Ejercicios de Semiconductores

1. En un semiconductor extrínseco de tipo p la conducción a bajas temperaturas se debe al

movimiento de: a) Los electrones activados térmicamente. b) Los huecos. c) Los electrones y
huecos. d) No hay conducción neta a bajas temperaturas.

2. En los semiconductores extrínsecos, la brecha o nivel prohibido de energía, Ed, necesaria para
activar térmicamente la conducción de tipo extrínseco, es: a) Inferior a Eg. b) Superior a Eg. c) Igual
a Eg. d) Depende de la concentración de dopante.

3. En un semiconductor intrínseco la conductividad está controlada por: a) La movilidad y la

temperatura. b) La temperatura y la concentración de dopante. c) La temperatura, movilidad y la
brecha o nivel prohibido, Eg. d) La concentración de dopante.

4. ¿Cual de los siguientes elementos permite obtener semiconductores de silicio tipo n,

donadores?: a) Fósforo, P. b) Aluminio, Al. c) Boro, B. d) Germanio, Ge.

5. En un semiconductor tipo n la conducción a alta temperatura se debe a: a) Electrones

donadores. b) Electrones donadores y electrones activados térmicamente. c) Electrones
donadores, huecos y electrones activados térmicamente. d) Huecos y electrones activados
térmicamente.

6. ¿Que le pasa a la resistividad eléctrica de un conductor eléctrico cuando aumenta la

temperatura? a) Aumenta. b) Disminuye. c) Se mantiene constante. d) Es independe de la
temperatura.

8. Los electrones se ordenan en los sólidos cristalinos metálicos en: a) Orbitales atómicos de baja
energía. b) Bandas continuas de energía. c) Orbitales atómicos separados. d) Bandas de estados de
energía muy próximos.

16. La correlación entre resistencia eléctrica y temperatura para los metales indica: a) La
resistividad disminuye con la temperatura. b) La conductividad aumenta con la temperatura. c) La
resistividad es creciente a mayores temperaturas. d) La resistividad permanece constante con la
temperatura.

17. El contenido de impurezas en los sólidos metálicos implica: a) Aumento de la conductividad,

por el efecto benéfico que éstas tienen sobre la estructura cristalina. b) Disminución de la
conductividad, al distorsionar la red cristalina e introducir defectos cristalinos. c) Disminución de la
conductividad si la impureza es más resistiva. d) Muy ligero aumento de la conductividad.

20. La estructura electrónica de los semiconductores está formada por: a) Dos bandas de energía
con algunos estados superpuestos. b) Dos bandas de energía, con electrones conductores en la de
conducción. c) Bandas de valencia y conducción, separadas por un intervalo prohibido de energía.
d) Bandas de valencia y conducción coincidentes.
21. En los semiconductores, los agentes activos de conducción son: a) Los electrones de la banda
de valencia. b) Los huecos de la banda de valencia. c) Los electrones de la banda de conducción. d)
Electrones y huecos.

22. Un semiconductor que contiene elementos químicos con la capa electrónica de valencia
diferente a la de los del semiconductor se denomina: a) Extrínseco. b) Intrínseco. c) Débilmente
extrínseco. d) No recibe ningún nombre especial.

23. Los parámetros que inciden en la conductividad de un semiconductor intrínseco son: a)

Temperatura, movilidad y diferencia energética entre bandas. b) Temperatura y movilidad. c)
Concentración de portadores de carga libre. d) Energía prohibida y concentración de portadores
de carga libre.

24. La concentración de portadores de carga, en los semiconductores extrínsecos: a) Disminuye en

el rango de bajas temperaturas por actuar la agitación térmica de la red cristalina. b) Disminuye a
altas temperaturas al disminuir la movilidad. c) Aumenta en el rango de bajas temperaturas por
actuar los dopantes como promotores del mecanismo conductor. d) Ninguna es correcta ya que la
concentración de portadores de carga es independiente de la temperatura en los extrínsecos.

25. A temperaturas superiores a la crítica, un semiconductor dopado cambia: a) Poco ya que la

conductividad ya no es función de la temperatura. b) De mecanismo conductor, tomando el
intrínseco una mayor importancia. c) Su comportamiento conductor a extrínseco. d) Al aumentar
la movilidad de los portadores de carga.

26. La naturaleza del dopante incide en: a) Aumento de la energía de la banda prohibida,
disminuyendo la población de portadores de carga libre. b) Disminución de la energía de la banda
de energía prohibida, aumentando la concentración de portadores libres. c) El valor de la energía
de ionización y por tanto en una mayor aptitud para suministrar portadores de carga libre. d) El
mecanismo de conducción, intrínseco o extrínseco.

27. La diferencia entre la estructura electrónica de un metal y un semiconductor radica en: a) La

diferencia de población electrónica en la banda de conducción. b) La inexistencia de una banda de
energía prohibida en el metal separando las bandas de valencia y conducción. c) Un mayor valor
de la energía prohibida en el semiconductor que en el metal. d) La inexistencia de banda de
valencia en los metales.

1. Diferencias fundamentales entre un conductor y un semiconductor.

2. Diagrama esquemático de bandas de energía para un conductor, un aislante y un

semiconductor.

3. Diferencias entre un semiconductor p y otro n.

4. Indica los mecanismos de conducción en los semiconductores en función de la temperatura.

5. Interés tecnológico del dopado de materiales semiconductores.

6. Justifica el efecto de la temperatura y de la acritud sobre la conductividad.

8. Como se encuentran y distribuyen las bandas en: a) Material conductor. b) Material

semiconductor. c) Material aislante.