Como sabemos existen materiales capaces de

conducir la corriente elctrica mejor que otros.

Generalizando, se dice que los materiales que
presentan poca resistencia al paso de la corriente
elctrica son conductores. Analgicamente, los
que ofrecen mucha resistencia al paso de esta,
son llamados aislantes. No existe el aislante
perfecto y prcticamente tampoco el conductor
perfecto.
Existe un tercer grupo de materiales
denominados semiconductores que, como su
nombre lo indica, conducen la corriente bajo
ciertas condiciones.

Lo que diferencia a cada grupo es su estructura

atmica. Los conductores son, generalmente,
metales esto se debe a que dichos poseen pocos
tomos en sus ltimas rbitas y, por lo tanto,
tienen tendencia a perderlos con facilidad. De
esta forma, cuando varios tomos de un metal,
se acercan los electrones de su ltima rbita se
desprenden y circulan desordenadamente entre
una verdadera red de tomos. Este hecho
(libertad de los electrones) favorece en gran
medida el paso de la corriente elctrica.

Los aislantes, en cambio, estn formados por

tomos con muchos electrones en sus
ltimas rbitas (cinco a ocho), por lo que, no
tienen tendencia a perderlos fcilmente y a
no establecer una corriente de electrones. De
ah su alta resistencia.

Tambin existe otro tercer tipo de materiales,

que cambia en mayor o menor medida la
caracterstica de los anteriores, los
semiconductores. Su caracterstica principal es la
de conducir la corriente slo bajo determinadas
circunstancias, y evitar el paso de ella en otras.
Es, precisamente, en este tipo de materiales en
los que la electrnica de estado slida est
basada. La estructura atmica de dichos
materiales presenta una caracterstica comn:
est formada por tomos tetravalentes (es decir,
con cuatro electrones en su ltima rbita), por lo
que les es fcil ganar cuatro o perder cuatro.

Los semiconductores son aquellos elementos

perteneciente al grupo IV de la Tabla
Peridica (Silicio, Germanio, etc.
Generalmente a estos se le introducen
tomos de otros elementos, denominados
impurezas, de forma que la corriente se deba
primordialmente a los electrones o a los
huecos, dependiendo de la impureza
introducida.

La capa ms externa con electrones es la

capa de valencia y es determinante para las
propiedades elctricas y qumicas de los
elementos.
Un electrn en la capa de valencia tiene una
energa de la banda de valencia (Ev)
Para que el electrn escape de la atraccin
del ncleo, es necesario que adquiera una
energa mnima (Eg) para situarse en la banda
de conduccin (Ec).

En un buen aislante, las bandas de valencia y de

conduccin estn muy separadas. Por tanto, para
liberar pocos electrones que contribuyan a la
conduccin se necesita gran cantidad de energa. Por
ejemplo, el diamante con Eg 6 eV.
En un buen conductor, a la temperatura ambiente, las
bandas de valencia y de conduccin se solapan. Por
tanto, se necesita muy poca energa para mantener
corrientes elctricas bastante intensas.
Los semiconductores se caracterizan por tener una Eg
1 eV. Siendo, 1 eV = qV = (1.602x10-19 C). (1 V.) =
1.602x10-19 J.

Silicio: Eg = 1.21 eV
Germanio: Eg = 0785 eV
Silicio: (14 electrones)
1s2 2s2p6 3s2p2
La capa de valencia en los materiales
semiconductores estn incompletas, deben
de ganar o perder 4 electrones.

Cuando dos tomos de silicio estn

prximos, la fuerza de enlace entre tomos
vecinos hace que cada electrn de valencia
sea compatible por uno de sus cuatro vecinos
ms prximos. ENLACE COVALENTE.
Estos cuatro electrones se encuentran
formando uniones covalentes con otros
tomos vecinos para as formal un cristal, que
es la forma que se los encuentra en la
naturaleza.

A temperatura ambiente, algunos enlaces covalentes se rompen

debido al suministro de energa trmica al cristal, y es posible la
conduccin.
Cada enlace covalente roto crea un par electrn-hueco, el
electrn con carga negativa y el hueco con carga positiva
(portadores)
Cuando aparece un hueco, el electrn de valencia del tomo
vecino deja su enlace covalente y llena el hueco, esto produce un
nuevo hueco. As, el hueco se mueve efectivamente en direccin
contraria al electrn. (campo elctrico)

En un semiconductor puro (intrnseco), el nmero de huecos (p)

es igual al nmero de electrones libres (n) (n=p=ni=pi)

ni, pi son las concentraciones intrnsecas de portadores

Semiconductores.
La magnitud de la banda prohibida es pequea (
1 eV ), de forma que a bajas temperaturas son
aislantes, pero conforme aumenta la temperatura
algunos electrones van alcanzando niveles de
energa dentro de la banda de conduccin,
aumentando la conductividad. Otra forma de
aumentar la conductividad es aadiendo
impurezas que habiliten niveles de energa
dentro de la banda prohibida.
El germanio y el silicio son semiconductores.

Se denomina semiconductor puro o intrnseco

aqul en que los tomos que lo constituyen son
todos del mismo tipo (por ejemplo de germanio),
es decir no tiene ninguna clase de impureza.
Si a un semiconductor puro como el silicio o el
germanio, se le aade una pequea cantidad de
tomos distintos (por ejemplo arsnico, fsforo,
etc). Se transforma en un semiconductor impuro
o extrnseco.
A las impurezas se las clasifica en donadoras y
aceptadoras.

Las impurezas difundidas que cuentan con

cinco electrones de valencia se denominan
tomos donadores (material tipo n).
Las impurezas difundidas que cuentan con
tres electrones de valencia se denominan
tomos aceptadores (material tipo p).

Impureza de Antimonio en un
material tipo n.

Impureza de Boro en un
material tipo p.

Ahora, bien para aumentar la conduccin de

cualquier semiconductor se recurre a un
proceso denominado "dopado" o
"envenenamiento". El objeto del mencionado
proceso es el del aumentar la cantidad de
portadores libres en el cristal provocando un
aumento en la conductividad del mismo
(recordar que la corriente es el flujo de
portadores)

El dopado del cristal es realizado con tomos

trivalentes (con tres electrones en su ltima
rbita) o pentavalentes (con cinco). Esta eleccin
no es resultado de un proceso azaroso sino que
uno u otro tipo de tomo aumentar a su vez la
presencia de uno u otro tipo de portador. Cmo
es esto?: el silicio, como ya se ha dicho, tiene
cuatro electrones en su ltima rbita que se
combinan a su vez con otros tomos para formar
un cristal. Al introducir un tomo penta o
trivalente en dicho cristal, se provocar un
aumento o un defecto de electrones que har
aumentar la cantidad portadores.

Si se introduce un tomo pentavalente (P, Sb, As)

en un cristal puro, cuatro de sus electrones se
unirn a cuatro electrones de los tomos de
silicio vecinos, pero el quinto queda libre, sin
formar parte de ninguna unin, por lo que est
dbilmente ligado al tomo: Este electrn libre,
requerir muy poca energa para "saltar" a la
banda de conduccin. La energa trmica del
ambiente basta para provocar este salto. De esta
forma al agregar tomos pentavalentes
agregamos electrones en la banda de
conduccin, es decir, agregamos portadores.

De la misma forma, podemos dopar al cristal con

tomos trivalentes (como el boro, el Alumnio, el
Galio, etc), esto provocar un exceso de electrones en
el cristal, ya tres de los cuatro electrones de la ltima
rbita del Silicio se combinan con los tres electrones
del anterior tomo. Esto trae como consecuencia la
generacin de un espacio sin electrones, que tendr
carga positiva, es decir, esto generar un hueco.
De esta forma podemos controlar de manera casi
definida, a travs del dopado, la cantidad de
electrones o huecos que existen en un cristal. A este
tipo de cristal se le denomina extrnseco, ya que fue
modificado por elementos exteriores

Cuatro de los cinco electrones del tomo de arsnico

se unirn a los correspondientes electrones de los
cuatro tomos de silicio vecinos, y el quinto quedar
inicialmente libre, sin una posible unin, y por tanto
se convertir en un portador de corriente. A este tipo
de impurezas que entregan electrones portadores
(negativos) se los denomina donadores o del tipo n.
En un semiconductor con impurezas del tipo n, no
slo aumenta el nmero de electrones sino que
tambin la cantidad de huecos disminuye por debajo
del que tena el semiconductor puro.
La causa de esta disminucin se debe a que una parte
de los electrones libres llena algunos de los huecos
existentes.

Si al semiconductor puro de silicio se le aade

algn tipo de impureza que tenga tres electrones
externos, solo podr formar tres uniones
completas con los tomos de silicio, y la unin
incompleta dar lugar a un hueco.
Este tipo de impurezas proporcionan entonces
portadores positivos, ya que crean huecos que
pueden aceptar electrones; por consiguiente son
conocidos con el nombre de aceptores, o
impurezas del tipo p. Al contrario de lo que
suceda antes en el tipo n en un semiconductor
con impurezas de tipo p los portadores que
disminuyen son los electrones en comparacin,
con los que tena el semiconductor puro.

A los semiconductores que contengan ya sea

impurezas donadoras o aceptad se les llama
respectivamente de tipo n o p. En un semiconductor
del tipo n, los electrones se denominan portadores
mayoritarios y los huecos portadores minoritarios.
En un material de tipo p, los huecos son portadores
mayoritarios, y los electrones portadores
minoritarios.
Veamos ahora, qu ocurre si a un cristal extrnseco le
conectamos una fuente externa de tensin. Al existir
mayor cantidad de portadores (no importa de qu
tipo), circular por el cristal una corriente mucho
mayor que en el no dopado. El valor de esta corriente
depender de que tan contaminado est el material.

El efecto del hueco sobre la conductividad se

muestra en la siguiente figura. Si un electrn de
valencia adquiere suficiente energa para romper
su enlace covalente y llena el vacio creado por un
hueco, entonces, una vacante o hueco se creara
en el enlace covalente que libero al electrn. Por
lo tanto existir una transferencia de huecos
hacia la izquierda y de electrones hacia la
derecha. La direccin que se utilizar es la del
flujo convencional, la cual se indica por la
direccin del flujo de huecos.

Flujo de electrones versus flujo

de huecos.

En el estado intrnseco, el numero de electrones

libres en el Ge o en el Si se debe nicamente a
los pocos electrones en la banda de valencia que
adquirieron energa de fuentes trmicas o
luminosas suficiente para romper el enlace
covalente, o a las escasas impurezas que no se
pudieron eliminar.
En un material tipo n, el electrn se denomina
portador mayoritario y el hueco portador
minoritario.
Para un material tipo p, el numero de huecos
sobrepasa por mucho al numero de electrones
por lo tanto en un material tipo p el hueco es el
portador mayoritario y el electrn es el portador
minoritario.

Los materiales tipo p y tipo n representan los

componentes bsicos de construccin para
los dispositivos semiconductores.