UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE

Nombre: Luis Andrs Chicaiza

NRC: 3348

TEMA 3: FSICA DE LA UNIN P-N.

Introduccin.

Si sobre la superficie de un semiconductor previamente dopado con impurezas

aceptoras se difunden tomos dadores se forma una unin de propiedades muy
interesantes llamada unin p-n. La unin p-n desempea un importante papel en las
aplicaciones de la electrnica moderna, as como en la construccin y aplicacin de
otros dispositivos semiconductores. Se utiliza por ejemplo en aplicaciones de
rectificacin, conmutacin. Adems es un dispositivo fundamental en la construccin
de otros dispositivos semiconductores tales como los transistores bipolares, tiristores,
transistores de efecto de campo o dispositivos para aplicacin en microondas o
fotnicos.
En esta leccin se van a presentar las caractersticas ideales estticas y dinmicas de
la unin p-n en base a las ecuaciones obtenidas en la leccin anterior.

3.1. La unin p-n en equilibrio trmico.

Fig. 1.a muestra dos materiales semiconductores, uno de tipo P y otro de tipo N
separados entre s. En ellos el nivel de Fermi EF est cerca de la banda de valencia para
la muestra de tipo P y cerca de la banda de conduccin para el material de tipo N. Por
otra parte, el material de tipo P tiene una concentracin de huecos mucho mayor que de
electrones y al revs ocurre en el material de tipo N.

Fig. 1: (a) Semiconductores de tipo N y tipo P uniformemente dopados

antes de la unin. (b) Campo elctrico en la regin espacial de carga y
diagrama de bandas de energa en la unin p-n en equilibrio trmico.

Formacin de la regin espacial de carga.

 Una unin p-n se forma cuando se unen estas dos regiones. En la prctica, los
procesos de fabricacin de uniones p-n son los de epitaxia, difusin e implantacin de
iones.
 Para simplificar vamos a suponer el caso en que el lmite entre las regiones P y N
represente una unin escaln o unin abrupta. En este tipo de unin la transicin entre
las regiones P y N tiene lugar en una distancia extremadamente pequea. Por lo tanto,
hay un cambio brusco en el dopaje yendo desde P hasta N.
Aunque la unin abrupta no es una estructura tpica de los dispositivos modernos, s
es, en cambio, una buena aproximacin de la unin p-n, que pone de manifiesto sus
caractersticas de funcionamiento y de tensin-corriente. Otro argumento a favor de
utilizar dicha aproximacin es que el comportamiento fsico interno y las propiedades
elctricas de la unin varan muy poco con el mtodo que se emplee en su obtencin.
El hecho de unir ambos tipos de material provoca un elevado gradiente de
concentracin de portadores en las proximidades de la unin. De hecho, lo que se
observa es por un lado, una corriente de difusin de huecos de la regin P hacia la
regin N y por otro, una corriente de difusin de electrones de la regin N hacia la P.
Pero adems, la marcha o difusin de estos portadores de su regin inicial a la otra deja

al descubierto algunos iones fijos en la red cristalina, iones aceptores negativos N A en
la regin P e iones dadores positivos en la regin N, N . Dicha zona es llamada zona
D
de agotamiento o regin espacial de carga y es una regin en que no existen ni
electrones ni huecos pero contiene tomos dadores ionizados positivamente a un lado y
tomos aceptores ionizados negativamente al otro lado. En consecuencia, se forma una
zona de con cargas negativas fijas en la cara P de la unin y una zona con cargas
positivas fijas en la cara N. La presencia de estas cargas fijas da lugar a la aparicin de
un fuerte campo elctrico cuyas lneas de campo se dirigen desde la zona N hacia la
zona P, es decir, desde la zona de carga positiva a la zona de carga negativa (Fig. 1b).
La orientacin, por tanto, de este campo elctrico es siempre en contra de la corriente de
difusin del portador de carga considerado.
Las condiciones despus del contacto se muestran en Fig. 2:

Fig. 2: Regin espacial de carga, sentido del campo elctrico y potencial de

contacto en equilibrio trmico.
 Se ha supuesto que la regin espacial de carga contiene nicamente tomos de
impurezas ionizados (en realidad existen unas pequeas concentraciones de portadores
mviles -electrones y huecos- despreciables frente a las concentraciones de impurezas)
y que ms all de esta regin los materiales (P y N) son neutros.
Si consideramos, por ejemplo, el semiconductor de tipo N, en todo este
semiconductor existen ND impurezas por unidad de volumen pero en la zona neutra la
carga de los iones es compensada con la de los portadores mviles mayoritarios
(electrones) mientras que en la zona prxima a la unin la carga de los iones dadores
cargados positivamente no es compensada.
Observamos como la zona N de la regin espacial de carga se extiende desde x = 0
hasta x = xn, mientras que la zona P se extiende desde x = 0 hasta x = -xp. La lnea que
separa las dos regiones est en x = 0 y corresponde a la unin metalrgica de las
regiones P y N.

Barrera de potencial y bandas de energa.

La presencia de cargas en la regin espacial de carga da lugar a un campo elctrico,

el cual causa una diferencia de potencial en dicha regin que recibe el nombre de
potencial de contacto, Vbi y es mostrado en Fig. 2.
Este potencial de contacto viene acompaado por un desnivel de las bandas de
energa como se muestra en Fig. 3. Este desnivel se explica como sigue: la cada de
tensin entre dos puntos a y b se define como la energa empleada o adquirida para
mover una carga positiva unidad desde a hasta b. Si la carga positiva (hueco) est en a
(zona P) y b (zona N) est a una mayor tensin Vbi, se realiza un trabajo para mover la
carga. Al llegar a b, la carga positiva ha ganado una energa potencial igual a la energa
empleada que viene dada por (qVbi), donde q es la carga del electrn.

Fig. 3: Diagrama de bandas de energa en la zona de la unin.

Si un electrn es llevado desde a hasta b, con b a una tensin superior Vbi, el electrn
(carga negativa) pierde una energa potencial - qVbi.
En consecuencia, un electrn en x xn tiene menos energa potencial que un electrn
en x xp (zonas neutras). Los niveles energticos de la zona N son menores que los de
la zona P en una cantidad qVbi.
Recordemos que los electrones residen en la banda de conduccin y los huecos en la
de valencia y que la energa del electrn aumenta al moverse hacia arriba en la banda de
conduccin siendo Ec la mnima energa de un electrn libre (corresponde a la energa
de un electrn en reposo y toda ella es energa potencial energa cintica cero-
aumentando la energa cintica al desplazarse hacia arriba en la banda de conduccin) ,
mientras que la del hueco aumenta al moverse hacia abajo en la banda de valencia
siendo Ev la energa de un hueco en reposo (toda ella es energa potencial energa
cintica cero- aumentando la energa cintica al desplazarse hacia arriba en la banda de
conduccin)
Al potencial de contacto tambin se le conoce como barrera de potencial.

Corrientes de arrastre y de difusin.

La presencia del campo elctrico en la zona de la unin debido a la presencia de

cargas fijas, orientado en sentido contrario al movimiento de cada uno de los portadores
por difusin, crea a su vez una corriente de arrastre. Por un lado hay una corriente de
difusin de huecos de la zona P a la N debida al gradiente de concentracin y una
corriente de arrastre tambin de huecos (debida al campo elctrico) de la zona N a la P.
Con respecto a los electrones, la corriente de difusin debida al gradiente de
concentracin va de la zona N a la P y la de arrastre debida al campo elctrico de la
zona P a la N.
En condiciones de equilibrio trmico, sin ninguna excitacin externa, la corriente
total, suma de las dos corrientes de arrastre (de electrones y de huecos) y de las dos
corrientes de difusin ha de ser cero. Una corriente total que no fuese cero causara una
disipacin energtica, lo cual no es posible ya que no hay ninguna fuente en el diodo
que proporcione dicha energa.
Por otra parte la corriente total de electrones y la corriente total de huecos son ambas
cero. La corriente neta correspondiente a cada tipo de portador (electrones o huecos) ha
de ser cero debido al siguiente razonamiento: como la unin p-n est en equilibrio
trmico, el producto np debe ser igual a n 2 . Supongamos que la corriente neta de
i
electrones (diferencia entre las corrientes de difusin y arrastre) no fuese cero, entonces
la corriente neta de huecos debera ser igual en magnitud pero sentido contrario a la de
los electrones (pues la corriente total es cero). Esto implicara que habra una
transferencia neta de electrones y huecos en el mismo sentido provocando un
incremento de las concentraciones de ambos en una de las regiones y violando por tanto
la condicin de equilibrio trmico.

3.1.1. Relaciones analticas en equilibrio

trmico.

A partir de ahora se van a establecer las relaciones analticas para la unin p-n en
equilibrio trmico. Determinaremos primeramente la electrosttica de la regin espacial
de carga y con posterioridad la localizacin del nivel de Fermi y una expresin para el
potencial de contacto en la unin.

3.1.1.1. Electrosttica de la regin espacial

de carga.

Si recordamos la definicin de campo elctrico, este se define como la fuerza

ejercida sobre la unidad de carga positiva. Cuando un campo elctrico se aplica al
semiconductor, dicho campo realiza una fuerza -qsobre cada electrn, donde q es el
valor de la carga del electrn. Tambin sabemos que dicha fuerza ejercida es igual al
valor negativo del gradiente de la energa potencial:

F = -q= - (gradiente de la energa potencial del electrn)

Sabemos que el valor inferior de la banda de conduccin Ec corresponde a la energa

potencial de un electrn. Como estamos interesados en el gradiente de la energa
potencial, podemos utilizar cualquier parte del diagrama de bandas que sea paralelo a Ec

(es decir, EF, Ei o Ev). Es conveniente utilizar Ei pues dicha magnitud es ampliamente
utilizada en el caso de uniones P-N . Por tanto y para el caso unidimensional:

Ya se calcul el valor de dicho campo

elctrico para el caso de un semiconductor de tipo N sujeto a una diferencia de
potencial constante.
El potencial electrosttico, , se define como aquella magnitud cuyo gradiente
negativo iguala al campo elctrico. Por tanto, para el caso unidimensional:

nos permite relacionar el potencial electrosttico, la energa potencial y el campo

elctrico para una unin p-n.
Movindonos desde cualquiera de las dos regiones neutras hacia la unin p-n
aparecen distintas zonas. En una primera zona, la carga aportada por los iones de las
impurezas es parcialmente compensada con la carga de los portadores mviles, es una
regin estrecha de poco espesor y recibe el nombre de regin de transicin (Fig. 4c).
Fig. 4 : (a) Unin p-n con cambios bruscos de dopado en la unin metalrgica.
(b) Diagrama de bandas de energa de la unin abrupta en equilibrio trmico. (c)
Distribucin espacial de carga. (d) Aproximacin rectangular de la distribucin
espacial de carga.

Ms all de esta regin aparece la regin espacial de carga. Para uniones p-n tpicas,
la anchura de la regin de transicin es pequea comparada con la de la regin espacial
de carga, de forma que puede despreciarse dicha regin de transicin y aproximar la
regin espacial de carga por una distribucin espacial (Fig. 4d) donde xp y xn
representan las anchuras de esta regin en las zonas P y N respectivamente.
En las regiones de transicin, la distribucin espacial de carga vendr dada a partir de
la contribucin de todas las cargas que intervienen:

En el caso general de una unin abrupta, en el semiconductor de tipo N pueden

coexistir ambos tipos de impurezas cumplindose la relacin ND >> NA e igualmente en
el semiconductor de tipo P se cumplir NA >> ND. En la prctica vamos a suponer que
la concentracin de impurezas aceptoras NA en el semiconductor de tipo N es nula al
igual que la concentracin de impurezas dadoras ND en el de tipo P:
 En las expresiones anteriores se ha tenido en cuenta que en la regin espacial de
carga no existen portadores mviles (n = p = 0). Como ya se ha dicho con anterioridad,
en realidad existen unas pequeas concentraciones de portadores mviles -electrones y
huecos- despreciables frente a las concentraciones de impurezas.
En regiones alejadas de la unin metalrgica (zonas neutras de tipo N y P), se
mantiene la neutralidad de carga y la densidad espacial de carga total s es cero. En
estas regiones:

As en la zona neutra de tipo P, suponiendo ND =0 y teniendo en cuenta que p >> n

se tiene que p NA. Para la zona neutra de tipo N, , suponiendo NA = 0 y teniendo en
cuenta que n >> p se tiene que n ND.

3.1.1.2. Constancia del nivel de Fermi.

Anteriormente se ha visto que, en equilibrio trmico, la corriente neta tanto de

electrones como de huecos a travs de la unin es cero. En consecuencia, para cada tipo
de portador, la corriente de arrastre debida al campo elctrico debe igualarse a la de
difusin causada por el gradiente de concentracin. Para la densidad de corriente de
huecos en el caso unidimensional se cumplir que:
 La conclusin primera que se obtiene es que, derivado de la condicin de flujo neto
nulo de portadores (huecos y electrones) en la unin, el nivel de Fermi deber ser
constante (es decir, independiente de x), a lo largo de la muestra semiconductora p-n
(Fig. 1b y Fig. 4b).

Polarizacion Directa

Cuando un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa conectandole una fuente de

fuerza electromotriz o suministro electrico (como una batera, por ejemplo), su lado P se
vuelve mas positivo, lo que ocasiona que se cree una diferencia en altura del nivel de
fermi en la parte negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en esa parte
alcancen la banda de conduccion y puedan atravesar la union o juntura p-n pasando a
llenar los huecos presentes al otro lado de la union. De esa forma los electrones alcanzaran la
banda de conduccion, atravesaran la union p-n y saltaran de un hueco a otro en la parte
positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido en el polo positivo de la fuente de
suministro electrico. La situacion que se produce se puede interpretar como: electrones movie
ndose en un sentido y huecos moviendose en sentido opuesto.
 Polarizacion Directa del Diodo

Cuando el semiconductor diodo se polariza de forma in- versa, el lado positivo P de

la union p-n se vuelve negativo (debido a estar conectado al polo negativo de la bater
a). En esas condiciones el nivel de fermi correspondiente a esa parte positiva crece en
altura, impidiendo as que los electrones se puedan mover a traves del cristal semiconductor.
En la ilustracion se pueden observar unas flechas indicando la direccion correspondiente
al flujo electronico tratando de acceder al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues
al estar polarizado de forma inversa la zona de deplexion se ampla. Ademas, como se
puede ver tambien, la diferencia de altura del nivel de fermi en la parte positiva P del
diodo aumenta, mientras que en la parte negativa N disminuye. Por tanto, bajo esas
circunstancias los electrones presentes en la parte negativa careceran de la suficiente energa
para poder atravesar la union p-n.

Polarizacion Inversa del Diodo

BIBLIOGRAF IA

Anonimo,<sCielo> FISICA DE LA UNION P-N., [En lnea] Available:

http://www.uv.es/candid/docencia/Tema3(01- 02).pdf

Anonimo,<Google> El Diodo , [En lnea] Available

http://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/diodo.htm

Garcia.A,<Google> Asi Funcionan los diodos, [En lnea] Available:

http://www.asifunciona.com/fisica/af diodos/af diodos 5.htm
un

. Como se puede observar el potencial

electrosttico para el GaAs es mayor debido a que la concentracin intrnseca (ni) es
ms pequea.

Fig. 5: Potenciales de contacto en la zona P y en la zona N para uniones abruptas de Si

y GaAs en funcin de la concentracin de impurezas.
 W x p xn

El campo elctrico mostrado en Fig. 7b se obtiene a partir de la definicin del

potencial electrosttico de la siguiente forma:
Para -xp x 0 (zona P):
d q dx () q N (x x cte
x N
) A
p

A
dx xp s s

Sabiendo que (x p ) 0 cte 0 , por lo que:

q N A (x x p ) x 0 (zona P)
(x) () ; -xp

Para 0 x xn (zona N): x q N D q N D (x xn )

(x) () dx cte
d

dx xn s s

Sabiendo que (xn ) 0 cte 0 , por lo que:

q N D (x xn ) (zona N):
(x) ; 0 x x
n

El campo elctrico tiene un valor mximo m que est localizado en x = 0 que viene
dado por la expresin:
q N x
q N D xn A p

m
s s

2 s
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -93
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -94
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -95
I.T.T.(S.E.) - Universitat de Valncia - Curso 00/01 -130-