INSTRUMENTACIN

Y SENSORES
SENSORES BASADOS EN UNIONES
SEMICONDUCTORAS

06/12/2016

Materiales semiconductores.
El
silicio
es
el
material
semiconductor ms utilizado en la
actualidad debido a su buen
desempeo y muy bajo costo. Es
el componente principal de la
arena y el cuarzo.
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Semiconductores

Son materiales que se comportan como aislantes o como conductores

dependiendo de las condiciones elctricas a las que estn sometidos.
A mas del Silicio el Germanio por sus propiedades de conduccin
elctrica se basa la electrnica de potencia.

Silicio

Germanio
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Semiconductores
El Silicio es un elemento muy comn, por
ejemplo, es el componente principal de la arena
y el cuarzo. Si se observa al Silicio en una tabla
peridica encontrar que est al lado del
Aluminio, justo debajo del Carbn y encima del
Germanio.
Carbn, Silicio y Germanio (estos dos ltimos son
semiconductores) tienen una propiedad nica en
la estructura atmica: tienen cuatro electrones
en su orbital externo, lo cual permite que
formen cristales.
En el carbn los cristales se conocen como
diamantes, en el silicio los cristales tienen
una apariencia metlica, aunque no son
metales. Como se sabe, los metales son
buenos conductores de electricidad porque
tienen electrones libres; el silicio en estado
puro es un aislante de electricidad, no un
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conductor.

Materiales Semiconductores

Los semiconductores mas empleados para la fabricacin de

circuitos integrados son Silicio y Germanio, aunque un
comportamiento igual presentan las combinaciones de elementos,
como (AsGa (arseniuro de galio), PIn (fosfuro de indio), AsGaAl,
TeCd, SeCd y SCd). La caracterstica de todos estos es que son
tetravalentes (valencia 4).

El Silicio es un material que posee 14 electrones de los cuales

cuatro se localizan en la ultima capa o banda de valencia. Estas
capas o bandas son niveles de energa en donde se encuentran
confinados los electrones, para pasar de una banda a otra los
electrones necesitan emitir o absorber un fotn de luz o energa.
Los niveles superiores requieren de menor energa y los niveles
inferiores requieren de mas trabajo para sacar o introducir un
electrn.

ELECTRNICA GENERAL
ING. JOS BUCHELI A.

ESPEL

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Materiales Semiconductores
Los tomos de silicio se unen entre s para formar una
estructura ms estable, esas uniones se conocen como
enlaces covalentes; sin embargo como estos tomos
se encuentran en la capa de valencia requieren de muy
poca energa para ser sacados al nivel de conduccin,
en donde los electrones tienen un movimiento aleatorio
el cual es principio de la generacin de corriente en los
semiconductores

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Materiales Semiconductores
Los electrones de un tomo aislado se distribuyen en torno al
ncleo, segn ciertos niveles energticos, denominados rbitas.
Cuando los tomos se unen unos con otros para formar un slido,
se agrupan de manera ordenada, formando una red cristalina.

Estructura de un
Cristal

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MATERIALES INTRINSICOS Y EXTRINSICOS

Los materiales Semiconductores se clasifican de acuerdo a su
pureza: materiales Intrnsecos y materiales Extrnsecos

Los materiales intrnsecos, son los que no

tienen impurezas o tomos diferentes.

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MATERIALES INTRINSICOS
Un cristal de silicio forma una estructura tetradrica similar a la
del carbono mediante enlaces covalentes entre sus tomos
Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos
electrones pueden, absorber la energa necesaria, saltar a la
banda de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la
banda de valencia

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MATERIALES INTRINSICOS

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente, algunos

electrones pueden, absorber la energa necesaria, saltar a la banda
de conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de
valencia

Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen

dos corrientes elctricas:

1.

La debida al movimiento de los electrones libres de la banda

de conduccin (1).

1.

Y la debida al desplazamiento de los electrones en la banda

de valencia, que tendern a saltar a los huecos prximos (2),
originando una corriente de huecos en la direccin contraria
al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es muy inferior a
la de la banda de conduccin

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Efectos de la temperatura

Cuando la temperatura aumenta en un semiconductor, tambin aumenta el

nmero de pares electrn-hueco que se generan por la agitacin trmica.

Al aumentar la temperatura el nmero de electrones de valencia absorben

suficiente energa trmica para romper el enlace covalente, y contribuyen al
nmero de portadores libres, al incrementarse ste aumentar el ndice de
conductividad y como resultado se producir un nivel menor de
resistencia.

Pero a temperaturas muy altas, cuando, ya se han generado un nmero

suficiente de electrones-huecos libres entonces tiende aumentar la COLISION, lo
que hace aumentar la resistencia, al reducirse la velocidad de los portadores de
corriente.

Los materiales semiconductores, silicio y Germanio, se muestran una reduccin

de la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tiene un
COEFICIENTE NEGATIVO DE TEMPERATURA.
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 UN INCREMENTO EN LA TEMPERATURA DE

UN SEMICONDUCTOR PUEDE OCASIONAR

UN INCREMENTO SUSTANCIAL EN EL
NMERO DE ELECTRONES LIBRES EN EL
MATERIAL

EL INCREMENTO EN EL NMERO DE PORTADORES INCREMENTA EL

INDICE DE CONDUCTIVIDAD CON LO QUE OCASIONA UN NIVEL DE
RESISTENCIA MENOR

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Materiales extrnsecos ( tipo p y n)

Un material extrnseco es un material semiconductor que se
ha sujetado a un proceso de dopaje
Los materiales extrnsecos poseen impurezas o tomos
diferentes a su naturaleza;

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DOPAJE ( Aadir impurezas)

A parte de la temperatura y la luminosidad para
obtener electrones libres para la conduccin de
corriente elctrica,
otra manera de alterar la
estructura cristalina y obtener as electrones libres,
consiste en agregar pequeas cantidades de otros
elementos (impurezas)que tengan una estructura
atmica diferente.

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Material tipo N
CUANDO SE AADEN IMPUREZAS PENTAVALENTES

Si el tomo de impureza contiene un electrn ms de valencia en

su capa exterior (5 electrones) que el tomo del semiconductor
(4 electrones), este electrn adicional no podr formar una
ligadura covalente debido a que no encontrar un electrn de
valencia libre adyacente .
El electrn excedente es atrado dbilmente por el ncleo del
tomo y solo requiere una ligera excitacin para separarse, en
consecuencia la presencia de tales electrones excedentes hacen
al material mejor conductor, es decir su resistencia a la
circulacin de corriente elctrica disminuye.

Los portadores mayoritarios son los electrones

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MATERIAL TIPO N
Los elementos de impureza
PENTAVALENTES ms
utilizados que se agregan a los
cristales de silicio para proveer
los electrones excedentes
incluyen al Fsforo (P), el
Arsnico (As) y el Antimonio
(Sb).

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Material tipo P

Se aaden impurezas trivalentes

Cuando en la estructura cristalina del silicio se introduce impurezas cuyos

tomos tienen un electrn de valencia menos en su capa exterior (3 electrones)
que el tomo de silicio (4 electrones).

Aunque todos los electrones de valencia del tomo de impureza forman ligaduras
covalentes con los electrones de los tomos vecinos del semiconductor, una de
las ligaduras de la estructura cristalina no puede completarse debido a que al
tomo de impureza le falta un electrn de valencia en su capa externa con
respecto a los que poseen los tomos del semiconductor.

Como consecuencia de ello aparece en la estructura reticular del cristal un vaco

denominado "Laguna o HUECO

Los portadores mayoritario son los huecos

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MATERIAL TIPO P
Al quedar conformada as la estructura
reticular del cristal, cualquier electrn de las
enlaces covalentes adyacentes puede
entonces absorber suficiente energa como
para romper su enlace y moverse a travs de
la red para llenar el hueco (laguna). Al igual
que en el caso de los electrones excedentes, la
presencia de huecos dentro de la estructura,
favorece la circulacin de electrones en el
material del semiconductor, en consecuencia
la conductividad aumenta y la resistividad
disminuye.

Los materiales tipo P se

forman agregando al silicio
elementos como el Boro (B),
Galio (Ga), Indio (In),
Aluminio (Al).
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Unin P- N
Cuando se unen dos pastillas de materiales
semiconductores, una Tipo N y otra Tipo P, se
produce un fenmeno singular pero muy
importante en la zona en la que se ponen en
contacto los dos materiales, denominada
"Unin P-N".

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 La energa trmica es la que produce esta llamada

"Corriente de Difusin". Como resultado del proceso de
difusin, se produce una Diferencia de Potencial a
travs de la Regin de Carga Espacial. Esta diferencia
de potencial puede representarse como una batera
imaginaria conectada a travs de la juntura P-N.

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Elementos que emplean materiales

semiconductores
Galgas extensiomtricas

Termistores
Fotoresistencias LDR
Sensores resistivos de gases

Sensores basados en Efecto Hall

Clulas fotoelctricas
Sensores autoresonantes basados en el silicio
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Termmetros basados en uniones

semiconductoras
Emplean la dependencia trmica de la unin Base Emisor VBE de
un transistor cuya corriente de colector sea constante
Alternativa ms comn emplea par de transistores bipolares cuyas
densidades de corriente de emisor tengan una relacin constante.
Un mtodo consiste emplear dos transistores idnticos con
corrientes de colector distintas

K es la cosntante de Boltzman , k= 1,3807x10-23 J/K

T es la temperatura absoluta
Q es la carga del electrn, q= 1,60x10-19C

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Figura a) Temmetro basado en la dependencia base-emisor con la

temperatura en un transistor bipolar b) Esquema de las fuentes de corriente
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Caractersticas de diversos sensores de temperatura basados en uniones semiconductoras

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CI medidores de Temperatura basado en uniones

semiconductoras

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