LABORATORIO DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

Prctica IV CARACTERIZACIN DEL DIODO

Antonio Jos Robles Pallares cod. 213218
Juan Jos Vargas Estvez cod. 2121193
E3T, Universidad Industrial de Santander
Bucaramanga, Colombia
Grupo (D1A).
JAVIER ENRIQUE MIER MARTINEZ. 16/07/2016

I.

INTRODUCCIN

El diodo, un dispositivo semiconductor compuesto por

un material tipo n y otro tipo p es uno de los elementos
ms usados en la construccin de circuitos, gracias a su
comportamiento permite el fluye de grandes corrientes a
travs de l con una pequea diferencia de potencial,
en este informe se desarrollarn los datos registrados
experimentalmente para analizar los parmetros que
compones un diodo.
II.

Se bosquej los puntos presentados anteriormente

obteniendo la siguiente grfica con su respectiva lnea
de tendencia.

ACTIVIDADES DE LABORATORIO

Caracterizacin Voltaje-corriente.
Se realiz el montaje mostrado en el esquema:
R 1

Vd

9 9 .1

V2

Figura2. Grfica con los puntos obtenidos de las tablas.

D 1
D b re a k

Utilizando los valores respectivos a I1d = 1mA e

i2d = 10 mA calculamos Is y n, con V t = 25,8 mV ya la

Figura1. Montaje del diodo

Se vari el voltaje de la fuente y tomaron medidas de

corriente del circuito y tensin en el diodo hasta superar
una tensin de 0,7 V en el diodo.
A continuacin los datos obtenidos en el laboratorio:
Id [mA]
0,370
0,983
1,006
1,287
3,480
5,530
7,220

Id=0,0002 e 15,888Vd
a.) Parmetros n e Is

Vd[V]
0,430
0,583
0,584
0,597
0,645
0,668
0,681

Se obtuvo una ecuacin que describe el comportamiento

de la corriente frente a la variacin de la tensin.

Vd[V]
0,691
0,696
0,700
0,725
0,737
0,746
0,758

Id [mA]
9,020
10,000
10,960
19,000
25,000
30,600
41,500

Tabla1. Datos de Vd e Id tomado en el laboratorio.

ecuacin:

V 2 d V 1 d =2.3 n V T log

I 2d
I 1d

Tenemos que:

n=1,887
9

Is=6,26 10 [ A ]
Como se observa los valores obtenidos de las
ecuaciones del diodo y los datos de referencia (1mA y
10mA) estn dentro del rango esperado.
Con los valores obtenidos de n e Is se realiza la
simulacin en Orcad de circuito.

Figura 3. Simulacin de del circuito grficando la corriente

contra la tensin del diodo.

b.) Circuito con diodos

Se mont el circuito en laboratorio y luego se excit
como se muestra a continuacin:
D 2

R 1
9 .8 5 k

D 1
D b re a k

Vd2 = 0,579 [V]

Id2 = 1,02 [mA]

R 2
0 .9 9 4 k

10V

Id1 = 8,28 [mA]

Tabla 2. Tensiones y corrientes medias en el diodo

D b re a k

V1

Vd1 = 0,685 [V]

V3
10V

0
Figura 3. Circuito con diodos.

Se tomaron las medidas de tensin y corriente en los

diodos obteniendo los siguientes resultados:

Como podemos observar ambos diodos se encuentran en

estado de conduccin ya que ambas corrientes son positivas y
no estn polarizados a la inversa pues las tensiones tambin
son positivas.
Generalmente se maneja una tensin de activacin en el diodo
de aproximadamente 0.7V pero esta vara dependiendo del
fabricante.

Diodo 1: Estado de conduccin.

Diodo 2: Estado de conduccin.

692mV

691.221m
690mV

688mV

686mV

684.592m

684mV
0s

0.1us
0.2us
V(D1:1,D1:2)
V(D2:1,D2:2)

0.3us

0.4us

0.5us

0.6us

0.7us

0.8us

0.9us

1.0us

Time

Figura4. Simulacin del circuito con las tensiones en los diodos.

9.0mA

8.6762m

8.5mA

8.0mA

7.5915m
7.5mA
0s
I(D1)

0.1us
I(D2)

0.2us

0.3us

0.4us

0.5us

0.6us

0.7us

0.8us

0.9us

1.0us

Time

Figura5. Simulacin del circuito con las corrientes en los diodos.

Luego se cambi la posicin de las resistencias y se

tom una vez ms medias de tensin y corriente en los
diodos obteniendo los siuiente resultados:

Vd1 = -7.59 [V]

Id1 = 0 [mA]

Vd2 = 0,608 [V]

Id2 = 1,77 [mA]

Tabla 3. Tensiones y corrientes medidas en los diodos.

Como la tensin en el diodo 1 es negativa se concluye

que ste est polarizado a la inversa por tanto no puede
conducir, lo cual se evidencia en que la corriente a
travs del diodo es 0[A].

Diodo 1: Estado de corte.

Diodo 2: Estado de conduccin.

2V
613.421m
0V

-2V

-4V

-6V

-8.2230

-8V

-10V
0s

0.1us
0.2us
V(D1:1,D1:2)
V(D2:1,D2:2)

0.3us

0.4us

0.5us

0.6us

0.7us

0.8us

0.9us

1.0us

0.7us

0.8us

0.9us

1.0us

Time

Figura6. Simulacin del circuito con las tensiones en los diodos.

2.0mA

1.7878m

1.6mA

1.2mA

0.8mA

0.4mA
-6.2682n
0A

-0.4mA
0s
I(D1)

0.1us
I(D2)

0.2us

0.3us

0.4us

0.5us

0.6us

Time

Figura7. Simulacin del circuito con las corrientes en los diodos.

CONCLUSIONES

Se observ que el diodo es un dispositivo que

permite el paso de corriente a travs de l solo
en una direccin, de nodo a ctodo.

Se concluy que para que un diodo conduzca la

tensin en el mismo debe ser mayor a una
tensin llamada tensin de activacin que viene
dada por el fabricante y por lo general est
alrededor de 0.7V.

Se
determinaron
las
constantes
que
caracterizan el diodo como es la corriente de
saturacin Is y el factor de clidad n.

Se consult y hall la diferencia entre un diodo

1N4001 y el 1N4004: la distincin entre ambos
es la tension de ruptura o Vrrm que es de 50V y
400V respectivamente, esto quiere decir que

cuando la tensin en inversa de el diodo supere

la de Vrrm el diodo se daar.