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Ejercicio08 PDF
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Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
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Unidad 8 Caractersticas elctricas de los materiales
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Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
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Cuestiones y ejercicios de Fundamentos de Ciencia de Materiales
Problema 8.1 Calcular la resistividad de un substrato de silicio dopado con 1018 at./cm3 de
elemento dopante.
Problema 8.2 Calcular la resistividad de un sustrato de GaAs dopado con 1018 at./cm3 de
elemento dopante tipo aceptor, a temperatura ambiente.
Problema 8.3 Calcular la resistividad a 350 K de un semiconductor Si-n dopado con 1016
at./cm3.
Problema 8.6 Una aleacin de Cu-5%Zn presenta la siguiente tabla de caractersticas elctrico
- mecnicas dependiendo del grado de deformacin de la misma.
Problema 8.7 Un sustrato semiconductor de Si de 1 mm2 de seccin, se utiliza para disear una
resistencia. La concentracin de dopado-p es de 51016 at/cm3. Se pide:
a) Calcular la resistencia elctrica para las dimensiones a= 100 m, l= 500 m, e= 0,1 m.
b) La densidad de corriente que circula para una tensin de 5 V.
c) Concentracin de dopante para R= 100 .
d) Cul debe ser la anchura del contacto, considerando constantes las otras dimensiones,
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para que circule una corriente de 1 mA con una tensin de 5 V, con el nivel de dopado
inicial.
Problema 8.9 Se dispone de tres materiales para fabricar una resistencia por arrollamiento
cuyos requisitos son: un dimetro de 0,1 mm y una longitud del hilo de 150 mm.
Material (cm)
A Ni1Cu 80
B Ni-30Cr-2Si 120
C Fe-22Cr-6Al 145
Seleccionar el material en orden creciente de resistividad del dispositivo.
Problema 8.10 Se desea disear la pista de un potencimetro cuya resistencia vara entre 5 y 35
. El ancho de pista es de 2 mm y su dimetro al centro de la pista es de 5 mm. Se elige como
material un sinterizado de C-CrSi2 que tiene una resistividad elctrica de 1800 cm.
Determinar:
a) Qu dimensiones son necesarias para tener la Rmin = 5 ?
b) Dnde debe situarse el cursor para obtener Rmax = 35 ?
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Problema 8.14 Un hilo de cobre de pureza comercial debe conducir 10 A de corriente con un
mximo de caida de voltaje de 0,4 V/m, calcular:
a) Cul debe ser el dimetro mnimo si la conductividad elctrica del cobre puro comercial
es de 5.85 107 ( m)-1?
b) La mnima conductividad admisible en este conductor si las prdidas mximas a lo largo
del hilo conductor es de 4 W/m.
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dado que:
N d = 1018 n = 300 cm2 / V s y e = 1,6 10 -19 C
correspondientes a la densidad de elementos donantes segn la figura 8.30.
La conductividad resultar:
= 300 1018 1.6 10 -19 = 48 ( cm )-1
Por lo que la resistividad tendr un valor de:
1
= = 0.021 cm 21 m cm
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N c = ( mrn T )
C
N p = ( mrp T )
C
donde: = 5 1015, C = 1.5 y mrn y mrp adquieren los valores, segn la tabla 10.5 de mrn = 0.07 y
mrp = 0.09 respectivamente, con lo que siendo T = 273 K, tendremos:
N c = 4.18 1017 est / cm3
N p = 6.09 1017 est / cm3
b) La energa de la banda prohibitiva se expresa en su dependencia con la temperatura como:
a T2
E g (T) = E g (0) -
T+ b
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1,44
5
2 8,63x10 273
ni = 4,18 x 1017 6,09 x 1017 e = 5,05 x 1017 5,34 x 10-14 = 2,7 104 port/ cm3 d
) La movilidad se expresa con la temperatura segn:
T0
(T) = 0
T
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Ed
TS =
N
K ln C
ND
Eg
TCR =
N C NV
2 K ln
N D2
0,03
TS = 16
= 193 K = 80 o C
6,06x10
8,63x10 5 ln
1016
1,8
TCR = 16 25
= 421 K = 148 o C
6,06x10 9 ,5x10
2 8,63x10 5 ln
10 32
0,95 60
0,85 50
Cond. (%)
Ig
0,8 45
0,75 40
0,7 35
0,65 30
200 250 300 350 400 0,7 0,75 0,8 0,85 0,9 0,95 1
RM (MPa) Ig
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y calcular con esta su conductividad relativa para Ig = 0,77 obteniendo = 49,1 %. En trminos
de conductividad relativa, tenemos que:
1,724
( % IACS) =
100
1
y = -0,0099x + 0,8988
0,95
R2 = 0,9646
1,724
= 100 = 3,51 cm 0,9
49 ,1
0,85
c) Para el ndice de endurecimiento
Ig 0,8
puede obtenerse la grfica para
correlacionar Ig en funcin del 0,75
alargamiento proporcional a rotura
A(%) tal y como muestra la figura 0,7
0
2
V0 = l0
2
20 l0
V0 = V f l =
2f l f
2
f
Vf = l f
2
por lo que despejando el dimetro final de la pieza tendremos:
l0
f = 02
lf
suponiendo una longitud inicial del conductor de 1 m, su longitud final ser, sabiendo que el
alargamiento es un 13 %:
A %
lf = l0 1 + = 1 + 0,13 = 1,13 m
100
1
f = 12 = 0,94 mm
1,13
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500 m
100 m
1 mm
500 m
1 mm
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rotura ser:
100
RM (MPa)
RM = 375,6 MPa
el lmite elstico ser, para RM = 375,6 MPa:
LE = -113,07 + 1,158 375,6
LE = 321,9 MPa
y el alargamiento ser, cuando se alcanza Ig = 0,86:
0,86 = 0,8988 - 0,0099 A % A = 3,92 %
c) En el trefilado se obtendr una longitud del hilo, segn el alargamiento obtenido en el
apartado anterior:
A % 3,92
l f = l0 1 + = 1000 1 + = 1000 1,0392 = 1039,2 m
100 100
y con el criterio de volumen constante podemos calcular el dimetro final como:
l0 1000
f = 20 = 0,5 2 = 0,49 mm
lf 1039,2
siendo
l 15,0
= = 1,91x 105 cm-1
S (0,005) 2
y por tanto:
l R min l
= e =
ae a R min
de forma que:
0,275 1800
e = = 4,95 x 10-4 cm = 4,95 m
0,2 5 x 106
b) Con la geometra de la pista para conseguir Rmax = 35 , debemos situar el cursor en el ngulo
obtenido por la expresin:
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2 a
r +
R max 360 2 R max a e
= =
ae 2 a
r +
360 2
resultando un ngulo de:
S 2 0,25 x 10-4
l= R = 16x10 6 = 1 cm
2500
b) En este caso ser:
l 0,5
R= = 2500 = 19,89 x 106 = 19,89 M 20 M
S 2 0,1 10-4
n = 1,98 1029/m3
b) El volumen de la celdilla ser
Vceldilla = a3 = (0,405 10-9 m)3 = 6,643 10-29 m3
por lo que por celdilla tendremos los siguientes electrones libres:
6,643 10-29 m3 x 1,98 1029 e-/m3 = 13,15 e-
y al ser una celdilla C.C.C., que tiene 4 tomos por celdilla,
e- libres / tomo Al = 13,15 / 4 = 3,29
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GaAs
5000
s
2000
1000
500
p
200
100
1014 1015 1016 1017 1018 1019 1020
Concentracin de impurezas (cm-3)
4l 4 80 10 6 cm 8,66cm
d= = = 5,9 10 3 cm 0,06 mm
R 25
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Material (
cm) Longitud (cm) Dendidad (g/cm3) Masa (g) Precio (pts)
Ni 1Cu 80 77.3 8.1 0.111 31.31
Ni-30Cr-2Si 120 51.5 8.4 0.077 24.69
Tal como se observa en la tabla, la resistencia ms econmica sera la realizada con hilo de Ni-
30Cr-2Si
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