RESISTENCIA EN DIODOS

A medida que el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a

otra, la resistencia del mismo cambiar debido a la forma no lineal de la curva
que lo caracteriza.

RESISTENCIA EN CD O ESTTICA
La aplicacin de un voltaje de CD a un circuito que contiene un diodo
semiconductor resultar en un punto de operacin sobre la curva caracterstica
que no cambiar con el tiempo. La resistencia del diodo en el punto de
operacin se puede hallar sencillamente encontrando los niveles
correspondientes de VD y la ID, como se puede observar en la Figura 1 y la
expresin de la Ecuacin 1:

Fig. 1 Determinacin de la resistencia de CD de un diodo en un

punto particular de operacin.
Ecuacin 1:

Los niveles de resistencia de CD en la curva de la grfica y debajo de ella sern

ms grandes que los niveles obtenidos para la seccin de ascenso vertical de las
caractersticas. Los niveles de resistencia en la regin de polarizacin inversa
naturalmente sern ms altos. Puesto que los multmetros por lo regular emplean
una fuente de corriente relativamente constante, la resistencia determinada
estar en el nivel de corriente preestablecido, en el orden de algunos
miliamperes.

RESISTENCIA EN CA O DINMICA
Si se aplica una entrada senoidal esta mover hacia arriba y abajo el punto de
operacin instantneamente en alguna regin de la caracterstica y definir un
cambio especfico en la corriente y el voltaje como se muestra en la Figura 2:

Figura 2. Resistencia dinmica o resistencia de CA.

Una lnea recta tangente a la curva que pasa a travs del punto Q definir un
cambio particular en voltaje y corriente que puede emplearse para determinar la
resistencia de CA o Dinmica para esta regin de las caractersticas del diodo.
Debe procurarse conservar el cambio de voltaje y corriente lo menos posible, as
como mantenerlo equidistante de cualquier lado del punto Q.
Ecuacin 2.

donde significa un cambio finito en la cantidad.

Cuanto mayor sea la inclinacin de la

pendiente, menores los valores de Vd
para el mismo cambio en Id y menor
la resistencia. La resistencia de CA en
la regin de aumento vertical de la
caracterstica es, por ello, bastante
pequea, en tanto que la resistencia
de CA es mucho ms elevada a
Figura 3. Determinacin de
resistencia de CA en el punto Q.

la

niveles de corrientes bajas.

Hasta ahora solo se ha ilustrado la resistencia dinmica en forma grfica, pero

existe una definicin bsica en clculo diferencial que establece:

La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la tangente

trazada en ese punto.
La ecuacin 2, de acuerdo a como se define en la figura 3, corresponde en
esencia a encontrar la derivada de la funcin en el punto de operacin Q. Si
encontramos la derivada de la ecuacin general para el diodo semiconductor
con respecto a la polarizacin directa aplicada y despus invertimos el resultado,
tendremos una ecuacin para la resistencia dinmica o de CA en esa regin. Esto
es, tomando la derivada con respecto a la polarizacin aplicada, el resultado
ser

en la seccin de la tangente vertical se tiene que ID >> IS, entonces

Sustituyendo =1 para el Ge y el Si en la seccin de aumento vertical de las

caractersticas, obtenemos


y a temperatura ambiente,

por lo que

invirtiendo el resultado para definir una relacin de resistencia (R=V/I) obtenemos

o bien

Ge, Si