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Electrnica de Potencia
Tema 2
Tema 2.Dispositivos
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TIPOS DE DISPOSITIVOS
1. NO CONTROLADOS
DIODOS
2. SEMICONTROLADOS
TIRISTORES
3. CONTROLADOS
TRANSISTORES BIPOLARES
MOSFET
IGBT
GTO
ETC...
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Modo de operacin
Los semiconductores utilizados en la Electrnica de
Potencia operan como interruptores:
N interesa
Nos
i t
conocer
Caractersticas de conduccin
Caractersticas de conmutacin
Mtodo de control
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Tensin Directa
Cada de tensin en conduccin
VF : Forward Voltage
T bi aparece como VD, VCE satt...
Tambin
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Safe
Operating
Area
Avalancha
A
l
h
Secundaria
log i
log Imax
Potencia
mxima
SOA
log v
log Vmax
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Prdidas
Siempre que existe convivencia tensin corriente en el componente,
se disipa energa en forma de calor
V
u i dt
0
P=
= f
P. Conduccin
P
P. Conmutacin
encendido
apagado
p g
PTOTALES= PENCENDIDO+PAPAGADO+PCONDUCCIN+PEXCITACIN
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SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Frecuencia de conmutacin
Rapidez con la cual es capaz de conmutar un dispositivo
Viene limitada por:
Capacidades
p
parsitas
p
Difusin de portadores
Prdidas en conmutacin
=
u i dt
Tema 2.Dispositivos
P=
= f
T
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DIODOS
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DIODOS
nodo
Ctodo
Tensin
inversa
VB
IO
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Tensin V
Tensin
directa
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DIODOS
Cortocircuito
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Primera
aproximacin
Pd = Vd I d ,med
Segunda
g
aproximacin
Pd = Vd I d ,med + rd I d2,ef
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8.3. Diodos
DIODOS
IF
Qrr
ts
0
0.25IRR
IR
R
tf
S <1
tf
S=
ts
Clasificacin diodos
LENTOS
RPIDOS
ULTRARPIDOS
SCHOTTKY
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DIODOS
DIODO
No Controlado
VRRM < 15000V
IF < 3800A
fmx < tipo
Tiempo de recuperacin
inversa
iD
Prdidas en conduccin
iD
rD
VD
2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
trr
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TIRISTOR
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TIRISTOR
iak
nodo, A
ZONA DE CONDUCCIN
Comportamiento similar al diodo:
ZONA DE BLOQUEO
DE TENSIN INVERSA
Puerta, G
Ctodo, K
Tensin
mxima
a
iG DISPARO
iG2
iak
rd
iG1
VRRM
VDRM
vak
1. REQUISITOS DE DISPARO
vak > 0 (Previamente polarizado en directa)
EFECTO
AVALANCHA
DE TENSIN DIRECTA
Tensin mxima vDRM
iG > iG DISPARO
Iak > IH CORRIENTE DE ENCLAVAMIENTO
2. REQUISITOS DE APAGADO
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TIRISTOR
iG
iakk
IL
iak
t
Se enclava
Se apaga
Sigue disparado
No se ha alcanzado IL
aunque iG = 0
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iG
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TIRISTOR
Formas de apagado
1 NATURAL.
1.
NATURAL
2. FORZADA.
Apagado por fuente inversa de tensin.
Apagado por fuente inversa de intensidad.
intensidad
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TIRISTOR
TIRISTOR
Semicontrolado por
corriente de puerta
Prdidas en conduccin
iD
rD
VD
2
P=VD.iD + rD.iD(RMS)
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TRIAC
Tema 2.Dispositivos
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TRIAC
TRIAC
MT1
+II
MT1
Cuadrante I
(MT2+ve ) Corriente de
disparo, IG
V
Cuadrante II
G
T1
-V
V
T2
Estado:
apagado
MT2
Circuito equivalente de un
TRIAC
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MT2
Corriente de
disparo,
p
IG
Cuadrante III
(MT2-vve )
Estado:
encendido
did
-I
Cuadrante IV
Estado:
encendido
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MOSFET
((Metal Oxide Semiconductor Field Efect
Transistor)
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MOSFET
Drenador (drain,
(drain D)
D
Puerta (gate, G) G
Zona hmica
VGS1
VGS2
VGS3
Intensid
dad de sumide
ero ID
Fuente de corriente
VGSn
Regin de corte
ID
Pcond = RDSon I
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2
D ,ef
ID
RDSon
G
S
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MOSFET
VDD
VDS
G
Circuito de
excitacin
VMM 1000-01P
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MOSFET
D
VGS
VDS
tr = tiempo de subida
90%
Cgd
tF = tiempo de bajada
Cds
Cgs
td(on) tF
ID
td(off)
p g
td(off) = retraso de apagado
tR
Existe un diodo parsito entre drenador y fuente que puede conducir cuando el
MOSFET est
t en estado
t d d
de bloqueo.
bl
S conduccin
Su
d
i no es aconsejable
j bl porque es
un diodo lento y aumenta considerablemente las prdidas
Cgd
Cds
VMM 1000-01P
Cgs
S
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MOSFET
MOSFET
Controlado por tensin de
puerta
p
Vmx < 1500V
Imx < 400A
fmx < 10 MHz
No p
presenta avalancha
secundaria
Coeficiente negativo de
t mp
temperatura
tu
Prdidas en conduccin
iD
rDS(on)
2
PCON=rDS(on).iD(RMS)
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IGBT
(Insulated Gate Bipolar Transistor)
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IGBT
Emisor (emitter, C)
RMOD
RMOD
PNP
NPN
PNP
C, COLECTOR
G,
PUERTA
RBE
RBE
E, EMISOR
E
Circuito equivalente
Tema 2.Dispositivos
E
Circuito simplificado
IGBT
VGE1
VGE2
VRM
VGEn
VCE
BVDSS
G
E
En muchas ocasiones se
incorpora internamente un
diodo al dispositivo, pero no
pertenece a la estructura del
IGBT
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Modelo de prdidas en
conduccin
d
i similar
i il all d
de
un transistor bipolar
C
+ VCEsat -
Ron
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IGBT
IGBT
Ventajas como MOSFET
Totalmente Controlado por
tensin de puerta
Rapidez de conmutacin
No presenta avalancha
secundaria
Ventajas como Bipolar
Modelo p
prdidas en
conduccin
Corriente de colector
similar
i il all bi
bipolar
l
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IGBT
IGBT
Desventajas
Cola de corriente
Efecto
Ef t tiristor
ti i t parsito
it
Prdidas en conduccin
iT
rd
VCEsat
P=VCEsat.iT +
Tema 2.Dispositivos
2
rd.iT(RMS)
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