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1.

Procedimiento
1.1. De las especificaciones del fabricante obtenga los valores correspondientes a VTN y k del
NMOS seleccionado.
Los puntos de Operacin de un MOS-FET 27000

V DS =6.2V

I D =945 A
V T =0.6 V
K n=0.0003
1.2. Disee los valores de R1, R2, RS y RD para el punto de operacin asignado por su instructor.
Analticamente, utilizando la malla de entrada, buscamos el valor del voltaje

V GS

V
2
( GSV T )
I D =K n

V GS=

ID
+V T
Kn

V GS=

945 A
+ 0.6 V
0.0003

V GS=2.37 V
Buscar RS y RD

V DS =V DDI D R DI D R S
V DSV DD
=( R D + RS )
I D
6.212
=(R D + RS )
945 A
6.137 k =( R D + R S)
Del libro de electrnicos podemos asumir un resistencia adecuada, su valor es de
De la ecuacin anterior podemos despejar

V GS=V G V S

RS =4.137 k

R D=2 k

V GS=V G I D R S
V G=V GS+ I D R S
V G=2.37V +(945 A)(4 k)
V G=6.15V
Realizando el divisor de voltaje en la malla de entrada

V G=V SS (

R 1 R2
)
R 1+ R 2

Para que el MOSFET, una de sus caractersticas principales, es que su impedancia de entrada es alta.
Entonces asumimos

R1 / R 2=1.0 M

R1 R 2
=1.0 M
R 1+ R 2
Determinamos una resistencia

R2=

2 M , entonces el valor de

R1=

2 M .

1.3. Elija los valores comerciales de R ms cercanos a los diseados para R 1, R2, RS y RD y complete
la tabla 1.

R1=

2 M 2 M

R2=

2 M 2 M

R D=2 k 2 k
Rs =4.137 k 4 k
1.4. Recalcule el punto de operacin esttica con los resistores comerciales escogidos.

Figura N1. Circuito propuesto con valores comerciales escogidos

Figura N2. Circuito propuesto con valores comerciales escogidos y adems punto de
operacin recalculado.

1.5. Arme el circuito propuesto usando los capacitores y la carga RL asignados por su instructor. Con
la seal de excitacin en cero determine por medicin el punto de operacin del circuito. Anote
sus mediciones. Compare los valores medidos con los calculados.

Figura N3. Circuito con el valor de Vds experimental.

Figura N3. Circuito con el valor de Vgs experimental.

Figura N4. Circuito con el valor de Id experimental.


Tabla 1. Valores de las Resistencias del Circuito
Valores de Diseo
Valores Comerciales
R1
2M
2M
R2
2M
2M
RS
4.137k
4.137k
RD
2k
2k
Tabla 2. Valores de Punto de Operacin del Circuito
Valores
Valores
Calculados
Experimentales
VGS
2.37 V
2.138 V
ID
945 A
966.338 A
VDS
6.2 V
6.211 V
1.6. Estime el valor de vgs requerido para la operacin lineal y antelo
1.7. Estime por medicin el valor de Rg del generador de seales usando el osciloscopio tal como se
indica en la figura 2 y 3. Anote el valor medido y comprelo con el dato de placa del generador
de seales.

Figura N5. Circuito Equivalente del divisor de voltaje con un MOSFET E.


1.8. Calcule analticamente la ganancia Vo/ Vi e Io/Ii.

A v=

V0
=gm ( R D / R d )
Vi
Rd R D

Asumimos que

A v=

V0
=gm ( R D )
Vi

Para calcular

gm

V T =0.6 V
K n=0.0003
V GS=2.37 V
gm=2k (V GSV T )=0.001062 siemens
Calcular ganancia de Voltaje

A v=

V0
=gm ( R D ) =2.124 V
Vi

1.9. Calcule analticamente Rsalida y Rentrada.

Figura N6. Representacin de la impedancia de entrada y salida.

Impedancia de Entrada

Z i=R 1 / R2 =

R1 R 2
=1.0 M
R1 + R 2

Impedancia de Salida

Z 0 =R D / R d
R D / R L =

R D Rd
=2.0 k
RD + Rd

1.10.
Ajuste el voltaje de la seal de excitacin lentamente, monitoreando la seal de salida
en la carga hasta alcanzar el Vopp mximo posible sin distorsin. Mida los voltajes de salida y
de excitacin usando el osciloscopio y determine su relacin de fase.
1.11.
Calcule la ganancia de voltaje y de corriente usando las mediciones tomadas. Compare
los valores medidos con los calculados analticamente.
Canal 1

V i ; Canal 2

V0

Figura N7. Circuito AC como Amplificador con MOSFET.

Figura N8. Ganancia de Voltaje del Circuito propuesto.

A v=

V 0 3.37 V
=
=2.33 V
V i 1.41V

1.12.
Proponga un procedimiento para medir la R salida y Rentrada . Presente su propuesta al
instructor para su aprobacin y ejecute el procedimiento y compare con los valores calculados y
explique el porqu de las discrepancias si las hay.