lineal
I1 + I2 = 1
10I1 2I2 = 4,3 ,
cuya solucin es

1 1
4,3 2 6,3
I1 = = = 0,5250 ,

1 1 12
10 2
I2 = 1 I1 = 1 0,5250 = 0,4750 .
Dado que tanto I1 como I2 son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,5250 mA e I2 = 0,4750 mA.
17
circuito de la figura y determine I1 e I2 .
4 k
5V
1 k 2 k
1 k
I1 D1 I2 D2
Solucin: Calculando el equivalente de Thvenin del dipolo constituido por la fuente de tensin
de valor 5 V y las dos resistencias de la izquierda, que tiene como salidas los extremos de la
resistencia de 1 k, se obtienen una tensin de Thvenin
1
Vth = 5=1
4+1
y una resistencia de Thvenin
(4)(1)
Rth = 4 k 1 = = 0,8 .
4+1
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin se obtiene el circuito

0,8 k
1 k 2 k
1V
I1 D1 I2 D2
Supongamos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
0,8 k I1 + I2
I1 1 k I2 2 k
1V A A
0,7 V 0,7 V
K K
Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada

por la fuente de tensin de valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 k, la resistencia de valor 1 k y
la fuente de tensin de valor 0,7 V de la izquierda y a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 1 V, la resistencia de valor 0,8 k, la resistencia de valor 2 k y la fuente de tensin de
valor 0,7 V de la derecha, se obtiene
1 = (0,8)(I1 + I2 ) + (1)I1 + 0,7 ,

1 = (0,8)(I1 + I2 ) + 2I2 + 0,7 ,
1,8I1 + 0,8I2 = 0,3

0,8I1 + 2,8I2 = 0,3 ,
cuya solucin es

0,3 0,8
0,3 2,8 0,6
I1 = = = 0,1364 ,

1,8 0,8
4,4
0,8 2,8

1,8 0,3
0,8 0,3 0,3
I2 = = = 0,06818 .

1,8 0,8 4,4
0,8 2,8
Dado que tanto I1 como I2 son 0, los estados supuestos para los diodos son correctos, I1 =
0,1364 mA e I2 = 0,06818 mA.
Problema 15: Utilizando para el diodo D1 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y para el
diodo D2 el modelo con tensin umbral VD0 = 0,7 V y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, determine la funcin de transferencia vo = F (vi )
19
del cuadripolo de la figura.

1 k
+ +
D1
vi vo
4,7 V D2

Solucin: Una forma sencilla de analizar el circuito es considerar los posibles valores de la
corriente i:
1 k
+ +
i D1
vi vo
4,7 V D2

El diodo D1 impide que i tome valores < 0. As pues, i 0. Determinemos los valores de vi
para los cuales i > 0 y la relacin entre vo y vi en ese caso. D1 slo podr estar en ON y D2 slo
podr estar en RUPTURA, obtenindose el circuito
1 k
+
A
i 0,7 V
vi + K
vo
K
4,7 V
A

Por inspeccin, obtenemos vo = 4,7 + 0,7 = 5,4. Aplicando la segunda ley de Kirchoff, se
obtiene
vi = (1)i + 0,7 + 4,7 = 5,4 + i ,
i = vi 5,4 .
Imponiendo la condicin i > 0, se obtiene vi > 5,4. As pues, vo = 5,4 para vi > 5,4. Para
vi 5,4, i = 0 y siendo nula la diferencia de tensin en la resistencia de 1 k, se obtiene
vo = vi . La siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia.
vo
5,4
5,4 vi
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y: 1) determine la funcin de transferencia
vo = F (vi ); 2) suponiendo vi senoidal con amplitud 15 V, determine el valor medio V o y el
valor eficaz Vo,eff de la tensin de salida vo .
D1 10 k
+ +
vi D2 10 k vo
Solucin: 1) Hacemos un barrido de vi desde hasta . Obtenemos as una sucesin de

intervalos para vi en los que los estados de los diodos se mantienen constantes. Los extremos
derechos de los intervalos y los diodos que cambian de estado al pasar de un intervalo al siguiente
son determinados imponiendo las condiciones de estado de los diodos. Los diodos deben cambiar
a estados correspondientes a tramos lineales adyacentes a los tramos lineales de los estados en los
que estn los diodos antes del cambio. En caso de que un estado tenga dos estados adyacentes,
es necesario analizar qu desigualdad falla al aumentar vi para determinar a qu estado cambia
el diodo.
Dado que el cuadripolo es pasivo, la potencia consumida por l tiene que ser 0. Ello implica
que, para vi negativa, la corriente de entrada al cuadripolo o es 0 o va de a +, pues en caso
contrario la potencia consumida por el cuadripolo sera < 0. Eso slo es posible con D1 en OFF.
As pues para vi negativa D1 est en OFF. Con D1 en OFF, el conjunto formado por D2 y la
resistencia de la derecha queda aislado y la corriente por D2 es 0, implicando que D2 tambin
estar en OFF. As pues, para vi negativa, D1 y D2 estn en OFF. Supongamos dichos estados,
analicemos el cuadripolo y determinemos hasta que valor de vi se mantienen los estados, qu
21
diodos cambian de estado al crecer vi y a qu estado cambian. Se obtiene el circuito
A K 10 k
+
+
vAK1
+ K
vi vAK2 10 k vo

A
+
Se ha de imponer vAK1 0,7 y 5 vAK2 0,7. Las corrientes por todas las ramas del
circuito son nulas y, aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la derecha, se obtiene vAK2 = 0,
que es 5 y 0,7. Adems, vo = 0. Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor vi , los diodos y la resistencia de la izquierda, se
obtiene
vi = vAK1 + 0 vAK2 ,
de donde vAK1 = vi + vAK2 = vi . La condicin vAK1 0,7 se traduce en vi 0,7. As pues,
para vi (, 0,7], los diodos D1 y D2 estn en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > 0,7, falla
la condicin de estado del diodo D1, que pasa a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en
vi = 0,7, D1 est en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
0,7 V
A K 10 k
+
i
+ K
vi vAK2 10 k vo

A
+
Se ha de imponer i 0 y 5 vAK2 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

con corriente i se obtiene
vi = 0,7 + 10i + 10i = 20i + 0,7 ,
vi 0,7
i= .
20
Imponiendo i 0, se obtiene la condicin vi 0,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi
dentro del intervalo. La tensin vo puede obtenerse aplicando la ley de Ohm a la resistencia de la
derecha:
vi 0,7 1
vo = 10i = 10 = vi 0,35 .
20 2
Por inspeccin,
1
vAK2 = vo = vi + 0,35 .
2
Imponiendo la condicin 5 vAK2 0,7, se obtiene 5 (1/2)vi + 0,35 0,7,
10 vi + 0,7 1,4, 0,7 vi 10,7. Al aumentar vi dentro del intervalo falla la
condicin vi 10,7. Dicha condicin procede de vAK2 5. As pues, para vi (0,7, 10,7]
D1 est en ON, D2 est en OFF, y vo = (1/2)vi 0,35. Al hacerse vi > 10,7 el diodo D2
pasa a RUPTURA. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 10,7, D1 est en ON y D2 en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
0,7 V
A K 10 k
+
i
i1 i2
K
vi + 5V 10 k vo

A
Se ha de imponer i1 0 e i2 0. Por inspeccin, vo = 5. Aplicando la ley de Ohm a la

resistencia por la que circula la corriente i se obtiene
5 = 10i ,
5
i =
= 0,5 .
10
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi ,
la fuente de tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor 10 k de la izquierda y la fuente de
tensin de valor 5 V, se obtiene
vi = 0,7 + 10i1 + 5 = 5,7 + 10i1 ,
vi 5,7
i1 = .
10
La condicin i1 0 se traduce en vi 5,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo en el que confluyen las corrientes i1 , i2 e
i , se obtiene
i1 = i2 + i ,
vi 5,7 vi
i2 = i1 i = 0,5 = 1,07 .
10 10
La condicin i2 0 se traduce en vi 10,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. As pues, para vi (10,7, ), D1 est en ON, D2 est en RUPTURA y vo = 5. La
siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).
vo
1
vi 0,35
2
0,7 10,7 vi
2) Sea la pulsacin de vi . Usando la variable = t, usando la relacin = 2/T , donde T

23
es el periodo de vi , y haciendo el cambio de variable = t, se obtiene
1 T
Z T Z 2
1 1
Z
Vo = vo (t) dt = vo () d = vo () d ,
T 0 T 0 2 0
y, de modo similar,
T 2
1 1
Z Z
2 2
Vo,eff = vo (t) dt = vo ()2 d .
T 0 2 0
Empecemos determinando la forma de vo () usando la forma de vi () y la funcin de trans-

ferencia. La siguiente figura la ilustra.
1
vo () = vi () 0,35 = 7,5 sen 0,35
2
15
10,7 vi () = 15 sen
0,7
1 2 /2 2 = t
Utilizando las caractersticas y simetras de vo (), se obtiene

Z 1 Z /2 !
1 1 1 /2
Z
Vo = vo () d = 2 vo () d = vo () d . (1.1)
2 1 2 1 1
De modo similar,
/2
1
Z
2
Vo,eff = vo ()2 d . (1.2)
1
El problema queda pues reducido a evaluar las integrales
Z /2
I1 = vo () d ,
1
Z /2
I2 = vo ()2 d .
1
Empecemos calculando 1 y 2 (en radianes):
0,7 = 15 sen 1 ,

0,7
1 = arc sen = arc sen(0,04667) = 0,04669 .
15
10,7 = 15 sen 2 ,

10,7
2 = arc sen = arc sen(0,7133) = 0,7942 .
15
Evaluemos la integral I1 . Se obtiene

Z 2 Z /2
I1 = vo () d + vo () d
1 2
Z 0,7942
= (7,5 sen 0,35) d + 5 0,7942
0,04669 2
Z 0,7942
= 7,5 sen d (0,35)(0,7942 0,04669) + 3,883
0,04669
= (7,5)[cos(0,04669) cos(0,7942)] + 3,621
= 5,856 .
Evaluemos la integral I2 . Se obtiene

Z 2 Z /2
2
I2 = vo () d + vo ()2 d
1 2
Z 0,7942
= (7,5 sen 0,35)2 d + 25 0,7942
0,04669 2
Z 0,7942
56,25 sen2 5,25 sen + 0,1225 d + 19,41

=
0,04669
Z 0,7942 Z 0,7942
= 56,25 sen2 d 5,25 sen d + 0,1225(0,7942 0,04669)
0,04669 0,04669
+19,41
sen 2 0,7942

= 56,25 (5,25)[cos(0,04669) cos(0,7942)] + 19,50
2 4 0,04669
= (28,13)(0,7942 0,04669) (14,06)[sen(1,588) sen(0,09338)] + 17,94
= 26,22 .
Finalmente, usando (1.1) y (1.2), se obtiene
I1 5,856
Vo = = = 1,864 V ,

2 I2 26,22
Vo,eff = = = 8,346 ,

p
Vo,eff = 8,346 = 2,889 V .
25
Problema 17: Utilizando para los diodos los modelos con tensin nodo-ctodo nula para co-
rrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin de ruptura indicada para corrientes
inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin de transferencia vo = F (vi ).
1 k
+ +
1 k
vi 7V D2 vo
5V D1
Solucin: Intuitivamente, parece que para vi el diodo D2 deber estar en ON. Supuesto
D2 en ON, vo valdr 0, implicando que D1 estar en OFF. As pues, supongamos que para
vi , D1 est en OFF y D2 est en ON. Se obtiene el circuito
1 k
+
i i
1 k
+ vo
vi
K K
A A

La condicin a imponer, correspondiente al diodo D2, es i 0, i 0. Evidentemente, vo = 0.

Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, obtenemos vi = (1)i = i, dando la
condicin para vi , vi 0. As pues, para vi (, 0], D1 est en OFF, D2 est en ON y
vo = 0. Al hacerse vi > 0, i se har > 0 y dejar de cumplirse la condicin de estado de D2, que
cambiar al estado OFF. Supongamos que D1 permanece en el estado OFF. Se obtiene el circuito
1 k
+
i
1 k
+ vo
vi
vAK1 vAK2
+ +

Se ha de imponer 5 vAK1 0 y 7 vAK2 0. La corriente i valdr 0, la diferencia de

tensin en la resistencia de 1 k conectada a la fuente de tensin de valor vi valdr 0 y vo ser
igual a vi . Dado que vi = vAK1 , la condicin 5 vAK1 0 se traduce en la condicin
5 vi 0, 0 vi 5. Dado que vi = vAK2 , la condicin 7 vAK2 0 se
traduce en la condicin 7 vi 0, 0 vi 7. As pues, para vi [0, 5] D1 y D2
estarn en OFF y vo = vi . Al hacerse vi > 5, el diodo D1 pasar a RUPTURA, pues fallar
la desigualdad vAK1 5 de la condicin de estado de D1, permaneciendo D2 en OFF. En el
siguiente intervalo, que empieza en vi = 5, D1 estar en RUPTURA y D2 en OFF. Se obtiene el
circuito
1 k
+
i
i 1 k
+ vo
vi K K
5V vAK2
A A +

Se ha de imponer i 0 y 7 vAK2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensin de valor vi , las resistencias de valor 1 k y la fuente de tensin
de valor 5 V, se obtiene
vi = (1)i + (1)i + 5 = 2i + 5 ,
vi 5
i= ,
2
que se mantiene 0 al aumentar vi dentro del intervalo. La tensin vo resulta valer
vi 5 1 5
vo = 5 + (1)i = 5 + i = 5 + = vi + .
2 2 2
Utilizando vAK2 = vo , la condicin 7 vAK2 0 se traduce en 7 vo 0, 0 vo
7, y utilizando vo = vi /2 + 5/2, en la condicin 0 vi /2 + 5/2 7, 0 vi + 5 14, 5
vi 9. As pues, para vi [5, 9], D1 estar en RUPTURA, D2 estar en OFF y vo = vi /2 + 5/2.
Al hacerse vi > 9, el diodo D2 pasar a RUPTURA, pues fallar la desigualdad vAK2 7 de
la condicin de estado de D2, permaneciendo D1 en RUPTURA. En el siguiente intervalo, que
empieza en vi = 9, los dos diodos estarn en RUPTURA. Se obtiene el circuito
i1 + i2
1 k
+
1 k i1 i2
vi +
vo
K K
5V 7V
A A

Se ha de imponer i1 0 e i2 0. Por inspeccin, vo = 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , las resistencias de valor 1 k y la fuente
de tensin de valor 5 V y a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , la resistencia de
la izquierda y la fuente de tensin de valor 7 V, se obtiene
vi = (1)(i1 + i2 ) + (1)i1 + 5
vi = (1)(i1 + i2 ) + 7
y el sistema lineal
2i1 + i2 = vi 5
i1 + i2 = vi 7 ,
27
cuya solucin es

vi 5 1

vi 7 1 2
i1 = = = 2,
2 1

1
1 1
i2 = vi 7 i1 = vi 7 2 = vi 9 .
Las condiciones i1 0 e i2 0 no dejan de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo,

implicando que para vi [9, ) D1 y D2 estarn en RUPTURA y vo = 7. La siguiente figura
representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).
vi 5
+
vo 2 2
vi
7
5 9 vi
Problema 18: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula en conduccin directa y tensin ctodo-nodo igual a 7 V para
corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin de transferencia vo =
F (vi ).
2 k D1
+ +
vi 5 mA D2 vo
Solucin: Supondremos que para vi , los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito
2 k K A
+
i1
K
vi + 5 mA i2 vo
A
Se ha de imponer i1 0 e i2 0. Por inspeccin, vo = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff

a la malla externa, se obtiene

vi = 2i1 ,
vi
i1 = .
2
La condicin i1 0 se traduce pues en vi 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al ctodo del diodo D2 se obtiene
5 + i2 = i1 ,
vi
i2 = i1 5 = 5.
2
La condicin i2 0 se traduce pues en vi /2 5 0, vi /2 5, vi 10. As pues, para
vi (, 10] los dos diodos estn en ON y vo = 0. Al hacerse vi > 10 el diodo D2 cambia
de estado y pasar a OFF, pues fallar la condicin i2 0. En el siguiente intervalo, que empieza
en vi = 10, D1 estar en ON y D2 en OFF. Se obtiene el circuito
2 k K A
+
i1
K
vi + 5 mA vAK2 vo
A
+

Se ha de imponer i1 0 y 7 vAK2 0. Por inspeccin, i1 = 5, que es 0. Aplicando la

segunda ley de Kirchoff a la malla externa se obtiene
vo = 2i1 + vi = (2)(5) + vi = vi + 10 .
Por inspeccin, vAK2 = vo y la condicin 7 vAK2 0 se traduce en 7 vo 0,

0 vo 7, que usando vo = vi + 10 da 0 vi + 10 7, 10 vi 3. Al aumentar
vi dentro del intervalo fallar la desigualdad vi 3. Dado que dicha desigualdad procede de
vAK2 7, en ese punto el diodo D2 pasar a RUPTURA. As pues, para vi (10, 3] D1
est en ON, D2 est en OFF y vo = vi +10. Al hacerse vi > 3 el diodo D2 pasar a RUPTURA.
En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 3, D1 estar en ON y D2 en RUPTURA. Se
obtiene el circuito
2 k K A
+
i1 i2
K
vi + 5 mA 7 V vo

A
Se de imponer i1 0 e i2 0. Por inspeccin, vo = 7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a

la malla externa, se obtiene
vi = 2i1 + 7 ,
29
7 vi
i1 = .
2
La condicin i1 0 se traduce en vi 7. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo al que
est conectado el nodo del diodo D1 se obtiene
5 = i1 + i2 ,
7 vi 3 vi
i2 = 5 i1 = 5 = + ,
2 2 2
y la condicin i2 0 se traduce en 3/2 + vi /2 0, 3 + vi 0, vi 3, que no deja de
cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. As pues, para vi (3, 7], D1 est en ON, D2
est en RUPTURA, y vo = 7. Al hacerse vi > 7, fallar la condicin de estado de D1, que
pasar a OFF. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 7, D1 est en OFF y D2 est en
RUPTURA. Se obtiene el circuito
2 k K A
+
+
vAK1 i2
K
vi + 5 mA 7 V vo

A
Se ha de imponer vAK1 0 e i2 0. Por inspeccin, vo = 7 e i2 = 5, que es 0. Aplicando la

segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se obtiene
vi = 0 vAK1 + 7 ,
vAK1 = vi + 7 .
La condicin vAK1 0 se traduce en vi + 7 0, vi 7, que no deja de cumplirse al aumentar

vi dentro del intervalo. As pues, para vi (7, ), D1 est en OFF, D2 est en RUPTURA y
vo = 7. La siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).
vo
vo = vi + 10 7
10 3 vi
Problema 19: Utilizando para el diodo D1 el modelo diodo ideal y para el diodo D2 el modelo
con tensin nodo-ctodo nula para corrientes directas y tensin ctodo-nodo igual a la tensin
de ruptura indicada para corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine la funcin
de transferencia vo = F (vi ).
1 k D1
+ +
2 k 5 k
vi vo
3V 5V D2
Solucin: Intuitivamente, parece que para vi los dos diodos estarn en OFF. Supong-
moslo. Se obtiene el circuito
1 k
A K
+
+
vAK1
+ 2 k 5 k
vi vo
3V K

vAK2
A +

Se ha de imponer vAK1 0 y 5 vAK2 0. Por inspeccin, teniendo en cuenta que todas

las corrientes son nulas, vo = 3, vAK1 = vi 3 y vAK2 = 3. La condicin 5 vAK2 0 es
verificada. La condicin vAK1 0 se traduce en vi 3 0, vi 3. As pues, para vi (, 3]
los dos diodos estn en OFF y vo = 3. Al hacerse vi > 3, el diodo D1 pasar a ON. En el
siguiente intervalo, que empieza en vi = 3, D1 est en ON y D2 est en OFF. Se obtiene el
circuito
1 k
A K
+
i
+ 2 k 5 k
vi vo
3V K

vAK2
A +

Se ha de imponer i 0 y 5 vAK2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla for-

mada por la fuente de tensin de valor vi , la resistencia de valor 1 k, el diodo D1, la resistencia
de valor 2 k y la fuente de tensin de valor 3 V, se obtiene
vi = (1)i + 2i + 3 = 3i + 3 ,
vi 3 1
i= = vi 1 .
3 3
La tensin vo resulta valer

1 2
vo = 3 + 2i = 3 + 2 vi 1 = vi + 1 ,
3 3
31
y vAK2 = vo = (2/3)vi 1. La condicin i 0 se traduce en vi /3 1 0, vi 3, que no

deja de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. La condicin 5 vAK2 0 se traduce
en 5 (2/3)vi 1 0, 0 (2/3)vi + 1 5, 0 vi + 1,5 7,5, 1,5 vi 6.
Al aumentar vi dentro del intervalo dejar de cumplirse vi 6. As pues, para vi (3, 6], el
diodo D1 est en ON, el diodo D2 est en OFF y vo = (2/3)vi + 1. Al hacerse vi > 6, el diodo
D2 pasar a RUPTURA, pues fallar la desigualdad vAK2 5. En el siguiente intervalo, que
empieza en vi = 6, D1 est en ON y D2 en RUPTURA. Se obtiene el circuito
i1
1 k
A K
+
i2
i1 i2
+ 5 k
vi 2 k vo

3V K
5V
A

Se ha de imponer i1 0 e i2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la

fuente de tensin de valor vi , la resistencia de valor 1 k, la resistencia de valor 2 k y la fuente
de tensin de valor 3 V y a la malla formada por la fuente de tensin de valor vi , la resistencia de
valor 1 k, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin de valor 5 V, se obtiene
vi = (1)i1 + 2(i1 i2 ) + 3 ,
vi = (1)i1 + 5i2 + 5 ,
3i1 2i2 = vi 3
i1 + 5i2 = vi 5 ,
cuya solucin es

vi 3 2

vi 5 5 7vi 25
i1 = = = 0,4118vi 1,471 ,
3 2
17
1 5

3 vi 3

1 vi 5 2vi 12
i2 = = = 0,1176vi 0,7059 .
3 2
17
1 5
La tensin vo resulta valer
vo = 5 + 5i2 = 5 + (5)(0,1176vi 0,7059) = 0,5880vi + 1,471 .
Imponiendo i1 0, se obtiene 0,4118vi 1,471 0, vi 1,471/0,4118 = 3,572, que no deja de

cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. Imponiendo i2 0, se obtiene 0,1176vi 0,7059
0, vi 0,7059/0,1176 = 6, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. As

pues, para vi (6, ), D1 est en ON, D2 est en RUPTURA y vo = 0,5880vi + 1,471. La
siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).
0,5880vi + 1,471
2
vi + 1
3
vo
7
3 6 9,403 vi
circuito de la figura con R = 20 k y determine la funcin de transferencia vo = F (vi ). Cul
es la funcin de transferencia para R ? Es una buena aproximacin de ella la funcin de
transferencia obtenida con R = 20 k? Cmo se podra reducir el error de la aproximacin?
D1
+
2 k
D2
vi +
2 k 2,5 mA R vo
Solucin: Empezaremos encontrando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la

fuente de tensin de valor vi , las resistencias de valor 2 k y la fuente de corriente, que tiene
como salidas el nodo conectado al nodo del diodo D2 y el nodo conectado a los terminales
de la entrada y la salida del cuadripolo. Aplicando el principio de superposicin, la tensin de
Thvenin vale vth = v1 + v2 , donde v1 y v2 son las tensiones indicadas de los circuitos:
2 k
vi +
+ +
2 k v1 2 k 2 k 2,5 mA v2
El de la izquierda es un divisor de tensin y, por tanto,
2 vi
v1 = vi = .
2+2 2
33
El de la derecha es un divisor de corriente. Las corrientes por las dos resistencias son, por sime-
tra, iguales y, por tanto,
1
v2 = (2) (2,5) = 2,5 ,
2
obtenindose
vi
vth = v1 + v2 = + 2,5 .
2
Anulando la fuente de tensin de valor vi y la fuente de corriente de valor 2,5 mA, las resistencias
de 2 k quedan asociadas en paralelo y conectadas a la salida del dipolo, por lo que la resistencia
de Thvenin valdr
Rth = 2 k 2 = 1 k .
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin y teniendo en cuenta que el nodo de D1
est conectado directamente al extremo positivo de la fuente de tensin de valor vi , resulta que
el cuadripolo que hay que analizar en el problema es equivalente al circuito
D1
1 k D2
vi + +

vi +
+ 2,5 R vo
2

Parece claro que para vi los dos diodos debern estar en OFF. Supongamos pues los dos
diodos en OFF. Se obtiene el circuito
A K
+
vAK1
1 k A K
vi + +
+ v
vi + AK2
+ 2,5 R vo
2

Hemos de imponer vAK1 0,7 y vAK2 0,7. La corriente por la resistencia de valor R es nula
y, aplicando la ley de Ohm a dicha resistencia, vo = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla externa, se obtiene
vi = vAK1 + vo = vAK1 .
La condicin vAK1 0,7 se traduce pues en vi 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla interna, se obtiene
vi
+ 2,5 = 0 + vAK2 + vo = vAK2 .
2
La condicin vAK2 0,7 se traduce en vi /2 + 2,5 0,7, vi 3,6. As pues, para vi
(, 3,6], D1 y D2 estn en OFF y vo = 0. Al hacerse vi > 3,6, fallar la condicin
vAK2 0,7 y el diodo D2 pasar a ON. En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 3,6, el
diodo D1 est en OFF y el diodo D2 est en ON. Se obtiene el circuito
A K
+
vAK1
1 k A K
vi + +

vi + i
+ 2,5 0,7 V R vo
2 i

Se ha de imponer vAK1 0,7 e i 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla por la

que circula la corriente i, se obtiene
vi
+ 2,5 = (1)i + 0,7 + Ri = 21i + 0,7 ,
2
vi 2,5 0,7 vi + 3,6
i= + = .
42 21 42
La condicin i 0 se traduce en vi + 3,6 0, vi 3,6, que no deja de cumplirse al aumentar
vi dentro del intervalo. La tensin vo resulta valer
vi + 3,6
vo = Ri = 20 = 0,4762vi + 1,714 .
42
Por ltimo, la tensin vAK1 resulta valer
vAK1 = vi vo = vi 0,4762vi 1,714 = 0,5238vi 1,714 .
La condicin vAK1 0,7 se traduce en 0,5238vi 1,714 0,7, 0,5238vi 2,414, vi

2,414/0,5238 = 4,609. As pues, para vi (3,6, 4,609], D1 est en OFF, D2 en ON y vo =
0,4762vi + 1,714. Al hacerse vi > 4,609, fallar la condicin de estado de D1 y D1 pasar a ON.
En el siguiente intervalo, que empieza en vi = 4,609, los dos diodos estn en ON. Se obtiene el
circuito
A K
i1 0,7 V
1 k A K
vi + +

vi + i2
+ 2,5 0,7 V R vo
2
i1 + i2

Se ha de imponer i1 0 e i2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla externa, se

obtiene
vi = 0,7 + vo ,
vo = vi 0,7 .
35
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interna, se obtiene

vi
+ 2,5 = (1)i2 + 0,7 + vo = i2 + 0,7 + vi 0,7 = i2 + vi ,
2
vi
i2 = + 2,5 .
2
La condicin i2 0 se traduce en vi /2 + 2,5 0, vi + 5 0, vi 5. Aplicando la ley de
Ohm a la resistencia de valor R, se obtiene
vo = R(i1 + i2 ) = Ri1 + Ri2 = 20i1 + 20i2 ,
vo vi 0,7 vi
i1 = i2 = + 2,5 = 0,55vi 2,535 .
20 20 2
La condicin i1 0 se traduce en 0,55vi 2,535 0, vi 2,535/0,55 = 4,609, que no deja
de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. As pues, para vi (4,609, 5], D1 y D2 estn
en ON y vo = vi 0,7. Al hacerse vi > 5, fallar la condicin de estado de D2, y D2 pasar a
OFF. En el nuevo intervalo, que empieza en vi = 5, D1 est en ON y D2 en OFF. Se obtiene el
circuito
A K
i1 0,7 V
1 k A K
vi + +
+
vi + vAK2
+ 2,5 R vo
2 i1

Se ha de imponer i1 0 y vAK2 0,7. Por inspeccin,
vo = vi 0,7 .
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor R, se obtiene
vo vi 0,7
i1 = = ,
R 20
y la condicin i1 0 se traduce en vi 0,7, que no deja de cumplirse al aumentar vi dentro del
intervalo. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla interior, se obtiene
vi
+ 2,5 = 0 + vAK2 + vo ,
2
vi vi vi
vAK2 = + 2,5 vo = + 2,5 vi + 0,7 = + 3,2 ,
2 2 2
y la condicin vAK2 0,7 se traduce en vi /2 + 3,2 0,7, vi + 6,4 1,4, vi 5, que no
deja de cumplirse al aumentar vi dentro del intervalo. As pues, para vi (5, ), D1 est en
ON, D2 est en OFF y vo = vi 0,7, finalizando la determinacin de la funcin de transferencia

vo = F (vi ). La siguiente figura la representa grficamente.
vo vi 0,7
3,909
0,4762vi + 1,714
3,6 4,609 vi
Falta determinar la funcin de transferencia para R . La corriente por la resistencia de valor

R es la suma de las corrientes directas por los diodos y para cada vi dicha corriente tiende a 0
para R . As pues, para R , cuando el diodo D2 conduce lo hace con una corriente
que tiende a 0. Ello permite ignorar la resistencia de valor 1 k en serie con la fuente de tensin
de valor vi /2 + 2,5, y concluir que, para R , el circuito se comporta como el circuito
vi + +

vi +
+ 2,5 R vo
2

Dicho circuito es un selector de mximo. Con el modelo para los diodos con tensin umbral
VD0 , la salida de un selector de mximo con entradas v1 , v2 , . . . , vN vale m
ax{0, v1 VD0 , v2
VD0 , . . . , vN VD0 }. As pues, para R , vo = m ax{0, vi 0,7, vi /2 + 1,8}. La siguiente
figura representa grficamente la funcin de transferencia para R
vo vi 0,7
4,3
vi
+ 1,8
2
3,6 5 vi
Comparndola con la obtenida para R = 20 k, podemos observar que sta es una buena apro-
ximacin de la funcin de transferencia para R , con un error mximo del orden de 0,2 V.
37
Para reducir dicho error mximo habra que aumentar R.

Captulo 2

Transistores de Unin Bipolares
Problema 21: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat =
0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor de I.
10 V
10 k I 1 k
Solucin: Empezaremos suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Se obtiene el circuito

10 V
10 k IB 1 k
B C I
0,7 V 50IB
Las condiciones a verificar son IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor
40 2 Problemas de Anlisis de Circuitos con Transistores de Unin Bipolares
10 k y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = 10IB + 0,7 ,
10 0,7
IB = = 0,93 ,
10
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V , la resistencia de valor 1 k y la fuente controlada
de corriente, obteniendo
10 = (1)(50IB ) + VCE = 50IB + VCE ,
VCE = 10 50IB = 10 (50)(0,93) = 36,5 ,
que no es 0,2. As pues, el BJT no est en ACTIVO. Supongamos que est en SATURACIN.
Se obtiene el circuito
10 V
10 k IB 1 k
B C I = IC
0,7 V 0,2 V
Las condiciones a verificar son IB 0, IC 0, e IC IB . El valor de IB es idntico al

obtenido anteriormente, IB = 0,93, que es 0. Para calcular IC aplicamos la segunda ley de
Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 1 k y
la fuente de tensin de valor 0,2 V, obteniendo
10 = (1)IC + 0,2 = IC + 0,2 ,
IC = 10 0,2 = 9,8 ,
que es 0 y IB = (50)(0,93) = 46,5. As pues, el BJT est en SATURACIN e I = IC =

9,800 mA.
Problema 22: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 100, VEB0 = 0,7 V y
41
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine los valores de I y V .
24 V
I 1 k
V
500 k 1 k
Solucin: Empezaremos suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Se obtiene el circuito

24 V
I = 101IB 1 k
E
V
0,7 V 100IB
B IB C
500 k 1 k
Las condiciones a verificar son IB 0 y VEC 0,2 V. Para calcular IB aplicamos la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor
1 k conectada al emisor, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 500 k,
obteniendo
24 = (1)(101IB ) + 0,7 + 500IB = 601IB + 0,7 ,
24 0,7
IB = = 0,03877 ,
601
que es 0. Para calcular VEC conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, las dos resistencias de valor 1 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
24 = (1)(101IB ) + VEC + (1)(100IB ) = VEC + 201IB ,
VEC = 24 201IB = 24 (201)(0,03877) = 16,21 ,
que es 0,2. As pues, el estado supuesto para el BJT es correcto, I resulta valer
I = 101IB = (101)(0,03877) = 3,916 mA ,
y V resulta valer
V = 24 (1)I = 24 3,916 = 20,08 V .
Problema 23: Usando para el LED el modelo con tensin umbral VD0 = 1,7 V, usando para el
BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, y sabiendo que el parmetro
del BJT puede variar entre 20 y 100, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor
que ha de tener R2 para que, suponiendo el BJT en saturacin, I valga 20 mA; 2) para el valor
de R2 calculado anteriormente, determine el valor mximo que puede tener R1 para que, cuando
el interruptor est en OFF, el BJT est en saturacin; 3) para el valor mximo de R1 calculado
anteriormente, determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en ON.
5V
R2 I
R1
Solucin: 1) Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Sustituyendo el LED por el
circuito equivalente correspondiente a ON y utilizando el circuito equivalente entre colector y
emisor del BJT para SATURACIN, se obtiene el circuito
5V
R2 I
A
1,7 V
K
C
0,2 V
E
Aplicando la segunda ley de Kirchoff se obtiene
5 = R2 I + 1,7 + 0,2 = 20R2 + 1,9 ,
5 1,9
R2 = = 0,155 k = 155 .
20
2) Se exige que el BJT est en SATURACIN. Entonces, de acuerdo con el apartado anterior,
I = 20 mA y el LED estar en ON. Con el valor de R2 calculado en el apartado anterior y
43
teniendo en cuenta que el interruptor est en OFF, se obtiene el circuito

5V
155
R1 I = IC
A
1,7 V
IB
K
B C
0,7 V 0,2 V
Se ha de imponer IB 0, IC 0 e IC IB . IC = I = 20 mA, que es 0. Para calcular

IB en funcin de R1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5 = R1 IB + 0,7 ,
5 0,7 4,3
IB = = ,
R1 R1
que es 0 para todo R1 . Imponiendo IC IB , obtenemos
4,3
20 ,
R1
4,3
R1 = 0,215 .
20
La condicin ms estricta sobre R1 se obtiene para el valor mnimo de . Por tanto, se deber
cumplir
R1 (0,215)(20) = 4,300 k .
El valor mximo que podr tener R1 es, por tanto, 4,300 k.
3) Con el interruptor en ON, VBE = 0 y el BJT est en CORTE con VCE = 5 V, pues I = 0 y la
tensin nodo-ctodo en el LED vale 0. Sea I la corriente por el interruptor del nodo conectado
a la base a masa. Dado que IB = 0, I ser la corriente por R1 de la fuente de tensin de valor
5 V a la base del BJT y R1 ve una tensin de valor 5 V. Tenemos, por tanto
5 = R1 I ,
5 5
I = = = 1,163 mA .
R1 4,3
Problema 24: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 100, VEB0 = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor de I cuando el inte-
rruptor est en ON; 2) determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en
ON.
10 V
50 I
10 k
Solucin: 1) La hiptesis BJT en CORTE conduce a I = 0 y, estando el interruptor en ON y

siendo nula la tensin de la base del BJT, a VEB = 10, que no es 0,7. Supongamos que el BJT
trabaja en ACTIVO. Teniendo en cuenta que el interruptor est en ON, obtenemos el circuito
10 V
50 I = 101IB
10 k I IB
E
0,7 V 100IB
B C
I
Se ha de comprobar IB 0 y VEC 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 50 y la fuente
de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
10 = (0,05)(101IB ) + 0,7 = 5,05IB + 0,7 ,
10 0,7
IB = = 1,842 ,
5,05
que es 0. Por otro lado, por inspeccin, VEC = 0,7 0,2. As pues, el BJT est en ACTIVO e
I = 101IB = (101)(1,842) = 186,0 mA .
2) Dado que el interruptor est en ON, podemos utilizar el mismo circuito que en el apartado
anterior. La tensin que ve la resistencia de valor 10 k es 10 V. Por tanto,
10 = 10I ,
I = 1 ,
y, aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT, la corriente por el interruptor, I , vale
I = I + IB = 1 + 1,842 = 2,842 mA .
45
0,2 V, determine el mximo valor de R para el cual el BJT est en activo y determine la corriente
I en ese caso.
10 V
R I
10 k
5 k 100
Solucin: Empezaremos determinando el equivalente de Thvenin del dipolo que incluye la

fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k y la resistencia de valor 5 k, que
tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de
Thvenin, Rth , valen
5
Vth = 10 = 3,333 V ,
10 + 5
(5)(10)
Rth = 5 k 10 = = 3,333 k .
5 + 10
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, se obtiene el circuito
10 V
R I
3,333 k
3,333 V
100
y, con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito

10 V
R I
IB 3,333 k
B
C
0,7 V 50IB
3,333 V
100 51IB
Se ha de imponer IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff

a la malla formada por la fuente de tensin de valor 3,333 V, la resistencia de valor 3,333 k, la
fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 , obteniendo
3,333 = 3,333IB + 0,7 + (0,1)(51IB ) = 8,433IB + 0,7 ,
8,433IB = 2,633 ,
2,633
IB = = 0,3122 ,
8,433
que es 0. Por inspeccin,
I = 50IB = (50)(0,3122) = 15,61 mA .
Para calcular VCE conociendo IB e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de corriente controlada
y la resistencia de valor 100 , obteniendo
10 = RI + VCE + (0,1)(51IB ) = RI + VCE + 5,1IB ,
VCE = 10 RI 5,1IB = 10 15,61R (5,1)(0,3122) = 8,408 15,6R ,

e imponiendo VCE 0,2, obtenemos
8,408 15,6R 0,2 ,
8,208 15,6R ,
8,208
R = 0,5262 k = 526,2 .
15,6
As pues, el mximo valor que puede tener R para que el BJT trabaje en ACTIVO es 526,2 y,
en ese caso, I = 15,61 mA.
Problema 26: Usando para el BJT el modelo con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat =
0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha de tener R1 para que, su-
puesto el BJT en activo, I = 20 mA; 2) con el valor de R1 calculado en el apartado anterior,
determine el mximo valor de R2 para el cual el BJT est en activo.
10 V
R1 100
10 k R2 I
Solucin: 1) Empezaremos determinando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por

la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R1 y la resistencia de valor 10 k,
47
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de
10 100
Vth = 10 = , (2.1)
R1 + 10 R1 + 10
10R1
Rth = R1 k 10 = . (2.2)
R1 + 10
10 V
100
Rth
Vth
R2 I
y, con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito

10 V
51IB 100
0,7 V 50IB
Rth
B C
Vth IB I
R2
Por inspeccin I = 50IB , de donde, para que I = 20 mA, IB deber valer
I 20
IB = = = 0,4 .
50 50
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 100 , la fuente de
tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor Rth y la fuente de tensin de valor Vth , obteniendo,
usando (2.1) y (2.2),
10 = (0,1)(51IB ) + 0,7 + Rth IB + Vth ,
10 = (0,1)(51)(0,4) + 0,7 + 0,4Rth + Vth ,
0,4Rth + Vth = 7,26 ,
10R1 100
0,4 + = 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
4R1 100
+ = 7,26 ,
R1 + 10 R1 + 10
4R1 + 100 = 7,26(R1 + 10) ,
4R1 + 100 = 7,26R1 + 72,6 ,
3,26R1 = 27,4 ,
27,4
R1 = = 8,404 k .
3,26
2) Podemos utilizar el ltimo circuito del apartado anterior con el valor calculado para R1 , R1 =
8,404 k, que hace IB = 0,4 mA e I = 20 mA. Se ha de imponer IB 0 y VEC 0,2. Dado
que IB = 0,4, la primera condicin se cumple. Para calcular VEC conociendo IB e I, aplicamos
la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia
de valor 100 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R2 , obteniendo
10 = (0,1)(51IB ) + VEC + R2 I = 5,1IB + VEC + R2 I ,
VEC = 10 5,1IB R2 I = 10 (5,1)(0,4) 20R2 = 7,96 20R2 .
E imponiendo VEC 0,2, obtenemos
7,96 20R2 0,2 ,
20R2 7,76 ,
7,76
R2 = 0,3880 k = 388,0 .
20
As pues, con el valor de R1 calculado en el apartado 1), el mximo valor de R2 para el cual el
BJT est en ACTIVO es 388,0 .
Problema 27: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 5,1 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y
VEC ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha de tener R2
para que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y el BJT est en activo, I = 50 mA; 2)
para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R1 para que el diodo est en ruptura con una corriente inversa
0.5 mA; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual al
49
mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R3 para el cual el BJT est
en activo.
20 V
R2
R1 R3 I
Solucin: 1) Con el diodo Zener en RUPTURA y el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito

20 V
R2 51IB
5,1 V E
IZ 0,7 V 50IB
IB
B C
R1 IZ + IB I
R3
Por inspeccin, I = 50IB y para que I = 50 mA, IB deber valer

I 50
IB = = = 1.
50 50
malla formada por la fuente de tensin de valor 5,1 V, la resistencia de valor R2 y la fuente de
tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5,1 = R2 (51IB ) + 0,7 ,
5,1 = R2 (51)(1) + 0,7 ,

51R2 = 4,4 ,
4,4
R2 = = 0,08627 k = 86,27 .
51
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de trabajar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado para R2 , que hace IB = 1 mA.
Para calcular IZ en funcin de R1 conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por la fuente de tensin de valor 20 V, la fuente de tensin de valor 5,1 V y la resistencia
de valor R1 , obteniendo
20 = 5,1 + R1 (IZ + IB ) = 5,1 + R1 IZ + R1 IB ,
20 = 5,1 + R1 IZ + R1 (1) = 5,1 + R1 IZ + R1 ,

14,9 R1
IZ = ,
R1
e, imponiendo IZ 0,5, obtenemos
14,9 R1
0,5 ,
R1
14,9 R1 0,5R1 ,
14,9 1,5R1 ,
14,9
R1 = 9,933 k .
1,5
As pues, para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en ACTIVO,
el valor mximo que puede tener R1 para que la corriente inversa por el diodo Zener sea
0,5 mA es 9,933 k.
3) Dado que el BJT ha de estar en ACTIVO y R1 tiene un valor menor o igual al mximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener trabajar en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado para R2 , R2 = 86,27 , que hace IB = 1 mA e I = 50 mA.
Dado que IB 0, basta imponer VEC 0,2. Para calcular VEC en funcin de R3 conociendo
IB e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R3 ,
obteniendo
20 = R2 (51IB ) + VEC + R3 I ,
20 = (0,08627)(51)(1) + VEC + 50R3 ,
VEC = 15,6 50R3 ,

e, imponiendo VEC 0,2, obtenemos
15,6 50R3 0,2 ,
15,4 50R3 ,
15,4
R3 = 0,3080 k = 308,0 .
50
As pues, para el valor de R2 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual que el
mximo calculado en el apartado 2), el mximo valor de R3 para el cual el BJT est en ACTIVO
es 308,0 .
51
Problema 28: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 100, VBE0 = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor que ha de tener R3 para
que, suponiendo que el diodo Zener est en ruptura y que el BJT est en activo, I = 10 mA; 2)
para el valor de R3 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en activo, determine
el mximo valor que puede tener R1 para que el diodo Zener est en ruptura con una corriente
inversa 0.5 mA; 3) para el valor de R3 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o
igual al mximo calculado en el apartado 2), determine el mximo valor de R2 para el cual el
BJT est en activo.
20 V
R2 I
R1
R3

20 V
IZ + IB R1 R2 I
IB
B C
IZ 0,7 V 100IB
4,7 V E
R3 101IB
Dado que, por inspeccin I = 100IB , para que I = 10 mA, IB deber valer
I 10
IB = = = 0,1 .
100 100
Para calcular el valor necesario para R3 conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 4,7 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la
resistencia de valor R3 , obteniendo
4,7 = 0,7 + R3 (101IB ) = 0,7 + (101)(0,1)R3 = 0,7 + 10,1R3 ,
4,7 0,7
R3 = = 0,3960 k = 396,0 .
10,1
2) Dado que el BJT est en ACTIVO y el diodo Zener ha de estar en RUPTURA, podemos
utilizar el circuito del apartado anterior con el valor calculado de R3 , R3 = 396,0 , que hace
IB = 0,1 mA. Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R1 y la fuente de tensin
de valor 4,7 V, obteniendo
20 = R1 (IZ + IB ) + 4,7 = R1 IZ + R1 IB + 4,7 = R1 IZ + 0,1R1 + 4,7 ,
15,3 = R1 IZ + 0,1R1 ,
15,3 0,1R1
IZ = ,
R1
e, imponiendo IZ 0,5,
15,3 0,1R1
0,5 ,
R1
15,3 0,1R1 0,5R1 ,
15,3 0,6R1 ,
15,3
R1 = 25,50 k .
0,6
As pues, el mximo valor que ha de tener R1 para que con el valor de R3 calculado en el apartado
anterior y suponiendo el BJT en ACTIVO, el diodo Zener est en RUPTURA con una corriente
inversa 0,5 mA es 25,50 k.
3) Dado que el BJT ha de estar en ACTIVO y R1 tiene un valor menor o igual al mximo
calculado en el apartado 2), el diodo Zener estar en RUPTURA y podemos utilizar el circuito
del apartado 1) con el valor calculado de R3 , R3 = 396,0 , que hace IB = 0,1 mA e I = 10 mA.
Dado que IB 0, basta imponer VCE 0,2. Para calcular VCE en funcin de R2 conociendo
IB e I, aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia de valor R3 ,
obteniendo
20 = R2 I + VCE + R3 (101IB ) = 10R2 + VCE + (0,396)(101)(0,1) = 10R2 + VCE + 4 ,
VCE = 16 10R2 .
Imponiendo VCE 0,2, obtenemos
16 10R2 0,2 ,
15,8 10R2 ,
15,8
R2 = 1,580 k .
10
As pues, para el valor de R3 calculado en el apartado 1) y un valor de R1 menor o igual al
mximo calculado en el apartado 2), el mximo valor de R2 para el cual el BJT est en ACTIVO
es 1,580 k.
53
Problema 29: Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 6 V
para corrientes inversas y para el BJT el modelo con parmetros = 100, VBE0 = 0,7 V y
VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor de I.
24 V
1 k
10 A I
Solucin: La fuente de corriente hace IB = 0,01 mA > 0. Eso descarta que el BJT est en
CORTE. Supongamos que el BJT est en ACTIVO y que el diodo est en RUPTURA. Se obtiene
el circuito
24 V
1 k
IB
B C
10 A 0,7 V 100IB
E
I = 101IB
K
6V
A
Dado que IB > 0, las nicas condiciones a verificar son VCE 0,2 V e I 0. Por inspeccin,
I = 101IB = (101)(0,01) = 1,010 mA ,
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia, la fuente de corriente controlada y
la fuente de tensin de valor 6 V, obteniendo
24 = (1)(100IB ) + VCE + 6 = 100IB + VCE + 6 ,
VCE = 18 100IB = 18 (100)(0,01) = 17 ,

que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos e I = 1,010 mA.
Problema 30: Determine para el circuito de la figura el valor que ha de tener R para que I valga
20 mA. Para el LED use el modelo con tensin umbral VD0 = 2 V. Para el BJT use el modelo
con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V.
5V
R
I
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Supongmoslo. La tensin de
colector, VC , del BJT valdr 2 V. Adems, la tensin de emisor, VE , del BJT vale 5 V. La tensin
VEC del BJT resulta, por tanto, valer
VEC = VE VC = 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar IB 0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
0,7 V 50IB
B IB C
I
A
R 2V
K
Por inspeccin, I = 50IB y, para que I = 20 mA, IB deber valer
I 20
IB = = = 0,4 ,
50 50
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia, obteniendo
5 = 0,7 + RIB ,
5 0,7 4,3
R= = = 10,75 k .
IB 0,4
55
con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
5V
Solucin: Dado que I > 0, el LED slo podr estar en ON. Ello implica que la tensin de
emisor del BJT, VE , valdr 2 V. Adems, la tensin de colector, VC , del BJT vale 5 V. La tensin
VCE del BJT resulta, por tanto, valer
VCE = VC VE = 5 2 = 3 ,
que es > 0,2. Todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Supongmoslo. Slo se ha de
comprobar IB 0. Con el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
IB R C
B
50IB
0,7 V
E I = 51IB
A
2V
K
Dado que I = 51IB , para que I = 20 mA, IB deber valer

I 20
IB = = = 0,3922 ,
51 51
que es 0. As pues, efectivamente el BJT est en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, la resistencia, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la fuente de tensin de
valor 2 V, obteniendo
5 = RIB + 0,7 + 2 = RIB + 2,7 ,
5 2,7 2,3
R= = = 5,864 k .
IB 0,3922
Problema 32: Determine para el circuito de la figura el valor de I. Para el diodo Zener use
el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes inversas. Para el LED use el
modelo con tensin umbral VD0 = 1,5 V. Para el BJT use el modelo con parmetros = 100,
VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
10 V
5 k I
200
Solucin: Supondremos que el diodo Zener est en RUPTURA, el LED en ON y el BJT en

ACTIVO. Se obtiene el circuito
10 V
IB + IZ
I A
5 k 1,5 V
K
IB
B
C
0,7 V 100IB
K IZ
4,7 V E
A 101IB 200
Se ha de verificar IZ 0, 100IB 0, IB 0 y VCE 0,2, que se reducen a IZ 0, IB 0

y VCE 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 4,7 V, la fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor
200 , obteniendo
4,7 = 0,7 + (0,2)(101IB ) = 0,7 + 20,2IB ,
4,7 0,7
IB = = 0,1980 ,
20,2
que es 0. Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin
10 = 5(IB + IZ ) + 4,7 = 5IB + 5IZ + 4,7 ,
5IZ = 5,3 5IB ,

5,3 5IB 5,3 (5)(0,198)
IZ = = = 0,862 ,
5 5
57
que es 0. Para calcular VCE conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de tensin de valor 1,5 V, la fuente de
corriente controlada y la resistencia de valor 200 , obteniendo
10 = 1,5 + VCE + (0,2)(101IB ) = 1,5 + VCE + 20,2IB ,
VCE = 8,5 20,2IB = 8,5 (20,2)(0,198) = 4,5 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los dispositivos son correctos. Por inspeccin,
I = 100IB = (100)(0,198) = 19,80 mA .
con parmetros = 50, VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V. Suponga, a continuacin, que puede
variar entre 20 y 200. Entre qu valores variar I con el R calculado anteriormente?
5V
I R
1 k
Solucin: Siendo I > 0, el LED slo podr estar en ON. El BJT slo puede estar en ACTIVO
o en SATURACIN. En cualquiera de esos dos estados, VEC = VEB + (1)IB = 0,7 + IB
0,7 > 0,2. Por tanto, todo parece indicar que el BJT estar en ACTIVO. Con el LED en ON y el
BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito
5V
I = 51IB R
A
2V
K
E
IB 0,7 V 50IB
B C
1 k
Slo se ha de comprobar IB 0. Dado que I = 51IB , para que I = 20 mA, IB deber valer
I 20
IB = = = 0,3922 ,
51 51
que es 0. As pues, el BJT estar efectivamente en ACTIVO. Para calcular el valor necesario
de R conociendo I e IB aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente
de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 2 V, la fuente de
tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = RI + 2 + 0,7 + (1)IB = 20R + 2,7 + 0,3922 = 3,092 + 20R ,
5 3,092
R= = 0,09540 k = 95,40 .
20
Para resolver la segunda parte del problema expresemos, para R = 95,4 , I en funcin de .
Supondremos que el LED est en ON y que el BJT est en ACTIVO. El razonamiento realizado
anteriormente que conduce a VEC > 0,2 sigue siendo vlido con independencia del valor de ,
por lo que bastar comprobar IB 0 e I 0. Con el LED en ON, el BJT en ACTIVO y con
R = 95,4 , se obtiene el circuito
5V
I = ( + 1)IB 95,4
A
2V
K
E
IB 0,7 V IB
B C
1 k
Para calcular IB en funcin de , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 95,4 , la fuente de tensin de valor 2 V, la
fuente de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (0,0954)( + 1)IB + 2 + 0,7 + (1)IB = 2,7 + (0,0954 + 1,095)IB ,
2,3
IB = ,
0,0954 + 1,095
que es 0 para todo valor posible de . La corriente I en funcin de valdr
2,3 + 2,3
I() = ( + 1)IB = ,
0,0954 + 1,095
que es 0 para todo valor posible de . As pues, el LED est en ON y el BJT est en ACTIVO
para todo valor posible de e I tiene en funcin de la expresin anterior. La derivada de I
respecto de para 0,0954 + 1,095 6= 0 vale
dI 2,3(0,0954 + 1,095) 0,0954(2,3 + 2,3) 2,299

= 2
= ,
d (0,0954 + 1,095) (0,0954 + 1,095)2
59
que es > 0 para todo valor posible de , ninguno de los cuales verifica 0,0954 + 1,095 = 0.
As pues, I es una funcin creciente de en [20, 200] y variar entre un valor mnimo
(2,3)(20) + 2,3
Imin = I(20) = = 16,08 mA
(0,0954)(20) + 1,095
y un valor mximo
(2,3)(200) + 2,3
Imax = I(200) = = 22,91 mA .
(0,0954)(200) + 1,095
Problema 34: El BJT del circuito de la figura tiene un parmetro comprendido entre 20 y
150. Usando para el BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice
el circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, suponiendo el BJT en activo y = 50,
I = 10 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado anterior y suponiendo el BJT en
activo, determine entre qu valores puede variar I debido al rango posible de valores para ; 3)
para el valor de R2 calculado en el apartado 1), determine el mximo valor que puede tener R1
de modo que para cualquier valor posible para , el BJT trabaje en activo.
20 V
R1 I
3 k
1 k R2
Solucin: 1) Empezaremos calculando el equivalente de Thvenin del dipolo constituido por

la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor 3 k y la resistencia de valor 1 k,
que tiene como salidas la base del BJT y masa. La tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de
1
Vth = 20 = 5 V ,
3+1
(1)(3)
Rth = 1k3 = = 0,75 k .
1+3
20 V
R1 I
0,75 k
5V
R2
y, suponiendo el BJT en ACTIVO, se obtiene el circuito

20 V
R1 I
0,75 k
B C
IB
0,7 V IB
5V
E
R2 ( + 1)IB
Por inspeccin I = IB y para que con = 50 I = 10 mA, IB deber valer
I 10
IB = = = 0,2 .
50
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 0,75 k, la fuente de
tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor R2 , obteniendo
5 = 0,75IB + 0,7 + R2 ( + 1)IB , (2.3)
5 = (0,75)(0,2) + 0,7 + R2 (51)(0,2) ,

5 = 0,85 + 10,2R2 ,
4,15 = 10,2R2 ,
4,15
R2 = = 0,4069 k = 406,9 .
10,2
2) Calculemos el valor de I en funcin de para el valor de R2 , R2 = 406,9 , obtenido en el

apartado anterior, suponiendo que el BJT est en ACTIVO. De (2.3), obtenemos
5 = 0,75IB + 0,7 + 0,4069( + 1)IB ,
4,3 = (0,4069 + 1,157)IB ,

4,3
IB = , (2.4)
0,4069 + 1,157
y, usando I = IB ,
4,3
I() = . (2.5)
0,4069 + 1,157
La derivada de I respecto de vale, para 0,4069 + 1,157 6= 0,
dI 4,3(0,4069 + 1,157) 0,4069(4,3) 4,975

= 2
= ,
d (0,4069 + 1,157) (0,4069 + 1,157)2
61
que es > 0 para todos valor posible de , ninguno de los cuales verifica 0,4069 + 1,157 = 0.
(4,3)(20)
Imin = I(20) = = 9,252 mA
(0,4069)(20) + 1,157
y un valor mximo
(4,3)(150)
Imax = I(150) = = 10,37 mA .
(0,4069)(150) + 1,157
3) La expresin (2.4) pone de manifiesto que IB es > 0 para todo valor posible de . As pues,
para asegurar el trabajo del BJT en ACTIVO bastar imponer VCE 0,2. Calculemos, pues,
VCE en funcin de suponiendo que el BJT est en ACTIVO. Podemos usar el ltimo circuito
del apartado 1) con R2 = 406,9 . Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R1 , la fuente de corriente controlada y
la resistencia de valor R2 , obtenemos
20 = R1 I + VCE + R2 ( + 1)IB = R1 I + VCE + (0,4069)( + 1)IB .
Usando (2.4) y (2.5), obtenemos
4,3 4,3
20 = R1 + VCE + (0,4069)( + 1) ,
0,4069 + 1,157 0,4069 + 1,157
4,3R1 1,75 + 1,75

20 = + VCE + ,
0,4069 + 1,157 0,4069 + 1,157
4,3R1 1,75 + 1,75
VCE = 20 ,
0,4069 + 1,157 0,4069 + 1,157
4,3R1 + 1,75 + 1,75
VCE = 20 ,
0,4069 + 1,157
e, imponiendo VCE 0,2, obtenemos
4,3R1 + 1,75 + 1,75

20 0,2 ,
0,4069 + 1,157
4,3R1 + 1,75 + 1,75

19,8 ,
0,4069 + 1,157
8,057 + 22,91 4,3R1 + 1,75 + 1,75 ,
4,3R1 6,307 + 21,16 ,
6,307 + 21,16
R1 = F () .
4,3
La derivada de F respecto de vale, para 6= 0,
dF 6,307(4,3) 4,3(6,307 + 21,16) 90,99 4,921

= 2
= 2 2 = 2 ,
d (4,3) 4,3
que es < 0 para todos los valores posibles de , que no incluyen = 0. As pues, F es una
funcin decreciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva para R1 se obtiene para =
150, y R1 deber satisfacer
(6,307)(150) + 21,16
R1 = 1,500 k .
(4,3)(150)
As pues, para el valor de R2 calculado en el apartado 1), el mximo valor que puede tomar R1
de modo que el BJT trabaje en estado ACTIVO para todos los valores posibles de es 1,500 k.
Problema 35: El BJT del circuito de la figura tiene un parmetro comprendido entre 20 y 150.
Usando para el diodo Zener el modelo con tensin ctodo-nodo igual a 4,7 V para corrientes
inversas y para el BJT el modelo con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, analice el
circuito y: 1) determine el valor de R2 para el cual, con = 50 y suponiendo el diodo Zener en
ruptura y el BJT en activo, I = 20 mA; 2) para el valor de R2 calculado en el apartado anterior
y suponiendo el diodo Zener en ruptura y el BJT en activo, determine entre qu valores puede
variar I debido al rango posible de valores para ; 3) para el valor de R2 calculado en el apartado
1), determine los mximos valores que pueden tener R1 y R3 de modo que para cualquier valor
posible para , el diodo Zener trabaje en ruptura con una corriente inversa 0,5 mA y el BJT
trabaje en activo.
20 V
R2
R1 R3 I

20 V
R2 ( + 1)IB
C
4,7 V
IZ 0,7 V IB
IB
B E
IB + IZ R1 R3 I
63
Por inspeccin, I = IB y, para que con = 50 I = 20 mA, IB deber valer

I 20
IB = = = 0,4 .
50
malla formada por la fuente de tensin de valor 4,7 V, la resistencia de valor R2 y la fuente de
4,7 = R2 ( + 1)IB + 0,7 , (2.6)
4,7 = (51)(0,4)R2 + 0,7 ,

4,7 = 20,4R2 + 0,7 ,
4 = 20,4R2 ,
4
R2 = = 0,1961 k = 196,1 .
20,4
2) Dado que el diodo Zener est en RUPTURA y el BJT est en ACTIVO, podemos utilizar
los resultados del apartado anterior que no usan el valor de , con el valor calculado para R2 ,
R2 = 196,1 . Calculemos I en funcin de . De (2.6),
4,7 = (0,1961)( + 1)IB + 0,7 ,

4
IB = , (2.7)
0,1961 + 0,1961
y, usando I = IB ,
4
I() = . (2.8)
0,1961 + 0,1961
La derivada de I respecto de vale, para 0,1961 + 0,1961 6= 0,
dI 4(0,1961 + 0,1961) 0,1961(4) 0,7844

= 2
= ,
d (0,1961 + 0,1961) (0,1961 + 0,1961)2
que es > 0 para todo valor posible de , ninguno de los cuales verifica 0,1961 + 0,1961 = 0.
(4)(20)
Imin = I(20) = = 19,43 mA
(0,1961)(20) + 0,1961
y un valor mximo
(4)(150)
Imax = I(150) = = 20,26 mA .
(0,1961)(150) + 0,1961
3) Podemos usar el circuito del apartado 1) con el valor de R2 , R2 = 196,1 , calculado en

dicho apartado y los valores de IB e I en funcin de calculados en el apartado 2). Siendo IZ
la corriente inversa por el diodo Zener, hemos de imponer IZ 0,5, IB 0 y VCE 0,2.
Para calcular IZ conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 20 V, la fuente de tensin de valor 4,7 V y la resistencia de valor R1 ,

obteniendo, usando (2.7),
20 = 4,7 + R1 (IB + IZ ) = 4,7 + R1 IB + R1 IZ ,
4R1
20 = 4,7 + + R1 I Z ,
0,1961 + 0,1961
4R1
15,3 = + R1 IZ ,
0,1961 + 0,1961
(15,3)(0,1961 + 0,1961) = 4R1 + (0,1961 + 0,1961)R1 IZ ,
3 + 3 = 4R1 + (0,1961 + 0,1961)R1 IZ ,
3 + 3 4R1
IZ = ,
(0,1961 + 0,1961)R1
e, imponiendo IZ 0,5,
3 + 3 4R1
0,5 ,
(0,1961 + 0,1961)R1
3 + 3 4R1 0,5(0,1961 + 0,1961)R1 ,
3 + 3 (0,09805 + 4,098)R1 ,
3 + 3
R1 = F1 () .
0,09805 + 4,098
La derivada de F1 respecto de vale, para 0,09805 + 4,098 6= 0,
dF1 3(0,09805 + 4,098) 0,09805(3 + 3) 12

= = ,
d (0,09805 + 4,098)2 (0,09805 + 4,098)2
que es > 0 para todos los valores posibles de , ninguno de los cuales verifica 0,0980 + 4,10 =
0. As pues, F1 es una funcin creciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva para R1
se obtiene para = 20, y R1 deber satisfacer
(3)(20) + 3
R1 = 10,40 k .
(0,09805)(20) + 4,098
La expresin (2.7) para IB en funcin de pone de manifiesto que IB 0 para todo valor
posible de . Calculemos VCE en funcin de e impongamos VCE 0,2. Para calcular VCE
conociendo IB e I aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 20 V, la resistencia de valor R2 , la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor R3 , obteniendo, usando (2.7) y (2.8),
20 = R2 ( + 1)IB + VCE + R3 I ,
4 4R3
20 = (0,1961)( + 1) + VCE + ,
0,1961 + 0,1961 0,1961 + 0,1961
4R3
20 = 4 + VCE + ,
0,1961 + 0,1961
65
4R3
VCE = 16 ,
0,1961 + 0,1961
e, imponiendo VCE 0,2, obtenemos
4R3
16 0,2 ,
0,1961 + 0,1961
4R3
15,8 ,
0,1961 + 0,1961
4R3 15,8(0,1961 + 0,1961) ,
4R3 3,098 + 3,098 ,

3,098 + 3,098
R3 = F2 () .
4
La derivada de F2 respecto de vale, para 6= 0,
dF2 3,098(4) 4(3,098 + 3,098) 12,39 0,7744

= 2
= 2
= ,
d 16 16 2
que es < 0 para todos los valores posibles de , que no incluyen = 0. As pues, F2 es una
funcin decreciente de en [20, 150], la condicin ms restrictiva se obtiene para = 150, y R3
deber satisfacer
(3,098)(150) + 3,098
R3 = 0,7797 k = 779,7 .
(4)(150)
As pues, para que para cualquier valor posible de , el diodo Zener trabaje en RUPTURA con
una corriente inversa 0,5 mA y el BJT trabaje en estado ACTIVO, el valor de R1 no deber
superar 10,40 k y el valor de R3 no deber superar 779,7 .
0,2 V, analice el circuito de la figura y determine el valor que ha de tener R para que I valga 2 mA.
12 V
2 k
R
25 k 200 I
Solucin: Con el BJT en CORTE, I sera 0. Todo parece indicar que el BJT debe estar en
ACTIVO o en SATURACIN. Supongamos que est en ACTIVO. Con el BJT en dicho estado,
se obtiene el circuito
12 V
I3
2 k
B R
C
I2
I1 25 k 0,7 V 50IB
IB E
I = 51IB 200
Las condiciones a verificar son IB 0 y VCE 0,2. Dado que I = 51IB , para que I = 2 mA,
IB deber valer
2
IB = = 0,03922 ,
51
que es 0. Calculemos la tensin de la base, VB :
VB = 0,7 + 0,2I = 0,7 + (0,2)(2) = 1,1 .
Calculemos la corriente I1 :
VB 1,1
I1 = = = 0,044 .
25 25
I2 puede ser calculada a partir de I1 e IB aplicando la primera ley de Kirchoff a la base del BJT:
I2 = I1 + IB = 0,044 + 0,03922 = 0,08322 .
La corriente I3 puede ser calculada aplicando la primera ley de Kirchoff al colector del BJT:
I3 = I2 + 50IB = 0,0832 + (50)(0,03922) = 2,044 .
Calculemos la tensin de colector, VC :
VC = 12 2I3 = 12 (2)(2,044) = 7,912 .
Calculemos la tensin de emisor, VE :
VE = 0,2I = (0,2)(2) = 0,4 .
La tensin VCE resulta valer
VCE = VC VE = 7,912 0,4 = 7,512 ,
que es 0,2. Por tanto, el estado supuesto para el BJT es correcto. El valor necesario para R
puede ser obtenido imponiendo VC VB = RI2 . Ello da
VC VB 7,912 1,1
R= = = 81,86 k .
I2 0,08322
67
Problema 37: Determine para el circuito de la figura el valor de IL cuando el interruptor est en
OFF y cuando est en ON. Use para los BJTs el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V
y VCE ,sat = 0,2 V.
5V
5 k 200 10 IL
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha y denotemos con los sub-
ndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos analizando
el circuito para el caso interruptor en OFF. Supondremos que Q1 est en SATURACIN y que
Q2 est en CORTE. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en
OFF, el circuito
5V
IL
5 k 200 10
IB1 IC1 C
B B
C
0,7 V 0,2 V E
Se ha de verificar IB1 0, IC1 0, IC1 50IB1 , VBE 2 0,7 y VCE 2 0. Por inspeccin,
IL = 0 y VBE 2 = 0,2, que es 0,7. Tambin por inspeccin, teniendo en cuenta IL = 0,
VCE 2 = 5, que es 0. As pues, basta verificar IB1 0, IC1 0 e IC1 50IB1 . Para calcular
IB1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 5 k y la fuente de tensin de valor 0,7 V, obteniendo
5 = 5IB1 + 0,7 ,
5 0,7
IB1 = = 0,86 ,
5
que es 0. Para calcular IC1 aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 200 y la fuente de tensin de valor 0,2 V,
obteniendo
5 = 0,2IC1 + 0,2 ,
5 0,2
IC1 = = 24 ,
0,2
que es 0 y 50IB1 = (50)(0,86) = 43. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en OFF, IL = 0.
Analizaremos por ltimo el circuito para el caso interruptor en ON. Con I en ON, VBE 1 =
0 0,7 y, suponiendo VCE 1 0, Q1 estar en CORTE. Supondremos Q1 en CORTE y Q2 en
SATURACIN. Para esos estados, se obtiene, teniendo en cuenta que el interruptor est en ON,
el circuito
5V
5 k 200 10
IB2 IB2 IL = IC2
B
C
0,7 V 0,2 V
B C
E E
Se ha de verificar VCE 1 0, IB2 0, IC2 0, e IC2 50IB2 . Por inspeccin, VCE 1 = 0,7 V,
que es 0. Para calcular IB2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
obteniendo
5 = 0,2IB2 + 0,7 ,
5 0,7
IB2 = = 21,5 ,
0,2
que es 0. Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
obteniendo
5 = 0,01IC2 + 0,2 ,
5 0,2
IC2 = = 480 ,
0,01
que es 0 y 50IB2 = (50)(21,5) = 1.075. As pues, los estados supuestos para los BJTs son
correctos y, con el interruptor en ON, IL = IC2 = 480 mA.
Problema 38: Determine para el circuito de la figura los valores de I, V1 y V2 . Use para los
69
BJTs el modelo con parmetros = 50, VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V.
24 V
82 k 1 k I
100 k
V1
10 k
V2
100
Solucin: Sea Q1 el BJT de la izquierda, sea Q2 el BJT de la derecha, y denotemos con los
subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente, Q1 y Q2. Empezaremos determi-
nando el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor 24 V y las
resistencias de valores 82 , 10 k y 100 k, que tiene como salidas la base de Q1 y masa. La
tensin de Thvenin, Vth , y la resistencia de Thvenin, Rth , valen
10
Vth = 24 = 2,609 V ,
10 + 82
(10)(82)
Rth = 100 + 10 k 82 = 100 + = 108,9 k .
10 + 82
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin se obtiene el circuito
24 V
1 k I
108,9 k
Q1 V1
2,609 V Q2
V2
100
Supongamos que Q1 est en ACTIVO y que Q2 est en SATURACIN. Se obtiene el circuito

24 V
I = IC2
108,9 k
B C 1 k
2,609 V
IB1 0,7 V 50IB1
E IB2 = 51IB1
B C V1
0,7 V 0,2 V
E V2
51IB1 + IC2 100
Las condiciones a verificar son IB1 0, VCE 1 0,2, IB2 0, IC2 0, e IC2 50IB2 . Dado
que IB2 = 51IB1 , IB2 0 queda reducida a IB1 0. As pues, basta verificar IB1 0, VCE 1
0,2 V, IC2 0 e IC2 50IB2 . Empezaremos calculando IB1 e IC2 . Aplicando la segunda ley
de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor
108,9 k, las fuentes de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 y a la malla formada
por la fuente de tensin de valor 24 V, la resistencia de valor 1 k, la fuente de tensin de valor
0,2 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9IB1 + 0,7 + 0,7 + 0,1(51IB1 + IC2 ) ,
24 = (1)IC2 + 0,2 + (0,1)(51IB1 + IC2 )

y el sistema de ecuaciones lineales
114IB1 + 0,1IC2 = 1,209

5,1IB1 + 1,1IC2 = 23,8
cuya solucin es
1,209 0,1

23,8 1,1 1,05
IB1 = = = 0,008407 ,
114 0,1
124,9
5,1 1,1

114 1,209

5,1 23,8 2.707
IC2 = = = 21,67 .
114 0,1
124,9
5,1 1,1
Dado que IB1 no es 0, el par de estados supuesto para los BJTs no es correcto. Supongamos
que los dos BJTs estn en ACTIVO. Con esos estados, se obtiene el circuito
24 V
108,9 k
B C 1 k I
2,609 V
IB1 0,7 V 50IB1
E IB2 = 51IB1
B C V1
0,7 V 50IB2
E V2
51IB2 100
Las condiciones a verificar son IB1 0, VCE 1 0,2, IB2 0 y VCE 2 0,2. Dado que
IB2 = 51IB1 , la condicin IB2 0 queda reducida a IB1 0. As pues, basta verificar IB1 0,
71
VCE 1 0,2 V y VCE 2 0,2 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por
la fuente de tensin de valor 2,609 V, la resistencia de valor 108,9 k, las fuentes de tensin de
valor 0,7 V y la resistencia de valor 100 , se obtiene
2,609 = 108,9IB1 + 0,7 + 0,7 + (0,1)(51IB2 ) = 108,9IB1 + 5,1IB2 + 1,4
y, usando IB2 = 51IB1 ,
2,609 = 108,9IB1 + (5,1)(51IB1 ) + 1,4 = 369IB1 + 1,4 ,
2,609 1,4
IB1 = = 0,003276 ,
369
que es 0. Usando de nuevo IB2 = 51IB1 , la tensin VCE 1 puede ser calculada de la forma
VCE 1 = VC1 VE1 = 24 (0,7 + (0,1)(51IB2 )) = 23,3 5,1IB2 = 23,3 (5,1)(51IB1 )

= 23,3 260,1IB1 = 23,3 (260,1)(0,003276) = 22,45 ,
que es 0,2. Usando IB2 = 51IB1 , la tensin VCE 2 puede ser calculada de la forma
VCE 2 = VC2 VE2 = (24 (1)(50IB2 )) (0,1)(51IB2 ) = 24 55,1IB2

= 24 (55,1)(51IB1 ) = 24 2.810IB1 = 24 (2.810)(0,003276) = 14,79 ,
que es 0,2. As pues, los estados supuestos para los BJTs son correctos. Usando IB2 = 51IB1 ,
la corriente I resulta valer
I = 50IB2 = (50)(51IB1 ) = 2.550IB1 = (2.550)(0,003276) = 8,354 mA .
La tensin V1 vale
V1 = 24 (1)I = 24 8,354 = 15,65 V .
Finalmente, usando IB2 = 51IB1 , la tensin V2 vale
V2 = (0,1)(51IB2 ) = 5,1IB2 = (5,1)(51IB1 ) = 260,1IB1 = (260,1)(0,003276) = 0,8521 V .
Problema 39: Los BJT del circuito de la figura tienen un parmetro comprendido entre 20
y 150. Usando para los BJT el modelo con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V,
analice el circuito de la figura y: 1) determine el mximo valor que puede tener R2 para que, con
el interruptor en ON, el BJT Q2 est en saturacin; 2) para el valor mximo de R2 calculado en el
apartado anterior, determine el valor mximo que puede tener R1 para que, con el interruptor en
OFF, Q1 est en saturacin; 3) para los valores mximos de R1 y R2 calculados anteriormente,
determine el valor de la corriente por el interruptor cuando ste est en ON.

10 V
R1 R2 10
Q2
Q1
Solucin: Usaremos el subndice 1 para las tensiones y corrientes de Q1 y el subndice 2 para

las tensiones y corrientes de Q2.
1) Con Q2 en SATURACIN, VCE 1 = VBE 2 = 0,7, que es 0. Con el interruptor en ON,

VBE 1 = 0, que es < 0,7. VCE 1 0 y VBE 1 < 0,7 implican Q1 en CORTE. As pues, Q2 en
SATURACIN implica Q1 en CORTE. Supongamos, pues, Q2 en SATURACIN y, sabiendo
que Q1 est en CORTE, impongamos IB2 0, IC2 0 e IC2 IB2 . Con Q1 en CORTE y
Q2 en SATURACIN, se obtiene el circuito
10 V
R2 10
IB2 IC2
B C
0,7 V 0,2 V
Para calcular IB2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
10 = R2 IB2 + 0,7 ,
10 0,7 9,3
IB2 = = ,
R2 R2
que es 0 para todo R2 . Para calcular IC2 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 y la fuente de tensin
10 = 0,01IC2 + 0,2 ,
10 0,2
IC2 = = 980 ,
0,01
73
que es 0. Finalmente imponiendo IC2 IB2 , obtenemos
9,3
980 ,
R2
9,3
R2 = 0,00949 .
980
La condicin ms restrictiva se obtiene para = 20, dando
R2 (0,00949)(20) = 0,1898 k = 189,8 .
As pues, el valor mximo de R2 para el cual, con el interruptor en ON, Q2 estar en SATURA-
CIN es 189,8 .
2) Con Q1 en SATURACIN, VBE 2 = VCE 1 = 0,2, que es < 0,7. Ello implica que Q2 estar
en CORTE, debindose nicamente verificar VCE 2 0. Pero, con Q2 en CORTE, la corriente
por la resistencia de valor 10 es nula y VCE 2 = 10 0. As pues, Q1 en SATURACIN
implica Q2 en CORTE. Supongamos Q1 en SATURACIN y, sabiendo que Q2 est en CORTE,
impongamos IB1 0, IC1 0 e IC1 IB1 . Con el interruptor en OFF, Q2 en CORTE, y
Q1 en SATURACIN, se obtiene, para el mximo valor de R2 , R2 = 189,8 , calculado en el
apartado anterior, el circuito
10 V
R1 189,8
IB1 IC1
B C
0,7 V 0,2 V
10 = R1 IB1 + 0,7 ,
10 0,7 9,3
IB1 = = ,
R1 R1
que es 0 para todo R1 . Para calcular IC1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 189,8 y la fuente de
10 = 0,1898IC1 + 0,2 ,
10 0,2
IC1 = = 51,63 ,
0,1898
que es 0. Finalmente imponiendo IC1 IB1 , se obtiene

9,3
51,63 ,
R1
9,3
R1 = 0,1801 .
51,63
La condicin ms restrictiva se obtiene para = 20, dando
R1 (0,1801)(20) = 3,602 k .
As pues, para el valor mximo calculado en el apartado anterior para R2 y con el interruptor en
OFF, el valor mximo de R1 para el cual Q1 estar en SATURACIN es 3,602 k.
3) Con el interruptor en ON y con el valor mximo para R2 calculado en el apartado 1), tal y
como se ha visto en ese apartado, Q1 estar en CORTE. Ello implica IB1 = 0 y que la corriente
por el interruptor sea igual a la corriente por la resistencia de valor R1 , que, con el interruptor en
ON, ve una tensin de valor 10 V. As pues, la corriente por el interruptor valdr
10 10
= = 2,776 mA .
R1 3,602
Problema 40: Los BJT Q1, Q2 y Q3 del circuito de la figura tienen un parmetro comprendido
entre 20 y 150. Las tensiones v1 y v2 pueden variar entre 0 y 5 V. Usando para Q1 y Q2 el modelo
con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V, y para Q3 el modelo con parmetros ,
VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V, analice el circuito de la figura y: 1) demuestre que, con
v1 > v2 , I = 0; 2) determine el mximo valor de R para el cual con v1 < v2 , Q3 est en
saturacin. Ayuda: para el apartado 1), suponga que Q2 est en activo o en saturacin, determine
los estados de Q1 y Q3, y luego demuestre que efectivamente Q2 est en activo o en saturacin,
dependiendo del valor de R.
10 V
10 V
v1 Q1 Q2 v2
I 50
100 k
Q3
100 k
10 V
Solucin: Denotaremos mediante los subndices 1, 2 y 3 las tensiones y corrientes correspon-

dientes a, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
75
1) Empecemos suponiendo que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. En ambos casos te-

nemos VEB 2 = 0,7 y una tensin de emisor de Q2, VE2 = v2 + 0,7. La tensin VEB 1 resulta
valer
VEB 1 = VE2 v1 = v2 + 0,7 v1 = 0,7 + v2 v1 ,
que para v1 > v2 es < 0,7. Ello implica que Q1 estar en CORTE, debindose nicamente
verificar VEC 1 0. Hagmoslo y, de paso, determinemos el estado de Q3. Con Q1 en corte,
IC1 = 0. Puede verse que eso implica que Q3 estar en CORTE. Se ha de verificar VBE 3 0,7
y VCE 3 0. Con Q3 en CORTE, IB3 = 0. Siendo IC1 = 0, ello implica que la corriente por la
resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 sea 0 y que VBE 3 = 0, que es 0,7. Con
Q3 en CORTE, I = IC3 = 0, implicando VCE 3 = 10 (10) = 20, que es 0,2. As pues,
Q1 en CORTE implica Q3 en CORTE. Hemos de comprobar VEC 1 0 sabiendo que Q3 est en
CORTE. Dado que la corriente por la resistencia de valor 100 k conectada a la base de Q3 es 0,
la tensin de colector de Q1 valdr 10 y
VEC 1 = VE2 (10) = VE2 + 10 = v2 + 0,7 + 10 = 10,7 + v2 ,
que es 0 para todos los valores posibles de v2 .
En resumen, supuesto Q2 en ACTIVO o en SATURACIN, Q1 y Q3 estarn en CORTE e I = 0.

Falta comprobar que Q2 est en ACTIVO o en SATURACIN. Podemos usar el hecho de que
Q1 y Q3 estn en CORTE.
Se ha visto antes que VE2 = v2 + 0,7. Estando Q1 en CORTE, la corriente por la resistencia de
valor R ser la corriente de emisor de Q2, IE2 , y tendremos
10 VE2 10 (v2 + 0,7) 9,3 v2
IE2 = = = ,
R R R
que, para todos los valores posibles de v2 es > 0. Supongamos Q2 en ACTIVO. Se ha de verificar
IB2 0 y VEC 2 0,2. Dado que en ACTIVO IB2 = IE2 /(2 + 1), tendremos IB2 > 0,
verificndose la primera condicin. La condicin VEC 2 0,2 puede o no cumplirse dependiendo
del valor de R. En efecto, con Q2 en ACTIVO, la corriente de colector de Q2 valdr IC2 =
2 /(2 + 1)IE2 , la tensin de colector de Q2 valdr VC2 = 10 + 100IC2 , y VEC 2 = VE2
VC2 = v2 + 0,7+ 10 100IC2 = v2 + 10,7 100IC2 . Para R suficientemente pequea, IE2 e IC2
sern suficientemente grandes y VEC 2 ser < 0,2, en contradiccin con Q2 en estado ACTIVO.
Vamos a ver que en ste caso, Q2 estar en SATURACIN. En ese estado, VEC 2 = 0,2. Adems,
IC2 < (2 /(2 + 1))IE2 , pues VEC 2 = v2 + 10,7 100IC2 y IC2 = 2 /(2 + 1)IE2 conducen
a VEC 2 < 0,2. De hecho, IC2 valdr
VC2 (10) VC2 + 10 VE2 VEC 2 + 10 v2 + 0,7 0,2 + 10 v2 + 10,5
IC2 = = = = = .
100 100 100 100 100
Hemos de verificar IB2 0, IC2 0 y IC2 IB2 . Dado que IB2 = IE2 IC2 e IC2 <
(2 /(2 + 1))IE2 , tendremos IB2 > IE2 (2 /(2 + 1))IE2 = IE2 /(2 + 1) > 0. De la
expresin de IC2 en funcin de v2 se deduce que para todos los valores posibles de v2 , IC2 0.
Finalmente, usando IC2 < (2 /(2 + 1))IE2 e IB2 > IE2 /(2 + 1) > 0, teniendo en cuenta
IB2 > 0, obtenemos
2
IE2
IC2 +1
< 2 = 2 ,
IB2 IE2
2 + 1
que, con IB2 > 0, implica IC2 < 2 IB2 . As pues, cuando Q2 no est en estado ACTIVO, est
en estado SATURACIN y Q2 est necesariamente en uno de esos dos estados. Ello concluye
la demostracin.
2) Con Q3 en SATURACIN y v1 < v2 , Q1 est en estado ACTIVO y Q2 est en CORTE.

Veamos primero que con Q2 en CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Con Q1 en estado ACTIVO,
VEB 1 = 0,7 y la tensin de emisor de Q1 vale VE1 = v1 + 0,7. Adems, la corriente por la
resistencia de valor R ser la corriente de emisor de Q1 y valdr
10 (v1 + 0,7) 9,3 v1
IE1 = = ,
R R
que es > 0 para todos los valores posibles de v1 . Hemos de comprobar IB1 0 y VEC 1 0,2.
Como en estado ACTIVO IB1 = IE1 /(1 + 1), tenemos IB1 > 0, comprobando la primera
condicin. Para la segunda, con Q3 en SATURACIN, VBE 3 = 0,7 y VC1 = 10 + 0,7 = 9,3,
dando
VEC 1 = VE1 VC1 = v1 + 0,7 (9,3) = v1 + 10 ,
que es 0,2 para todos los valores posibles de v1 . Acabamos de comprobar que con Q2 en
CORTE, Q1 est en estado ACTIVO. Comprobemos que Q2 est en CORTE, sabiendo que Q1
est en estado ACTIVO. La tensin VEB 2 vale
VEB 2 = VE2 v2 = VE1 v2 = v1 + 0,7 v2 = 0,7 + v1 v2 ,
que con v1 < v2 es < 0,7. Basta comprobar VEC 2 0. Con Q2 en corte, IC2 = 0 y la tensin
de colector de Q2 vale VC2 = 10. Ello da
VEC 2 = VE2 VC2 = VE1 VC2 = v1 + 0,7 (10) = v1 + 10,7 ,
que para todos los valores posibles de v1 es 0.
En resumen, con Q3 en SATURACIN y v1 < v2 , Q1 est en ACTIVO y Q2 est en CORTE.

Con esos estados, obtenemos el circuito
10 V
R (1 + 1)IB1
E
IB1
10 V
0,7 V 1 IB1
B C 50 IC3
v1 IB3
B C
0,7 V 0,2 V
100 K I1
E
10 V
Hemos de imponer las condiciones del estado SATURACIN de Q3, es decir IB3 0, IC3 0,
e IC3 3 IB3 . Calculemos IB3 e IC3 .
77
Para calcular IC3 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 50 , la fuente de tensin de valor 0,2 V y la fuente
de tensin de valor 10 V, obteniendo
10 = 0,05IC3 + 0,2 10 = 0,05IC3 9,8 ,
19,8
IC3 = = 396 , (2.9)
0,05
que es 0. Para calcular I1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la
fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito equivalente de Q3 y la resistencia de valor 100 k,
obteniendo
0,7 = 100I1 ,
0,7
I1 = = 0,007 . (2.10)
100
tensin de valor 10 V, la resistencia de valor R, la fuente de tensin de valor 0,7 V del circuito
equivalente de Q1 y la fuente de tensin de valor v1 , obteniendo
10 = R(1 + 1)IB1 + 0,7 + v1 ,
9,3 v1
IB1 = . (2.11)
R(1 + 1)
Por ltimo, para calcular IB3 conociendo I1 e IB1 , aplicamos la primera ley de Kirchoff al nodo
conectado al colector de Q1, obteniendo
1 IB1 = I1 + IB3 ,
y, usando (2.10) y (2.11),

1 9,3 v1
= 0,007 + IB3 ,
1 + 1 R
1 9,3 v1
IB3 = 0,007 . (2.12)
1 + 1 R
La condicin IB3 0 se traduce en
1 9,3 v1
0,007 0 ,
1 + 1 R
1 9,3 v1
0,007 ,
1 + 1 R
1 9,3 v1
R .
1 + 1 0,007
Dado que el miembro de la derecha es una funcin creciente de 1 y decreciente de v1 , la condi-
cin ms restrictiva se alcanza para el menor valor posible de 1 y el mayor valor posible de v1 ,
y es
20 9,3 5
R = 585,0 k .
20 + 1 0,007
Por ltimo, la condicin IC3 3 IB3 se traduce, usando (2.9) y (2.12), en

1 9,3 v1
396 3 0,007 ,
1 + 1 R
1 9,3 v1
396 3 0,0073 ,
1 + 1 R
1 9,3 v1
3 396 + 0,0073 ,
1 + 1 R
3 1
R (9,3 v1 ) .
0,0073 + 396 1 + 1
El miembro de la derecha es creciente con 1 y 3 y decreciente con v1 , la condicin ms restric-
tiva se alcanza con los menores valores posibles para 1 y 3 y con el mayor valor posible para
v1 , y es
20 20
R (9,3 5) = 0,2068 k = 206,8 .
(0,007)(20) + 396 20 + 1
Dicha condicin para R es ms restrictiva que la condicin R 585,0 k obtenida imponiendo
IB3 0, por lo que el mayor valor de R para el cual, con v1 < v2 , Q3 estar en SATURACIN
es 206,8 .
Captulo 3

MOSFETs
Problema 41: Analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor est en ON y cuando el interruptor est en OFF.
5V
I 2 k
1 M
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
1 M
Solucin: Con el interruptor en ON, VGS = 0 < Vt = 1, el transistor trabajar en la zona corte
e I = 0. nicamente se ha de verificar VDS 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET,
obtenemos
5 = 2I + VDS = VDS ,
VDS = 5 ,
que es 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es
nula, la fuente de tensin de valor 5 V y las dos resistencias de valor 1 M forman un divisor de
tensin, y
1 M
VGS = 5 = 2,5 ,
1 M + 1 M
que es > Vt = 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que
trabaja en la zona saturacin. La nica condicin a verificar es VDS VGS Vt = 2,5 1 = 1,5.
80 3 Problemas de Anlisis de Circuitos con MOSFETs
La corriente I vale
I = K(VGS Vt )2 = (2)(2,5 1)2 = (2)(1,5)2 = 4,5 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la
resistencia de valor 2 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 2I + VDS ,
VDS = 5 2I = 5 (2)(4,5) = 4 ,
que no es 1,5. Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Las condiciones a
verificar son VDS 0 y VDS VGS Vt = 2,5 1 = 1,5. La corriente I valdr, en funcin de
VDS ,
2 2 2

I = K 2(VGS Vt )VDS VDS = 2 (2)(2,5 1)VDS VDS = 6VDS 2VDS . (3.1)
Por otro lado, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k y el MOSFET, se obtiene
5 = 2I + VDS ,
que, combinada con (3.1), da la ecuacin de segundo grado en VDS

2
5 = 12VDS 4VDS + VDS ,
2
4VDS 13VDS + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS = 2,804 y VDS = 0,4458. La solucin VDS = 0,4458 verifica VDS
0 y VDS 1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica, VDS = 0,4458 y, usando (3.1),
I = (6)(0,4458) (2)(0,4458)2 = 2,277 mA .
Problema 42: Analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I cuando el
interruptor est en ON y cuando el interruptor est en OFF.
5V
1 M
Vt = 1 V
K = 2 mA/V2
1 M I 5 k
Solucin: Con el interruptor en ON, VGS = 0 > Vt = 1, el transistor trabajar en la zona

corte e I = 0. nicamente se ha de verificar VDS 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la
81
malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el MOSFET y la resistencia de valor 5 k,

obtenemos
5 = VDS + 5I = VDS ,
VDS = 5 ,
que es 0.
Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del transistor es nula,
la fuente de tensin de valor 5 V y las resistencias de valor 1 M forman un divisor de tensin, y
la tensin de puerta, VG , vale
1 M
VG = 5 = 2,5 .
1 M + 1 M
Siendo VS la tensin de la fuente, la tensin VGS vale VGS = VG VS = 2,5 5 = 2,5 <
Vt = 1. Ello implica que el transistor no trabajar en la zona corte. Supongamos que trabaja en
la zona saturacin. Tenemos
I = K(VGS Vt )2 = (2)(2,5 (1))2 = 4,5 .
Se ha de verificar VDS VGS Vt = 2,5 (1) = 1,5. La tensin de drenador, VD , vale
VD = 5I = (5)(4,5) = 22,5 .
La tensin VDS resulta, por tanto, valer VDS = VD VS = 22,5 5 = 17,5, que no es 1,5.
Supongamos que el transistor trabaja en la zona hmica. Se ha de verificar VDS 0 y VDS
VGS Vt = 1,5. La corriente I, en funcin de VDS , vale
2 2

I = K 2(VGS Vt )VDS VDS = 2 (2)(2,5 (1))VDS VDS
2
= 6VDS 2VDS . (3.2)
La tensin de drenador, VD , vale
2
VD = 5I = 30VDS 10VDS
y, utilizando VDS = VD VS = VD 5, se obtiene la ecuacin de segundo grado en VDS
2
VDS = 30VDS 10VDS 5,
2
10VDS + 31VDS + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS = 0,1707 y VDS = 2,929. La solucin VDS = 0,1707 verifica
las condiciones VDS 0 y VDS 1,5. As pues, el transistor trabaja en la zona hmica,
VDS = 0,1707 V y, utilizando (3.2), la corriente I vale
I = (6)(0,1707) (2)(0,1707)2 = 0,9659 mA .

Problema 43: Se utiliza el circuito de la figura para caracterizar un MOSFET de enriquecimien-

to de canal n. Cuando el interruptor est en OFF, la lectura del ampermetro es 6,5 mA y, cuando
est en ON, 4 mA. Qu valores tienen los parmetros Vt y K del transistor?
10 V
1 k
1 M 1 M
Solucin: Siendo el transistor un MOSFET de enriquecimiento de canal n, Vt ser > 0. Con

el interruptor en OFF, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la corriente por la
resistencia de valor 1 k es ID y VDS = 10 (1)ID = 10 (1)(6,5) = 3,5. Con el interruptor en
ON, despreciando la corriente por las resistencias de valor 1 M, tenemos VDS = 10 (1)ID =
10 (1)(4) = 6. En ambos casos, pues, VDS > 0. Entonces, ID > 0 implica VGS > Vt , por lo
que el transistor no podr trabajar en la zona corte.
Con el interruptor en OFF, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, VGD = 0 y el
transistor trabajar en la zona saturacin, pues se tiene VDS = VDG + VGS = VGS VGD =
VGS > VGS Vt . Obtenemos
6,5 = K(VGS Vt )2 . (3.3)
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 10 V,
la resistencia de valor 1 k y el transistor, y utilizando VDS = VGS , obtenemos
10 = (1)ID + VDS = (1)(6,5) + VGS = 6,5 + VGS ,
VGS = 3,5 .
Sustituyendo este valor en (3.3), obtenemos
6,5 = K(3,5 Vt )2 . (3.4)
Con el interruptor en ON, siendo nula la corriente por la puerta del transistor, las resistencias de
valor 1 M forman un divisor de tensin, y
1 M VDS
VGS = VDS = ,
1 M + 1 M 2
VDS = 2VGS ,
y el transistor tambin trabajar en la zona saturacin, pues se tendr VDS > VGS > VGS Vt .
Obtenemos
4 = K(VGS Vt )2 . (3.5)
83
Despreciando la corriente por las resistencias de 1 M, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la

misma malla que antes, y usando VDS = 2VGS , obtenemos
10 = (1)ID + VDS = (1)(4) + 2VGS = 4 + 2VGS ,
que da
10 4
VGS = = 3.
2
La corriente por las resistencias de 1 M resulta valer, por tanto, VGS /(2 M) = 3/2.000 =
0,0015 mA, que, efectivamente, es despreciable frente a 4 mA. Sustituyendo el valor de VGS en
(3.5), obtenemos
4 = K(3 Vt )2 . (3.6)
Los parmetros Vt y K del MOSFET pueden ser determinados resolviendo el sistema de ecua-
ciones formado por (3.4) y (3.6). Dividindolas, obtenemos
3,5 Vt 2

6,5
= ,
4 3 Vt
y, considerando que Vt < 3, pues, con el interruptor en OFF, VGS > Vt y VGS = 3, obtenemos
r
3,5 Vt 6,5
= = 1,275 ,
3 Vt 4
3,5 Vt = 3,825 1,275Vt ,
3,825 3,5
Vt = = 1,182 V .
1,275 1
Sustituyendo ese valor en (3.6), obtenemos
4 = K(3 1,182)2 = 3,305K
y
4
K= = 1,21 mA/V2 .
3,305
Problema 44: El circuito de la figura se comporta como una fuente de corriente para ciertos
valores de R. Cules?
5V
R
5 k
Vt = 1 V
K = 1 mA/V2
10 k
Solucin: Dado que la corriente por la puerta del transistor es nula, la fuente de tensin de valor
5 V, la resistencia de valor 5 k y la resistencia de valor 10 k forman un divisor de tensin, y
10
VGS = 5 = 3,333 .
5 + 10
Siendo VGS > Vt = 1, el transistor trabajar en la zona hmica o en la zona saturacin. El que
trabaje en una zona u otra depender del valor de R. Ello se puede ver grficamente considerando
que el punto de trabajo del transistor estar en la interseccin de la recta de carga
5 = RID + VDS
con la caracterstica ID = f (VDS ) del transistor para VGS = 3,333 V. Con VGS = 3,333,
ID,sat = K(VGS Vt )2 = (1)(3,333 1)2 = 5,443 mA
y la transicin entre la zona hmica y la zona saturacin se producir para VDS = VDS ,sat =
VGS Vt = 3,333 1 = 2,333 V. As pues, la situacin ser:
ID (mA)
5
R
5
Rmax
5,443 VGS = 3,333 V
2,333 5 VDS (V)
Para R Rmax , el transistor trabajar en la zona saturacin, ID ser independiente de R y el

circuito se comportar como una fuente de corriente. Rmax puede ser determinada imponiendo
ID = ID,sat y VDS = VDS ,sat en la ecuacin de la recta de carga:
5 = Rmax ID,sat + VDS ,sat ,
5 = 5,443Rmax + 2,333 ,
5 2,333
Rmax = = 0,49 k = 490 .
5,443
Problema 45: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 10 y 40 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R1 para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 20 mA/V2 , I = 10 mA;
2) con la R1 obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
85
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
10 k R2 I
10 k R1
Solucin: 1) Con el MOSFET trabajando en saturacin, I = K(VGS Vt )2 = K(VGS 1)2 ,

y para que con K = 20 mA/V2 , I = 10 mA, VGS deber ser > Vt = 1 y satisfacer
10 = 20(VGS 1)2 ,
de donde, usando VGS > 1, r

10
VGS = 1 + = 1,707 .
20
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V y las dos
resistencias de valor 10 k forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta, VG , vale
10
VG = 12 = 6 .
10 + 10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS y VG , aplicamos la segunda ley de Kir-
choff a la malla formada por la resistencia inferior de valor 10 k, el MOSFET y la resistencia
de valor R1 , obteniendo
VG = VGS + R1 I , (3.7)
6 = 1,707 + 10R1 ,
6 1,707
R1 = = 0,4293 k = 429,3 .
10
2) Con el MOSFET trabajando en saturacin y en funcin de K, la corriente I vale
I = K(VGS 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS Vt = 1, se obtiene

r
I
VGS = 1 + .
K
Por otro lado, usando (3.7) con VG = 6 y R1 = 0,4293, se obtiene
r
I
6=1+ + 0,4293I . (3.8)
K
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por
tanto, al variar K entre 10 mA/V2 y 40 mA/V2 , el valor mnimo de I, Imin , se obtiene para
K = 10 mA/V2 y el valor mximo, Imax , para K = 40 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax ,
expresemos I en funcin
de K usando (3.8). Podemos reescribir (3.8) en forma de ecuacin de
segundo grado en I. Se obtiene
1
0,4293I + I 5 = 0.
K
La soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son

p
1/ K 1/K + 8,586
I= .
0,8586

De ellas, la nica que da I > 0 es la correspondiente al signo +. Tenemos, por tanto,

p
1/K + 8,586 1/ K
I=
0,8586
e p 2
1/K + 8,586 1/ K
I= ,
0,7372
que da
p 2
1/10 + 8,586 1/ 10
Imin = = 9,368 mA
0,7372
e p 2
1/40 + 8,586 1/ 40
Imax = = 10,43 mA .
0,7372
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R1 y R2 y el MOSFET, obtenemos
12 = R2 I + VDS + R1 I ,
y, usando R1 = 0,4293,
12 = VDS + 0,4293I + R2 I ,
VDS = 12 0,4293I R2 I .
Por otro lado, de (3.7) con VG = 6 y R1 = 0,4293,
VGS = VG R1 I = 6 0,4293I .
Imponiendo, entonces, VDS VGS Vt = VGS 1, se obtiene
12 0,4293I R2 I 5 0,4293I ,
R2 I 7 ,
87
7
R2 .
I
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R2 deber verificar
7
R2 = 0,6711 k = 671,1 .
10,43
As pues, el valor mximo que deber tener R2 para que, con el valor de R1 obtenido en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 671,1, .
Problema 46: El MOSFET del circuito de la figura tiene una Vt = 1 V y un parmetro K que
puede variar entre 5 y 20 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener R1
para que, suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin y K = 10 mA/V2 , I = 10 mA; 2)
con la R1 obtenida en el apartado anterior y suponiendo el MOSFET trabajando en saturacin,
determine los valores entre los que puede variar I debido al rango posible de valores para K; 3)
para que, para cualquier valor posible para K, el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
4 k R1
8 k R2 I
Solucin: 1) Con el MOSFET trabajando en saturacin, I = K(VGS Vt )2 = K(VGS + 1)2 ,

y para que con K = 10 mA/V2 , I = 10 mA, VGS deber ser < Vt = 1 y satisfacer
10 = 10(VGS + 1)2 ,
de donde, usando VGS < 1,

r
10
VGS = 1 = 2 .
10
Siendo nula la corriente por la puerta del transistor, la fuente de tensin de valor 12 V, la resis-
tencia de valor 4 k y la resistencia de valor 8 k forman un divisor de tensin, y la tensin de
puerta vale
8
VG = 12 = 8 ,
4+8
que implica que la resistencia de valor 4 k ver una tensin de valor 4 V. Para calcular el valor
necesario de R1 conociendo VGS y la tensin que ve la resistencia de valor 4 k, aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 4 k, el MOSFET y la
resistencia de valor R1 , obteniendo
4 = R1 I VGS , (3.9)
4 = 10R1 + 2 ,
42
R1 = = 0,2 k = 200 .
10
2) Con el MOSFET trabajando en saturacin y en funcin de K, la corriente I vale
I = K(VGS + 1)2 .
Teniendo en cuenta VGS Vt = 1, se obtiene

r
I
VGS = 1 .
K
Por otro lado, usando (3.9) con R1 = 0,2, se obtiene
r
I
4 = 0,2I + 1 + ,
K
r
I
3 = 0,2I + . (3.10)
K
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K para K > 0. Por tanto, al
variar K entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , el valor mnimo de I, Imin , se obtiene para K = 5 mA/V2
y el valor mximo, Imax , para K = 20 mA/V2 . Para determinar Imin e Imax , expresemos I en
de K usando (3.10). Podemos reescribir (3.10) en forma de ecuacin de segundo grado
funcin
en I. Se obtiene
1
0,2I + I 3 = 0.
K
La soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son

p
1/ K 1/K + 2,4
I= .
0,4


p
1/K + 2,4 1/ K
I=
0,4
e p 2
1/K + 2,4 1/ K
I= ,
0,16
que da
p 2
1/5 + 2,4 1/ 5
Imin = = 8,486 mA
0,16
e p 2
1/20 + 2,4 1/ 20
Imax = = 11,25 mA .
0,16
89
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor
12 V, las resistencias de valores R1 y R2 y el MOSFET, obtenemos
12 = R1 I VDS + R2 I ,
y, usando R1 = 0,2,
12 = VDS + 0,2I + R2 I ,
VDS = 12 + 0,2I + R2 I .
Por otro lado, de (3.9) con R1 = 0,2,
VGS = 4 + 0,2I .
Imponiendo, entonces, VDS VGS Vt = VGS + 1, se obtiene
12 + 0,2I + R2 I 3 + 0,2I ,
R2 I 9 ,
9
R2 .
I
La condicin ms estricta se obtiene para el valor mximo de I y, por tanto, R2 deber verificar
9
R2 = 0,8 k = 800 .
11,25
As pues, el valor mximo que deber tener R2 para que, con el valor de R1 calculado en el
apartado 1) y para cualquier valor posible de K, el MOSFET trabaje en saturacin es 796 .
Problema 47: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la tensin Vo en funcin

de K1 /K2 . Entre qu valores puede variar Vo ?
5V
Vt = 1 V
K = K2 mA/V2
Q2
Vo
Vt = 1 V
Q1 K = K1 mA/V2
Solucin: Denotemos con los subndices 1 y 2 las tensiones y corrientes de, respectivamente,
Q1 y Q2. Dado que VDS 1 = VGS 1 > VGS 1 Vt1 = VGS 1 1 y VDS 2 = VGS 2 > VGS 2 Vt2 =
VGS 2 1, supuesto VGS 1 > Vt1 = 1 y VGS 2 > Vt2 = 1, los dos transistores trabajarn en la
zona saturacin. Supongmoslo. Tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 1)2 ,
ID2 = K2 (VGS 2 1)2 .

Por otro lado, por inspeccin ID1 = ID2 , obtenindose, usando VGS 1 > 1 y VGS 2 > 1,
K1 (VGS 1 1)2 = K2 (VGS 2 1)2 ,

2
VGS 2 1 K1
= ,
VGS 1 1 K2
r
VGS 2 1 K1
= ,
VGS 1 1 K2
r
K1
VGS 2 1 = (VGS 1 1) ,
K2
r
K1
VGS 2 = 1 + (VGS 1 1) . (3.11)
K2
Utilizando (3.11) en VGS 1 + VGS 2 = 5, se obtiene
r
K1
VGS 1 + 1 + (VGS 1 1) = 5 ,
K2
r ! r
K1 K1
1+ VGS 1 = 4 + ,
K2 K2
r
K1
4+
K
VGS 1 = r 2 .
K1
1+
K2
Obviamente, VGS 1 > 1, y utilizando (3.11), VGS 2 > 1. As pues, los dos transistores trabajan en
la zona saturacin y el anlisis realizado es correcto. Dado que Vo = VGS 1 , obtenemos
r
K1
4+
K
Vo = r 2 .
K1
1+
K2
p
Tanto K1 /K2 como K1 /K2 toman valores en el intervalo (0, ). Por otro lado, la funcin
f (x) = (4 + x)/(1 + x) es decreciente con x en (0, ), como puede ser comprobado fcilmente
calculando df /dx,
df 1 + x (4 + x) 3
= 2
= < 0.
dx (1 + x) (1 + x)2
As pues, Vo puede tomar valores en el intervalo (Vo,min , Vo,max ) con
4+x 4/x + 1
Vo,min = lm f (x) = lm = lm = 1,
x x 1+x x 1/x + 1
Vo,max = lm f (x) = f (0) = 4 .

x0
91
Problema 48: Analice el circuito de la figura y determine: 1) el valor de la tensin VGS de Q1

y valor de la corriente I, 2) el intervalo de valores de R para los cuales Q3 trabaja en la zona
saturacin y valor de la corriente I en ese caso. El circuito de la figura se denomina espejo de
corriente. Por qu?
5V 5V
Vt = 1 V
R K = K1 mA/V2
Q2
I I
Vt = 1 V Vt = 1 V
K = K2 mA/V2 Q3 Q1 K = K1 mA/V2
Solucin: Denotaremos usando los subndices 1, 2 y 3 los valores de las tensiones, corrientes y
parmetros Vt de, respectivamente, Q1, Q2 y Q3.
1) Por inspeccin, VDS 1 = VGS 1 y VDS 2 = VGS 2 . Supongamos que tanto Q1 como Q2 trabajan
en la zona saturacin. Las condiciones a verificar son VGS 1 Vt1 = 1, VGS 2 Vt2 = 1,
VDS 1 VGS 1 Vt1 = VGS 1 1 y VDS 2 VGS 2 Vt2 = VGS 2 1. Las dos ltimas quedan
aseguradas por VDS 1 = VGS 1 y VDS 2 = VGS 2 . As pues, las nicas condiciones a verificar son
VGS 1 1 y VGS 2 1. Con Q1 y Q2 en saturacin, tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 1)2 ,
ID2 = K1 (VGS 2 1)2 .

Entonces, VGS 1 = VGS 2 es consistente con ID1 = ID2 = I. Por otro lado, VGS 1 + VGS 2 = 5.
As pues, VGS 1 = VGS 2 = 2,5, que es 1. Las zonas de trabajo supuestas para Q1 y Q2 son,
por tanto, correctas, VGS 1 = 2,5 V e
I = ID1 = K1 (2,5 1)2 = 2,25K1 mA .
2) Por inspeccin, obtenemos VGS 3 = VGS 1 = 2,5 Vt3 = 1. Para que Q3 trabaje en la zona
saturacin, se deber cumplir VDS 3 VGS 3 Vt3 = 2,5 1 = 1,5. En esa zona, la corriente I
valdr
I = ID3 = K2 (VGS 3 1)2 = K2 (2,5 1)2 = 2,25K2 mA .
resistencia de valor R y Q3, obtenemos
5 = RI + VDS 3 ,
VDS 3 = 5 RI = 5 2,25K2 R ,
e, imponiendo VDS 3 1,5, obtenemos
5 2,25K2 R 1,5 ,
5 1,5 1,556
R = k .
2,25K2 K2
El circuito se denomina espejo de corriente porque, cuando Q3 trabaja en la zona saturacin,

I /I = K2 /K1 y la corriente I es una rplica de la corriente I independiente del valor de R con
un factor de escalado K2 /K1 . Dicho factor de escalado puede ser ajustado escogiendo valores
apropiados para K1 y K2 .
Problema 49: El parmetro K del MOSFET Q1 del espejo de corriente de la figura, K1 , puede
variar entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 . Analice el circuito y: 1) determine el valor que ha de tener
R1 para que, con K1 = 10 mA/V2 , I = 1 mA; 2) para el valor de R1 calculado en el apartado
anterior y suponiendo Q2 en saturacin, determine los valores entre los que puede variar I debido
al rango de valores posibles para K1 ; 3) para el valor de R1 calculado en el apartado 1) y = 20,
determine el mximo valor que puede tener R2 para que Q2 trabaje en saturacin para todo valor
posible de K1 .
5V 5V
R2 R1 I
I
Vt = 1 V Vt = 1 V
K = K1 Q2 Q1 K = K1
Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt de,
respectivamente, Q1 y Q2.
1) Por inspeccin, VDS 1 = VGS 1 y VDS 1 > VGS 1 Vt1 = VGS 1 1. Ello implica que Q1 estar
en saturacin con VGS 1 > Vt1 = 1, pues VGS 1 Vt1 conduce a I = 0. La corriente I valdr,
por tanto,
I = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = 10(VGS 1 1)2 ,
e, imponiendo I = 1, obtenemos, usando VGS 1 > 1,
1 = 10(VGS 1 1)2 ,
r
1
VGS 1 = 1 + = 1,316 .
10
Para calcular el valor necesario de R1 conociendo VGS 1 , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a
la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor R1 y Q1, obteniendo
5 = R1 I + VGS 1 , (3.12)
5 = R1 + 1,316 ,
R1 = 5 1,316 = 3,684 k .
2) Determinemos, primero, el rango de valores posibles para I. El razonamiento del apartado

anterior que ha conducido a que Q1 trabaje en saturacin y a que VGS 1 > 1 es independiente
del valor de R1 , siempre y cuando I 6= 0. Pero I = 0 slo es posible con Q1 en corte y, con
93
I = 0, tenemos VGS 1 = 5 > Vt1 = 1, una contradiccin. Por tanto, Q1 trabaja en saturacin con
VGS 1 > 1 para todo valor posible de K1 e
I = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = K1 (VGS 1 1)2 , (3.13)
que es > 0, y, teniendo en cuenta VGS 1 > 1,

r
I
VGS 1 = 1 + ,
K1
que, combinada con (3.12) da r
I
5 = R1 I + 1 + ,
K1
y, con R1 = 3,684, r
I
4= + 3,684I . (3.14)
K1
Dicha relacin pone de manifiesto que I es una funcin creciente de K1 para K1 > 0. Por tanto,
al variar K1 entre 5 mA/V2 y 20 mA/V2 , I vara entre un valor mnimo, Imin , correspondiente a
K1 = 5 mA/V2 , y un valor mximo, Imax , correspondiente a K1 = 20 mA/V2 . Para determinar
Imin e Imax , expresemos I en funcin
de K1 usando (3.14). Podemos reescribir (3.14) en forma
de ecuacin de segundo grado en I. Se obtiene
1
3,684I + I 4 = 0.
K1
Las soluciones de dicha ecuacin de segundo grado son

p
1/ K1 1/K1 + 58,94
I= .
7,368


p
1/K1 + 58,94 1/ K1
I= ,
7,368
e p 2
1/K1 + 58,94 1/ K1
I= ,
54,29
que da
p 2
1/5 + 58,94 1/ 5
Imin = = 0,9663 mA
54,29
e p 2
1/20 + 58,94 1/ 20
Imax = = 1,024 mA .
54,29
Por otro lado, con Q2 en saturacin y siendo VGS 2 = VGS 1 ,
I = K2 (VGS 2 Vt2 )2 = K1 (VGS 1 1)2 ,

que, combinada con (3.13), da

I = I .
Por tanto, I variar entre un valor mnimo

Imin = 0,9663 mA
y un valor mximo

Imax = 1,024 mA .
3) Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V,
la resistencia de valor R2 y Q2, obtenemos, usando I = I,
5 = R2 I + VDS 2 = R2 I + VDS 2 ,
VDS 2 = 5 R2 I .
Usando VGS 2 = VGS 1 , de (3.12), con R1 = 3,684, obtenemos
VGS 2 = VGS 1 = 5 3,684I ,
e, imponiendo VDS 2 VGS 2 Vt2 = VGS 2 1,
5 R2 I 4 3,684I ,
R2 I 1 + 3,684I ,
1 + 3,684I 1 + 3,684I 1
R2 = = + 0,1842 .
I 20I 20I
La condicin ms estricta se obtiene para I = Imax y es
1
R2 + 0,1842 = 0,233 k = 233 .
(20)(1,024)
Por tanto, para que con el valor de R1 calculado en el apartado 1) y con = 20, Q2 trabaje en
saturacin para cualquier valor posible de K1 , R2 no deber superar 233 .
Problema 50: Analice el circuito de la figura y: 1) determine el valor de la corriente I cuando el

interruptor est en ON; 2) determine el valor que ha de tener R1 para que, cuando el interruptor
est en OFF y suponiendo que el MOSFET trabaja en saturacin, I = 10 mA; 3) para el valor de
R1 calculado en el apartado anterior y con el interruptor en OFF, determine el mximo valor que
puede tener R2 de modo que el MOSFET trabaje en saturacin.
12 V
10 k R2 I
Vt = 1 V
K = 5 mA/V2
10 k R1
Solucin: 1) Con el interruptor en ON, la tensin de puerta del MOSFET, VG , vale 0. Vamos
a ver que ello implica que el MOSFET estar en corte. Se ha de verificar VGS Vt = 1 y
95
VDS 0. Con el MOSFET en corte, I = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

formada por el interruptor, el MOSFET y la resistencia de valor R1 se obtiene
0 = VGS + R1 I = VGS ,
y VGS = 0 1. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 12 V, la resistencia de valor R2 , el MOSFET y la resistencia de valor R1 , se obtiene
12 = R2 I + VDS + R1 I = VDS ,
y VDS = 12 0. As pues, con el interruptor en ON, el MOSFET est en corte e I = 0.
2) Con el interruptor en OFF, teniendo en cuenta que la corriente por el interruptor es nula y que
la corriente por la puerta del MOSFET es tambin nula, resulta que la fuente de tensin de valor
12 V y las resistencias de valor 10 k forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta del
MOSFET, VG , valdr
10
VG = 12 = 6 .
10 + 10
Con el MOSFET en saturacin, la corriente I vale
I = K(VGS Vt )2 = K(VGS 1)2 .
Para que I = 10 mA, VGS deber verificar
10 = 5(VGS 1)2 ,
que, teniendo en cuenta que VGS deber ser > 1, pues el MOSFET est en saturacin e I > 0,
conduce a r
10
VGS = 1 + = 2,414 .
5
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia inferior de valor
10 k, el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obtenemos
VG = VGS + R1 I ,
y, usando VG = 6, VGS = 2,414 e I = 10, R1 deber verificar
6 = 2,414 + 10R1 ,
de donde R1 deber valer

6 2,414
R1 = = 0,3586 k = 358,6 .
10
3) Bastar calcular, para R1 = 358,6 , VDS en funcin de R2 e imponer VDS VGS Vt =

VGS 1. Podemos usar VGS = 2,414 e I = 10. Para calcular VDS en funcin de R2 aplicamos la
segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 12 V, la resistencia
de valor R2 , el MOSFET y la resistencia de valor R1 , obteniendo
12 = R2 I + VDS + R1 I .
Usando I = 10 y R1 = 358,6 , obtenemos
12 = 10R2 + VDS + (0,3586)(10) ,
VDS = 8,414 10R2 .

Finalmente, imponiendo VDS VGS 1 = 2,414 1 = 1,414, obtenemos
8,414 10R2 1,414 ,

8,414 1,414
R2 = 0,7 k = 700 .
10
As pues, para que con el valor de R1 calculado en el apartado anterior y con el interruptor en
OFF, el MOSFET trabaje en saturacin, el valor de R2 no deber superar 700 .
Problema 51: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la corriente I para vi = 0

y para vi = 5 V.
5V
I 10
10 k
Q2
Vt = 1 V
Q1 K = 100 mA/V2
Vt = 1 V
K = 0,2 mA/V2
vi +

Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt y K

de, respectivamente, Q1 y Q2.
Para vi = 0, VGS 1 = 0 < Vt1 = 1 y Q1 est en corte. Slo hay que verificar VDS 1 0. Pero,
teniendo en cuenta que la corriente por la puerta de Q2 es nula, VDS 1 = 5 10ID1 = 5 0.
Dado que VGS 2 = VDS 1 = 5 > 1, Q2 no estar en corte. Supongamos que trabaja en la zona
hmica. Se ha de verificar VDS 2 0 y VDS 2 VGS 2 Vt2 = 5 1 = 4. Tenemos
2 2
ID2 = K2 [2(VGS 2 Vt2 )VDS 2 VDS 2 ] = 100[(2)(5 1)VDS 2 VDS 2 ]
2
= 800VDS 2 100VDS 2. (3.15)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 y Q2, obtenemos
5 = 0,01ID2 + VDS 2 . (3.16)
Combinando (3.15) y (3.16) obtenemos la ecuacin de segundo grado en VDS 2

2
5 = 8VDS 2 VDS 2 + VDS 2 ,
97
2
VDS 2 9VDS 2 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones son VDS 2 = 8,405 y VDS 2 = 0,5949. La solucin VDS 2 = 0,5949 verifica
VDS 2 0 y VDS 2 4. As pues, el transistor Q2 trabaja en la zona hmica y VDS 2 = 0,5949.
Usando (3.15) obtenemos
I = ID2 = (800)(0,5949) (100)(0,5949)2 = 440,5 mA .
Para vi = 5 V, VGS 1 = 5 > Vt1 = 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que trabaja en la zona
hmica. Se ha de verificar VDS 1 0 y VDS 1 VGS 1 Vt1 = 5 1 = 4. Tenemos
2 2
ID1 = K1 [2(VGS 1 Vt1 )VDS 1 VDS 1 ] = 0,2[(2)(5 1)VDS 1 VDS 1 ]
2
= 1,6VDS 1 0,2VDS 1. (3.17)
de valor 5 V, la resistencia de valor 10 k y Q1, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = 10ID1 + VDS 1 . (3.18)
Combinando (3.17) y (3.18) obtenemos la ecuacin de segundo grado en VDS 1
2
5 = 16VDS 1 2VDS 1 + VDS 1 ,
2
2VDS 1 17VDS 1 + 5 = 0 ,
2
VDS 1 8,5VDS 1 + 2,5 = 0 ,
VDS 1 0 y VDS 1 4. As pues, el transistor Q1 trabaja en la zona hmica y VDS 1 = 0,3051 V.
Dado que VGS 2 = VDS 1 = 0,3051 < Vt1 = 1, el transistor Q2 trabajar en la zona corte. Slo
hay que verificar VDS 2 0. Pero, con Q2 en corte, I = 0 y VDS 2 = 5 0,01I = 5 0. La
corriente I valdr, por tanto, I = 0.
Problema 52: Analice el circuito de la figura y determine el valor de la corriente I para vi = 0

y para vi = 5 V.
5V
Vt = 1 V
K = 0,1 mA/V2
Q1 Vt = 1 V
Q2 K = 50 mA/V2
+
vi
50 k 30 I
Solucin: Denotaremos con los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt y K

de, respectivamente, Q1 y Q2.
Para vi = 0, VGS 1 = 5 < Vt1 = 1 y Q1 no estar en corte. Supongamos que est en la zona
hmica. Se ha de verificar VDS 1 0 y VDS 1 VGS 1 Vt1 = 5 + 1 = 4. Con Q1 en la zona
hmica,
2 2
ID1 = K1 [2(VGS 1 Vt1 )VDS 1 VDS 1 ] = 0,1[(2)(5 + 1)VDS 1 VDS 1 ]
2
= 0,8VDS 1 0,1VDS 1. (3.19)
de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en cuenta que la corriente por la puerta
de Q2 es nula, obtenemos
5 = VDS 1 + 50ID1 ,
que, combinada con (3.19), conduce a la ecuacin de segundo grado en VDS 1
2
5 = VDS 1 40VDS 1 5VDS 1,
2
5VDS 1 + 41VDS 1 + 5 = 0 ,
VDS 1 0 y VDS 1 4. As pues, con vi = 0, Q1 est en la zona hmica y VDS 1 = 0,1238.
Por inspeccin, VGS 2 = VDS 1 y VGS 2 = 0,1238 > Vt2 = 1, implicando que Q2 estar en
corte, debindose nicamente verificar VDS 2 0. Con Q2 en corte, I = 0 y, aplicando la segunda
ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q2 y la resistencia de
valor 30 , obtenemos
5 = VDS 2 + 0,03I = VDS 2 ,
VDS 2 = 5 ,
que es 0. As pues, con vi = 0, Q2 est en corte e I = 0.
Para vi = 5, VGS 1 = 0 > Vt1 = 1, implicando que Q1 estar en corte, debindose nicamente
verificar VDS 1 0. Con Q1 en corte, ID1 = 0 y, aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, Q1 y la resistencia de valor 50 k, teniendo en
cuenta que la corriente por la puerta de Q2 es nula, obtenemos
5 = VDS 1 + 50ID1 = VDS 1 ,
VDS 1 = 5 ,
que es 0. As pues, para vi = 5, Q1 est en corte y VDS 1 = 5. Por inspeccin, VGS 2 =
VDS 1 = 5 y VGS 2 < Vt2 = 1, implicando que Q2 no estar en corte. Supongamos que est
en la zona hmica. Se ha de verificar VDS 2 0 y VDS 2 VGS 2 Vt2 = 5 + 1 = 4. Con Q2
en hmica, la corriente I vale
2 2
I = K2 [2(VGS 2 Vt2 )VDS 2 VDS 2 ] = 50[(2)(5 + 1)VDS 2 VDS 2 ]
2
= 400VDS 2 50VDS 2. (3.20)
de valor 5 V, Q2 y la resistencia de valor 30 , obtenemos
5 = VDS 2 + 0,03I ,
99
que, combinada con (3.20), conduce a la ecuacin de segundo grado en VDS 2

2
5 = VDS 2 12VDS 2 1,5VDS 2,
2
1,5VDS 2 + 13VDS 2 + 5 = 0 ,
cuyas soluciones con VDS 2 = 0,4034 y VDS 2 = 8,263. La solucin VDS 2 = 0,4034 verifica
VDS 2 0 y VDS 2 4. As pues, para vi = 5, Q2 est en la zona hmica y VDS 2 = 0,4034.
La corriente I puede ser calculada utilizando (3.20):
I = (400)(0,4034) (50)(0,4034)2 = 153,2 mA .
Problema 53: Con Vt = 1 V, K = 1 mA/V2 y R = 10 k, determine la funcin de transferen-

cia vo = F (vi ), 0 vi 5 V del circuito de la figura para: 1) vc = 0, 2) vc = 5 V. Suponga, a
continuacin, Vt < 5 V y, para vc = 5 V, 3) obtenga vo = F (vi ), 0 vi 5 V en funcin de
K, Vt y R, 4) demuestre que dvo /dR es > 0 para todo vi , 0 < vi 5 V, 5) obtenga vo = F (vi ),
0 vi 5 V para R .
vc
Vt , K
vi vo
R
Solucin: 1) Para vc = 0, el transistor trabaja en la zona corte, ID = 0 y vo = 10ID = 0.

Comprobmoslo. Las condiciones a verificar son VGS 1 y VDS 0. Tenemos VGS = vc vo =
0, que es 1. Tenemos VDS = vi vo = vi , que, para 0 vi 5, es 0.
2) Con vc = 5 V, el transistor no puede trabajar en la zona corte, pues en ese caso VGS =
vc vo = vc RID = 5 0 = 5, que es > 1, una contradiccin. Supongamos que el transistor
trabaja en la zona hmica. Las condiciones a verificar son VGS 1 y 0 VDS VGS
Vt = VGS 1. La condicin VDS 0 es fcil de verificar. En la zona hmica, el transistor
es equivalente a una resistencia RDS entre el drenador y la fuente de valor dependiente de VGS
y VDS , y VDS = vi vo = vi (R/(RDS + R))vi = (RDS /(RDS + R))vi 0. Siendo
VGS = 5 vo y VDS = vi vo , la condicin VDS VGS 1 se traduce en vi vo 4 vo ,
vi 4. sta ltima condicin asegura VGS 1, pues vo = (R/(RDS + R))vi vi y, con
vi 4, VGS = 5 vo 5 vi 1. As pues, para 0 vi 4, el transistor trabajar en la zona
hmica. Al hacerse vi > 4, el transistor pasar a trabajar en la zona saturacin, la corriente ID
no variar y vo mantendr el valor correspondiente a vi = 4. En efecto, la condicin VGS 1
queda asegurada por VGS = 5 vo y por el hecho de que vo mantenga su valor y la condicin
VDS > VGS 1 queda asegurada por la condicin vi > 4, pues VDS > VGS 1 se traduce en
vi vo > 5 vo 1, vi > 4.
Para determinar la funcin de transferencia v0 = F (vi ), 0 vi 5 bastar analizar el circuito

para 0 vi 4, sabiendo que el transistor trabaja en la zona hmica. La corriente ID valdr
2 2

ID = K 2(VGS Vt )VDS VDS = 2(VGS 1)VDS VDS .
Con VGS = 5 vo y VDS = vi vo , se obtiene
ID = 2(4 vo )(vi vo ) (vi vo )2

= 8vi 8vo 2vi vo + 2vo2 vi2 + 2vi vo vo2 = vo2 8vo + 8vi vi2 .
Por otro lado, vo = 10ID , obtenindose la ecuacin de segundo grado en vo
vo = 10(vo2 8vo + 8vi vi2 ) ,
vo = 10vo2 80vo + 80vi 10vi2 ,

10vo2 81vo + 80vi 10vi2 ,
vo2 8,1vo + 8vi vi2 = 0 ,
cuyas soluciones son
q
8,1 65,61 32vi + 4vi2 q
vo = = 4,05 vi2 8vi + 16,4025 .
2
Discutamos el signo. Para vi = 0, el signo + da vo = 8,1 y el signo da vo = 0. Dado que
vo = (R/(RDS + R))vi , para vi = 0, vo deber valer 0, y el signo correcto para vi = 0 es
el . El discriminante de la ecuacin vi2 8vi + 16,4025 = 0 es < 0 y dicha ecuacin no
tiene soluciones reales. Siendo positivo el coeficiente de vi2 en vi2 8vi + 16,4025, se tendr
vi2 8vi + 16,4025 > 0 para toda vi . Ello implica que el signo se ha de mantener para toda vi ,
0 vi 4, pues, de lo contrario, la funcin de transferencia no sera continua. As pues, para
0 vi 4, q
vo = 4,05 vi2 8vi + 16,4025 .
Con vi = 4, se obtiene vo = 3,416 y, para 4 < vi 5, vo = 3,416.
3) Una generalizacin de los razonamientos realizados en 2) lleva a las conclusiones de que, para
0 vi 5 Vt , el transistor trabajar en la zona hmica y de que, al hacerse vi > 5 Vt ,
el transistor pasar a trabajar a la zona saturacin y vo mantendr el valor correspondiente a
vi = 5 V t .
Para determinar la funcin de transferencia vo = F (vi ), 0 vi 5 bastar analizar el circuito

para 0 vi 5 Vt , sabiendo que el transistor trabaja en la zona hmica. Teniendo en cuenta
que VGS = 5 vo y VDS = vi vo , la corriente ID valdr
2
= 2K(5 Vt vo )(vi vo ) K(vi vo )2

ID = K 2(VGS Vt )VDS VDS
= 2K(5 Vt )vi 2K(5 Vt )vo 2Kvi vo + 2Kvo2 Kvi2 Kvo2 + 2Kvi vo
= Kvo2 2K(5 Vt )vo + 2K(5 Vt )vi Kvi2 .
Usando vo = RID se obtiene la ecuacin de segundo grado en vo
vo = R Kvo2 2K(5 Vt )vo + 2K(5 Vt )vi Kvi2 ,

vo
= vo2 2(5 Vt )vo + 2(5 Vt )vi vi2 ,
KR
101

1
vo2 2(5 Vt ) + vo + 2(5 Vt )vi vi2 = 0 .
KR
Las soluciones de dicha ecuacin son
s 2
1 1
vo = 5 V t + vi2 2(5 Vt )vi + 5 Vt + .
2KR 2KR
Como en 2), hay que discutir el signo. Para vi = 0, el signo + da vo = 2(5 Vt ) + 1/(KR) y el
signo da vo = 0. Como vo ha de ser 0, el signo correcto para vi = 0 es el . El discriminante
de la ecuacin vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 = 0 vale
2
2 1
4(5 Vt ) 4 5 Vt + < 0.
2KR
As pues, la ecuacin vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 = 0 no tiene soluciones reales

y, siendo positivo el coeficiente de vi2 en vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 , se tendr
vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 > 0 para toda vi . Ello implica que el signo se ha
de mantener para 0 vi 5 Vt , pues, de lo contrario, la funcin de transferencia no sera
continua. As pues, para 0 vi 5 Vt ,
s 2
1 2 1
vo = 5 V t + vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt + . (3.21)
2KR 2KR
El valor de vo para 5 Vt < vi 5 se obtiene evaluando (3.21) para vi = 5 Vt y es

s 2
1 1
vo = 5 V t + 5 Vt + (5 Vt )2 .
2KR 2KR
4) Basta demostrar el resultado para 0 vi 5 Vt . Calculando dvo /dR usando (3.21), se

obtiene

1 1
2 5 Vt +
dvo 1 1 2KR 2KR2
=
2KR2 2
s
dR 2
2 1
vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
s 2
1 2 1
5 Vt + vi 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
1 2KR 2KR
= 2
s .
2KR 2
1
vi2 2(5 Vt )vi + 5 Vt +
2KR
Dado que, como se ha visto en 3), vi2 2(5 Vt )vi + [5 Vt + 1/(2KR)]2 es > 0, basta verificar
que s 2
1 1
5 Vt + > vi2 2(5 Vt )vi + 5 Vt + .
2KR 2KR
Pero vi2 2(5 Vt )vi = vi [vi 2(5 Vt )], que, para 0 < vi 5 Vt , es < 0.
5) Calculando el lmite para R de (3.21) se obtiene, para 0 vi 5 Vt ,

q
lm vo = 5 Vt vi2 2(5 Vt )vi + (5 Vt )2
R
p
= 5 Vt [vi (5 Vt )]2
= 5 Vt [(5 Vt ) vi ] = vi .
La funcin de transferencia lmite para 5 Vt < vi 5 se obtiene evaluando el lmite anterior
en vi = 5 Vt , con el resultado lmR vo = 5 Vt , 5 Vt < vi 5.
Problema 54: Los MOSFETs del circuito de la figura son idnticos y tienen una Vt = 1 V.
Analice el circuito y demuestre que para 1 vi 3, vo = (vi + 5)/2. Sugerencia: suponga
que los dos MOSFETs trabajan en saturacin y determine los valores de vi para los que eso es
cierto y la relacin que hay entre vo y vi .
5V
Q2
vo
vi
Q1
Solucin: Sea K el parmetro de escala de corriente de los dos MOSFETs y denotemos con
los subndices 1 y 2 las tensiones, corrientes y parmetros Vt y K de, respectivamente, Q1 y
Q2. Supongamos Q1 y Q2 en saturacin. Dado que, por inspeccin, VGS 2 = VDS 2 , tenemos
VDS 2 < VGS 2 Vt2 = VGS 2 + 1, por lo que para determinar los valores de vi para los cuales Q1
y Q2 estn en saturacin bastar imponer VGS 1 Vt1 = 1, VDS 1 VGS 1 Vt1 = VGS 1 + 1
y VGS 2 Vy2 = 1. Por inspeccin, VGS 1 = vi vo y VGS 2 = vo 5. Con Q1 y Q2 en
saturacin, tenemos
ID1 = K1 (VGS 1 Vt1 )2 = K1 (vi vo + 1)2
e
ID2 = K2 (VGS 2 Vt2 )2 = K2 (vo 4)2 .
Imponiendo ID1 = ID2 , obtenemos, usando K1 = K2 ,
K1 (vi vo + 1)2 = K2 (vo 4)2 ,
vi vo + 1 2

= 1,
vo 4
vi vo + 1
= 1 .
vo 4
Consideremos primero el signo +. Se tiene
vi vo + 1 = v o 4 ,
103
vi + 5
vo = .
2
Imponiendo VGS1 1, se obtiene
vi vo 1 ,
vi + 5
vi 1 ,
2
vi 5
1 ,
2 2
vi 3 .
Imponiendo VDS 1 VGS 1 + 1, se obtiene, teniendo en cuenta VDS 1 = vo ,
vo vi vo + 1 ,
vi 1 .
Por ltimo, imponiendo VGS 2 1, se obtiene
vo 5 1 ,
vi + 5
5 1 ,
2
vi 5
1 ,
2 2
vi 3 .
As pues, para 1 vi 3, los dos MOSFETs estn en saturacin y vo = (vi + 5)/2.
Captulo 4
Problemas de Anlisis de
Amplificadores de Pequea Seal
Problema 55: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que la del BJT vale = 200 y que las
resistencias del circuito valen RS = 10 k, R1 = 10 k, RC = 500 , RE = 1 k y RL =
1 k. Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat =
0,2 V. Use VT = 25,9 mV.
5V
RC
R1
RS C1 vo
C3
+
vi R1 C2 RL
RE

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin. Ello permitir verificar que el

BJT est en estado activo y permitir calcular la componente de polarizacin de la corriente de
colector, IC , que es necesaria para determinar el valor del parmetro r del modelo de pequea
seal del BJT. El circuito de polarizacin es
5V
500
10 k
10 k
1 k
106 4 Problemas de Anlisis de Amplificadores de Pequea Seal
Determinemos el equivalente de Thvenin del dipolo formado por la fuente de tensin de valor
5 V y las dos resistencias de valor 10 k que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se
obtiene
10
Vth = 5 = 2,5 V ,
10 + 10
10
Rth = 10 k 10 = = 5 k .
2
Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin, obtenemos el circuito
5V
IC 500
5 k
2,5 V
1 k
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
5 k B C 500
5V
2,5 V IB 0,7 V 200IB IC
201IB 1 k
Hemos de verificar IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 2,5 V, la resistencia de valor 5 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
2,5 = 5IB + 0,7 + (1)(201IB ) ,
1,8 = 206IB ,
1,8
IB = = 0,008738 ,
206
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 500 , la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (0,5)(200IB ) + VCE + (1)(201IB ) ,
5 = VCE + 301IB ,
107
VCE = 5 301IB = 5 (301)(0,008738) = 2,37 ,

que es 0,2. As pues, en el circuito de polarizacin, el BJT est en estado activo. La componente
de polarizacin de la corriente de colector vale
IC = 200IB = (200)(0,008738) = 1,748 mA ,
y el parmetro r del modelo de pequea seal del BJT vale
VT (200)(0,0259)
r = = = 2,963 k .
IC 1,748
El condensador de capacidad C3 hace que la tensin en la salida del circuito vo tenga slo com-
ponente de pequea seal. La ganancia A = vo /vi puede ser, pues, determinada haciendo el
anlisis de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden
ser sustituidos por cortocircuitos en el circuito de pequea seal y ste es
RS ib B C
vo
+
vi R1 R1 r ib RC RL
E
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RC

y RL , por otro, obtenemos
R1 10
R1 k R1 = = = 5 k
2 2
y
RC RL (0,5)(1)
RC k RL = = = 0,3333 k ,
RC + RL 0,5 + 1
y utilizndolos obtenemos el circuito de pequea seal
i2 10 k ib B C
vo
+
vi 5 k i1 2,963 k 200 ib 0,3333 k

E
Para determinar la ganancia A = vo /vi , calculemos vi y vo en funcin de ib . Obtenemos
vb = 2,963 ib ,
vb 2,963 ib
i1 = = = 0,5926 ib ,
5 5
i2 = i1 + ib = 0,5926 ib + ib = 1,593 ib ,
vi = 10i2 + vb = (10)(1,593 ib ) + 2,963 ib = 18,89 ib , (4.1)
vo = (0,3333)(200 ib ) = 66,66 ib . (4.2)
Finalmente, combinando (4.1) y (4.2),
vo 66,66 ib
A= = = 3,529 .
vi 18,89 ib

resistencias del circuito valen RS = 10 k, R1 = 50 k, RC = 1 k, RE = 2 k y RL =
10 k. Para el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat =
0,2 V. Use VT = 25,9 mV.
5V
R1 RE C2
RS C1
C3
+ vo
vi R1 RC RL

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando qoe el BJT est

en estado activo y calculando la componente de polarizacin de la corriente de colector, IC , y el
parmetro r del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es
5V
50 k 2 k
50 k 1 k
5 V y las dos resistencias de valor 50 k que tiene como salidas la base del BJT y masa.
50
Vth = 5 = 2,5 V ,
50 + 50
50
Rth = 50 k 50 = = 25 k .
2
109

5V
2 k
25 k
IC
2,5 V
1 k
Comprobemos que el BJT est en estado activo y calculemos IC . Con el BJT en estado activo,
obtenemos el circuito
5V
2 k 201IB
0,7 V 200IB
25 k IB
IC C
B
2,5 V
1 k
Hemos de verificar IB 0 y VEC 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente
de tensin de valor 0,7 V, la resistencia de valor 25 k y la fuente de tensin de valor 2,5 V,
obteniendo
5 = (2)(201IB ) + 0,7 + 25IB + 2,5 ,
1,8 = 427IB ,
1,8
IB = = 0,004215 ,
427
que es 0. Para calcular VEC cononociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 5 V, la resistencia de valor 2 k, la fuente de corriente
controlada y la resistencia de valor 1 k, obteniendo
5 = (2)(201IB ) + VEC + (1)(200IB ) ,
5 = VEC + 602IB ,
VEC = 5 602IB = 5 (602)(0,004215) = 2,463 ,

que es 0,2. As pues, en el circuito de polarizacin el BJT est en estado activo, la componente
de polarizacin de la corriente de colector vale
IC = 200IB = (200)(0,004215) = 0,843 mA ,
y el parmetro r del circuito de pequea seal del BJT vale
VT (200)(0,0259)
r = = = 6,145 k .
IC 0,843
RS ib B C
vo
+
vi R1 R1 r ib RC RL
E
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RC

R1 50
R1 k R1 = = = 25 k
2 2
y
RC RL (1)(10)
RC k RL = = = 0,9091 k ,
RC + RL 1 + 10
i2 10 k ib B C
vo
+
vi 25 k i1 6,145 k 200 ib 0,9091 k

E
Para determinar la ganancia A = vo /vi , calculemos vi y vo en funcin de ib . Obtenemos
vb = 6,145 ib ,
vb 6,145 ib
i1 = = = 0,2458 ib ,
25 25
i2 = i1 ib = 0,2458 ib ib = 1,246 ib ,
vi = 10 i2 + vb = (10)(1,246 ib ) 6,145 ib = 18,61 ib , (4.3)
vo = (0,9091)(200 ib ) = 181,8 ib . (4.4)
111
vo 181,8 ib
A= = = 9,769 .
vi 18,61 ib

resistencias del circuito valen RS = 100 k, R1 = 1 M, RE = 10 k y RL = 10 k. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , VBE0 = 0,7 V y VCE ,sat = 0,2 V. Use
VT = 25,9 mV.
10 V
R1
RS C1
C2
+ vo
vi R1
RE RL

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el BJT est

parmetro r del modelo de pequea seal del BJT. El circuito de polarizacin es
10 V
1 M
1 M
10 k
10 V y las resistencias de valor 1 M que tiene como salidas la base del BJT y masa. Se obtiene
1 M
Vth = 10 = 5 V ,
1 M + 1 M
1 M
Rth = 1 M k 1 M = = 500 k .
2

10 V
IC
500 k
5V
10 k
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito

500 k B
IC
C
10 V
5V IB 0,7 V 100IB
101IB 10 k
Hemos de verificar IB 0 y VCE 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
5 = 500IB + 0,7 + (10)(101IB ) ,
4,3 = 1.510IB ,
4,3
IB = = 0,002848 ,
1.510
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la fuente de corriente controlada y la resistencia
de valor 10 k, obteniendo
10 = VCE + (10)(101IB ) ,
10 = VCE + 1.010IB ,
VCE = 10 1.010IB = 10 (1.010)(0,002848) = 7,124 ,

que es 0,2. La componente de polarizacin de la corriente de colector vale
IC = 100IB = (100)(0,002848) = 0,2848 mA ,
VT (100)(0,0259)
r = = = 9,094 k .
IC 0,2848
113
RS B ib C
+
vi r ib
R1 R1

E
vo
RE RL
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R1 , por un lado, y RE

R1 1 M
R1 k R1 = = = 500 k
2 2
y
RE RL (10)(10)
RE k RL = = = 5 k ,
RE + RL 10 + 10
100 k B ib C
+
vi i2
i1 500 k 9,094 k 100 ib

E
vo
101 ib 5 k
Para calcular la ganancia A = vo /vi , calcularemos vi y vo en funcin de ib . Obtenemos
vb = 9,094 ib + 5(101 ib ) = 514,1 ib ,
vb 514,1 ib
i1 = = = 1,028 ib ,
500 500
i2 = i1 + ib = 1,028 ib + ib = 2,028 ib ,
vi = vb + 100 i2 = 514,1 ib + (100)(2,028 ib ) = 716,9 ib , (4.5)
vo = (5)(101 ib ) = 505 ib . (4.6)

vo 505 ib
A= = = 0,7044 .
vi 716,9 ib

resistencias del circuito valen RS = 200 k, RB = 500 k, RE = 10 k y RL = 20 k. Para
el BJT use el modelo lineal a tramos con parmetros , VEB0 = 0,7 V y VEC ,sat = 0,2 V. Use
VT = 25,9 mV.
10 V
RE C2
RS C1 vo
+ RL
vi RB

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el BJT est

parmetro r del modelo de peque seal del BJT. El circuito de polarizacin es
10 V
10 k
500 k IC
Con el BJT en estado activo, obtenemos el circuito

10 V
101IB 10 k
0,7 V 100IB
IB B C IC
500 k
115
Hemos de verificar IB 0 y VEC 0,2. Para calcular IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff
10 = (10)(101IB ) + 0,7 + 500IB ,
1.510IB = 9,3 ,
9,3
IB = = 0,006159 ,
1.510
que es 0. Para calcular VEC conociendo IB , aplicamos la segunda ley de Kirchoff a la malla
formada por la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 10 k y la fuente de
corriente controlada, obteniendo
10 = (10)(101IB ) + VEC ,
10 = 1.010IB + VEC ,
VEC = 10 1.010IB = 10 (1.010)(0,006159) = 3,779 ,
que es 0,2. El BJT est, pues, en estado activo, la componente de polarizacin de la corriente
de colector vale
IC = 100IB = (100)(0,006159) = 0,6159 mA ,
VT (100)(0,0259)
r = = = 4,205 k .
IC 0,6159
RS ib B C
+
vi RB r ib

E
vo
RE RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RE y RL , obtenemos
RE RL (10)(20)
RE k RL = = = 6,667 k ,
RE + RL 10 + 20
y utilizndolo obtenemos el circuito de pequea seal
200 k B ib C
+
vi i2 100 ib
i1 500 k 4,205 k

E
vo
101ib 6,667 k
Para calcular la ganancia A = vo /vi , calcularemos vi y vo en funcin de ib . Obtenemos

vb = 4,205 ib (6,667)(101 ib ) = 677,6 ib ,
vb 677,6 ib
i1 = = = 1,355 ib ,
500 500
i2 = i1 ib = 1,355 ib ib = 2,355 ib ,
vi = 200 i2 + vb = (200)(2,355 ib ) 677,6 ib = 1.149 ib , (4.7)
vo = (6,667)(101 ib ) = 673,4 ib . (4.8)
vo 673,4 ib
A= = = 0,5856 .
vi 1.149 ib
Problema 59: Suponiendo que los BJTs trabajan en el estado activo y que las frecuencias de
las tensiones v1 y v2 son suficientemente grandes, analice el circuito de la figura y exprese vo
en funcin de v1 , v2 , los parmetros r y de los modelos de pequea seal de los BJTs y las
resistencias del circuito.
Vcc
RC C3
vo
RL
R1 R1
RS C1 C1 RS
+ +
v1 R1 C2 C2 R1 v2
RE RE
Solucin: El condensador de capacidad C3 hace que la tensin de salida vo tenga slo compo-
nente de pequea seal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser
117
sustituidas por cortocircuitos y, con
RC RL
RC = RC k RL = , (4.9)
RC + RL
el circuito de pequea seal es
(ib1 + ib2 )
vo
RC
i1 RS ib1 ib2 RS
B1 C1 C2 B2
+ +
v1 i1 R1 /2 r ib1 ib2 r R1 /2 v2

E1 E2
Para analizar el circuito, empezaremos calculando ib1 en funcin de v1 . Para ello, lo ms fcil es
calcular v1 en funcin de ib1 e invertir la relacin.
vb1 = r ib1 ,
vb1 r ib1 2r
i1 = = = ib1 ,
R1 /2 R1 /2 R1

2r 2r R1 + 2r
i1 = i1 + ib1 = ib1 + ib1 = 1 + ib1 = ib1 ,
R1 R1 R1

R1 + 2r R1 + 2r
v1 = RS i1 + vb1 = RS ib1 + r ib1 = RS + r ib1 ,
R1 R1
v1
ib1 = . (4.10)
R1 + 2r
RS + r
R1
Por simetra,
v2
ib2 = . (4.11)
R1 + 2r
RS + r
R1
Finalmente,

vo = RC (ib1 + ib2 ) ,
y, usando (4.9), (4.10) y (4.11),
RC RL
RC + RL
vo = (v1 + v2 ) .
R1 + 2r
RS + r
R1
Problema 60: Analice el circuito de la figura y determine la ganancia de tensin A = vo /vi para
frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parmetros Vt y K del MOSFET valen
Vt = 1 V y K = 50 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 k, R1 = 300 k,
R2 = 500 k, RD = 2 k, RS = 1 k y RL = 1 k.
10 V
RD
R2
RI C1 vo
C2
+
R1 RL
vi RS

Solucin: Empezaremos realizando el anlisis de polarizacin, comprobando que el MOSFET

trabaja en la zona saturacin y calculando la componente de polarizacin de la corriente de
drenador, ID , lo cual permitir calcular el valor del parmetro gm del modelo de pequea seal
del MOSFET. El circuito de polarizacin es
10 V
2 k
500 k
ID
300 k
1 k
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturacin. Se ha de verificar VGS Vt = 1 y VDS

VGS Vt = VGS 1. Teniendo en cuenta que la corriente por la puerta del MOSFET es nula,
la fuente de tensin de valor 10 V, la resistencia de valor 500 k y la resistencia de valor 300 k
forman un divisor de tensin, y la tensin de puerta, VG , resulta valer
300
VG = 10 = 3,75 .
300 + 500
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la resistencia de valor 300 k, el
MOSFET y la resistencia de valor 1 k, obtenemos
3,75 = VGS + (1)ID = VGS + ID .
Por otro lado, con el MOSFET en saturacin,
ID = K(VGS Vt )2 = 50(VGS 1)2 , (4.12)
que, combinada con la ecuacin anterior, da la ecuacin de segundo grado en VGS
3,75 = VGS + 50(VGS 1)2 = 50VGS
2
99VGS + 50 ,
119
2
50VGS 99VGS + 46,25 = 0 ,
cuyas soluciones son VGS = 1,225 y VGS = 0,7553. Slo la solucin VGS = 1,225 verifica
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS 1 = 1,225 1 = 0,225. De (4.12),
ID = 50(1,225 1)2 = 2,531 .
Calculemos la tensin de fuente, VS , y la tensin de drenador, VD :
VS = (1)ID = 2,531 ,
VD = 10 2ID = 10 (2)(2,531) = 4,938 .
Resulta
VDS = VD VS = 4,938 2,531 = 2,407 ,
que es 0,225. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 2,531 mA. El parmetro gm

del modelo de pequea seal del MOSFET resulta valer
p p
gm = 2 KID = 2 (50)(2,531) = 22,5 mA/V .
El condensador de capacidad C2 hace que la tensin vo tenga slo componente de pequea se-
al. As pues, la ganancia A = vo /vi puede ser calculada analizando el circuito de pequea
seal. Para frecuencias suficientemente grandes, los condensadores pueden ser sustituidos por
cortocircuitos y el circuito de pequea seal resulta ser
RI G D
vo
+
vi R1 R2 gm vgs RD RL

S
RS
Calculando los equivalentes de las resistencias en paralelo de valores R1 y R2 , por un lado, y RD

R1 R2 (300)(500)
R1 k R2 = = = 187,5 k ,
R1 + R2 300 + 500
RD RL (2)(1)
RD k RL = = = 0,6667 k ,
RD + RL 2+1

10 k G D
vo
+
vi 187,5 k 22,5 vgs 0,6667 k

S
1 k
Calculemos vgs en funcin de vi . Obtenemos

187,5
vg = vi = 0,9494 vi ,
10 + 187,5
vs = (1)(22,5 vgs ) = 22,5 vgs ,
vgs = vg vs = 0,9494 vi 22,5 vgs ,
23,5 vgs = 0,9494 vi ,
0,9494 vi
vgs = = 0,0404 vi .
23,5
Finalmente,
vo = (0,6667)(22,5 vgs ) = (0,6667)(22,5)(0,0404 vi ) = 0,606 vi ,
y
vo
A= = 0,606 .
vi
Vt = 1 V y K = 1 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 10 k, RG = 500 k,
RS = 20 k y RL = 1 k.
5V
RG
RI C1
C2
+ vo
vi
RS RL


trabaja en la zona saturacin y calculando la componente de polarizacin de la corriente de drena-
121
dor, ID , y el parmetro gm del modelo de pequea seal del MOSFET. El circuito de polarizacin
es
5V
ID
500 k
20 k

VGS Vt = VGS 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de puerta
vale VG = 5. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = VGS + 20ID ,
por otro lado, con el MOSFET en saturacin,
ID = K(VGS Vt )2 = (VGS 1)2 . (4.13)
Combinndola con la anterior, obtenemos la ecuacin de segundo grado en VGS ,
5 = VGS + 20(VGS 1)2 = 20VGS

2
39VGS + 20 ,
2
20VGS 39VGS + 15 = 0 ,
obtenemos
ID = (1,423 1)2 = 0,179 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
5 = VDS + 20 ID ,
de donde,
VDS = 5 20 ID = 5 (20)(0,179) = 1,42 ,
que es 0,423. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 0,179 mA. El parmetro gm
del modelo de pequea seal del MOSFET vale
p p
gm = 2 KID = 2 (1)(0,179) = 0,846 mA/V .
RI G D
+
RG gm vgs
vi

S
vo
RS RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RS y RL , obtenemos
RS RL (20)(1)
RS k RL = = = 0,9524 k ,
RS + RL 20 + 1

10 k G D
+
500 k 0,846 vgs
vi

S
vo
0,9524 k
500
vg = vi = 0,9804 vi ,
10 + 500
vs = (0,9524)(0,846 vgs ) = 0,8057 vgs ,
vgs = vg vs = 0,9804 vi 0,8057 vgs ,
1,806 vgs = 0,9804 vi ,

0,9804 vi
vgs = = 0,5429 vi .
1,806
Finalmente,
vo = vs = 0,8057 vgs = (0,8057)(0,5429 vi ) = 0,4374 vi ,
y
vo
A= = 0,4374 .
vi
123

para frecuencias suficientemente grandes sabiendo que los parmetros Vt y K del MOSFET
valen Vt = 1 V y K = 10 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 100 k,
R1 = 500 k, R2 = 2 M, RS = 50 k y RL = 10 k.
5V
R1
RI C1
C2
+ vo
vi R2 RS RL


es
5V
ID
500 k
2 M 50 k
5 V, la resistencia de valor 500 k y la resistencia de valor 2 M que tiene como salidas la puerta
del MOSFET y masa. Se obtiene
2.000
Vth = 5 = 4V
500 + 2.000
y
(500)(2.000)
Rth = 500 k 2.000 = = 400 k .
500 + 2.000
5V
ID
400 k
4V
50 k

VGS Vt = VGS 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de puerta
vale VG = 4 V. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin
de valor 4 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
4 = VGS + 50ID ,
ID = K(VGS Vt )2 = 10(VGS 1)2 . (4.14)
4 = VGS + 500(VGS 1)2 = 500VGS
2
999VGS + 500 ,
2
500VGS 999VGS + 496 = 0 ,
obtenemos
ID = (10)(1,076 1)2 = 0,05776 .
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor 5 V, el
5 = VDS + 50ID ,
de donde,
VDS = 5 50ID = 5 (50)(0,05776) = 2,112 ,
que es 0,076. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 0,05776 mA. El parmetro
gm del modelo de pequea seal del MOSFET vale
p p
gm = 2 KID = 2 (10)(0,05776) = 1,52 mA/V .
RI G D
+
R1 R2 gm vgs
vi

S
vo
RS RL
Calculando los equivalente de las resistencias en paralelo de valores R1 y R2 , por un lado, y RS

R1 R2 (500)(2.000)
R1 k R2 = = = 400 k ,
R1 + R2 500 + 2.000
125
RS RL (50)(10)
RS k RL = = = 8,333 k ,
RS + RL 50 + 10
100 k G D
+
400 k 1,52vgs
vi

S
vo
8,333 k

400
vg = vi = 0,8 vi ,
100 + 400
vs = (8,333)(1,52 vgs ) = 12,67 vgs ,
vgs = vg vs = 0,8 vi 12,67 vgs ,
13,67 vgs = 0,8 vi ,
0,8 vi
vgs = = 0,05852 vi .
13,67
Finalmente,
vo = vs = 12,67 vgs = (12,67)(0,05852 vi ) = 0,7414 vi ,
y
vo
A= = 0,7414 .
vi
Vt = 1 V y K = 5 mA/V2 y que las resistencias del circuito valen RI = 50 k, RG = 1 M,
RS = 20 k y RL = 10 k.
5V
RS C2
RI C1 vo
+ RL
vi RG



es
5V
20 k
1 M
ID
Supongamos que el MOSFET trabaja en saturacin. Se ha de verificar VGS Vt = 1 y

VDS VGS Vt = VGS + 1. Siendo nula la corriente por la puerta del MOSFET, la tensin de
puerta vale VG = 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de
tensin de valor 5 V, las dos resistencias y el MOSFET, obtenemos
5 = 20ID VGS ,
ID = K(VGS Vt )2 = 5(VGS + 1)2 . (4.15)
5 = 100(VGS + 1)2 VGS = 100VGS

2
+ 199VGS + 100 ,
2
100VGS + 199VGS + 95 = 0 ,
VGS 1. Retengmosla y verifiquemos VDS VGS + 1 = 1,195 + 1 = 0,195. De (4.15),
obtenemos
ID = (5)(1,195 + 1)2 = 0,1901 .
resistencia de valor 20 k y el MOSFET, obtenemos
5 = 20ID VDS ,
de donde,
VDS = 5 + 20 ID = 5 + (20)(0,1901) = 1,198 ,
que es 0,195. As pues, el MOSFET trabaja en saturacin e ID = 0,1901 mA. El parmetro
gm del modelo de pequea seal del MOSFET vale
p p
gm = 2 KID = 2 (5)(0,1901) = 1,95 mA/V .
127
RI G D
+
RG gm vgs
vi

S
vo
RS RL
Calculando el equivalente de las resistencias en paralelo de valores RS y RL , obtenemos
RS RL (20)(10)
RS k RL = = = 6,667 k ,
RS + RL 20 + 10

50 k G D
+
1 M 1,95 vgs
vi

S
vo
6,667 k
1.000
vg = vi = 0,9524 vi ,
50 + 1.000
vs = (6,667)(1,95 vgs ) = 13 vgs ,
vgs = vg vs = 0,9524 vi 13 vgs ,
14 vgs = 0,9524 vi ,
0,9524 vi
vgs = = 0,06803 vi .
14
Finalmente,
vo = vs = 13 vgs = (13)(0,06803 vi ) = 0,8844 vi ,
y
vo
A= = 0,8844 .
vi
Problema 64: Suponiendo que el MOSFET trabaja en la zona saturacin, analice el circuito
de la figura y, para frecuencias suficientemente grandes, exprese vo en funcin de v1 , v2 , el
parmetro gm del modelo de pequea seal del MOSFET y las resistencias del circuito.
VDD
RI C1 RD
C3
+ R2 vo
v1
RL
RI C1
R1
+ RS C2
v2

Solucin: El condensador de capacidad C3 hace que la tensin de salida vo tenga slo compo-
nente de pequea seal, por lo que vo puede ser determinada analizando el circuito de pequea
seal. Para frecuencias suficientemente grandes, las capacidades pueden ser sustituidas por cor-
tocircuitos en el circuito de pequea seal y, con R = R1 k R2 y RL
= R k R , ste es
D L
RI
+
v1 G D
vo
RI
R gm vgs RL
+
v2 S

Aplicando el principio de superposicin, la tensin vg vale vg = vg1 + vg2 , donde vg1 es la

componente debida a v1 y vg2 es la componente debida a v2 . Con R = RI k R = RI k R1 k R2 ,
vg1 puede ser evaluada analizando el circuito
RI
vg1
+
v1 R

Obtenemos
R
vg1 = v1 .
RI + R
129
Por simetra,
R
vg2 = v2 ,
RI + R
y
R
vg = (v1 + v2 ) .
RI + R
Finalmente,
R 1
vo = RL gm vgs = RL gm vg = RL gm (v1 +v2 ) = RL gm (v1 +v2 ) ,
RI + R 1 + RI /R
y, usando
1 1 1 1
= + +
R RI R1 R2
y
RD RL
RL = ,
RD + RL
RD RL 1
vo = gm (v1 + v2 ) .
RD + RL 2 + RI /R1 + RI /R2
Captulo 5

Amplificadores Operacionales
Problema 65: Sabiendo que el amplificador operacional tiene tensiones de saturacin 10 V y

10 V, determine la funcin de transferencia vo = F (vi ) del circuito de la figura para 5 V
vi 5 V. A continuacin, suponiendo que vi es una tensin senoidal de amplitud 3 V, determine
la potencia media entregada a la resistencia de carga RL para RL = 2 k.
1 k 5 k

vo
vi +
RL
Solucin: El amplificador operacional est realimentado negativamente y, por tanto, suponiendo

10 vo 10, el amplificador operacional trabajar en la zona lineal. El circuito es un ampli-
ficador no inversor y, con el amplificador operacional trabajando en la zona lineal, se tendr
vo 5
= 1 + = 6,
vi 1
vo = 6vi .
Imponiendo 10 vo 10, obtenemos 10 6 vi 10, 1,667 vi 1,667. Para
vi > 1,67, el amplificador operacional estar saturado positivamente y vo = 10. Para compro-
barlo, hemos de verificar que v+ > v , donde v+ es la tensin en la entrada no inversora del
amplificador operacional y v es la tensin en la entrada inversora del amplificador operacio-
nal. Por inspeccin, v+ = vi y, usando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del
amplificador operacional es nula, obtenemos
1 10
v = vo = = 1,667 ,
1+5 6
132 5 Problemas de Anlisis de Circuitos con Amplificadores Operacionales
y v+ > v para vi > 1,667. Para vi < 1,667, el amplificador operacional estar saturado nega-
tivamente y vo = 10. Para comprobarlo, hemos de verificar que v+ < v . Por inspeccin, v+ =
vi y, usando el hecho de que la corrientes por la entrada inversora del amplificador operacional
es nula, obtenemos
1 10
v = vo = = 1,667 ,
1+5 6
y v+ < v para vi < 1,667. La siguiente figura muestra la funcin de transferencia vo = F (vi )
vo
10
1,667
1,667 vi
10
La potencia media entregada a la carga vale

2
Vo,ef
P = ,
RL
donde Vo,ef es el valor eficaz de la tensin de salida vo . Siendo T el periodo de vi , se tiene

t
vi (t) = 3 sen 2 .
T
La tensin vo (t) tambin tendr periodo T . La siguiente figura representa vi (t) y vo (t) usando la
variable = 2t/T .
vo
10
vi
3
1,667
2

1,667
3
10
Determinemos :
1,667 = 3 sen() , 0 < < /2 ,
133

1,667
= arc sen = arc sen(0,5557) = 0,5892 rad .
3
2 vale
Vo,ef
T
1
Z
2
Vo,ef = vo2 (t) dt .
T 0
Dadas las simteras de vo2 (t), tenemos
T /4
1
Z
2
Vo,ef = vo2 (t) dt . (5.1)
T /4 0
En el intervalo [0, T /4], vo (t) vale

t t
6 vi (t) = 18 sen 2 , 0 2

vo (t) = T T
t
10 , 2 .

T 2
Haciendo el cambio de variable = 2t/T en (5.1), obtenemos
Z /2 "Z #
Z /2
2 1 2 1 2 2
Vo,ef = vo () d = (18 sen ) d + 10 d
/2 0 /2 0
" Z Z /2 #
1
= 324 sen2 d + 100 d
/2 0
( )
sen(2)

1
= 324 + 100
/2 2 4 0 2
1
= (62 81 sen(2) + 50) ,
/2
y, usando = 0,5892 rad,
2
Vo,ef = 75,61 V2 ,
obtenindose
2
Vo,ef 75,61 V2 75,61
P = = = W = 0,03781 W = 37,81 mW .
RL 2.000 2.000
Problema 66: Suponiendo que vo est comprendida entre la tensiones de saturacin del ampli-
ficador operacional, analice el circuito de la figura y determine vo en funcin de v1 , v2 y las
resistencias R1 , R2 , R y R . Se escoge R = R1 = 1 k. Qu valores debern tener R2 y R
para que vo = 4v1 + v2 ?
R R
R1
v1
vo
R2 +
v2
Solucin: Usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
operacional es nula, es posible calcular la tensin de dicha entrada, v+ , analizando el circuito

v+
R1 R2
+
v1 + v
2
Aplicando el principio de superposicin, obtenemos
R2 R1
v+ = v1 + v2 ,
R1 + R2 R1 + R2
y, considerando que desde la entrada no inversora a la salida el circuito es un amplificador no

inversor,

R R R2 R R1
vo = 1+ v+ = 1+ v1 + 1 + v2 .
R R R1 + R2 R R1 + R2
Con R = R1 = 1 k,
R2 1
vo = (1 + R ) v1 + (1 + R ) v2 .
R2 + 1 R2 + 1
Identificando coeficientes, obtenemos el sistema de dos ecuaciones
R2
(1 + R ) =4
R2 + 1
1
(1 + R ) = 1.
R2 + 1
Dividindolas, obtenemos R2 = 4 k. Sustituyendo dicho valor en la segunda ecuacin, obtene-

mos
1
(1 + R ) = 1 ,
5
1 + R = 5 ,
R = 4 k .
Problema 67: Analice el circuito de la figura y, suponiendo que las tensiones en las salidas de
los dos amplificadores operacionales estn comprendidas entre las tensiones de saturacin, de-
termine el valor de vo en funcin de vi . Suponga ahora que los dos amplificadores operacionales
tienen tensiones de saturacin V y V , donde V > 0. De qu valores habr que escoger R2 /R1
135
y R4 /R3 para que vo = 3vi para el mayor rango de valores posible para vi ?
R1 R2

+
+
R3 R4
vo
vi +

+
Solucin: Llamemos vo1 a la tensin en la salida del amplificador operacional superior y vo2 a
la tensin en la salida del amplificador operacional inferior. De vi a vo1 tenemos un amplificador
inversor y de vi a vo2 tenemos un amplificador no inversor. Entonces, suponiendo que vo1 y
vo2 estn comprendidas entre las tensiones de saturacin de los amplificadores operacionales
respectivos, tendremos
R2
vo1 = 1 + vi ,
R1
R4
vo2 = ,
R3
y
R2 R4
vo = vo1 vo2 = 1+ + vi .
R1 R3
Para que vo = 3vi , R2 /R1 y R4 /R3 debern satisfacer
R2 R4
1+ + = 3,
R1 R3
R2 R4
+ = 2. (5.2)
R1 R3
Para que el amplificador operacional superior no se sature, vi deber satisfacer

R2
1+ |vi | V ,
R1
V
|vi | .
1 + R2 /R1
Para que el amplificador operacional inferior no se sature, vi deber satisfacer
R4
|vi | V ,
R3
V
|vi | .
R4 /R3
Por tanto, para que vo = 3vi , vi deber satisfacer

V V 1 1
|vi | mn , = V mn , ,
1 + R2 /R1 R4 /R3 1 + R2 /R1 R4 /R3
y el rango de valores para vi para los cuales vo = 3vi ser [VI , VI ], con

1 1
VI = V mn , .
1 + R2 /R1 R4 /R3
Dicho rango se maximiza maximizando VI . As pues, se trata de localizar el mximo de VI sujeto
a lad restricciones R2 /R1 0, R4 /R3 0 y (5.2). Con x = R2 /R1 , se trata de localizar el
mximo de
1 1
mn ,
1+x 2x
en el intervalo para x, [0, 2]. La funcin 1/(1 + x) es decreciente con x y vara en el intervalo
entre 1 y 1/3. La funcin 1/(2 x) es creciente con x y vara en el intervalo entre 1/2 e . El
mximo se encuentra pues en el x que verifica
1 1
= ,
1+x 2x
2 x = 1 + x,
1 = 2x ,
1
x= .
2
As pues, el rango de valores de vi para los cuales vo = 3vi se maximiza para R2 /R1 = 1/2 y
R4 /R3 = 2 R2 /R1 = 2 1/2 = 3/2.
Problema 68: Analice el circuito de la figura suponiendo R > 0 y a) demuestre que la reali-
mentacin es negativa; b) suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal,
demuestre que i = vi /R; c) con R = 5 k y RL = 1 k, obtenga el intervalo para vi en el
cual i(mA) = vi (V)/5 sabiendo que las tensiones de saturacin del amplificador operacional
son 10 V y 10 V.
10 k 10 k

+
R R
vi
i RL
Solucin: a) Sea vo la tensin en la salida del amplificador operacional. Utilizando el hecho

de que las corrientes por las entradas del amplificador operacional son nulas, obtenemos que la
137
tensin de la entrada inversora vale

10 vo
v = vo =
10 + 10 2
y que la tensin de la entrada no inversora, v+ , puede ser evaluada en funcin de vi y vo anali-
zando el circuito
v+
R R
+
vi RL + v
o
Utilizando el principio de superposicin para analizar este ltimo circuito obtenemos, con R =
R k RL = RRL /(R + RL ),
R R
v+ = v i + v o = v i + vo ,
R + R R + R
RRL
R R + RL RRL 1
= = = < .
R +R RRL 2RRL + R2 2
+R
R + RL
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, las ecuaciones obtenidas para
v y v+ en funcin de vi y vo conducen al diagrama de bloques
1/2

A
+
+
vi
+

que puede ser reducido a
1/2

vi A
+
Siendo < 1/2, 1/2 > 0, y la realimentacin es negativa.

b) Analizaremos el circuito usando el hecho de que las corrientes por las entradas del amplificador
operacional son nulas y usando el teorema del cortocircuito virtual. Sean i1 e i2 las corrientes y
sea vo la tensin indicadas en la figura
10 k 10 k

vo
+
R R
vi
i2 i1
i RL
Utilizando el hecho de que la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional es
nula, la tensin en dicha entrada vale
10 vo
v = vo = .
10 + 10 2
Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la entrada no inversora vale
vo
v+ = v = .
2
La corriente i1 resulta, por tanto, valer
vo v+ vo vo /2 vo
i1 = = =
R R 2R
y la corriente i2
v+ vi vo /2 vi vo vi
i2 = = = .
R R 2R R
Finalmente, aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo donde se conectan las dos resisten-
cias R y la resistencia RL , teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del
amplificador operacional es nula,
i1 = i2 + i ,
vi
i = i1 i2 = .
R
c) Obtengamos una expresin para la tensin en la salida del amplificador operacional, vo , en

funcin de vi . Utilizando la ley de Ohm y la relacin entre i y vi ,
RL
v+ = RL i = vi .
R
Tal y como se ha visto en b),
vo
v+ = .
2
Combinndolas obtenemos
RL
vo = 2 v+ = 2 vi .
R
139
Para R = 5 k y RL = 1 k,
2
vo = vi = 0,4 vi .
5
La relacin entre i y vi se ha obtenido suponiendo que el amplificador trabajaba en la zona lineal.

Siendo la realimentacin negativa, la nica condicin a imponer es 10 vo 10. Ello conduce
a 10 0,4 vi 10 y a 25 vi 25. As pues, el intervalo para vi es [25, 25].
Problema 69: Analice el circuito de la figura y, suponiendo que el amplificador operacional

trabaja en la zona lineal, demuestre que i = (R2 /R1 )(vi /RL ). Suponga, a continuacin, R1 =
1 k y R2 = 5 k y que las tensiones de saturacin del amplificador operacional valen 5 V y
10 V. Entre qu valores podr variar vi de modo que i = 5vi /RL ?
R1 R2

+
RL
vi
i
Solucin: De la entrada no inversora a la salida del amplificador operacional, el circuito es un

amplificador no inversor. As pues, llamando vo a la tensin de salida del amplificador operacio-
nal, se tendr

R2
vo = 1+ vi . (5.3)
R1
Finalmente, aplicando la ley de Ohm,
vo vi (1 + R2 /R1 )vi vi R2 vi
i= = = .
RL RL R1 RL
Con R1 = 1 k y R2 = 5 k, de (5.3), obtenemos vo = 6 vi . La realimentacin es negativa y la

nica condicin necesaria para que la relacin entre vi e i obtenida anteriormente sea vlida es
5 vo 10. Imponindola, obtenemos 5 6 vi 10, 0,8333 vi 1,667. As pues, vi
podr variar entre 0,8333 V y 1,667 V.
Problema 70: Suponiendo que el diodo es ideal y que las tensiones de saturacin positiva y
negativa del amplificador operacional son suficientemente grandes en valor absoluto, analice el
circuito de la figura y determine la funcin de transferencia vo = F (vi ). Cunto valdr el valor
medio de la tensin vo cuando vi sea una tensin senoidal de amplitud 5 V?

R R

vo
vi +
Solucin: Para vi 0, el amplificador operacional trabaja en la zona lineal y el diodo est en

ON. En efecto, sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON, obtenemos
el circuito
R R
i
A K
vo
vi +
Dicho circuito es un amplificador no inversor y

R
vo = 1+ vi = 2 vi .
R
nicamente se ha de verificar que la corriente directas por el diodo, i, es 0. Aplicando el

teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la entrada inversora, v , vale v = vi . Aplicando
la ley de Ohm,
vo v 2vi vi vi
i= = = ,
R R R
y la condicin i 0 se cumple para vi 0. Para vi < 0, el amplificador operacional est

saturado negativamente y el diodo est en OFF. En efecto, sustituyendo el diodo por el circuito
equivalente a su estado, obtenemos el circuito
R R
i
A K
vo
vi +
Siendo nula la corriente por la entrada inversora del amplificador operacional, la corriente i ser
nula y la tensin de la entrada inversora, v , valdr v = Ri = 0, que, para vi < 0, es > v+ = vi ,
verificando que el amplificador operacional est saturado negativamente. La tensin vo valdr
v + Ri = 0 y la tensin nodo-ctodo del diodo ser negativa, verificando que el diodo est en
141
estado OFF. La funcin de transferencia vo = F (vi ) resulta ser
vo
vo = 2vi
vi
Sea T el periodo de la tensin senoidal vi (t). La tensin vo (t) tambin tendr periodo T y valdr
en [0, T ]

t t

2 vi (t) = 10 sen 2
, 0 2
vo (t) = T T
0, 2 t 2 .

T
El valor medio de la tensin vo (t) valdr
T T /2
1 1 t
Z Z
Vo = vo (t) dt = 10 sen 2 dt ,
T 0 T 0 T
y, haciendo el cambio de variable = 2(t/T ),

1 10 10 10 10
Z Z
Vo = 10 sen d = sen d = [ cos ]0 = (1 + 1) = = 3,18 V .
2 0 2 0 2 2
Problema 71: Analice el circuito de la figura y a) demuestre que la realimentacin es negativa;

b) suponiendo que el amplificador trabaja en la zona lineal, determine vo /vi .
R R R
R R
R
vi
vo
+
Solucin: a) Calculemos la tensin de la entrada inversora del amplificador operacional, v , en

funcin de vi y vo . Hay que analizar el circuito

v
R R R R
+
vi R R +
vo
Lo haremos aplicando el principio de superposicin. Tenemos v = v1 + v2 , donde v1 es la

componente debida a vi y v2 es la componente debida a vo . La tensin v1 puede ser calculada
analizando el circuito
v1
R R R R
vi + R R

La resistencia vista a la derecha de v1 vale
R = R + R k (R + R k R) = R + R k (R + R/2) = R + R k 3R/2
3 2
R 3 8
= R+ 2 = R + R = R,
3 5 5
R+ R
2
y
8
v1 R R 8
= = 5 = ,
vi R + R 8 13
R+ R
5
obtenindose v1 = (8/13)vi . Para calcular v2 debemos analizar el circuito
v2 v3 v4
R R R
R i1 i2 R i3 i R i5 +
vo
4
El anlisis se puede realizar fcilmente aplicando la ley de Ohm y la segunda ley de Kirchoff a
nodos apropiados
v2
i1 = ,
R
v3 = 2Ri1 = 2v2 ,
v3 2v2
i2 = = ,
R R
143
v2 2v2 3v2
i3 = i1 + i2 = + = ,
R R R
v4 = v3 + Ri3 = 2v2 + 3v2 = 5v2 ,
v4 5v2
i4 = = ,
R R
3v2 5v2 8v2

i5 = i3 + i4 = + = ,
R R R
vo = v4 + Ri5 = 5v2 + 8v2 = 13 v2 ,
obtenindose v2 = vo /13. La tensin v vale, por tanto,
8 vo
v = v1 + v2 = vi + .
13 13
Llamando A a la ganancia diferencial del amplificador operacional, el circuito puede ser repre-
sentado por el diagrama de bloques
1/13

vi 8/13 A vo

que puede ser transformado en
1/13

vi 8/13 A vo
+
demostrando que la realimentacin es negativa.
b) Usando el hecho de que la ganancia de un amplificador con ganancia infinita realimentado

negativamente con ganancia es 1/, del ltimo diagrama de bloques obtenido en a), se deduce

vo 8
= 13 = 8 .
vi 13
Problema 72: Suponiendo que los dos amplificadores operacionales trabajan en la zona lineal,
analice el circuito de la figura y demuestre que i = vi /R. Suponga, a continuacin, que las
tensiones de saturacin de los amplificadores operacionales son 10 V y 10 V. Para qu valores
de vi se cumplir i = vi /R?
R1
R1

vi +
R1 R1
+ R

+
i RL
Solucin: El circuito formado por el amplificador operacional de la izquierda y las cuatro re-
sistencias R1 es un amplificador diferencial bsico. Por tanto, siendo vo la tensin diferencial
indicada en la siguiente figura
R1
R1

vi + +
R1 R1 vo i1
+ R

+
i RL
se tendr vo = (R1 /R1 )vi = vi . Siendo i1 la corriente indicada en la figura anterior y, aplicando
el teorema del cortocircuito virtual al amplificador operacional de la derecha y la ley de Ohm, se
tendr
vo vi
i1 = = .
R R
Por ltimo, usando el hecho de que la corriente por la entrada no inversora del amplificador
operacional de la derecha es nula, se tendr
vi
i = i1 = .
R
Los dos amplificadores operacionales estn realimentados negativamente y el anlisis efectuado
anteriormente, que depende del trabajo de ambos amplificadores operacionales en la zona lineal,
ser vlido con las nicas condiciones de que las tensiones en las salidas de los amplificadores
operacionales estn comprendidas entre las tensiones de saturacin. Llamando vo1 a la tensin
de la salida del amplificador operacional de la izquierda y llamando vo2 a la tensin de la salida
145
del amplificador operacional de la derecha, se deber cumplir 10 vo1 10 y 10 vo2

10. Calculemos, pues, vo1 y vo2 en funcin de vi y los valores de las resistencias del circuito,
suponiendo que ambos amplificadores operacionales trabajan en la zona lineal. Aplicando el
teorema del cortocircuito virtual al amplificador operacional de la derecha, obtenemos que vo2 es
igual a la tensin de la entrada no inversora de dicho amplificador operacional y
RL
vo2 = RL i = vi .
R
Por otro lado tenemos

RL RL
vo1 = vo2 + vo = vi + vi = 1+ vi .
R R
Imponiendo 10 vo1 10 y 10 vo2 10, obtenemos
RL
10 vi 10 ,
R

RL
10 1 + vi 10 ,
R
o, lo que es lo mismo,
R R
10 vi 10 ,
RL RL
R R
10 vi 10 .
R + RL R + RL
As pues, los valores de vi para los cuales i = vi /R son los comprendidos en el intervalo
[10(R/(R + RL )), 10(R/(R + RL ))].
Problema 73: Suponiendo que el amplificador operacional trabaja en la zona lineal, analice el
circuito de la figura y demuestre que vo = (vP 1 vN 1 ) + (vP 2 vN 2 ) + + (vP k vN k ).
R R
vN 1
R
vN 2
vo
...
R +
vN k
R
vP 1
R
vP 2
...
R R
vP k
Solucin: Siendo el circuito lineal, la tensin de la salida vo ser funcin lineal de las ten-
siones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k , vP 1 , vP 2 , . . . , vP k . Adems, por simetra, los coeficientes asociados
a las tensiones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k sern iguales y los coeficientes asociados a las tensiones

vP 1 , vP 2 , . . . , vP k sern iguales. Tenemos, por tanto,
vo = A + BN vN 1 + BN vN 2 + + BN vN k + BP vP 1 + BP vP 2 + + BP vP k .
Para vN 1 = vN 2 = = vN k = vP 1 = vP 2 = = vP k = 0, las corrientes por las

resistencias conectadas a la entrada no inversora son nulas, la tensin de esa entrada es nula,
aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin de la entrada inversora es tambin nula,
las corrientes por las resistencias R conectadas a las tensiones vN 1 , vN 2 , . . . , vN k son nulas, la
corriente por la resistencia R de realimentacin es nula, y vo = 0. Por tanto, A = 0 y
vo = BN vN 1 + BN vN 2 + + BN vN k + BP vP 1 + BP vP 2 + + BP vP k .
Para determinar BN , podemos analizar el circuito con vN 2 = = vN k = vP 1 = vP 2 = =

vP k = 0. Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, se obtiene el
circuito
R
R
vN 1
vo
R +
i
k1
R
k+1
Siendo nula la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional, la tensin de
dicha entrada valdr v+ = 0. Aplicando el teorema del cortocircuito virtual, la tensin en la en-
trada inversora valdr v = 0. La corriente i ser nula, y el circuito es esencialmente equivalente
a un amplificador inversor, resultando vo = (R/R)vN 1 = vN 1 y BN = 1. Para determinar
BP , podemos analizar el circuito con vN 1 = vN 2 = = vN k = vP 2 = = vP k = 0.
Calculando los equivalentes de las resistencias que quedan en paralelo, obtenemos el circuito
R
R
k

vo
R +
vP 1
R
k
Teniendo en cuenta que la corriente por la entrada no inversora del amplificador operacional es
nula, la tensin de dicha entrada resulta valer
R/k vP 1
v+ = vP 1 = .
R + R/k k+1
147
De la entrada no inversora a la salida, el circuito es un amplificador no inversor, y

R
vo = 1 + v+ = (k + 1)v+ = vP 1 ,
R/k
resultando BP = 1.
Problema 74: Se trata de analizar el circuito de la figura, suponiendo que todas las resistencias
son > 0. 1) Demuestre que la realimentacin es negativa con una ganancia de realimentacin ,
0 < < 1. 2) Determine el valor de . Suponiendo que el amplificador operacional trabaja en
la zona lineal, 3) demuestre que vo = (v1 v2 ), es decir, que el circuito es un amplificador
diferencial; 4) determine el valor de la ganancia diferencial ; 5) determine un diagrama de
bloques lo ms simple posible que tenga como entradas v1 y v2 y como salida vo y que refleje
la realimentacin negativa presente en el circuito; 6) compare el circuito con el amplificador
diferencial bsico y con el amplificador de instrumentacin.
R1 R2 R2
v2
RG

vo
+
v1
R1 R2
R2
Solucin: 1) Sea vd = v+ v la tensin diferencial que ve el amplificador operacional. Clara-

mente, vd es una funcin lineal de v1 , v2 y vo . Para demostrar que la realimentacin es negativa
con una ganancia de realimentacin , basta demostrar que la parte de vd proporcional a vo tiene
la forma vo . Dicha parte puede ser obtenida haciendo v1 = v2 = 0, y, por tanto, es la dada
por el circuito
R2 R2 R1
+
v
vo +
RG
R2 R1
+
R2 v+
Demostremos, sin calcular , que la parte de vd proporcional a vo es vo con 0 < < 1. Sean
las resistencias
R = R2 k (R1 + R2 ) ,
R = RG + R
y
R = R k (R1 + R2 ) .
Tenemos
R R R1
v+ = vo
R2 + R RG + R R1 + R2

y
R R1
v = vo .
R2 + R R1 + R2
De donde, obtenemos

R R1 R
vd = v+ v = 1 vo
R2 + R R1 + R2 RG + R
R RG R1
= vo ,
R2 + R RG + R R1 + R2
pero, en la expresin anterior, el valor absoluto del factor de vo es > 0 y < 1.
2) Podramos evaluar evaluando R , R y R y utilizando la expresin obtenida en el apartado

anterior para vd cuando v1 = v2 = 0, pero la evaluacin de R , R y R es farragosa. En su
lugar analizaremos directamente el circuito del apartado anterior. La siguiente figura lo muestra
de nuevo con las variables que usaremos para su anlisis.
R2 v R2 R1
i1 + i2 + i3 i1 +
v
vo +
i2 + i3 RG
R2 i2 R1

v
+
R2 v+
i3
Calculando v por las dos ramas a masa e igualando los valores, obtenemos
R2 i3 = (R1 + R2 )i2 ,

R1
i3 = 1 + i2 , (5.4)
R2
y
R1
i2 + i3 = 2+ i2 . (5.5)
R2
149
Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada por la fuente de tensin de valor vo y
las tres resistencias superiores y usando (5.5), obtenemos
vo = R2 (i1 + i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i1 = (R1 + 2R2 )i1 + R2 (i2 + i3 )

= (R1 + 2R2 )i1 + (R1 + 2R2 )i2 . (5.6)
Calculando v por dos caminos a masa distintos apropiados e igualando los valores, obtenemos
(R1 + R2 )i1 = RG (i2 + i3 ) + (R1 + R2 )i2 ,
(R1 + R2 )i1 = (R1 + R2 + RG )i2 + RG i3 ,

y, usando (5.4),
R1 RG
(R1 + R2 )i1 = R1 + R2 + 2RG + i2 ,
R2
R1 + R2
i2 = i1 . (5.7)
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
Sustituyendo (5.7) en (5.6), obtenemos
(R1 + R2 )(R1 + 2R2 )

vo = (R1 + 2R2 )i1 + i1
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
(R1 + 2R2 )(2R1 + 2R2 + 2RG + R1 RG /R2
= i1
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
= i1 ,
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
e
R1 + R2 + 2RG + R1 RG /R2
i1 = vo . (5.8)
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
Utilizando (5.7), obtenemos
R1 + R2
i2 = vo . (5.9)
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
La tensin v+ resulta valer, usando (5.9),
R12 + R1 R2
v+ = R1 i2 = vo .
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
La tensin v resulta valer, usando (5.8),
R12 + R1 R2 + 2R1 RG + R12 RG /R2

v = R1 i1 = vo .
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
Finalmente,
2R1 RG + R12 RG /R2

vd = v+ v = vo ,
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
dando
2R1 RG + R12 RG /R2
= .
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2
3) Para demostrar que vo = (v1 v2 ), basta demostrar que con v1 = v2 = v, vo = 0. Es

fcil comprobar que vo = 0 es consistente con v1 = v2 = v y con v+ = v . En efecto, con
vo = 0, el camino que incluye la resistencia de valor R1 superior y las resistencia de valor R2
superiores y el camino que incluye la resistencia de valor R1 inferior y las resistencias de valor
R2 inferiores son idnticos (la corriente por la resistencia de valor RG es 0 por ver los extremos
de dicha resistencia la misma tensin) y tenemos v+ = v .
4) Para calcular basta hacer v2 = 0 y encontrar la relacin entre v1 y vo , que debe ser de la
forma vo = v1 . Con v2 = 0, obtenemos el circuito, donde vc es la tensin comn a las dos
entradas del amplificador operacional
R1 R2 v2 R2
i2 iG RG i2 iG

vc vo
+
i1
v1
+ R1 R2
v1 R2
i1 + iG
La ley de Ohm aplicada a las resistencias de valor R1 da
v1 vc
i1 = (5.10)
R1
y
vc
i2 = . (5.11)
R1
Calculemos v1 en funcin de v1 y vc :

R2 R2 R2 R2
v1 = vc R2 i1 = vc v1 + vc = 1+ vc v1 . (5.12)
R1 R1 R1 R1
De modo similar,
R2
v2 = vc R2 i2 = 1+ vc . (5.13)
R1
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor RG , obtenemos
v2 v1 R2
iG = = v1 . (5.14)
RG R1 RG
151
Para determinar vc en funcin de v1 , aplicamos la ley de Ohm a la resistencia de valor R2 inferior

conectada a masa. Obtenemos, usando (5.10) y (5.14),
R22

R2 R2 R2 R2
v1 = R2 (i1 + iG ) = R2 i1 + R2 iG = (v1 vc ) + v1 = 1+ v1 vc .
R1 R1 RG R1 RG R1
Igualando con la expresin para v1 dada por (5.12), obtenemos

R2 R2 R2 R2 R2
1+ v1 vc = 1+ vc v1 ,
R1 RG R1 R1 R1

2R2 R2 R2
1+ vc = 2+ v1 ,
R1 R1 RG
(R2 /R1 )(2 + R2 /RG )

vc = v1 . (5.15)
1 + 2R2 /R1
Utilizando dicho valor en (5.13), obtenemos

1 + R2 /R1 R2 R2 (R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG )
v2 = 2+ v1 = v1 . (5.16)
1 + 2R2 /R1 R1 RG R1 (R1 + 2R2 )RG
Usando (5.15) en (5.11), obtenemos
(R2 /R1 )(2 + R2 /RG ) R2 (R2 + 2RG )

i2 = v1 = v1 . (5.17)
R1 (1 + 2R2 /R1 ) R1 (R1 + 2R2 )RG
Finalmente, usando (5.14), (5.16) y (5.17),
vo = v2 R2 (i2 iG )
(R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG ) R22 (R2 + 2RG ) R22
= v1 + v1 + v1
R1 (R1 + 2R2 )RG R1 (R1 + 2R2 )RG R1 RG
(R1 + R2 )R2 (R2 + 2RG ) + R22 (R2 + 2RG ) + R22 (R1 + 2R2 )
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG
2R1 R22 + 2R1 R2 RG + 4R23 + 4R22 RG
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG
(R1 + 2R2 )(2R22 + 2R2 RG )
= v1
R1 (R1 + 2R2 )RG
2R22 + 2R2 RG

2R2 (R2 + RG ) R2 R2
= v1 = v1 = 2 1+ v1 ,
R1 RG R1 RG R1 RG
de donde
R2 R2
=2 1+ .
R1 RG
5) El diagrama de bloques tiene la siguiente forma, donde A es la ganancia de tensin diferencial

del amplificador operacional.
v1 +
+
A vo
v2
El valor de fue determinado en el apartado 2). Falta determinar el valor de . Es fcil. Basta
considerar que, de acuerdo con el diagrama de bloques, para A , vo = (/)(v1 v2 ). Ello
da = / y
2R1 RG + R12 RG /R2

R2 R2
= = 2 1+
2R12 + 6R1 R2 + 4R1 RG + 4R22 + 4R2 RG + R12 RG /R2 R1 RG
(2R12 RG + 4R1 R2 RG )(R2 + RG )
=
2R13 RG + 6R12 R2 RG + 4R12 RG
2 + 4R R2 R + 4R R R2 + R3 R2 /R
1 2 G 1 2 G 1 G 2
2R12 R2 RG + 2R12 RG2 + 4R R2 R + 4R R R2
1 2 G 1 2 G
= 3 2 2 2 2 2 + R3 R2 /R .
2R1 RG + 6R1 R2 RG + 4R1 RG + 4R1 R2 RG + 4R1 R2 RG 1 G 2
6) Con respecto al amplificador diferencial bsico, el circuito analizado tiene la ventaja de que
la ganancia de tensin diferencial puede ser ajustada actuando solamente sobre una resistencia
(la de valor RG ). Con respecto al amplificador de instrumentacin, el circuito analizado tiene el
inconveniente de que las corrientes por las entradas no son, en general, nulas. Dependiendo de
la aplicacin, ste ltimo inconveniente puede no ser grave. Por ejemplo, si v1 y v2 son las ten-
siones dadas por dos fuentes de seal con idntica resistencia de salida RS , el circuito analizado
amplificar la diferencia de las tensiones que proporcionaran las dos fuentes de seal en vaco
con una ganancia dada por la expresin para obtenida en el apartado 4), con R1 sustituido por
R1 + RS , es decir
R2 R2
2 1+ .
R1 + RS RG
En ese caso, el circuito analizado es una alternativa atractiva, por su mayor sencillez, al amplifi-
cador de instrumentacin.

Coleccion - Problemas Analogica (Politecnica de Cataluña)

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Problemas Resueltos de

Barcelona, Septiembre 2009

Problemas de Anlisis de Circuitos con

Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V VT = 0,0259 V. Ello implica que, con mucha

103 = 0,125I2 + I2 = 1,125I2 ,

I1 = 103 I2 = 103 8,889 104 = 1,111 104 = 0,1111 A .

Solucin: Empezaremos suponiendo 5 V VT = 0,0259. Llamando I a la corriente inversa

= 1,165 1011 mA = 1,165 1014 A .

Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Por inspeccin, V = 0. Adems, las diferencias de tensin en

10 = 9,9 (I1 + I2 ) = 9,9I1 + 9,9I2 ,

y una resistencia de Thvenin

Sustituyendo el diodo por su circuito equivalente para el estado ON se obtiene el circuito

La tensin V puede ser calculada aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 20 k de la

Para el estado ON, se obtiene el circuito

Se ha de imponer i1 0. Por inspeccin, vo = 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de

Para el estado OFF, se obtiene el circuito

Se ha de imponer 5 vAK 0. Utilizando la frmula del divisor de tensin, se obtiene

Para el estado RUPTURA, se obtiene el circuito

Se ha de imponer i1 0. Por inspeccin, vo = 5. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de

vi = 10(i1 + i2 ) + 5 = 10i1 + 10i2 + 5 = 10i1 + (10)(0,5) + 5 = 10i1 + 10 ,

La condicin i1 0 se traduce en vi 10 0, vi 10. As pues, para vi [10, ) el diodo

La siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia vo = F (vi ).

Solucin: Empezaremos suponiendo el diodo en OFF. Ello conduce al circuito

La condicin a verificar es I 0. Por inspeccin, VAK = 0,7. Aplicando la ley de Ohm a la

5 = 5(I + I ) + (1)I = 5I + 6I = 5I + (6)(0,7) = 5I + 4,2 ,

La condicin a verificar es VAK 0,7. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene

La condicin a verificar es I 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo N, se obtiene

cuya solucin para I es

VAK = 0,7 + 0,001 I = 0,7 + (0,001)(27,27) = 0,7273 V.

Solucin: Con el diodo D1 en OFF, el diodo D2 quedara polarizado exclusivamente por la

Se ha de verificar I 0 y VAK2 0,7. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada

5 = 10I + 0,7 + (1)I ,

que es 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 1 k, se obtiene

VAK2 = (1)I = I = 0,3909 ,

Solucin: Supondremos que D1 est en ON y que D2 est en RUPTURA. Sustituyendo los

Las condiciones a verificar son I1 0 e I2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla

10 = (1)(I1 + I2 ) + 10I1 + 0,01 I1 + 0,7 ,

que conducen al sistema lineal

corrientes inversas, analice el circuito de la figura y determine I1 e I2 .

Se ha de verificar I1 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene

Supongamos que el diodo D2 est en RUPTURA. Se obtiene el circuito

Se ha de verificar I2 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia, se obtiene

Se ha de verificar I 0 y 5 VAK2 0,7. Por inspeccin, I = 0. Aplicando la segunda ley

de Kirchoff a la malla con corriente I se obtiene

10 = 0,7 + 10I + (1)I = 0,7 + 11I ,

VAK2 = 10I = (10)(0,8455) = 8,455 ,

Se ha de verificar I 0 e I + I 0. Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de valor 10 k,

10 = 0,7 + 5 + (1)(I + I ) = 5,7 + I + I = 5,7 + I + 0,5 = 6,2 + I ,

V = (1)(I + I ) = I + I = 3,8 + 0,5 = 4,3 V .

analice el circuito de la figura y determine los valores de las corrientes I1 e I2 .

Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Aplicando la primera ley de Kirchoff al nodo conectado a las

y una resistencia de Thvenin

Sustituyendo el dipolo por su equivalente de Thvenin se obtiene el circuito

Supongamos que los dos diodos estn en ON. Se obtiene el circuito

Se ha de verificar I1 0 e I2 0. Aplicando la segunda ley de Kirchoff a la malla formada

1 = (0,8)(I1 + I2 ) + (1)I1 + 0,7 ,

que conducen al sistema lineal

1,8I1 + 0,8I2 = 0,3

del cuadripolo de la figura.

vi = (1)i + 0,7 + 4,7 = 5,4 + i ,

vo = vi . La siguiente figura representa grficamente la funcin de transferencia.

Solucin: 1) Hacemos un barrido de vi desde hasta . Obtenemos as una sucesin de

diodos cambian de estado al crecer vi y a qu estado cambian. Se obtiene el circuito