Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Herrera Esteban
Universidad Politcnica Salesiana
I. INTRODUCCIN
A los transistores de efecto de campo se les conoce
como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos se
encuentran dos grandes tipos:
Transistor de efecto de campo de unin:
JFET
Transistor de efecto de campo Metal-OxidoSemiconductor
MOSFET
Los transistores FET son dispositivos controlados
por tensin, en estos transistores se crea un campo
elctrico que controla la anchura del camino de
conduccin del circuito de saluda sin que exista
contacto directo entre la magnitud controlada
(corriente) y la magnitud controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores
bipolares existen dos tipos npn, pnp; en los
transistores de efecto de campo se los llama de
canal n y de canal p. [1]
Los transistores FET son unipolares, en los que el
nivel de conduccin dependern nicamente de un
nico tipo de portadores que pueden ser: de los
electrones en los que estn en el canal n y de los
huecos que estn en el canal p.
A estos transistores se los caracteriza por tener una
alta impedancia de entrada que pueden variar desde
uno hasta cuentos de megohmios, muy superiores a
la que presentan los transistores bipolares que
presentan impedancias del orden de unos pocos kilo
ohmios. Esto proporciona a los FET una ventaja a la
hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Los transistores FET tienen una gran estabilidad
con la temperatura y son de dimensiones pequeas
lo que los hace particularmente tiles en circuitos
integrados (sobre todo los MOSFET).
2
Figura 4. Curva caracterstica de un JFET de canal n [1]
de
de
II. CONCLUSIONES
Debido a su alta impedancia los transistores
FET son muy utilizados en circuitos
amplificadores.
Las ganancias en amplificadores los FET no
son tan grandes como los BJT.
Una caracterstica muy importante de los
transistores FET es que pueden comportarse
como resistencias y como capacitores.
REFERENCIAS