Interruptores Conlrolados
Universidad cono Sor de las
A mricas
ELECTRNICA INDUSTRIAL
Prof: lng, Magno Elias Aya/a Silva
ELECTRNICA INDUSTRIAL
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ELECTRNICA INDUSTRIAL
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Introduccin a la Electrnica de
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Tirlstores Transistores de Efe<:to de campo Transistores de Efecto de Campo Circuitos de conrrol y Resumen de la capacidad de los
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40
 Universidad Cono Sur de las
Amricas

,
ELECTRONICA INDUSTRIAL

Prof: lng. Magno Elias Aya/a Silva

1
 ,
ELECTRONICA INDUSTRIAL
Contenido
l. Introduccin a la Electrnica de potencia

2. El tiristor y los transistores de potencia

3. Rectificacin controlada

4. Control de disparo de los tiristores y de

excitacin de los transistores de potencia

5. Control de motores (CC-induccin-sncrona) 2

 ,
ELECTRONICA INDUSTRIAL
Bibliografa
l. P. SEN, "DC electrical drives", Wiley 1880.
2. B. BOSE, "Power electronics and AC drives",
Prentice Hall 1986,.
3. R. RAMSHAW, "Power electronics", Chapman
and Hall, 1973.
4. GENERAL ELECTRIC, "SCR Manual 6
Edition", Prentice Hall 1982.
5. M. RASHID, "Power electronics", Prentice Hall,
2da. Ed., 1993.
6. NEO MOHAN, "Power Electronics: Converters,
: ~p':~ 'ications and Design", Wiley; 3rd Edition. 3
.. .. -
,,. ~
 Introduccin a la Electrnica de
Potencia
Clasificacin de los dispositivos de
semiconductores de potencia de acuerdo con
su grado de controlabilidad:
l. Diodos. Estados de conexin y desconexin
controlados por el circuito de potencia.
2. Tiristores. Son activados mediante una seal
de control, pero pueden ser desactivados por
medio del circuito de potencia (control por fase) o
por un circuito de control externo.
3. Interruptores controlables. Se conectan y
:
..,,... -; PlH? Z I ..
_,~ 0 cr;onectan mediante seales de control. 4
 Introduccin a la Electrnica de
Potencia
La categora de interruptores controlables abarca
varios tipos de dispositivos, como transistores de
unin bipolar (bipolar junction transistors, BJT),
transistores de efecto de campo xido metlico
semiconductor (metal-oxide-semiconductor field
effect transistors, MOSFET), tiristores
desactivables por puerta (GTO) y transistores
bipolares de puerta aislada (insulated gate bipolar
transistors, IGBT).

5
 Diodos

Cuando el diodo est polarizado en directa,

empieza a conducir con slo un pequeo voltaje
en directo a travs de l, que est en el orden de
1 v.

Cuando el diodo est en polarizacin inversa,

slo una corriente de fuga muy insignificante
fluye a travs del dispositivo hasta que se
alcanza la tensin de ruptura inversa.

6
 Diodos

I
'
A K
o ~ o Vo
o Vo
+ VD -
Regin
a) de bloqueo
en inversa
b) e)

Diodo:
a) smbolo
b) caracterstica i-v
c) caracterstica idealizada

7
 Diodos
Segn los requisitos de la aplicacin, estn
disponibles varios tipos de diodos:
1. Diodos Schottky. Estos diodos se usan donde se requiere una cada
baja de tensin directa (normalmente 0.3 V) en circuitos de tensin de
salida muy baja.

2. Diodos de recuperacin rpida. Estos diodos estn diseados para

el uso en circuitos de alta frecuencia, en combinacin con
interruptores controlables donde se necesita un tiempo corto de
recuperacin inversa.

3. Diodos de frecuencia de lnea. El voltaje de estado de encendido de

estos diodos est diseado para ser lo ms bajo posible, y en
consecuencia tienen tiempos de recuperacin inversa (trr) ms
grandes, aceptables para aplicaciones de frecuencia de lnea.
8
 Tiristores
La corriente principal fluye desde el nodo (A) al
ctodo (K). En su estado inactivo, el tiristor puede
bloquear una tensin de polaridad directa y no
conducir.

El tiristor puede dispararse para entrar en el

estado activo por medio de la aplicacin de un
pulso de corriente de puerta positiva durante un
periodo breve, en tanto que el dispositivo est en
estado de bloqueo directo. La cada de te,nsin
directa en el estado activo slo es de unos
cuantos voltios (por lo general 1-3 V).
9
 Tiristores
Una vez que el dispositivo empieza a conducir, se
enclava y la corriente de puerta puede eliminarse.
El tiristor no puede apagarse por la puerta, y el
tiristor conduce como un diod,o. Slo cuando la
corriente del nodo intenta volverse negativa (por
influencia del circuito) se apaga el tiristor.

Esto permite que la puerta recupere el control, a

fin de encender el dispositivo en algn momento
controlable despus de que nuevamente haya
entrado en el estado de bloqueo directo. En
polarizacin inversa y con tensiones debajo del
voltaje de ruptura inversa, slo una corriente de
ep l.muy 1ns1gn1t1cante
r
QZI
fl uye en e1t1nstor.
10
 Tiristores y Estado activo
Inactivo a activo

+.
si se aplica
R 6 \ u n pulso ic
Ruptura egi n
G--..J inversa inversa Estado inactivo
debl~ueo / ~
~-+---~~--......--~~
1 -----~
IL'----- u
0 / AK

K Tensin Tensin
de ruptura de ruptura
a)
inversa directa
b)

Tiristor: a) Smbolo Estado activo

b) caractersticas de i-y
c) caractersticas idealizadas Activo inactivo

~----....----...
o -----------~UAK
Bloqueo Bloqueo
Inverso directo
e)

11
 Tiristores
Segn los requisitos de la aplicacin, estn
disponibles varios tipos de tiristores:
1. Tiristores de control de fase. Denominados tiristores de conversin,
se usan sobre todo para rectificar tensiones y corrientes de frecuencia
de lnea en aplicaciones como rectificadores controlados por fases
para accionamientos motrices de CA y ce, y en transmisiones de
energa de alta tensin.
2. Tiristores de grado inversor. Se disearon para tener tiempos de
apagado tq pequeos, adems de bajas tensiones activas, aunque las
tensiones activas son ms grandes en dispositivos con valores ms
cortos de tq. Estos dispositivos estn disponibles con magnitudes de
hasta 2 500 V y 1 500 A.
3. Tiristores activados por luz. Se activan mediante un pulso de luz
conducido por fibras pticas a una regin especial sensible del tiristor.
El uso principal de estos tiristores es en aplicaciones de alta tensin,
-%~;~2~ la transmisin de ce de alta tensin.
.,,.,., ~
12
 Interruptores Controlados
El interruptor controlable ideal tiene las
siguientes caractersticas:
l. Bloquea de forma arbitraria grandes tensiones
directas e inversas con flujo de corriente cero.
2. Conduce en forma arbitraria grandes corrientes
con cada cero de tensin cuando est encen
dido.
3. Conmuta de encendido a apagado o viceversa
en forma instantnea cuando se dispara.
4. Se requiere una cantidad de energa
insignificante de la fuente de control para disparar
.-~ 1 interruptor.
~-} PlH? Z I
13
.,,.,., ~
 Interruptores Controlados

Los dispositivos verdaderos, como se esperara,

no tienen estas caractersticas ideales, y por
ende disiparn energa cuando se usan en las
numerosas aplicaciones que ya se mencionaron.

Si disipan demasiada energa, los dispositivos

pueden fallar y de esta manera no slo se
destruirn a s mismos, sino que tambin podrn
daar los dems componentes del sistema.
14
 Interruptores Controlados
Caractersticas de Ideal -

conmutacin por
interruptor Seal a)
de control
genrico (linealizada) del interruptor

~
a) circuito simplificado ~
ene
0 -apag-----~---+---a
pa--g : =rlt
----lenc----lapag~

de conmutacin Ts =
l
T , - - ' - - - --

impuesta inductiva
b) formas de onda de
interruptores
c) prdida de energa
instantnea del
interruptor e)
15
 Interruptores Controlados
W cene: energa disipada en el
escendido
Vd: voltaje de entrada
lo: corriente completa
t ene: intervalo de encendido
t denc: intervalo de retraso de
encendido
t_dapag: tiempo de retraso de
desconexin
Wc (apaB) =
Vdlotc(apa9)
t_rv: t.1empo d e 1ncremen
t o de va lt aje

2 t_fi tiempo de caida de corriente
P.
v.d o F.s (t eeene) + t eeapag
. )) Fs: frecuencia
. d d
de conmutacin
.,
s = 2 Ts: peno o e conmutac1on
Ps: promedio de prdida de energa por
tenc conmutacin
Pene = Venclo T.
s P_enc: promedio de energa disipada
durante el estado activo
16
 Interruptores Controlados
Caractersticas deseables en un interruptor
controlable:
1. Una pequea corriente de fuga en el estado inactivo.
2. Un pequeo voltaje de estado activo Venc para minimizar prdidas de energa en estado
activo.
3. Tiempos cortos de voltaje de conexin y desconexin. Esto permitir el uso del dispositivo
con altas frecuencias de conmutacin.
4. Gran capacidad de bloqueo de tensin directa e inversa. Esto minimizar la necesidad para
la conexin en serie de varios dispositivos.
5. Corriente nominal alta del estado activo. En aplicaciones de corriente alta esto minimizara la
necesidad de conectar varios dispositivos en paralelo.
6. Un coeficiente positivo de temperatura de resistencia en estado activo. Esto asegura que los
dispositivos en paralelo compartan de manera igual el total de la corriente.
7. Una pequea cantidad de energa para conmutar el dispositivo. Esto simplificara el diseo
del circuito de control.
8. Capacidad de soportar tensin nominal y corriente nominal en forma simultnea durante la
conmutacin.
9. Grandes capacidades de dv/dt y di/dt. Esto minimizara la necesidad de circuitos exteriores
que de lo contrario se necesitaran para limitar dv/dt y di/dt en el dispositivo para que no se
dae.
17
 Transistores de Unin Bipolar y
Darlingtons Monolticos
Los transistores de unin bipolar son dispositivos controlados
por corriente, y se les tiene que suministrar corriente de base
de manera continua para mantenerlos en estado activo.

La ganancia de corriente ce hFE es normalmente en promedio

de slo 5-10 en transistores de alta potencia, as que estos
dispositivos en ocasiones estn conectados en una
configuracin Darlington o triple Darlington, a fin de lograr una
mayor ganancia de corriente.

En esta configuracin se acumulan algunas desventajas, como

valores generales VCE(sat) un poco ms altos, as como
velocidades de conmutacin ms lentas.

18
 Transistores de Unin Bipolar y
Darlingtons Monolticos
Ya sea en unidades individuales o elaboradas como una
configuracin Darlington en un solo chip [un Darlington
monoltico (MD)], los BJT tienen un tiempo de almacenamiento
significativo durante la transicin de desconexin. Los tiempos
normales de conmutacin estn en el rango de unos pocos
cientos de nanosegundos a unos cuantos microsegundos.

Los BJT, incluso los MD, estn disponibles en tensiones de

hasta 1.400 V y corrientes de varios cientos de amperios. Pese
a un coeficiente de temperatura negativo de resistencia en
estado activo, los BJT modernos, fabricados con un buen
control de calidad, pueden conectarse en paralelo, en tanto se
tenga cuidado en el layout del circuito y se provea un margen
de corriente extra. 19
~% PlH? 2 1
~- ~
Transistores de Unin Bipolar y
Darlingtons Monolticos
ic

'BS
e lic l 1fl4
Encendido

iJJ
~ +
uce
B tu3

+ in2
Un;;
E Apagado
ina
a)
.........__ _ i8 =o
-......:;,:~~
VcE
uCE(sat) o
b) e)
Un BJT:
a) smbolo
b) caractersticas i-v
c) caractersticas idealizadas 20
Transistores de Unin Bipolar y
Darlingtons Monolticos

lic
e
B + B
~
+
is + +
UCE

UBE UBE
- E

a) - E
b)

Configuraciones Darlington:
a) Darlington
b) triple Darlington 21
 Transistores de Efecto de Campo
de Metal xido-Semiconductor
Los transistores de efecto de campo de metal-xido-
semiconductor requieren la aplicacin continua de tensin
puerta-fuente de magnitud correspondiente a fin de estar en el
estado activo.

No hay flujo de corriente de puerta, excepto durante las

transiciones de encendido a apagado, o viceversa, cuando la
capacitancia de la puerta se est cargando o descargando.

Los tiempos de conmutacin son muy cortos y se encuentran

en el rango de unas cuantas decenas de nanosegundos a
unos cientos de nanosegundos, lo que depende del tipo de
dispositivo.
22
Transistores de Efecto de Campo
de Metal xido-Semiconductor
''

iv! D u 05 = 7 v
+ Encendido
6V

G ~Encendido
5V
Apagado
+ Apagado
4V
s o '' : UDS o
a) b) e)

MOSFET de canal n:
a) smbolo
b) caractersticas i-v
c) caractersticas idealizadas 23
Transistores de Efecto de Campo
de Metal xido-Semiconductor
La resistencia de estado activo rDS(enc) del MOSFET
entre la conexin de drenaje y la fuente aumenta
rpidamente conforme al voltaje nominal de bloqueo del
dispositivo.

Por eso, slo estn disponibles dispositivos con voltajes

nominales pequeos, los cuales tienen una baja
resistencia del estado activo y, por tanto, prdidas de
conduccin pequeas.

Sin embargo, debido a su gran velocidad de conmutacin,

las prdidas por conmutacin pueden ser pequeas.
24
 Transistores de Efecto de Campo
de Metal xido-Semiconductor
Desde el punto de vista de prdida de energa total, los
MOSFET de 300-400 V compiten con transistores bipolares
slo si la frecuencia de conmutacin sobrepasa los 30 a
100 kHz. Sin embargo, no se puede afirmar nada definitivo
acerca de la frecuencia de cambio porque depende de las
tensiones de operacin, donde las tensiones bajas
favorecen al MOSFET.

Los MOSFET estn disponibles en voltajes nominales de

ms de 1 000 V, pero con corrientes nominales pequeas y
hasta 100 A con voltajes nominales pequeos. El mximo
voltaje de puerta-fuente es +20 V, aunque hay
disponibilidad de MOSFET controlables por seales de 5 V.
~% PRQ 2 1
.,,.,., ~
25
 Transistores de Efecto de Campo
de Metal xido-Semiconductor

Puesto que su resistencia de estado activo tiene un

coeficiente de temperatura positivo, los MOSFET se
pueden conectar fcilmente en paralelo.

Esto causa que el dispositivo que conduce la corriente

ms alta se caliente y de este modo lo obliga a compartir
en forma igualitaria su corriente con los dems MOSFET
en paralelo.

26
 Desactivacin por puerta de
tiristores
El GTO se enciende por medio de un impulso de corriente
de puerta de corta duracin, y una vez en el estado activo,
el GTO se mantiene encendido sin ms corriente de
puerta.

Sin embargo, a diferencia del tiristor (SCR), el GTO se

apaga mediante la aplicacin de una tensin de puerta a
ctodo negativa para que fluya una corriente de puerta
negativa lo bastante grande. Esta corriente de puerta
negativa slo necesita fluir durante unos cuantos
microsegundos, pero debe tener una magnitud muy
grande, normalmente hasta una tercera parte de la
corriente de nodo que se est desconectando. 27
~% PlH? 2 1
~- ~
Desactivaci n por puerta de
tiristores
i,

Apagar
Encender Ene.

Estado inactivo Apag.

vAK
o o
e

K
o) b)

Un GTO:
a) smbolo
b) caractersticas i-v
c) caractersticas idealizadas
28
 Desactivacin por puerta de
tiristores
Circuito
amortguJdo
,.... - - - - 1 para educir
1 1 du en la
1 di
1 : de:SConexin
1 UA K
r
1 1
Circuito l1
1 1
de 1 1
control 1 [) 1
R
de 1 1
1 1
puerta
1( L __ ___ ...J1 o
a) b)

Caractersticas de transientes de
desconexin de puerta:
a) circuito de amortiguador
b) caracterstica de desconexin de GTO 29
.% PlH? 2 1
~- ~
 Desactivacin por puerta de
tiristores
El voltaje del estado activo (2 a 3 V) de un GTO es un
poco ms alto que los voltajes de tiristores. Las
velocidades de conmutacin de GTO estn en el rango de
unos cuantos microsegundos a 25 s.

Debido a su capacidad de manejar voltajes grandes (hasta

4.5 kV) y corrientes grandes (hasta unos cuantos
kiloamperios), el GTO se usa cuando se necesita un
interruptor para altos voltajes y altas corrientes en un
rango de frecuencia de conmutacin de unos cuantos
cientos de hertzios a 10 kHz.
30
 Transistores bipolares de puerta
aislada (IGBT)
Los IGBT tienen algunas de las ventajas de los MOSFET,
BJT y GTO combinados. Parecido al MOSFET, el IGBT
tiene una puerta de alta impedancia ,que slo requiere una
pequea cantidad de energa para conmutar el dispositivo.

Igual que el BJT, el IGBT tiene un voltaje de estado activo

pequeo, incluso en dispositivos con grandes voltajes
nominales de bloqueo (por ejemplo, Venc es de 2 a 3 V en
un dispositivo de 1.000 V). Parecidos al GTO, los IGBT se
pueden disear para bloquear tensiones negativas.

31
Transistores bipolares de puerta
aislada (IGBT)
e

Oo--f
Un IGBT:
a) smbolo
- s
a) b) caractersticas
de i-v
c) caractersticas
es
Ene.
idealizadas.
Apag.
VD.
o "os
o

b) e)

32
 Transistores bipolares de puerta
aislada {IGBT)

Los transistores bipolares de puerta aislada tienen tiempos

de conexin y desconexin en el orden de 1 s, y estn
disponibles mdulos en rangos de hasta 1 700 V y 1 200
A. Estn previstos rangos de tensin de hasta 2 a 3 kV.

33
 Tiristores controlados MOS (MCT)
El tiristor controlado MOS (MCT) es un dispositivo nuevo
en el mercado comercial. Los dos levemente distintos
smbolos para el MCT denotan si el dispositivo es un P-
MCT o un N-MCT.

El MCT tiene muchas de las propiedades de un GTO,

como una cada de baja tensin en el estado activo con
relativamente altas corrientes, as como una caracterstica
de activacin (enclavado) (el MCT permanece encendido
incluso cuando se quita la activacin de la puerta).

El MCT es un dispositivo controlado por tensin, igual que

el IGBT y el MOSFET, y se requiere ms o menos la
misma energa para conmutar un MCT que para un
:R:: ~FET o un IGBT.
.,,.,., ~
34
 Tiristores controlados MOS (MCT)
El MCT tiene dos ventajas principales ante el GTO,
adems de sus requisitos de control mucho ms sencillos
(no se necesita una corriente de puerta negativa grande
para la desconexin, como en el GTO) y velocidades de
conmutacin ms rpidas (tiemp,os de conexin y
desconexin de unos cuantos microsegundos):

Los MCT tienen cadas de voltaje de estado activo ms

pequeas en comparacin con IGBT de dimensionados
comparables y estn en la actualidad disponibles en
tensiones nominales hasta 1.500 V con corrientes
nominales de 50 A a unos cuantos cientos de
.
amperios.
Las corrientes nominales de MCT individuales son
~% PRQ Z l~onsiderablemente ms pequeas que las de GTO.
.,,.,., ~
35
 Comparacin de interruptores
controlables
Slo se pueden hacer pocas declaraciones definitivas al
comp,arar estos dispositivos, pues se debe tomar en
cuenta un nmero de propiedades en forma simultnea y
porque los dispositivos an se estn desarrollando a
pasos rpidos.

Cabe notar que, adems de las mejoras en estos

dispositivos, se estn investigando dispositivos nuevos. El
avance en la tecnologa de semiconductores permitir sin
duda alguna rangos de potencia mayores, velocidades de
conmutacin ms rpidas y una reduccin de costos.

36
 Comparacin de interruptores
controlables

Propiedade relativa de interruptore controlable

Dispo iti o apacidad de pote11cia Velocidad de conn1utaci11

BJT/MD edia edia
MOSFET Baja R ~ pida
GTO Alta Lenta
IGBT edia edia
CT edia edia

37
 Circuitos de control y
amortiguadores {SNUBBERS)
En un interruptor dado de semiconductores de potencia
controlables, sus velocidades de conmutacin y prdidas
en estado activo dependen de la forma como es
controlado.

Para un diseo correcto de un convertidor es entonces

importante disear el circuito de control apropiado p,ara la
base de un BJT o la puerta de un MOSFET, GTO o IGBT.

La tendencia es la integracin de una gran parte de la

tcnica de circuitos junto con el interruptor de potencia
dentro del paquete del dispositivo, para que se puedan
usar seales lgicas de un microprocesador y controlar as
_ ,. . . _PI iriterruptor en forma directa.
~-}
38
....... PlH? Z I ~
 Circuitos de control y
amortiguadores (SNUBBERS)
Los circuitos de amortiguadores se usan para modificar las
formas de ondas de conmutacin de interruptores
controlables. Por lo general, los amortiguadores se dividen
en tres categoras:
1. Amortiguadores de conexin para minimizar grandes
sobrecorrientes a travs del dispo,sitivo en la fase de
encendido.
2. Amortiguadores de desconexin para minimizar grandes
sobretensiones a travs del dispositivo en la fase de
apagado.
3. Amortiguadores reductores de esfuerzo que forman las
formas de ondas de conmutacin del dispositivo de modo
que la tensin y la corriente asociadas al dispositivo no
1 ;"-:: ~ n en alto en forma simultnea.
.,,.,., ~
39
 Circuitos de control y
amortiguadores {SNUBBERS)
En la prctica se usan algunas combinaciones de los
amortiguadores recin mencionados, segn el tipo de
dispositivo y la topologa del convertidor.

La tendencia ser el diseo de dispositivos capaces de

soportar altas tensiones y corrientes en forma simultnea
durante el breve intervalo de conmutacin, y de este
modo, minimizar el requisito de reduccin de esfuerzo. Sin
embargo, para un dispositivo con una caracterstica dada,
una alternativa para los amortiguadores es alterar la
topologa del convertidor de modo que no ocurran grandes
tensiones y corrientes al mismo tiempo. Estas topologas
_
. . . . de convertidores son llamados convertidores resonantes
~-}
.,,.,.,
PlH? Z I ~
40
Resumen de la capacidad de los
dispositivos
Tensin

1 Tiristores 1

Frecuencia 41
Propiedades de los dispositivos a
tener en cuenta para su seleccin
l. La tensin del estado activo o la resistencia del estado
activo dictan las prdidas de conduccin en el dispositivo.
2. Los tiempos de conmutacin dictan la prdida de energa
por transicin y determinan qu tan alta puede ser la
frecuencia de operacin.
3. Las tensiones y corrientes nominales determinan la
capacidad de manejo de potencia del dispositivo.
4. La potencia requerida por el circuito de control determina
la facilidad de controlar el dispositivo.
5. El coeficiente de temperatura de la resistencia de estado
activo de los dispositivos determina la facilid,ad de
conectarlos en paralelo para manejar corrientes grandes.
6. El costo del dispositivo es un factor en su seleccin.
42
Propiedades de los dispositivos a
tener en cuenta para su seleccin

Para el diseo de un convertidor desde el punto de vista del

sistema se deben tomar en cuenta los requisitos de tensin
y corriente. Otros factores importantes son la eficiencia de
energa aceptable, la frecuencia de conmutacin mnima
para reducir el tamao de filtros y equipos, sus costos, etc.

Por tanto, la seleccin del dispositivo debe asegurar una

combinacin apropiada entre las capacidades del
dispositivo y los requisitos del convertidor.

43
 Observaciones a tener en
cuenta en el anlisis de
topologas de convertidores
l. Por lo regular se desea que la eficiencia de energa sea
alta, la tensin del estado activo debe ser pequea en
comparacin con las tensiones de operacin, y por e,nde se
puede ignorar en el anlisis de caractersticas de
convertidores.
2. Los tiempos de conmutacin del dispositivo deben ser
cortos en comparacin con el periodo de frecuencia de
operacin, y por tanto se puede suponer que las
conmutaciones son instantneas.
3. En forma similar, pueden idealizarse las dems
propiedades del dispositivo.
44
 Observaciones a tener en
cuenta en el anlisis de
topologas de convertidores
La suposicin de caractersticas idealizadas simplifica en
forma importante el anlisis de convertidores sin prdida
significativa de precisin.

Sin embargo, para el diseo de convertidores, no slo se

deben considerar y comparar las propiedades del
dispositivo, sino tambin se deben comparar
cuidadosamente las topologas de convertidores con base
en las propiedades de los dispositivos disponibles y la
aplicacin planeada.
45