INTRODUCCIN

Flujo de Potencia

TEMA 9. CIRCUITOS DE DISPARO PARA

INTERRUPTORES DE POTENCIA Convertidor
Fuente de
Energa de Estado Carga
9.1. INTRODUCCIN Elctrica Slido
9.2. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO
Objeto de
9.2.1. Circuitos de Control con Acoplamiento DC este tema
9.2.1.1. Salida Unipolar Amplificadores

Circuito de Mando
9.2.1.2. Salida Bipolar de potencia
9.2.2. Circuitos de Control con Aislamiento Elctrico
Aislamiento
9.2.3. Alimentacin en los Circuitos de Disparo galvnico de
9.2.3.1. Alimentacin con circuitos de Bombeo de las seales
Elementos de
(deseable)
Carga por Condensador clculo
9.2.3.2. Alimentacin con circuitos Bootstrap
9.2.4. Circuitos de Puerta para SCRs
Esquema de un convertidor de potencia.
9.3. CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
SERIE En este tema estudiaremos circuitos amplificadores (Drivers) con las
9.4. PROTECCIONES DEL INTERRUPTOR DE siguientes caractersticas:
POTENCIA INCORPORADAS EN EL CIRCUITO DE Toman seales procedentes de un sistema digital (5V, 3.3V...) y las
CONTROL amplifican a niveles adecuados para la conmutacin de dispositivos de
9.4.1. Proteccin contra Sobrecorriente potencia.
9.4.2. Proteccin contra Cortocircuitos en Montajes Dependiendo de las caractersticas del dispositivo a controlar, podrn ser
de baja o media potencia.
Tipo Puente Deben generar seales adecuadas para garantizar:
9.4.3. Conmutacin sin Snubbers La conmutacin rpida con prdidas mnimas.
La entrada en conduccin segura del dispositivo, con prdidas en
conduccin mnimas.
El corte seguro evitando que entre en conduccin espontneamente.
Deben incluir las protecciones adecuadas para evitar la destruccin
del dispositivo que controlan:
Sobrecorriente.
Tiempos muertos en ramas de puentes.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 1 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 2 de 27

 CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Unipolares
Circuito de Disparo Dispositivo
de Potencia
V BB VBE (TA )
Seal digital

I2 Circuito de VBB Vcc VBB Circuito de Vcc

Disparo Disparo
TB ts
R1 Car- Car-
Comparador TA ga
I1 I B (TA ) Comparador R1 ga
Comparador
R1
R2 R2 T1 R
G
M1 M1
T2
(a) Circuito de Control de la Corriente de Base de un BJT. (b) Formas de CGS CGS
Onda de Tensin y Corriente durante el Corte
V BE almacenamiento a) Bajas Frecuencias de Trabajo b) Altas Frecuencias de Trabajo
R2 = (9-1)
I Balmacenamiento
Circuitos de Control de Puerta de un Interruptor MOSFET o IGBT de
VBEon (TA )
I Bon = I 1 Potencia
(9-2)
R2
VBB = VCE sat (TB ) + R1 I 1 + VBEon (TA ) (9-3) En el circuito a): on=(R1+R2)CGS y off= R2CGS ;
Problemas:
Diseo del circuito disparo: Si se necesita conmutar a alta velocidad, deben ser ambas
resistencias de valor pequeo.
1. Se parte de una velocidad de corte deseada, a partir de la cual se estima Aparece una disipacin de potencia importante durante toff debido al
el valor de la corriente negativa que debe circular por la base durante 2
pequeo valor de R1: Poff(toff/T)(VBB /R1).
el tiempo de almacenamiento (corte del BJT de potencia, ecuacin 9-1).
En el circuito b): on= off= RGCGS.
2. Conocido el valor de la corriente de base y de tensin base-emisor con No se presenta el problema de disipacin, al conducir slo uno de los
el BJT en estado de conduccin, se determina I1 de la ecuacin 9-2. dos transistores a la vez.
Puede hacerse RG muy pequea (incluso cero). La carga y descarga
3. Se calcula R1 de la ecuacin 9-3, suponiendo que VBB vale unos 8 Volt. de la capacidad de puerta podr hacerse mucho ms rpido y por
tanto la conmutacin del dispositivo (MOS o IGBT).
Un valor pequeo de VBB disminuye las prdidas (del orden de VBB.I1)
en el circuito de base pero, un valor excesivamente pequeo de VBB Existen en el mercado numerosos CI con salida anloga a esta ltima, por
aumenta la influencia de VBEon en el circuito de base (ecuacin 9-3). ejemplo DS0026 UC1707 que pueden suministrar hasta 1Amp.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 3 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 4 de 27

 CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN
PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares PARALELO. Acoplamiento DC. Bipolares

Para acelerar la conmutacin al corte de transistores con puerta tipo Bipolar

Limitacin de
MOS puede aplicarse una tensin negativa en la puerta, as: corriente en BJTs
Circuito de Vcc
En los BJT, aparece una corriente de base negativa que disminuye Disparo VBB+
drsticamente el tiempo de almacenamiento. RB
Comparador
En los MOS e IGBT se acelera la descarga de la capacidad de puerta como se Con
observa en la siguiente figura: Tensin de
Referencia

Tb+
- A TA
Circuito + Tb
de control
BJT
MOS

Divisor de tensin
capacitivo

Circuito Bipolar de Control de Base de Interruptor de Potencia

Circuito de Vcc
Disparo

VBB

VBB
Tb+ 2

A TA
IB
La tensin Vcc vale 55Volt., la resistencia de puerta es de 50 Ohmios y la Tb
tensin VGS vale inicialmente +20Volt. cambiando a 0Volt. en el caso VBB
Unipolar y a 20Volt. en el caso Bipolar. El retraso que se observa entre 2
Resto del circuito
ambos casos es de unos 35nS. de Potencia

Se puede comprobar, que gracias al divisor de tensiones capacitivo, se puede

aplicar al transistor de potencia (MOS o IGBT) una tensin negativa a su
entrada (al saturar el transistor Tb- cuando se corta el transistor Tb+ ).

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 5 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 6 de 27

 CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO
ELCTRICO ELCTRICO. OPTOACOPLADORES

Fuentes de alimentacin Alimentacin DC-aislada

V0 auxiliares
VBB
Capacidad Optoacoplador
V1 parsita
Salida hacia
V2 el driver
Fase

Aislamiento Circuito Seal

de la seal de Base Referencia Referencia del
digital de
Circuito de control Digital interruptor de potencia
Control
Neutro
Aislamiento Circuito Seal de Control Optoacoplada
de la seal de Base
Tierra
Tierra El fotoacoplador permite conseguir un buen aislamiento elctrico entre el
circuito de control y el de potencia.
Alimentacin Entradas Este tipo de aislamiento ofrece como inconveniente la posibilidad de
de Potencia de control
disparos espreos en las conmutaciones del interruptor de potencia, debido
a la capacidad parsita entre el LED y el fototransistor.
Otro problema se debe a la diferencia de potencial entre las tierras del
Necesidad de aislamiento de la Seal Lgica de Control: fotodiodo y del fototransistor que no debe superar la tensin de ruptura.
Para minimizar estos dos inconvenientes se pueden usar fibras pticas,
Tensiones elevadas (lineas rojas). Necesidad de proteccin del personal que (inmunidad al ruido EMI, aislamiento de alta tensin y evitan el efecto
maneja los equipos de control. inductancia de los cables largos).
Diferentes niveles de tensin dentro del convertidor y por tanto diferentes No permiten transportar potencia, slo seal, por lo que ser necesario una
referencias para las salidas Base-Emisor (Puerta-Fuente) de los drivers. fuente de alimentacin auxiliar y un amplificador.
Se necesitan diferentes fuentes de alimentacin auxiliares para los diferentes
niveles de tensin. Existen diferentes mtodos que se estudiarn en los
prximos apartados.
El aislamiento galvnico se consigue empleando optoacopladores o
transformadores de pulsos.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 7 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 8 de 27

 CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO
ELCTRICO. OPTOACOPLADORES ELCTRICO. OPTOACOPLADORES

VBB
+15 V
Circuito
de
Potencia

DA

Circuito RG
Integrado CMOS

VBB
Optoacoplador
Optoacoplador
Circuito de Control de Base, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de
Control Circuito de Control de Puerta, con Aislamiento Optoacoplado de la Seal de
Control
El diodo DA sirve para evitar la saturacin completa del BJT de potencia y
as acelerar su conmutacin.
Este circuito es til para hacer funcionar interruptores MOS a velocidades
bajas (Los circuitos integrados digitales CMOS tienen una impedancia de
salida alta).

Para velocidades mayores pueden usarse circuitos especializados con

impedancia de salida mucho menor, por ejemplo IXLD4425, 3Amp y
15Volt.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 9 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 10 de 27

 CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO
ELCTRICO. TRANSFORMADORES ELCTRICO. TRANSFORMADORES

Entrada al driver o
seal de disparo

Q
Circuito de control Oscilador

Entrada al
de alta

driver
frecuencia /Q Vd
Vo
Referencia del Referencia del
circuito de control interruptor de potencia Seal digital de Vc
control (baja
Inductancia de frecuencia)
Magnetizacin

Modulador Demodulador
Seal de Control de Alta Frecuencia, Aislada con Transformador de Pulso

El transformador de pulsos permite transportar una seal de cierta Seal de Control de Baja Frecuencia Aislada con Transformador de Pulso
potencia, y a veces puede evitarse el uso de una fuente de alimentacin La frecuencia del oscilador podra ser por ejemplo de 1MHz, y los diodos
auxiliar. rectificadores sern de alta frecuencia, pero de seal.

El problema es que no pueden usarse pulsos de baja frecuencia debido a

la inductancia de magnetizacin.
Vc
Para pulsos de frecuencias superiores a la decena de kHz y con D0.5
pueden conectarse directamente, conectndose bien a la puerta de Q
transistores de potencia, o en circuitos anlogos a los vistos sustituyendo
a fotoacopladores. /Q

Vo

Vd

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 11 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 12 de 27

 CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO CIRCUITOS DE CONTROL CON AISLAMIENTO
ELCTRICO. TRANSFORMADORES ELCTRICO. TRANSFORMADORES

V BB Circuito de potencia Demodulador

Modulador
Rp Cp ic Buffer
BJTPotencia
Q
N1 Oscilador
R2 C1
ip
ib T2 C2
Lm Q RG
N2 Vcontrol Buffer
Buffer Schmitt-trigger
Seal Digital vo
T1 DB vi
de Control Circuito
de disparo
N3
Vcontrol
Q
Circuito de Base con Seal de Control Aislada mediante Uso de
Transformadores de Pulso. Aplicacin para Frecuencias de Trabajo Elevadas y Q
Ciclo de Trabajo Aproximadamente Constante. Evita Fuente de Alimentacin.
Si T1 est conduciendo, ib sera negativa y por tanto, T2 se cortar. La corriente
vi
de magnetizacin por el transformador (por Lm) ser transcurrido un tiempo: vo

ipVBB/Rp.

Al cortar T1 cuando por Lm circula ip, se hace circular una corriente por la base,
y por tanto por el colector, de forma que al interactuar los devanados 2 y 3 ser:
ib=icN3/N2.
Adems, durante el tiempo que est cortado T1 Cp se descargar por Rp. Si en
estas condiciones se vuelve a saturar T1, la tensin aplicada al devanado 1 es VBB
y la corriente ip por el transformador podr ser muy alta, de forma que:
ib= icN3/N2- ipN1/N2
Si se eligen adecuadamente las relaciones de transformacin, podr hacerse la
corriente de base negativa y se cortar el transistor de potencia.
Circuito de Puerta con Seal de Control Aislada con Transformador de
Pulso. Aplicacin para Bajas Frecuencias de Trabajo
Si Vcontrol=1, aparece una seal de AF en el transformador, cargando una
vez rectificada los condensadores C1 y C2 Vi=0 y el CI est
alimentado, al ser inversor dar una salida Vo=1 , haciendo que el MOS
de potencia conduzca.
Si Vcontrol=0, no hay tensin de AF en el transformador y C2 se descarga
por R2 Vi=1, mientras que C1 se mantiene en carga (DB impide que se
descargue), luego Vo=0.
Si el circuito integrado es de bajo consumo (p.ej. 7555) se puede mantener
cargado C1 hasta el prximo disparo.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 13 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 14 de 27

 CIRCUITO DE DISPARO CON BOMBEO DE CARGA POR
ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO CONDENSADOR

Vcc Circuito de bombeo de carga VCC+VBB

VBB VCC
Vcc 2 C2
Circuito de
disparo
VBB1 Carga C1
D2
Circuito de
Vcc 2 CD-1
disparo Osc.
VBB2 D1
VBB
VBB
VBB CD-2

Montaje Semipuente

Vcc Circuito de Disparo con Bombeo de Carga por Condensador

Simplifica el circuito total, al evitar tres fuentes auxiliares en los

puentes trifsicos.
VBB1 VBB2 VBB3
No se ve afectado por el rgimen de disparo de los interruptores de
potencia.
CD-1 CD-3 CD-5 Los transistores MOS, y dems componentes auxiliares deben
trabajar a altas tensiones (aunque con corrientes bajas).
VBB Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad
superior de cada rama deben ser de alta tensin.
CD-2 CD-4 CD-6

Esquema de un Inversor Trifsico

Son necesarias dos fuentes auxiliares de alimentacin para un montaje

semipuente y cuatro para un puente trifsico. La complejidad y el costo es
elevado, pero no hay restricciones respecto al rgimen de disparo de los
interruptores de potencia.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 15 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 16 de 27

 ALIMENTACIN EN LOS CIRCUITOS DE DISPARO CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs

D D VCC D

VBB VBB VBB

+ + +
C C C
Driver Driver Driver

Fase A Fase B Fase C

VBB VBB VBB
Driver

Driver
Driver

Tierra de Potencia

RG
Inversor Trifsico con Circuitos Bootstrap

VGK
+

-
VGGH
El circuito resultante es bastante simple, al conseguirse las tensiones

VGGL
requeridas con un diodo y un condensador.
Los drivers usados para el disparo de los interruptores de la mitad superior
de cada rama deben ser de alta tensin.
El rgimen de disparo de los interruptores debe tenerse en cuenta para que
no se descarguen los condensadores.
Al iniciar el funcionamiento, deben dispararse todos los interruptores de la
mitad inferior de cada rama para arrancar con los condensadores cargados.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 17 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 18 de 27

CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs CIRCUITOS DE PUERTA PARA SCRs

D1
15v

VGK
D2

RG

VD
Vcontrol

Circuito de Control de Puerta del Tiristor con Amplificacin del Pulso de

Corriente

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 19 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 20 de 27

 CIRCUITOS DE DISPARO DE CONEXIN EN SERIE PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES

VGS=20V (mx.
ic permitido por la

log iD
tecnologa)
V BB RBSO VGS=15V
(recomendado)
4*iDnom

Seal
Conmutacin
de iDnom
Control

v CE
Circuito de Control en Serie con el Emisor del Interruptor de Potencia
Para circuitos de disparo de BJTs puede aprovecharse que si se provoca el
corte anulando IE el rea de operacin segura ser la correspondiente al
diodo C-B (no avalancha secundaria) luego ser cuadrada y con un valor
lmite de VCE casi el doble (BVCB02*BVCE0).
El transistor MOS empleado no necesita ser de alta tensin.
vDS
El problema que se plantea al intentar proteger contra sobrecorrientes
a dispositivos tipo BJT, MOS o IGBT, es que la corriente no sube a
valores lo bastante altos para que actuen a tiempo los fusibles, por ello
debe realizarse la proteccin desde el circuito de disparo, as en los
IGBTs:
Al aplicar la tensin VGS de 15 voltios (recomendada por los
fabricantes) en caso de cortocircuito la corriente se multiplica por
cuatro y el circuito de control tiene entre 5 y 10 s para quitar la
tensin de puerta (si la temperatura inicial es menor que 125C).
Si se aplicase la tensin mxima permitida por el espesor del xido
(20V), la corriente de cortocircuito subira mucho ms y el
fabricante no garantiza el corte del dispositivo a tiempo.
En un cortocircuito, pueden darse dos casos:
a) Cierre del interruptor cuando ya se ha producido un
cortocircuito
b) Se produce un cortocircuito cuando el dispositivo est
conduciendo.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 21 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 22 de 27

 PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES. PROTECCIN CONTRA SOBRECORRIENTES.
b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo
(cont.)
a) Cierre del dispositivo sobre un cortocircuito
CGD

vDS iD
RG
VGS=RG*CGD*dVDS/dt+VGG
4*iDnom
VGG
iD

vDScc vDS
El problema se agrava en este caso, ya que al subir la tensin de drenador,
t se acopla la subida a travs de la capacidad Miller y se polariza la puerta
con una tensin mayor, con lo cual la corriente de drenador puede subir
Al cerrar el IGBT sobre un cortocircuito, la tensin VDS cae ligeramente, hasta valores que impidan el corte del dispositivo. Se debe limitar la
pero se mantiene a un valor muy alto, lo que permite al circuito de tensin de puerta a 15 voltios empleando un par de diodos Zener:
control detectar el malfuncionamiento y dar orden de cortar al
CGD
dispositivo.

b) Se produce un cortocircuito cuando est conduciendo el dispositivo RG

iD VGG
vDS

4*iDnom
Tambin es necesario emplear para cortar el IGBT una tensin de puerta
iD negativa (al menos 5V, mejor 15V), porque:
iDnom
Se acelera el corte disminuyendo las enormes prdidas debidas a las
vDScc vDS elevadas tensiones y corrientes del cortocircuito.
t
Se asegura el corte, ya que la tensin umbral de corte disminuye en
Al producirse un cortocircuito cuando el IGBT est conduciendo, la unos 10mV por cada grado de temperatura que suba la temperatura de
corriente sube hasta aproximadamente 4 veces la corriente nominal y la la unin, de forma que durante un cortocircuito dicha tensin puede
tensin sube hasta prcticamente el valor de corte. Se produce una valer casi 2V menos que el valor que da el fabricante a 25C.
subida muy rpida de la corriente y de la tensin. Debido a que la derivada de la corriente de drenador es muy alta,
aparecen cadas de tensin extra en las inductancias parsitas internas
y del cableado externo, la tensin que ve la puerta es menor que la
esperada.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 23 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 24 de 27

 PROTECCIN CONTRA CORTOCIRCUITOS EN PROTECCIN CONTRA PULSOS DE CORTA DURACIN
MONTAJES TIPO PUENTE

VCC Interr.
Generacin de retrasos Interr.
Cerrado
Abierto
V1
Control T+ Entrada de
T+ D+ Control
t
Control a)

t
T- D-
Control T- b)
V2
t
Control
tmin tmin tmin

V1 a) Eliminacin de pulsos estrechos

b) Alargamiento de pulsos estrechos
V2

T+
Si algn pulso generado por el circuito de control (apertura o cierre) es
demasiado estrecho, el circuito de disparo deber evitar que dicho pulso
T
llegue a la puerta del dispositivo por las siguientes razones:
tc tc

Circuito de Control con Generacin de Tiempos Muertos
Si est circulando corriente por T+ (I saliente de la rama), cuando se da la
orden de corte a T+ debe esperarse un tiempo (tc) antes de dar orden de
cierre a T- para que d tiempo a cortarse a T+ y evitar un cortocircuito
entre VCC , T+ y T-. El tiempo tc debe ser mayor que el tiempo de
almacenamiento de T+.
Si la corriente circula por T- (I entrante en la rama), el efecto es el mismo
debiendo retrasarse el cierre de T+.
Un pulso estrecho no conseguir que el interruptor entre en conduccin o
se corte totalmente por lo que las prdidas subirn innecesariamente.
Muchos circuitos incluirn circuitos auxiliares, p. ej. amortiguadores, que
necesitan de un tiempo mnimo para disipar la energa almacenada.
Tiene el inconveniente de distorsionar ligeramente las formas de onda
generadas.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 25 de 27 Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 26 de 27

 CONMUTACIN SIN SNUBBERS
Los circuitos auxiliares empleados como amortiguadores de encendido o de
apagado, suponen una complejidad y un coste aadidos al circuito que deben
evitarse si es posible.

Es decir, no se usarn si el propio circuito garantiza que no se superarn los

lmites de derivadas de la corriente y tensin mximas ni las sobretensiones
inducidas en las bobinas.

Dispositivos con rea de operacin segura casi cuadrada como el IGBT

son buenos candidatos.

Dispositivos cuya velocidad de conmutacin pueda controlarse fcilmente

como el MOS y el IGBT tambin son buenos candidatos, ya que haciendo
que el dispositivo conmute ms lento, se pueden controlar las derivadas
de la corriente y tensin mximas y las sobretensiones inducidas en las
bobinas.

Al hacer que los dispositivos conmuten con tiempos de subida o

bajada mayores las prdidas de conmutacin suben.
Para compensar estas prdidas es necesario trabajar a frecuencias
ms bajas.

Tema 9. Circuitos de Disparo. Transparencia 27 de 27