GUIA DOCENTE DE LA ASIGNATURA

ELECTRNICA FSICA Curso 2016- 2017

(Fecha ltima actualizacin: 22/06/16)

MDULO MATERIA CURSO SEMESTRE CRDITOS TIPO

Estructura de la Materia Electrnica Fsica 4 1 6 Obligatoria

DIRECCIN COMPLETA DE CONTACTO PARA TUTORAS

PROFESORES*1
(Direccin postal, telfono, correo electrnico, etc.)

Dpto. Electrnica y Tecnologa de

Computadores, 2 planta, Facultad de Ciencias,
Seccin de Fsica.
Despachos:
Prof. J.E. Carceller: n 1
Juan E. Carceller Beltrn (Grupo Grande y
Prof. F.M. Gmez Campos: n 11
Pequeo)
Correos electrnicos: jcarcell arroba ugr.es
Francisco M. Gmez Campos (Grupo Pequeo)
fmgomez arroba ugr.es

HORARIO DE TUTORAS*

Prof. J. E. Carceller: Ma., Mi.: 10h a 12 h.

Prof. F.M. Gmez: L., Mi.: 10h a 13h.

GRADO EN EL QUE SE IMPARTE OTROS GRADOS A LOS QUE SE PODRA OFERTAR

Grado en Ingeniera de Tecnologas de

Grado en Fsica Telecomunicacin.
Grado en Ingeniera Electrnica Industrial.

PRERREQUISITOS Y/O RECOMENDACIONES (si procede)

Se recomienda tener cursadas las asignaturas Electromagnetismo, Fsica Estadstica, Fsica Cuntica y
Fsica del Estado Slido, as como tener los conocimientos correspondientes a las asignaturas de
matemticas propias de la titulacin.

BREVE DESCRIPCIN DE CONTENIDOS (SEGN MEMORIA DE VERIFICACIN DEL GRADO)

En esta asignatura se explicarn los principios bsicos de los Semiconductores, su estructura fsica y tipos, las
propiedades de transporte de corriente elctrica, los procesos de Generacin y Recombinacin de portadores,
las ecuaciones de difusin deriva, la unin P-N, las heteroestructuras y capas bidimensionales de huecos y

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* Consulte posible actualizacin en Acceso Identificado > Aplicaciones > Ordenacin Docente.

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electrones. Tambin se tratarn las clulas solares y fotodiodos, como aplicacin de la interaccin de la
radiacin luminosa con las uniones P-N.

COMPETENCIAS GENERALES Y ESPECFICAS

CT1: Capacidad de anlisis y sntesis.

CT2: Capacidad de organizacin y planificacin.
CT5: Capacidad de gestin de la informacin.
CT6: Resolucin de Problemas.
CT8: Razonamiento crtico.
CT9: Aprendizaje autnomo
CE1: Conocer y comprender los fenmenos y las teoras fsicas ms importantes.
CE2: Estimar rdenes de magnitud para interpretar fenmenos diversos.
CE4: Medir, interpretar y disear experiencias en el laboratorio o en el entorno
CE5: Modelar fenmenos complejos, trasladando un problema fsico al lenguaje matemtico.
CE7: Trasmitir conocimientos de forma clara tanto en mbitos docentes como no docentes.
CE9: Aplicar los conocimientos matemticos en el contexto general de la fsica.XXXX

OBJETIVOS (EXPRESADOS COMO RESULTADOS ESPERABLES DE LA ENSEANZA)

El alumno sabr/comprender:
El concepto de hueco en un semiconductor y su utilizacin para evaluar el transporte de carga.
Cmo obtener las concentraciones de huecos y electrones en un semiconductor y su concentracin
intrnseca.
El uso de impurezas en los semiconductores para determinar su tipo y comportamiento.
El clculo y determinacin de la densidad de huecos y electrones en un semiconductor extrnseco.
El concepto de neutralidad elctrica aplicado a semiconductores
La movilidad de los electrones y su dependencia de la temperatura, de las concentraciones de
impurezas y de los campos elctricos.
La fsica de los mecanismos de generacin y recombinacin de portadores en semiconductores, el
concepto de bajo nivel de inyeccin y el de pseudo-nivel de Fermi para electrones y huecos, as como
su uso para la determinacin de concentraciones de portadores estticas y transitorias.
Las ecuaciones de Difusin-Deriva (o Arrastre) y las de continuidad en semiconductores. Su resolucin
en algunos casos simples.
El funcionamiento de la unin P-N en equilibrio y bajo polarizacin: Constitucin real y modelos
prcticos. Los modelos sencillos para resolucin analtica. El campo y el potencial elctrico auto-
constituido (Built-in). El concepto de Zona de Carga Espacial. las relaciones de equilibrio entre las
corrientes de difusin y de arrastre. la corriente inversa de saturacin y su dependencia con la
temperatura. El concepto de polarizacin en directo y en inverso. Ecuacin y forma de la corriente I-V
de un diodo. Una aplicacin simple: la rectificacin de seales alternas.
Las nociones bsicas de las heteroestructuras y gases de huecos y electrones bidimensionales (2D):
Qu son los pozos cunticos simples y mltiples, los hilos y puntos cunticos
Los principios bsicos de la interaccin luz (radiacin electromagntica)-semiconductor. El efecto
fotovoltaico. La estructura y los fundamentos de los dispositivos detectores de luz: Fotodiodos y
Clulas Solares. La curva I-V de una clula solar. La potencia suministrada y el rendimiento
energtico.

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TEMARIO DETALLADO DE LA ASIGNATURA

TEMARIO TERICO:
Tema 1. Revisin de los resultados de la teora de bandas en los slidos. Caractersticas de las bandas
de los semiconductores. Corriente de los electrones en una banda. Modelo semiclsico. Modelo de la
masa efectiva. Matriz de la masa efectiva. Concepto de hueco.
Tema 2. Concentracin de electrones y huecos en los semiconductores. Semiconductores intrnsecos.
Densidad de estados. Funcin de ocupacin. Concentracin intrnseca ni. Dopado de los
semiconductores: impurezas aceptadoras y donantes. Factores de ocupacin de los niveles de energa
creados por las impurezas. Ecuacin de neutralidad elctrica.
Tema 3. Transporte de carga en los semiconductores: Movilidad de los portadores. Dependencia con
la Temperatura y con la concentracin de impurezas. Efectos de campos elctricos altos.
Tema 4. Generacin y Recombinacin de portadores: Conceptos bsicos. Tipos de recombinacin:
modelos elementales. Inyeccin de bajo nivel. Pseudo-niveles de Fermi.
Tema 5. Procesos de difusin en semiconductores. Corrientes de difusin. Corrientes de Difusin y
Deriva: Consecuencias en Equilibrio termodinmico. Ecuaciones de continuidad.
Tema 6. La unin P-N: Esquema de fabricacin de una unin P-N real. Esquema terico. La unin P-N
en equilibrio termodinmico: Descripcin cualitativa. Modelo de la unin abrupta e hiptesis de
vaciamiento: Clculo del Campo y Potencial elctrico en la estructura. Heterouniones y
Heteroestructuras: Gases 2D.
Tema 7: La unin P-N en rgimen esttico: Descripcin cualitativa. Hiptesis de baja inyeccin. Curva
I-V. Zona de deplexin: Capacidad de Transicin. Una aplicacin comn: Rectificacin de una seal
alterna.
Tema 8: Dispositivos Semiconductores Optoelectrnicos I: Fotodetectores y clulas solares. Principio
de Funcionamiento. Similitudes y diferencias. Curva I-V. Potencia mxima suministrada por una clula
solar. Eficiencia energtica

TEMARIO PRCTICO:
Prcticas de Laboratorio
Prctica 1. Medida y caracterizacin de las curvas caractersticas de una unin P-N.

BIBLIOGRAFA

BIBLIOGRAFA FUNDAMENTAL:
Fsica del Estado Slido y de los semiconductores. J. P. Mckelvey. Ed. Limusa, 1976.
Solid State Electronic Devices, 6th Edition. B. G. Streetman, S. K Banerjee Pearson Prentice Hall,
2006. USA. (ISBN: 0-13-149726-X)
Semiconductor Devices: Physics and Technology. 2nd Edition. S. M. Sze. John Wiley and Sons, 2002.
(ISBN: 0-471-33372-7)

BIBLIOGRAFA COMPLEMENTARIA:
Dispositivos Electrnicos. Problemas Resueltos. Juan B. Roldn, Fco. Jess Gmiz. Editorial Ra_MA,
2001.
Fundamentals of Solid State Electronics. C. T. Sah World Scientific, 1993 (ISBN: 9810206380)
Fundamentals of Semiconductor Theory and Device Physics. S. Wang. Prentice Hall, 1989. (ISBN: 0-
13-344409-0)
Photonic Devices. J. M. Liu. Cambridge University Press, 2005. (ISBN: 978-0-521-55195-3)
Fundamentals of Photonics B. E. A. Saleh, M. C. Teich. John Wiley and Sons, Inc., 1991. (ISBN: 0-
471-83965-5). Captulos 15, 16 y 17)

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 La bibliografa bsica de las asignaturas Fsica Estadstica y Fsica del Estado Slido.

ENLACES RECOMENDADOS

Algunos vdeos realizados por miembros del Departamento de Electrnica y Tecnologa de Computadores sobre
distintos aspectos de la fsica de los semiconductores y dispositivos electrnicos relacionados con el temario
de la asignatura:
Densidad de Estados: http://www.youtube.com/watch?v=cqUCYramcFA
Unin P-N: http://www.youtube.com/watch?v=hsJGw_c-Nn4
MOSFET: http://www.youtube.com/watch?v=9JKj-wlEPMY
El siguiente enlace no trata sobre materia del temario de la asignatura propiamente, pero puede contribuir a
la formacin del alumno y ser un adecuado complemento para la comprensin del funcionamiento del
osciloscopio: http://www.youtube.com/watch?v=wVXOIwtkFZk

METODOLOGA DOCENTE

El profesor expondr en clase los contenidos tericos necesarios para afrontar con xito las siguientes
actividades que debern realizar los estudiantes.
Resolucin de problemas al final de cada tema.
Desarrollo y ampliacin de contenidos tericos
Prcticas de Laboratorio. Asistencia Obligatoria.

EVALUACIN (INSTRUMENTOS DE EVALUACIN, CRITERIOS DE EVALUACIN Y PORCENTAJE SOBRE LA CALIFICACIN FINAL, ETC.)

Evaluacin de problemas y desarrollo o ampliacin de temas. Pruebas parciales de evaluacin: 20% de

la calificacin final.
Evaluacin de prcticas: 10% de la calificacin final Asistencia obligatoria.
Examen final: 70% de la calificacin final. Nota mnima de esta prueba para la compensacin con las
anteriores: 5 sobre 10. La superacin de la asignatura requiere una nota final igual o superior a 5
sobre 10.
Para los alumnos que, de acuerdo con la Normativa de Evaluacin y calificacin de los Estudiantes de
la Universidad de Granada opten por la evaluacin nica final, el examen final nico incluir una
parte prctica y otra escrita. La parte prctica consistir en la realizacin de una prctica, excepto
para quienes hayan realizado y superado las prcticas de laboratorio durante el curso. Para aprobar la
asignatura, se deber sacar una puntuacin de 5 sobre 10 en cada parte.

INFORMACIN ADICIONAL

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