Tema02 DispositSC PDF

TEMA 2.
DISPOSITIVOS
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es
TEMA 2. DISPOSITIVOS
2.
Diodo de Unin (Unin P-N).

ees.wikispaces.com
www.esacademic.com
3.
4.
Transistor Bipolar de Unin (BJT).
Transistor de Efecto de Campo Metal-OxidoSemiconductor (MOSFET).
5.
Diodo emisor de luz (LED).
6.
Ejercicios propuestos
upload.wikimedia.org
erenovable.com
2.2. DIODO DE UNIN
2. El diodo de unin:
Es el dispositivo ms sencillo y bsico. Consiste en un

semiconductor con impurificacin no homognea:
Un lado dopado con impurezas aceptadoras (Tipo P).
En el otro son impurezas donadoras (Tipo N).
Tiene dos terminales externos (dos metales):

nodo (conectado a la regin P)

Ctodo (conectado a la regin N)
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se

aplica al nodo una tensin V
Si la tensin aplicada entre terminales V=0 La unin

est en equilibrio.
Si la tensin aplicada entre terminales es diferente de
cero Diodo polarizado

Si la tensin V>0 Polarizacin directa

Si la tensin V>0 Polarizacin inversa
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication
2.2. DIODO DE UNIN
2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

En el SC tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el SC tipo N hay

muchos electrones y muy pocos huecos.
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
A temperatura ambiente, los huecos

de la zona p pasan por difusin hacia
la zona n y los e- de la zona n pasan a
la zona p.
La difusin crea un exceso de carga

negativa (electrones) en el lado P y
exceso de carga positiva (huecos) en
el lado N.
Debido a estos excesos de carga se

crea, un campo elctrico que produce
corrientes de desplazamiento, que
compensan a las de difusin Dando
lugar a corriente total nula.
En equilibrio I = In + Ip =0
2.2. DIODO DE UNIN
2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)
en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. La unin PN polarizada (V 0)

En polarizacin Directa:
El potencial aplicado externo se opone al campo

elctrico que limita la difusin Disminuye el efecto
del arrastre) y aumenta la difusin de portadores.

El potencial externo refuerza el campo elctrico de

arrastre.

V>0
De electrones del lado N al P

De huecos del lado P al N
El resultado es una corriente neta elevada de
portadores mayoritarios hacia donde son
minoritarios.
En polarizacin Inversa:
Las componentes de difusin son nulas.

Aumentan las componentes de arrastre (trasladan
los minoritarios): son corrientes muy pequeas
que puede considerarse despreciables.
V<0
I=0
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. La unin PN polarizada (V 0)

Directa
Inversa
ees.wikispaces.com
ees.wikispaces.com
Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo

http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
2.2. DIODO DE UNIN
2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

Analticamente se puede encontrar una relacin entre la corriente que circula por el
mismo y la tensin externa que se aplica:
VT =
I = I0 e
VT
1 = I 0 e
eV
KB T
k BT
qe
VT(300 K) = 25.85 mV
kB (Cte de Boltzmann) = 1.3810-23 JK-1
VT : denominado potencial trmico

I0: Corriente inversa de saturacin (pocos nA)
En polarizacin directa: V>0 podemos

admitir que la exponencial es muy superior al 1
eV
I = I0 e
Curva analtica
KB T
En polarizacin inversa: V<0 podemos

despreciar la exponencial frente al 1.
I0
V
Inversa
I = I0
Directa
Caracterstica esttica (I-V) del diodo

2.2. DIODO DE UNIN

La caracterstica I-V de un diodo real es

ligeramente diferente:
Curva REAL
I
La corriente en inversa es prcticamente nula.
En directa existe un voltaje umbral V, que es una

polarizacin mnima que hay que aplicar para que la
unin est en directa Caracterstica desplazada
hacia la derecha.
VR
Inversa
Para polarizaciones muy elevadas en inversa

(inferiores a VR) aparecen fenmenos de
multiplicacin de portadores la corriente se hace
muy elevada
Directa
Caracterstica REAL esttica

(I-V) del diodo
2.2. DIODO DE UNIN

Influencia de la temperatura
ees.wikispaces.com
10
2.2. DIODO DE UNIN
2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

Ge: mejor en conduccin
Si: mejor en corte
i [mA]
i [mA]
30
Ge
Si
Si
Ge
V [Volt.]
-0.25
0.25
V [Volt.]
0
-4
0.5
i [
A]
i [pA]
V [Volt.]
0
-0.5
Ge
V [Volt.]
0
-0.5
Si
-0.8
-10
www.uniovi.es/ate/manuel
11
2.2. DIODO DE UNIN
2.d. Diodo Zener

Si la tensin de polarizacin inversa VR
en la que se produce el fenmeno de
conduccin por avalancha es pequea
(en mdulo) hablamos del diodo Zener
Para una tensin inversa dada, llamada
tensin Zener, sta se mantiene
constante aunque la corriente vare.
I
Tensin
Tensin
Zener
Zener
Vz
En polarizacin directa funciona como un

diodo normal.
Su smbolo circuital:
FFI-UPV.es
12
2.2.b Modelado DIODO DE UNIN
I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

1 aproximacin: diodo ideal
En el modelo del diodo ideal se

equipara ste a un cortocircuito o a un
circuito abierto, segn cmo est
conectado.
V
DIRECTA
INVERSA
R
R
I
I
I
FFI-UPV.es
FFI-UPV.es
13

2 aproximacin lineal
I
Se considera que el diodo conduce sin resistencia

por encima de la tensin umbral, y no conduce por
debajo de la misma. Esto equivale a considerar un
diodo como un interruptor o un diodo ideal en serie
con un receptor.
VO= 0.3 V para el diodo de Ge
VO
VO= 0.7 V para el de Si.
DIRECTA
Vf = 6V
R=1k
I
Vf = 6V
R=1k
I
VO=0.7 V
I=
V f VO
R
6 0.7
= 5.3 mA
1k
FFI-UPV.es
14

3 aproximacin lineal
La 3 aproximacin es un diodo ideal con
una resistencia en serie y una fuente de
tensin.
Vf = 6V
V = Vo + IRd
Rd = V/I
I (mA)
I (mA)
DIRECTA
R=1k
0,15
0,15
0,05
0,05
IoI
-0,05
-0,05
V
0,2
0,4
0,6VO 0,8
Vf (V)
V (V)
R=1k
Vf = 6V
FFI-UPV.es
Rd = 500
VO=0.7 V
I=
V f VO
R
6 0.7
=
= 3.5 mA
1000 + 500
15

I
I
Solo tensin
de codo
Ge = 0.3
Si = 0.6
Ideal
I
Tensin de codo y
Resistencia directa
Curva real
(simuladores,
anlisis grfico)
V
www.uniovi.es/ate/manuel
16
2.2. DIODO DE UNIN
Ejercicios propuestos.
D. Pardo, et al. 1999
17
2.2. DIODO DE UNIN
18
2.2. DIODO DE UNIN
19
2.2.b DIODO DE UNIN

UE
2.e. PRACTICA N 1. Laboratorio

Rectificador de media onda
VD
UE
Baja frecuencia
VR =is.R iS
iS
VR
ViD
S
VR =is.R
Visualizacin de la caracterstica
I-V de un diodo real
VR
Curva REAL
V
VD
20
2.3. TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIN (BJT)
3. El transistor bipolar de unin:
a. Introduccin
Los transistores son:

Dispositivos de tres terminales

La corriente o la tensin en un terminal
(terminal de entrada)
Controla el flujo de la corriente entre los
otros dos terminales.
ees.wikispaces.com
21
Emisor
Colector
Base
bellsystemmemorial.com
www.alcatel-lucent.com
bellsystemmemorial.com
22

b. Tipos de transistores bipolares
Emisor
Emisor
Base
Colector
Colector
P
Base
Emisor
Emisor
Base poco dopada

Emisor ms dopado que colector
Base
P
Colector
N
Colector
Base
23
c. Tensiones y corrientes
Las corrientes entre terminales dependen de las tensiones que se apliquen. Para un
transistor NPN y tomando el terminal de emisor como referencia de tensin (el ms usual):
C
IB
VCE= VC- VE
VCE
B
VBE
VBE= VB VE
IC
IE
F : factor de ganancia en corriente

F : 150-200 en transistores comerciales
Aplicando la ley de Kirchoff (corrientes que entran =

corrientes que salen):
IE= IB + IC
Se puede calcular la relacin entre las corrientes de
colector y de base:
I C = F I B + (1 + F ) I C 0 F I B
Indica que la corriente de colector es proporcional
a la de base
24
c. Caractersticas de salida de un transistor NPN
IC ( mA)
La representacin grfica de la ecuacin anterior:
IB = 80 A
IB = 60 A
Regin activa
IB = 40 A
IB = 20 A

I C = (1 + F ) I C 0
Regin de saturacin
IB = 0 A
Regin de corte

Ruptura
FFI-UPV.es
VCE (V)
25
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin

Si un transistor trabaja dentro de un circuito Se dice que el transistor est polarizado.

El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN
Para resolverlo, se deben cumplir:

Las caractersticas de salida

Las ecuaciones de las mallas del circuito en que se encuentre:
VBE 0,7 V
= 100
RC =1 k
VBB= VBE + IB RB
IB =
RB=16 k
VBB VBE 2 0,7

=
= 81,25 A
RB
16000
IC
Ic = IB = 8,125 mA
VBB = 2 V
IB
VBE
VCE
VCC=10 V
VCC=VCE+ IC RC
Lnea de carga
VCE = VCC - IC RC =
10 - 8,125 = 1,875 V
FFI-UPV.es
26
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)

Punto de Operacin Estacionario:
Ic = 8,125 mA
I B = 81,25 A
VCC
RC
VCE = 1,875 V
IB4
Q
IB2
IB1
FFI-UPV.es
IB3
l n
ea
de
ca
rg
a
VCC = 10 V
VCE
VBB (V)
0,7
0,8
0,9
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,3
VCE (V)
10
9,375
8,75
8,125
6,875
5,625
4,375
3,125
1,875
0,625
0
Ic (mA)
0
0,625
1,25
1,875
3,125
4,375
5,625
6,875
8,125
9,375
10
IB (A)
0
6,25
12,5
18,75
31,25
43,75
56,25
68,75
81,25
93,75
100
Corte
Regin activa
IC
Saturacin
27
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (III)
Ejercicio 4.
28

Ejercicio 6.
29
Ejercicio 7.
30
e. BJT en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales variables en el tiempo) debemos

tener en cuenta:

Que entre base y emisor tenemos una unin en directa.

En colector las variaciones de corriente son proporcionales a la corriente de base.
El conjunto de fuentes de tensin y resistencias se le denomina RED DE POLARIZACIN
Cuando usemos el BJT en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por un

circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
VCC
Sedra/Smith 2004
Circuito equivalente de pequea seal:
I C (t )
RC
RB
vi (t )
RB B
vi (t )
I B (t )
VCE (t )
VBE (t )
vbe
ib
RC
ic
F ib
VBB
r
y (ganancia) son los parmetros del circuito.
31
Ejercicio 5.
32
2.4. TRANSISTOR MOSFET
a. Estructura de un transistor MOSFET

La corriente ID entre el contacto de fuente y el de drenador (la conductancia

o resistencia del semiconductor), puede ser modulada:
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
Mediante la variacin de tensin en

el electrodo de puerta.
El electrodo de puerta est aislado
elctricamente del Silicio mediante
un xido (SiO2).
Transistor MOSFET de Canal N (NMOSFET)

El transistor de efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,

donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador
y fuente.
33
b. Tipos de transistores MOSFET

Metal
S
xido
Tipo N
Semiconductor
Metal
Tipo P
FFI-UPV.es
Formado por una placa de metal y un semiconductor, separados por una zona de
xido del semiconductor - por ejemplo SiO2 - de unos 100 nm de espesor.
Dos regiones dopadas de dopaje contrario al semiconductor que forma el substrato.
Posee tres electrodos:
Puerta, gate en ingls, simbolizado con G; que se conecta a la placa metlica.
La corriente en la puerta es nula siempre
Fuente (Source) y drenador (Drain), ambos simtricos, que se internan en el sustrato.
34
d. Modo de operacin : tensin umbral

Existe un potencial en la puerta mnimo que

debe superarse para que la corriente de
drenador sea distinta de cero:
Caracterstica de transferencia
Por debajo del valor umbral (VGS<VT) no hay
carga en el canal No hay conduccin

no hay corriente. ID=0.
Para valores de (VGS>VT) . Aparece la capa
de inversin Es posible la conduccin

entre fuente y drenador
VT=valor de en el que comienza a haber una

corriente no nula de drenador.
Valores tpicos de VT: 0.3 to 0.8 volts.
www.romux.com
35
c. Transistor MOSFET: smbolo circuital

Diferentes transistores MOSFET: signos de corriente en terminales,

tensiones en terminales, etc.
36
d. Comparacin de caractersticas de salida de BJT y MOSFET

En la forma las caractersticas de los MOSFETs son anlogas a las de los BJTs.
Eje y
Eje x

BJT: corriente de colector (IC)

MOSFET: corriente de drenador (ID)
Sin embargo, la diferencia est en el tercer terminal o terminal de control:

BJT: controla la corriente de base

MOSFET: controla la tensin de puerta.
MOSFET
BJT
IC ( mA)
BJT: tensin entre emisor y colector (VCE)

MOSFET: tensin entre fuente y drenador (VDS)
IB = 80 A

IB = 60 A
IB = 40 A
IB = 20 A

IB = 0 A
VCE (V)
FFI-UPV.es
37
e. Clculo del Punto de Operacin Estacionario (POE)

Polarizacin. Anlisis de la recta de carga.

Igual que ocurre en el BJT, debemos polarizar el

MOSFET para tener entre sus terminales unas
diferencias de potencial y unas corrientes
determinadas.
Sedra/Smith 2004
laimbio08.escet.urjc.es/
38
d. Lnea de carga: Clculo del punto de operacin (II)

Ejercicio 8.
39
e. MOSFET en aplicaciones analgicas: Amplificador.

Igual que en el caso del BJT, para variaciones sobre el POE (amplificacin de seales
variables en el tiempo) debemos tener en cuenta:

Si aplicamos un incremento VGS en la tensin de puerta, provocar un incremento fijo en la

corriente de drenador: ID.
I D
gm =
Podemos definir el parmetro TRANSCONDUCTANCIA:
VGS
Cuando usemos el MOSFET en un circuito como amplificador sustituiremos su smbolo por

un circuito equivalente y el anlisis resultar muy sencillo.
Sedra/Smith 2004
I D (t )
D
V DD
RD
vi (t )
VGG
VGS (t )
V DS (t )
Circuito equivalente de pequea seal:

D
G
vi (t )
RD
iD
vGS
g m v GS
40
2.5. DIODO LED
a. Diodo emisor de luz: LED

Como hemos estudiado, en una Unin P-N,

en polarizacin Directa:
V>0
P
Aumenta la difusin de portadores (desde

donde son mayoritarios, hasta donde son
minoritarios).
En torno a la unin, aparecen unos excesos
de portadores, que sern mayores cuanto ms
polarizacin en directa se aplique.
El exceso de portadores va a dar lugar
PROCESOS DE RECOMBINACIN:
Tiene lugar una radiacin de los electrones

(al pasar de la BC a la BV) que pasa al
exterior como radiacin : fotones de
energa: h =GAP
El color de la luz del LED lo marca el
GAP del semiconductor.
Este proceso se denomina

Electroluminiscencia
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html
41
2.5. DIODO LED

Luego un LED es un dispositivo que consume energa elctrica y nos devuelve

energa electromagntica.
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/7/7c/PnJunction-LED-E.PNG
Cuando hay suficiente voltaje en directa aplicado entre extremos de la unin fluye la
corriente:

Los electrones (y huecos) pasan de la regin n (p) a la regin p (n) por difusin
El LED se asemeja a un diodo normal, pero con importantes diferencias:

Un empaquetado transparente permitiendo que la energa (luz en el espectro del
visible o el IR) pase a su travs.

Area de la unin P-N muy grande.
42
2.5. DIODO LED

Longitudes de onda de inters: Espectro electromagntico
Imagen de dominio pblico
43
2.5. DIODO LED
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario

fabricar semiconductores con gaps elevados.
sensores y procesado
visible
0.4
IR
trmico
comunicacin
0.7
1.6
(m)
f =
UV
NIR
3
SiC
GaP
1.6
GaAs
MIR
h (eV)
0.8
Si
Ge
= h
Eg (eV)
44
2.5. DIODO LED
b. Color de la luz de un LED

Para poder crear dispositivos en el rango del visible ha sido necesario

fabricar semiconductores con gaps elevados.
IR
trmico
45
2.5. DIODO LED
c. Aplicaciones de los LEDs

Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores (hoy por hoy su uso se ha generalizado en
general para aplicaciones de control remoto).

Fuentes de luz para aplicaciones de comunicaciones

de fibra ptica
Los LEDs se emplean con profusin:

Indicadores de estado (encendido/apagado)
Dispositivos de sealizacin (de trnsito, de emergencia, etc.)

http://es.wikipedia.org/wiki/Led
Paneles informativos (uno de los mayores del mundo, del NASDAQ,
36,6 metros de altura y est en Times Square, Manhattan).

46
2.5. DIODO LED
c. Aplicaciones de los LEDs

Calculadoras
Alumbrado de pantallas LCD de
telfonos mviles
Agendas electrnicas, etc.
Fotodetectores para lecturas de
cdigos de barras.
Displays de 7 segmentos
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
Display LEDs para aplicaciones numricas y

alfanumricas (a): Aplicacin numrica de 7 barras
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif
47
2.5. DIODO LED
d. LASER Semiconductor
Si en vez de usar una unn p-n, se utiliza una
estructura semiconductora de heterouniones,
podemos crear un LASER.
Cuando se invent en 1960, se denominaron como

"una solucin buscando un problema a resolver".
Desde entonces se han vuelto omnipresentes.
Las propiedades ms importantes:

Corriente umbral
Eficiencia
Potencia
Rapidez
Monocromticidad
Estabilidad
Fiabilidad
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg
48
2.5. DIODO LED
d. Aplicaciones del LASER

El tamao de los lseres vara ampliamente
Diodos lser microscpicos
Lser de cristales de neodimio (tamao similar al de un

campo de ftbol): investigacin sobre armas nucleares u
otros experimentos fsicos con altas densidades de
energa
En bastantes aplicaciones, los beneficios de los

lseres se deben a sus propiedades fsicas:
la coherencia
la alta monocromaticidad
la capacidad de alcanzar potencias extremadamente
altas.

Ejemplo: un haz lser altamente coherente puede ser enfocado

a unos pocos nanmetros. Esta propiedad permite al
lser:

http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
Grabar gigabytes de informacin en las microscpicas

cavidades de un DVD o CD.
Tambin permite a un lser de media o baja potencia alcanzar intensidades muy altas y usarlo
para cortar, quemar o incluso sublimar materiales.
49
2.5. DIODO LED

Se pueden encontrar en miles de variadas aplicaciones en
cualquier sector de la sociedad actual:
Industrial

Sistemas de alineamiento o localizacin (posicionamiento)

Deteccin de bordes y medida de distancias.
Mecanizado, soldadura o sistemas de corte.
Tratamientos de calor para endurecimiento o recocido de superficies en
metalurgia o en chasis de automviles.
http://www.mtiinstruments.com/img/images/MicrotrakSpecDiagrams3Fig3.jpg
Aplicaciones de diodos lser de alta potencia

http://images.industrial.omron.eu
http://blog.photonic-products.com/wp-content/uploads/2007/11/laser_engraving_big.jpg
50
2.5. DIODO LED

Cientfico:

Mdico:

Contadores de partculas, Dispersin de luz, Anlisis qumicos,

Fsica atmica
Mtodos de diagnstico, Anlisis de sangre
Posicionamiento de pacientes en sistemas de captacin de
imgenes mdicas.
Como instrumento de corte y cauterizacin o para realizar
fotocoagulacin.
La electrnica de consumo
Tecnologas de la informacin (informtica)
Artes grficas: impresoras lser y equipos de oficinas
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
51
Referencias

Pardo Collantes, Daniel; Bailn Vega, Lus A., Elementos de

Electrnica.Universidad de Valladolid. Secretariado de Publicaciones e
Intercambio Editorial.1999.
http://www.esacademic.com/pictures/eswiki/68/Diode-photo.JPG
http://ees.wikispaces.com/diodos
http://en.wikipedia.org/wiki/P-n_junction
http://www-g.eng.cam.ac.uk/mmg/teaching/linearcircuits/diode.html
http://www.circuitstoday.com/semiconductor-diodes-and-diode-symbol
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/64/Electronic_component_tran
sistors.jpg
http://www.uniovi.es/ate/manuel (Manuel Rico Secades, Javier Ribas Bueno).
Area de tecnologa electrnica. Universidad de Oviedo.
Universidad de Oviedo. Area de tecnologa Electrnica (ATE). Departamento de
Ingeniera Elctrica, Electrnica, de Computadores y de Sistemas. Area de
Tecnologia Electrnica. www.ate.uniovi.es/354/Trans01.ppt
http://erenovable.com/wp-content/uploads/2010/12/VarianteLED.jpg
http://www.alcatel-lucent.com/wps/portal/BellLabs
www.bellsystemmemorial.com/belllabs_transistor.html
Jose Antonio Gmez Tejedor. Apuntes Fundamentos Fsicos de la Informtica
(FFI). Universidad Politcnica de Valencia.
http://personales.upv.es/jogomez/ffi.html
52
Referencias

Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith. Copyright 2004 by

Oxford University Press, Inc.
http://en.wikipedia.org/wiki/File:MOSFET_functioning_body.svg
www.romux.com/_files/image/projects/electronics/e-mosfet-tranfercharacteristics-218x300.jpg
http://romux.com/projects/electronics/monolithic-ic-component-fabrication
http://laimbio08.escet.urjc.es/assets/files/docencia/AFE/Tema5FETAFE0910.pdf
http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg
http://static.howstuffworks.com/gif/led-diagram.jpg
http://alcancepublicitario.com/LED_Displays.jpg
http://www.robotroom.com/PWM/DisplayBrightnessLameSchematic.gif
http://es.wikipedia.org/wiki/L%C3%A1ser
Computer desktop encyclopedia.
http://farm5.static.flickr.com/4122/4755943633_c35273a350_o.jpg
http://es.wikipedia.org/wiki/Disco_compacto
http://optima-prec.com/images/ldo.jpg
53

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Diodo de Unin (Unin P-N).

Transistor Bipolar de Unin (BJT).

Transistor de Efecto de Campo Metal-OxidoSemiconductor (MOSFET).

Diodo emisor de luz (LED).

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2.2. DIODO DE UNIN

Es el dispositivo ms sencillo y bsico. Consiste en un

nodo (conectado a la regin P)

Generalmente el ctodo se conecta a tierra, y se

Si la tensin aplicada entre terminales V=0 La unin

Si la tensin V>0 Polarizacin directa

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2.2. DIODO DE UNIN

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

En el SC tipo P existen muchos huecos y pocos electrones, y en el SC tipo N hay

A temperatura ambiente, los huecos

La difusin crea un exceso de carga

Debido a estos excesos de carga se

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2.2. DIODO DE UNIN

2.a. La unin PN en equilibrio (V=0)

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2.2. DIODO DE UNIN

2.b. La unin PN polarizada (V 0)

El potencial aplicado externo se opone al campo

El potencial externo refuerza el campo elctrico de

De electrones del lado N al P

Las componentes de difusin son nulas.

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2.2. DIODO DE UNIN

2.b. La unin PN polarizada (V 0)

Explicacin interactiva del funcionamiento del diodo

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

VT : denominado potencial trmico

En polarizacin directa: V>0 podemos

En polarizacin inversa: V<0 podemos

Caracterstica esttica (I-V) del diodo

2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

La caracterstica I-V de un diodo real es

La corriente en inversa es prcticamente nula.

En directa existe un voltaje umbral V, que es una

Para polarizaciones muy elevadas en inversa

Caracterstica REAL esttica

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2.2. DIODO DE UNIN

2.b. Unin PN polarizada. Curva Caracteristica (I-V)

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2.2. DIODO DE UNIN

2.c. Comparativas de Curvas I-V de diodos reales

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2.2. DIODO DE UNIN

2.d. Diodo Zener

En polarizacin directa funciona como un

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2.2.b Modelado DIODO DE UNIN

I. Curva Caracteristica (I-V). Modelos

En el modelo del diodo ideal se

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