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A. Introduccin a la tcnica de modulacin PWM con El voltaje resultante de salida Vo a las salidas del puente
Inyeccin de Tercer Armnica para una carga resistiva se muestran en la Figura 4. A su vez
en la Figura 5 encontramos el espectro armnico de Vo, donde
En la tcnica de conmutacin utilizada el patron de podemos observar que las componentes armnicas se
conmutacin de las seales PWM se obtiene a partir de la encuentran en las bandas laterales de la frecuencia de
comparacin de una seal triangular (portadora) de amplitud conmutacin y sus mltiplos. Esta es una caracterstica
Ac y frecuencia fc, con una seal fundamental sinusoidal ms favorable de esta tcnica ya que el factor de distorsin se
una componente de tercera armnica (moduladora) de reduce en forma significativa.
amplitud Ar y frecuencia fr. Esta seal queda definida como:
Las Figuras 4 y 5 fueron obtenidas a travs de simulacin
utilizando PSpice, para una frecuencia base de 60Hz
2 1
F ( ) = sen() + sen(3) (1) obteniendo una frecuencia de conmutacin de 1.62 kHz (seal
3 3 3 portadora seleccionada a una frecuencia 27 veces de la seal
moduladora), e ndice de modulacin M=0.9.
La amplitud de la seal de salida se controla a travs del
ndice de modulacin M:
Ar
M= (2)
Ac
donde Ar y Ac representan las amplitudes de la seal
moduladora y portadora respectivamente. Ahora, la frecuencia
de salida fo se define por medio de la frecuencia de la seal
moduladora. De esta manera, cambiando los parmetros de la
seal moduladora por fase se regulan los ndices (M,fo), en
consecuencia se modifica la seal de salida. La estructura
general del inversor trifsico se muestra en la Figura 2, donde
el patrn de conmutacin a determinar es para los elementos
(Q1,Q2,Q3,Q4,Q5,Q6). La obtencin de las seales de cada
interruptor se genera comparando la portadora con tres seales
moduladoras, desfasada 120O entre ellas.
1 + 2 + 3 +... + n = tn (6)
Donde
n = Nmero de pasos en la resolucin.
tnoff + tnon + tnoff = tn (4) Para evitar posibles cortocircuitos durante la activacin y
desactivacin de dos interruptores de la misma rama se
Por lo tanto implementa un tiempo muerto (tiempo en blanco). Este tiempo
t1 + t2 + t3 +...+ tn = T (5) se selecciona segn las caractersticas de los dispositivos
semiconductores, en este caso se implement un tiempo de Finalmente, ya que se obtuvieron las seales de control para
6s (ver Figura 7). una de las ramas del puente trifsico solo resta generar las
dems. Para las otras dos la estructura de operacin del
programa de cdigo es la misma. El nico cambio radica en
desfasar las tablas de modulacin en un tercio para el segundo
microcontrolador y dos tercios para el tercero. Esto nos genera
un desfasamiento de 120O entre las seales de salida de cada
una de las ramas.
T 1) Fuente de CD
12s
t =
27 La fuente de CD esta formada por un convertidor CA-CD y
(8)
32 un filtro capacitivo. Un puente rectificador de diodos trifsico
fue utilizado para convertir la alimentacin de CA a voltaje de
De esta ecuacin se pueden obtener los tiempos necesarios CD y como filtro se utiliza un capacitor de 3300F a 400V.
para generar cada una de las frecuencias deseadas. La Figura 8 muestra el diagrama de esta fuente de CD.
Figura 12. Voltaje de fase a fase y corrientes de fase para una carga inductiva
Figura 11. Voltaje de fase a fase y corrientes de fase para una carga resistiva.
B. Carga inductiva
VII. REFERENCIAS