PRCTICA # 1

DIODOS

Integrantes:

ndice
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Objetivo.. 3
Introduccin.. 3
Material... 9
Desarrollo...10
Resultados.11
Conclusiones.14
Referencias14

Objetivo: Observar el comportamiento de los diodos en polarizacin directa (equivalente al

circuito cerrado) y en polarizacin inversa (equivalente al circuito abierto), observar la curva

caracterstica de cada diodo utilizado el valor del voltaje suministrado a cada diodo para
permitir el flujo de una corriente a travs del mismo.

Introduccin:
MATERIALES EXTRNSECOS: MATERIALES TIPO n
Las caractersticas de un material semiconductor se pueden modificar de manera
significativa con la adicin de tomos de impureza especficos al material semiconductor
relativamente puro. Estas impurezas, aunque slo se agregan en 1 parte en 10 millones,
pueden alterar la estructura de las bandas lo suficiente para cambiar del todo las
propiedades elctricas del material.
Un material semiconductor que ha sido sometido al proceso de dopado se conoce como
material extrnseco.
Hay dos materiales extrnsecos de inmensurable importancia en la fabricacin de dispositivos semiconductores: materiales tipo n y tipo p.
Material tipo n
Tanto los materiales tipo n como los tipo/? se forman agregando un nmero
predeterminado de tomos de impureza a una base de silicio. Un material tipo n se crea
introduciendo elementos de impureza que contienen cinco electrones de valencia
(pentavelantes), como el antimonio, el arsnico y el fsforo.

Los cuatros enlaces covalentes permanecen. Existe, sin embargo, un quinto electrn
adicional debido al tomo de impureza, el cual no est asociado con cualquier enlace
covalente particular. Este electrn restante, enlazado de manera poco firme a su tomo
padre (antimonio), est en cierto modo libre para moverse dentro del material tipo n recin
formado, puesto que el tomo de impureza insertado ha donado un electrn relativamente
"libre" a la estructura.

Es importante tener en cuenta que aun cuando un gran nmero de portadores libres se ha
establecido en el material tipo n, sigue siendo elctricamente neutro puesto que de manera
ideal el nmero de protones de carga positiva en los ncleos sigue siendo igual al de los
electrones de carga negativa libres y en rbita en la estructura.
Material tipo p
El material tipo p se forma dopando un cristal de germanio o silicio puro con tomos de
impureza que tienen tres electrones de valencia. Los elementos ms utilizados para este
propsito son boro, galio e indio.

Ahora el nmero de electrones es insuficiente para completar las bandas covalentes de la

estructura recin formada. El vaco resultante se llama hueco y se denota con un pequeo
crculo o un signo ms, para indicar la ausencia de una carga positiva. Por lo tanto, el vaco
resultante aceptar con facilidad un electrn libre:
Las impurezas difundidas con tres electrones de valencia se llaman tomos aceptares.
El material tipo p es elctricamente neutro por las mismas razones descritas para el
material tipo n.
FLUJO DE ELECTRONES CONTRA FLUJO DE HUECOS
El efecto del hueco en la conduccin se muestra en la figura de abajo. Si un electrn de
valencia adquiere suficiente energa cintica para romper su enlace covalente y llenar el
vaco creado por un hueco, entonces se crear un vaco o hueco en la banda covalente
que cedi el electrn. Existe, por consiguiente, una transferencia de huecos hacia la
izquierda y de electrones hacia la derecha, como se muestra en la figura de abajo. La
direccin que se utilizar en este texto es la del flujo convencional, la cual est indicada por
la direccin del flujo de huecos.

PORTADORES MAYORITARIOS Y MINORITARIOS

En el estado intrnseco, el numero de electrones libres en Ge o Si se debe slo a los
electrones en la banda de valencia que adquirieron suficiente energa de fuentes trmicas
o luminosas para romper la banda covalente o a las impurezas que no pudieron ser
eliminadas. Los vacos que quedan en la estructura de enlace covalente representan una
fuente muy limitada de huecos. En un material tipo n, el nmero de huecos no cambia
significativamente con respecto a este nivel intrnseco. El resultado neto, por consiguiente,
es que el nmero de electrones sobrepasa por mucho al de huecos. Por eso:
En un material tipo n el electrn se llama portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
En el material tipo p el nmero de huecos excede por mucho al de electrones, como se
muestra en la figura. Por consiguiente:
En un material tipo p, el hueco es el portador mayoritario y el electrn el minoritario.
Cuando el quinto electrn de un tomo donador abandona el tomo padre, el tomo que
queda adquiere una carga positiva neta: de ah el signo ms en la representacin de ion
donador. Por las mismas razones, el signo menos aparece en el ion aceptor.

DIODO SEMICONDUCTOR
Ahora que los materiales tanto tipo n como tipo p estn disponibles, podemos construir
nuestro primer dispositivo electrnico de estado slido. El diodo semiconductor, se crea
uniendo un material tipo n a un material tipo p; slo la unin de un material con un portador
mayoritario de electrones a uno con un portador mayoritario de huecos.
Sin polarizacin aplicada (V= 0V)
En el momento en que los dos materiales se "unen", los electrones y los huecos en la
regin de la unin se combinan y provocan una carencia de portadores libres en la regin
prxima a la unin, como se muestra en la figura 1.12a. Observe en la figura 1.12a que las
nicas partculas mostradas en esta regin son los iones positivos y negativos que quedan
una vez que los portadores libres han sido absorbidos.

Esta regin de iones positivos y negativos revelados se llama regin de

"empobrecimiento", debido a la disminucin de portadores libres en la regin.
Si se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se produce un
dispositivo de dos terminales, como se muestra en las figuras 1.12a y 1.12b. Se dispone
entonces de tres opciones: sin polarizacin, polarizacin en directa y polarizacin en
inversa. El trmino polarizacin se refiere a la aplicacin de un voltaje extremo a travs de
las dos terminales del dispositivo para extraer una respuesta. La condicin mostrada en las
figuras 1.12a y la 1.12b es la situacin sin polarizacin porque no hay ningn voltaje
externo aplicado. Es un diodo con dos cables conductores que yace aislado sobre un
banco de laboratorio. En la figura 1.12b se proporciona el smbolo de un diodo
semiconductor para mostrar su correspondencia con la unin p-n. En cada figura es
evidente que el voltaje aplicado es de 0 V (sin polarizacin) y la corriente resultante es de
6

0 A, casi como un resistor aislado. La ausencia de voltaje a travs de un resistor produce

una corriente cero a travs de l. Incluso en este punto inicial del anlisis es importante
sealar la polaridad del voltaje a travs del diodo en la figura 1.12b y la direccin dada a la
corriente. Esas polaridades sern reconocidas como las polaridades definidas del diodo
semiconductor. Si se aplica un voltaje a travs del diodo cuya polaridad a travs de l sea
la mostrada en la figura 1.12b, se considerar que el voltaje es positivo. A la inversa, el
voltaje es negativo. Los mismos estndares se pueden aplicar a la direccin definida de la
corriente en la figura 1.12b.
En condiciones sin polarizacin, cualesquier portadores minoritarios (huecos) del material
tipo n localizados en la regin de empobrecimiento por cualquier razn pasarn de
inmediato al material p. Cuanto ms cerca de la unin est el portador minoritario, mayor
ser la atraccin de la capa de iones negativos y menor la oposicin ofrecida por los iones
positivos en la regin de empobrecimiento del material tipo n. Concluiremos, por
consiguiente, para anlisis futuros, que cualesquier portadores minoritarios del material tipo
n localizados en la regin de empobrecimiento pasarn directamente al material tipo p.
Este flujo de portadores se indica en la parte superior de la figura 1.12c para los portadores
minoritarios de cada material.
Los portadores mayoritarios (electrones) del material tipo n deben vencer las fuerzas de
atraccin de la capa de iones positivos en el material tipo n y el escudo de iones negativos
en el material tipo p para que emigren al rea ms all de la regin de empobrecimiento
del material tipo p. Sin embargo, el nmero de portadores mayoritarios es tan grande en el
material tipo n que invariablemente habr un menor nmero de portadores mayoritarios
con suficiente energa cintica para que atraviesen la regin de empobrecimiento hacia el
material p. De nueva cuenta, se puede aplicar el mismo tipo de planteamiento a los
portadores mayoritarios (huecos) del material tipo p. El flujo resultante producido por los
portadores mayoritarios se muestra en la parte inferior de la figura 1.12c.
Sin ninguna polarizacin aplicada a travs de un diodo semiconductor, el flujo neto de
carga en una direccin es cero.
Condicin de polarizacin en inversa (VD, < 0V)
Si se aplica un potencial externo de V volts a travs de la unin p-n con la terminal positiva
conectada al material tipo n y la negativa conectada al material tipo p como se muestra en
la figura 1.13, el nmero de iones positivos revelados en la regin de empobrecimiento del
material tipo n se incrementar por la gran cantidad de electrones libres atrados por el
potencial positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones, el nmero de iones
negativos no revelados se incrementar en el material tipo p. El efecto neto, por
consiguiente, es una mayor apertura de la regin de empobrecimiento, la cual crea una
barrera demasiado grande para que los portadores mayoritarios la puedan superar, por lo
que el flujo de portadores mayoritarios se reduce efectivamente a cero, como se muestra
en la figura 1.13a.
Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran a la regin de
empobrecimiento no cambia, y se producen vectores de flujo de portadores minoritarios de
la misma magnitud indicada en la figura 1.12c sin voltaje aplicado.

La corriente en condiciones de polarizacin en inversa se llama corriente de saturacin en

inversa y est representada por Is.

La corriente de saturacin en inversa rara vez es de ms de algunos microamperes,

excepto en el caso de dispositivos de alta potencia. De hecho, en los ltimos aos su nivel,
por lo general, se encuentra en el intervalo de los nanoamperes en dispositivos de silicio.
El trmino saturacin se deriva del hecho de que alcanza su nivel mximo con rapidez y
que no cambia de manera significativa con los incrementos en el potencial de polarizacin
en inversa.
Condicin de polarizacin en directa (VD> 0V)
La condicin de polarizacin en directa o "encendido" se establece aplicando el potencial
positivo al material tipo p y el potencial negativo al tipo n como se muestra en la figura
1.14.
La aplicacin de un potencial de polarizacin en directa VD "presionar" a los electrones
en el material tipo n y a los huecos en el material tipo p para que se recombinen con los
iones prximos al lmite y reducir el ancho de la regin de empobrecimiento como se
muestra en la figura 1.14a.
El flujo de portadores minoritarios de electrones resultante del material tipo p al material
tipo n (y de huecos del material tipo n al tipo p) no cambia de magnitud (puesto que el nivel
de conduccin es controlado principalmente por el nmero limitado de impurezas en el
material), aunque la reduccin del ancho de la regin de empobrecimiento produjo un
intenso flujo de portadores mayoritarios a travs de la unin.

Un electrn del material tipo p ahora "ve" una barrera reducida en la unin debido a la
regin de empobrecimiento reducida y a una fuerte atraccin del potencial positivo aplicado
al material tipo p. En cuanto se incrementa la magnitud de la polarizacin aplicada, el
ancho de la regin de empobrecimiento continuar reducindose hasta que un flujo de
electrones pueda atravesar la unin, lo que produce un crecimiento exponencial de la
corriente.
Material
Multmetro
1 Protoboard
2 Diodos 1N4001
2 Diodos 1N4002
4 Diodos 1N4003
2 Diodos 1N4148
2 LEDs Rojos
2 LEDs Naranjas
2 LEDs Verdes
2 LEDs Infrarrojos (Emisor y receptor)
1 Potencimetro 10 k
1 Resistencia de 100

Desarrollo
Con ayuda del multmetro verifique los voltajes de los diodos en polarizacin directa e
inversa, llenando la tabla 1.
Tabla 1.
TIPO DE DIODO
1N4001
1N4002
1N4007
1N4148
LED Rojo
LED Verde
LED Naranja
LED Infrarrojo

VOLTAJE
POLARIZACI
N DIRECTA
0.592
0.602
0.588
0.608
1.743
1.837
1.796
1.047

VOLTAJE
POLARIZACI
N INVERSA
0
0
0
0
0
0
0
0

Arme el circuito de la figura 1.

Figura 1. Circuito para obtener las curvas caractersticas de los diodos

Lo siguiente es variar el voltaje suministrado al diodo, desde 0 V hasta 2 V (modificando el
valor resistivo del potencimetro) Registre los valores de la corriente en funcin del voltaje
del diodo en la tabla 2.
Tabla 2
VOLTAJE
(V)

1N4001

1N4002

1N4007

0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8

0
0
0
0.001
0.005
0.01
-

0
0
0
0.002
0.005
-

0
0
0
0.001
0.008
-

CORRIENTE (A)
1N4148
LED
LED
ROJO
VERD
E
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0.001
0

10

LED
AMARILL
O
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0.01

LED
INFRARROJ
O
0
0
0
0
0
0
0.002
-

2.0

0.002

0.001

0.003

Resultados:

1N4001
0.01
0.01
0.01

1N4001

0.01
0
0
0
0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

1N4002
0.01
0.01
0

1N4002

0
0
0
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

11

0.8

0.9

1N4007
0.01
0.01
0.01
0.01

1N4007

0.01
0
0
0
0
0
0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

LED ROJO
0
0
0
0
0
0
0

0.5

1.5

12

2.5

LED VERDE
0
0
0
0
0
0
0
0

0.5

1.5

2.5

2.5

LED AMARILLO
0
0
0
0
0
0
0
0
0

0.5

1.5

13

LED INFRARROJO
12
10
8
6
4
2
0
0

0.5

1.5

2.5

Conclusiones:
VEGA HERNNDEZ LUIS ALBERTO
Con esta prctica pude confirmar tanto los voltajes de polarizacin en directa como el de
polarizacin inversa de los diodos. As tambin, comprob que en la regin de polarizacin
directa, la corriente en el diodo se incremente exponencialmente con un aumento pequeo
de voltaje a travs del diodo. Tambin note como la familia del 1N4001 al 1N4007 tienen un
comportamiento muy similar, en cuanto al los voltajes de polarizacin en directa, ya que
estos no difieren en mucho. En donde si difieren de manera considerable es en los leds ya
que los voltajes de polarizacin en directa dependen del color del diodo, esto se debe al
tipo de material con el que estn fabricados.

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Bibliografa
Boylestad, Robert L. Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Editorial Pearson. Decima edicin. Mexico 2009.

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