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Amplificadores de Potencia 2008 40523 PDF
Amplificadores de Potencia 2008 40523 PDF
Captulo 3
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
3.1 - INTRODUCCION
Quizs la primera pregunta que surge ante la lectura del ttulo es:
Desde que potencia un amplificador se lo considera como de potencia?
En realidad no existe lmite definido a partir del cual pueda catalogarse a un amplificador como
de potencia, en todo circuito medianamente completo, existe una etapa final de salida cuyo
manejo de potencia suele ser sensiblemente mayor que las anteriores (de seal), y que presenta
un diseo visiblemente diferente. En resumen es la funcionalidad y por ende su configuracin y no
el valor de la potencia en juego, lo que definir a una etapa como Etapa de Potencia.
Uno de nuestros nuevos y primordiales objetivos del diseo ser entonces lograr ganancia de
potencia y ms an maximizarla, suponiendo por lo general, que la ganancia de tensin necesaria
ha sido lograda en etapas previas, no obstante en algunas configuraciones la etapa de potencia
puede agregar ganancia de tensin, aunque ello no sea lo ms habitual.
Otro de los nuevos objetivos, consiste en mejorar el rendimiento tanto sea en potencia como
en energa, que dar como resultado amplificadores de tamao ms pequeos, con menor costo
y obviamente menor consumo
Incluidas dentro de los amplificadores para grandes potencias existen etapas previas a la de
salida denominadas como Excitadoras(Drivers), que se prevn cuando no es posible lograr con
una sola etapa la ganancia de potencia necesaria y/o por razones de diseo, que no debiera
confundirse con las etapas de seal ya que por lo general su conformacin es similar a la etapa
de salida.
Cabe aclarar que en las primeras partes de este estudio se consideraran condiciones ideales,
despreciando posibles prdidas de circuitos perifricos, influencias de alinealidades y limitaciones
en la excursin de la seal {ejemplo: considerar VCE(sat) = 0 RD(ON) = 0}. La finalidad primaria
es determinar cotas lmites tericas dentro de las expresiones de clculo, para tener una idea
global que nos permita fijar los conceptos bsicos del tema.
En general la descripcin de los circuitos y sus consideraciones de diseo, tendrn validez
mientras no se indique lo contrario, dentro de las siguientes premisas:
*Amplificadores de banda ancha
*Frecuencias dentro del rango habitual de audio, 20 Hz a 20 Khz
*Amplificacin sin distorsin
Aunque redundante, resulta conveniente recordar lo dicho en la introduccin general de este
trabajo, respecto a la necesidad de prestar especial atencin a los valores lmites de
funcionamiento de los dispositivos, tanto en potencia como en tensin y corriente, de acuerdo a lo
desarrollado en el Captulo 1.
Clase A
iC
Clase B
Clase C
Clase A
Clase AB
Clase B
180
360
Clase AB
Clase C
B - De acuerdo a la
reproduccin de la
seal de entrada
IDEALIZADO
Clase AB
Clase A
Clase B
Figura 3.1
Distintas formas de visualizar las
clases de funcionamiento.
Clase C
Existen otras clases que involucran a los amplificadores especiales y a los de conmutacin
que, para no introducir confusin en los conceptos fundamentales, veremos mas adelante.
3.3 - CLASE A
3.3.1 - POLARIZACIN Y RENDIMIENTO
Recordemos que uno de los objetivos enunciados es el de mejorar el rendimiento, para lo cual
resulta necesario minimizar o eliminar todos los consumos de potencia no imprescindibles.
Si recordamos nuestra tpica etapa amplificadora discreta de seal con salida por colector, un
elemento a descartar puede ser la resistencia colocada en el emisor con fines de estabilizacin, la
cual, a medida que avancemos en nuestro estudio se lograr mediante mtodos mas avanzados
como el de realimentacin.
Otro elemento disipador por excelencia lo constituye la resistencia de colector, que en forma
permanente consume una potencia que no es aplicada a la carga til, por lo que en el futuro la
carga actuar cumpliendo ambas funciones.
Dado que las tensiones, corrientes y por lo tanto las potencias en juego son mayores que el
resto del circuito, las redes de polarizacin pueden llegar a disipar potencias relativamente
importantes(ver punto 1.2.1), por lo que los mtodos de acoplamiento directo son de uso casi
excluyente, aplicndose este criterio por igual a circuitos integrados o discretos.
Presentaremos algunos clculos previos, referidos a potencia, que nos permitirn
interiorizarnos de algunas caractersticas particulares del funcionamiento en clase A en
cualquiera de sus configuraciones. Dado que dichas caractersticas son independientes del
dispositivo utilizado, adoptaremos un Dispositivo Generalizado, que tendr las siguientes
denominaciones:
Y
X = Base, Compuerta o Grilla segn corresponda
Y = Colector, Drenaje o Placa segn corresponda
Z = Emisor, Fuente o Ctodo segn corresponda
Z
De acuerdo a lo que aclaramos en la Introduccin, y a lo expresado anteriormente en este
prrafo, no tendremos en cuenta los circuitos de polarizacin para el clculo.
La corriente total a la salida la podremos expresar como:
i Y = I YQ + i y g
(3 1)
V
T
1
i Y dt =
V
T
1
F I YQ + i y g dt =
T
F I YQ dt +
V
T
1
F i yg
dt
(3-2)
Obsrvese que en la segunda integral del ltimo miembro uno de los factores es constante(La
tensin de la fuente), pero el otro es de valor medio nulo segn lo ya expresado, por lo que la
integral resulta nula.
En consecuencia, resolviendo la primera integral resulta:
PF = VF I YQ
(3-3)
La expresin (3.3) nos dice que la potencia entregada por la fuente es constante,
independientemente de los valores de la seal de entrada e igual a la potencia de reposo o
potencia en el punto de operacin (Q), siendo esta la caracterstica tpica de la clase A.
Por otra parte calcularemos la potencia media til entregada a la carga, que por tratarse de
una onda alterna se expresa como un valor medio cuadrtico o valor eficaz:
Pl =
1
T
RL i 2y g dt = RL
1
T
2
yg
dt = RL I 2y g
Pl = Vl Il
(3-4)
RL = Resistencia de carga
Iyg = Corriente eficaz por la carga (debida a la seal) = Il
Vl = Tensin eficaz en la carga
El rendimiento en clase A podr expresarse entonces como:
RL I2Yg
Pl
Vl Il
=
=
=
PF VF IYQ
VF IYQ
Siendo:
(3-5)
1
I
2 YM
VlP = VYQ =
1
V
2 F
ximo =
( 3 6 a)
PlM
PF
I YQ VF
2 2 2
=
( 3 7 a)
=
I YQ VF
4
PF
4
PF / 4
= 1 / 4 = 25%
PF
IlM =
I YM
2 2
VlM =
VF
2 2
I YQ
2
( 3 6b)
( 3 7b)
( 3 8)
(3 9)
Comentario [ACG1]:
VF
iY
IYM
RL
IYQ
Z
VYQ
VF vYZ
a) Esquema de conexin
b)Grfica de salida idealizada
Figura 3.2 - Etapa simple en clase A con carga resistiva
Si al clculo anterior le adicionamos alguna realidad, tal como: utilizacin incompleta del
cuadrante, inconveniencia de colocar el punto Q en el centro de la zona til, seales menores que
la mxima, etc., el rendimiento calculado, ya bajo de por s, disminuir notablemente haciendo
que este circuito resulte de muy poca aplicacin en el rea de potencia. Otro inconveniente que
presenta es que la corriente continua de polarizacin circula permanentemente por la carga, lo
que resulta en la mayora de los casos inadmisible.
n1
con k =
n2
= k 2 ZL
o en forma mas general:
Donde * indica que la resistencia o impedancia es la vista desde el primario del transformador.
En este caso la potencia y el rendimiento mximo en la carga resultan:
Z L*
PlM = Il M VlM =
PlM
I YQ VF
2
I YQ VF
2
PF
2
( 3.10)
PF / 2
( 3 11)
=
= 1 / 2 = 50%
PF
PF
Este circuito duplica el rendimiento con respecto al anterior brindando una mejor perspectiva
de utilizacin. No obstante este valor no es demasiado satisfactorio y el problema de la circulacin
de la corriente continua de polarizacin, se transfiere de la carga al transformador.
M
ximo =
Esta particularidad hace que los transformadores deban ser previstos para admitir la suma de
la corriente de polarizacin mas la corriente de pico de la seal sin producir saturacin en su
ncleo, que origine distorsiones en la transmisin de la seal a travs de l. Dentro de las
frecuencias de audio ya citadas (Ver Seccin 3.1, prrafo 4to.), el ncleo resulta
sobredimensionado con costo, tamao y peso inadmisibles a la luz de las actuales tcnicas, razn
por la cual no se lo utiliza en los equipos corrientes en el rango de audio.
Antiguamente resultaban imprescindibles para adaptar la impedancia de salida de las vlvulas
del orden de los KOhm, a los parlantes con resistencias del orden de los Ohm, razn por la cual
su uso era generalizado.
Si ingresamos al campo de las radiofrecuencias, la situacin cambia totalmente ya que los
transformadores son pequeos y livianos, su costo es reducido y ante la necesidad de trabajar en
forma general con circuitos sintonizados (amplificadores de banda angosta), es comn el uso de
bobinas o transformadores adaptadores.
VF
1
iY
Recta esttica
2 IYQ
RL*
RL
2
-1/RL
IYQ
Y
X
Recta
dinmica
VF
2 VF
VYZ
a) Circuito
b) Grfica de salida
Figura 3.3 - Etapa en clase A con carga inductiva
Un hecho muy importante que puede visualizarse en la figura 3.3b), es que el
dispositivo debe soportar el doble de la tensin de alimentacin, o an ms, en el caso de
que la recta de carga tenga una pendiente menor que la representada.
La omisin de este detalle por el diseador, al elegir el dispositivo de salida, puede
causar estragos durante el futuro funcionamiento del circuito.
3.4 - CLASE B
3.4.1 - POLARIZACION
iY
Q
VF
VYZ
iL
ei
n1
n2
+
ei
RL
n1
ib2
iC2
a) La tensin entre +VF y -VF quedara aplicada sobre las dos junturas base-emisor de ambos
transistores con el resultado de la destruccin de ambas junturas. En el caso del MOS de
potencia resultara previsible la perforacin de los dielctricos de la compuerta.
b) La tensin colector-base de los transistores sera permanentemente cero impidiendo su
funcionamiento (similar razonamiento para MOS).
+VF
VS
a
C1
C1
Q1
Q1
CS
Q2
RL
C2
Emisor
Comn
RL
Q2
C2
-VF
+VF
Q1
VS
Q1
C3
Q2
RL
Q2
Colector comn
(Seguidor emisivo)
RL
-VF
Fuente doble
Fuente simple
+VF
Q1
Q1
Q3
vg
Q3
iAB
iBA
RL
RL
Q2
Q4
-VF
Q2
Q4
-VF
Figura 3.8 - Acoplamiento Puente
(Simplificado)
11
2
VF I C
PF = VF I C =
(3 12a)
VL
VL
2
si reemplazamos : I C =
( 3 12 b)
PF = VF
RL
RL
El valor mximo de PF se dar cuando sea mxima la corriente de colector o lo que es lo
mismo, cuando sea mxima la tensin de pico de la carga. Este mximo se cumple en las
condiciones ideales ya enunciadas (Ver Sec. 3.1 prrafo 3), cuando:
VL(Max) = VF
(3 13)
V2
2 VF2
= 0,63662 F
( 3 14)
RL
RL
Por otra parte, si llamamos con VL a la tensin eficaz en la carga, la potencia de salida
desarrollada en ella ser:
2
VL
2
2
2
VL
1 VL
PL =
=
( 3 15 )
=
RL
RL
2 RL
El mximo se cumplir tambin aqu cuando se cumpla (3-13), resultando:
2
1 VF
PL (Max) =
( 3 16 )
2 RL
PF(Max) =
Con estos valores calcularemos el rendimiento para cualquier condicin de carga como:
2
PL
=
PF
VL
2 RL
VL
4 VF
2 VF V L
RL
De igual forma, cuando se cumpla (3-13) se obtendr el rendimiento mximo
PL (Max )
(Max ) =
= = 78,5 %
PF (Max ) 4
( 3 17 )
( 3 18 )
Dado que en el siguiente semiciclo entra en operacin el otro transistor pero con valores
idnticos, todo lo calculado vale para el ciclo completo.
Se considerar ahora la potencia desarrollada en el dispositivo (como potencia de colector de
un transistor), para lo cual se calcula previamente su corriente y tensin:
13
V
iC = I sent = L sent
RL
(3 19)
vCE = VF v L = VF V L sent
(3 20)
V VL
VL
VL
p D = vCE iC = (VF V L sent ) sent = F sent
sen 2 t
RL
RL
RL
(3 21)
VF V L
1 VF V L
VL
VL 1
2
2
PD = p D d (t ) =
sent
sen t d (t ) =
RL
0
0 RL
RL
RL 2
2 VF V L 1 V L
PD =
RL 2 RL
(3 22)
( 3 22' )
Dado que se trata de una funcin que depende de VL^, se calcular su derivada y se la
igualar a cero para determinar el valor de dicha tensin para el cual se produce el mximo de
esta potencia.
PD
VL
2
V L = VF
2 VF V L
=
=0
RL RL
(3 23)
PD ( Max ) =
2V F
VF
RL
2
VF
RL
2
2 VF
2
RL
(3 24)
En forma simplificada y ms fcil de recordar, aparece esta frmula en los manuales como:
PD(Max)
2
1 VF
5 RL
= 0,2
VF2
(3 24' )
RL
Esta potencia media mxima corresponde a la potencia total disipada en la etapa de salida,
la mitad en un transistor la otra mitad en el otro transistor en el siguiente semiperodo. Igual
procedimiento se aplica en los circuitos integrados en los cuales ambos transistores comparten
una misma cpsula. Una modificacin que se suele introducir para este caso, consiste en
adicionar a las potencias descriptas la correspondiente al funcionamiento en reposo, que est
constituida por los circuitos de excitacin, probablemente en clase A, y la posible corriente de
reposo en la etapa de salida en la clase AB (que se estudiar mas adelante). Esta potencia
adicional la denominaremos con PQ y corresponde a la condicin PL=0, con lo que para el
disipador comn se obtienen las frmulas (3-25) y (3-25).
PDcMT =
2 VF2
2
RL
+ PQ
( 3 25)
PDcMT
1 VF2
+ PQ
5 RL
(3 25' )
En rigor de verdad, la frmula (3-22) se podra haber obtenido, en este caso, simplemente por
diferencia entre la potencia de la fuente y la de la carga, aplicando directamente la (3-22) y
procediendo al reemplazo de los valores segn la (3-12b) y la(3-14). Se ha preferido incluir el
clculo formal de la potencia media disipada ideal, dado que no siempre es aplicable
taxativamente la (3-22) para cualquier disposicin y clase de funcionamiento.
3.4.3.2 - Fuente simple
Procedimientos similares permitirn calcular las variables de tensin y corriente y las potencias
para la disposicin en fuente simple, similar a la de la Figura 3.6d (Quedan para el Lector los
pasos intermedios).
En ella, para evitar confusiones cuando se las relaciona con las fuentes dobles y/o se intenta
memorizarlas, se adopta para la fuente de alimentacin simple el smbolo VS , y las frmulas
llevan el mismo nmero de sus similares de fuente doble pero con el agregado S.
La potencia media de la fuente en el semiperodo que trabaja el transistor superior es:
2
2
VL 2 VS VL
VS I C
(3 12a S)
PS* = VS
=
(3 12b S)
RL RL
Se recuerda que al conectar el amplificador en disposicin de fuente simple, el capacitor se
carga idealmente a la mitad de la tensin de fuente, ya que esa es la tensin que debera existir
en el punto de acoplamiento de ambos transistores si la polarizacin es correcta y no existe seal
alguna. Durante el semiperodo que trabaja el transistor superior y cuya potencia de fuente
acabamos de calcular, el capacitor recibe una carga extra que utiliza en el semiperodo siguiente
para abastecer la corriente del semiciclo negativo comandada por el transistor inferior. Dado que
durante dicho semiciclo el transistor superior est cortado, la fuente no entrega potencia y por lo
tanto la potencia media durante la totalidad del ciclo resultar la mitad de la calculada para el
semiciclo. Tendremos entonces:
PS* = VS I C =
1 VS VL
1
PS =
= VS I L
(3 12c S)
RL
Como siempre, la mxima potencia media se da para la mxima tensin de salida ideal para la
condicin de VCE(Sat)=0 y dado que en este caso la onda de salida excursiona alrededor del punto
medio entre los transistores, el mximo se dar para :
V
VL = S
(3 13 S)
2
Resultando la potencia mxima:
V2 1
PS (Max) = S
(3 14 S)
RL 2
La potencia de salida tiene igual frmula genrica ya deducida, por lo cual:
1 VL
PL =
2 RL
(3 - 15 - S)
15
VL
2 RL
P
= L =
PS
VL
=
2 VS
(3 17 S)
VS VL 1
RL
VL
i C = I C sen t =
v CE = VS (
RL
VS
(3-19-S)
+ V L sen t) =
p D = v CE i C = (
sen t
VS
2
VS
2
V L sen t
(3-20-S)
V L sen t )
VL
RL
sen t =
VS V L
2 RL
sen t
VL
RL
sen 2 t
(3-21-S)
PD =
VS V L
RL
VL
(3-22-S)
2 RL
PD
=0
se obtiene:
VL
VL =
VS
(3-23-S)
PD (Max) =
VS2
2 2 RL
(3-24-S)
PD (Max) =
VS2
(3-24-S)
20 RL
VS2
+ PQ
2 2 R L
(3 25 S)
PD* T (Max ) =
VS2
+ PQ
20R L
(3 25'S)
PF ( Max ) =
PD ( Max )
PL ( Max )
2 VF2
RL
(3 14)
PL ( Max ) =
1 VF2
2 RL
(3 16)
PD ( Max ) =
2 VF2
2 RL
4
4
=
= 2 PD ( Max ) = 2 PL ( Max ) = 40 % PL ( Max ) (3 30)
1 V F2
2 RL
2 VF2
2 RL
(3 24)
PD = PF PL ( 3 22' )
OBSERVACIONES
La relacin (3-30) permite que, adoptado el valor de la potencia de salida del amplificador a
disear, se determine inmediatamente la potencia disipada mxima ideal de los transistores de
salida, y en consecuencia su eleccin, por lo que constituye un excelente punto de partida para el
clculo. Eso s conviene advertir a esta altura del estudio, que las potencias disipadas reales son
siempre mayores que las ideales, por lo que al adoptar los transistores de salida debe tenerse en
cuenta este hecho
17
Por otra parte conviene remarcar que la frmula (3-30), se la propone exclusivamente para
usar como primer paso tentativo del diseo, dejando claro para evitar confusiones conceptuales
que, cuando se cumple la (3-16) no se est cumpliendo la (3-24) y viceversa, dado que sus
mximos se dan para distintas condiciones de excitacin.
La expresin (3-22) en cambio, es de validez permanente y permitira calcular la potencia ideal
o real disipada por el dispositivo, siempre y cuando se utilice para las mismas condiciones de
excitacin en ambos trminos del segundo miembro.
Lo concreto es aplicar directamente la (3-22) sin ninguna restriccin, teniendo cuidado de
aplicar la tensin de pico real que surja de la adopcin del valor mnimo que se admita para VCE,
dato que deber deducirse por anlisis de las Especificaciones del transistor adoptado.
La potencia mxima disipada en los transistores de salida ocurre cuando se cumple que la
tensin de pico en la carga es 2/ de la tensin de alimentacin como lo refleja la frmula (3-23) y
se calcula segn la (3-24).
La potencia en la carga y la entregada por la fuente, en cambio, son mximas cuando la
tensin en la carga es idealmente igual a la de alimentacin, en cuyo caso se cumple la frmula
(3-13) y se calcula la potencia en la carga segn la (3-16) y la de la fuente segn la (3-12a b).
A los efectos de clarificar la variacin de las distintas potencias instantneas al variar la
relacin entre la tensin de pico en la carga y la de alimentacin, las representaremos en la
Figura (3-9).
VALORES NORMALIZADOS
POTENCIA Y RENDIMIENTO
0,80
0,75
0,70
0,65
0,60
0,55
0,50
0,45
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
4
2
2 VF
RL
2
1 VF
2 RL
PF
PL
2 VF
2
R
2 L1 VF2
2 RL
PD
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,8
0,9
RELACIONES
DE TENSION
VF V L
VL
pd =
sen t
sen 2 t
RL
RL
( 3 21)
pD VF VL
VL
=
cos t
2 sen t cos t = 0
t
RL
RL
sen t =
VF V L
RL
2
1 VF
2
VL
( 3 27 )
2 VL
RL
Al variar la excitacin variar el valor de pico de la tensin en la carga y por lo tanto la posicin del
punto mximo y en consecuencia la forma de la curva. Se analizarn algunos puntos particulares:
Caso a) Cuando la potencia entregada por la fuente es mxima, como consecuencia de que se
cumple la frmula (3-13), se iguala la tensin de pico en la carga a la tensin de la fuente. Para
determinar donde se produce el mximo se aplica esta condicin a la (3-27) recin deducida y
tenemos:
1 VF
1
sen t =
=
t = 30 ; t = 150
2 VF 2
El valor en esos puntos se obtiene utilizando la (3-21) y resulta:
2
pD =
a
1 VF2
VF2 1 VF2 1
=
4 RL
RL 2 RL 2
p D a ( 90 ) =
VF2
(sen 90 sen 2 90 ) = 0
RL
Caso b) Cuando la potencia media disipada por los transistores es mxima, se cumple la (323) y se obtienen con clculos similares a los anteriores, las siguientes conclusiones:
VF2
1 VF2
t = 5172
, y t = 128,28 valiendo en esos puntos pD =
= 0,25
b
RL
4 RL
VF2
RL
Caso c) En este caso se tratar de obtener la condicin para obtener el valor mximo en 90
para lo cual se derivar la expresin (3-21) particularizada en la condicin t=90y se igualar a
cero. Mediante este procedimiento se obtiene que la condicin se cumple cuando:
en 90 la funcin vale pDb ( 90 ) = 0,23133
VL =
1
V
2 F
( 3 29)
VF2
( para 90 )
RL
VF2
RL
Comparando los casos a) y b) con c), se observa que este ltimo es el primero que tiene un
nico pico de potencia instantnea en 90. Cualquier otra respuesta temporal de la potencia
19
instantnea que se analice con valores de tensin de pico inferiores a 0,5 de VF tendr tambin
un nico pico en 90 a diferencia de aquellos que tienen valores de tensin de pico mayores de
0,5 de VF que presentarn dos pico en la respuesta ubicados en ngulos variables segn los
casos, de los cuales el caso a) y b) son ejemplos particulares.
Para una mejor claridad, en la figura 3.10 se representaron las funciones temporales de la
corriente de colector, (igual curva corresponde a la potencia entregada por la fuente que no se
grfica por ser redundante), la tensin colector emisor, y la potencia instantnea desarrollada en
el dispositivo, para el caso particular del transistor Q1 de la figura 3.6 a c, correspondientes a
alimentacin con fuente doble. Se representaron los casos a) y b) , agregndose los casos c) y d)
en la grfica de la potencia instantnea que ilustran lo comentado precedentemente.
Bajo estas premisas todas las curvas estn parametrizadas en la relacin entre la tensin de
pico en la carga y la tensin de la fuente que en la grfica esta denominada como: R=VL(p)/VF .
Todas las grficas estn normalizadas:
La de corriente de colector en el valor:VF/RL
La de tensin Colector-Emisor en: VF
La potencia instantnea disipada por el transistor en: VF2/RL
En el grfico de potencia de la Fig. 3.10 citada, se ha marcado una lnea con la referencia
PD(Mx) que se corresponde con la potencia media mxima y que se calcula con la frmula (324). Este valor de potencia es el que normalmente se tiene en cuenta para el diseo, ya que en
aplicaciones de audio la duracin de un semiperodo exceden en caso de la menor frecuencia(20
Hz25ms), los tiempos de las curvas de extensin del SOAR para rgimen de pulso, que por otra
parte son de pulso nico y no repetitivo como en el caso de msica o palabra.
Por dicha razn se utilizan siempre dentro del SOAR, las curvas de corriente continua.
Un anlisis mas detallado de las curvas de potencia instantnea disipada, por ejemplo para el
caso de potencia media mxima {sucede cuando se cumple la (3-24) R=2/}, permite apreciar
que la potencia instantnea supera el nivel de PD(Mx) desde algo menos de 30 hasta algo ms de
150. Este lapso de algo ms de 120 se corresponde a la frecuencia mnima de 20Hz con un
intervalo de tiempo t 17 ms, que por las mismas consideraciones anteriores nos conducira a
utilizar para el mismo las curvas de SOAR de corriente continua.
VF2
1 VF2
= 0,2
5 RL
RL
VF2
1 VF2
= 0,25
4 RL
RL
( 3 24 ' ' )
CORRIENTE NORMALIZADA
CORRIENTE DE C0LECTOR
1,00000
0,90000
0,80000
0,70000
0,60000
0,50000
0,40000
0,30000
0,20000
0,10000
0,00000
Caso a: R=1
Caso b: R=2/Pi
ANGULOS
180
90
TENSION NORMALIZADA
TENSION COLECTOR-EMISOR
1,00000
0,90000
0,80000
0,70000
0,60000
R=2/Pi
0,50000
0,40000
0,30000
0,20000
R=1
0,10000
ANGULOS
0,00000
0
90
POTENCIA DISIPADA
0,3000
POTENCIA NORMALIZADA
180
Caso c: R=0,5
0,2500
Caso b: R=2/Pi
0,2000
PD(Mx)
Caso d: R=0,25
0,1500
0,1000
0,0500
Caso a: R=1
ANGULOS
0,0000
30
60
90
120
150
180
21
( 3 31)
A los efectos de deducir los nuevos valores para la potencia disipada, se repiten
abreviadamente los pasos a partir de la frmula (3-19) que no se modifica
VL
iC =
sen t
RL
( 3 19)
VCE = VF R S i C V L sen t
( 3 20 + R S )
( 3 20 '+R S )
( 3 21 + R S )
2 VF VL 1 VL
PD =
(R + RL )
2 RL2 S
RL
( 3 22 + R S )
VL
2 VF
VL
=
(R + RL ) = 0
RL RL2R S
VL =
RL
2
V
F R S + RL
( 3 23 + R S )
VF2
VF2
(
3
24
+
)
:
=
( 3 24 '+R S )
R
simplificadamente
P
S
D
(
Max
)
5 (R S + RL )
2 R S + RL
2
Por ello lo normal es que la potencia mxima disipada por el transistor resulte inferior a la
calculada segn la (3-24), situacin que podra justificar el no uso de la (3-24) an en diseos
conservativos, as como en la mayor parte de los textos.
Se estima que la relacin entre la resistencia de la fuente y de la carga se encuentra
comprendida entre: 0<RS/RL10.
Resulta oportuno comentar aqu que una fuente de alimentacin debe admitir en clase B, pasar
en un tiempo muy breve de la corriente de reposo a plena carga (Por ejemplo ante un sonido
fuerte luego de una pausa) o resistir un pico de potencia cuando ya est entregando una potencia
apreciable. Esta exigencia no se presenta en clase A donde la corriente entregada es constante,
al menos en promedio.
Otra exigencia, para todas las clases, es la de ofrecer una baja resistencia en todas las
frecuencias y sus armnicas dentro de la banda de audio para evitar que puedan atenuarse o
perderse algunas de ellas.
Resulta tambin importante deducir cmo se modifica la potencia mxima en la carga con una
fuente real, para lo cual partiremos de la (3-15) que mantiene su validez (se reproduce aqu ) y
repitiendo abreviadamente los pasos siguientes:
2
PL =
1 VL
(3 15)
2 RL
V L(Max) = VF
RL
R S + RL
( 3 13 + R S )
1
2
VF2
RL
(R S + RL ) 2
(3 16 + R S )
Aqu tambin resulta, como es lgico, que la potencia mxima entregada por el amplificador es
menor que para la fuente ideal.
La influencia de la resistencia de la fuente cobra importancia cuando analicemos, algo mas
adelante, la forma tcnico-comercial de definir la potencia de los amplificadores.
23
I C ( Max )
I l ( Max )
I CQ
I l ( Max )
1
*
RL
V l ( Max )
V l ( Max )
vCE
VF
2 I C Q R Sat
Figura 3.11 - Grfica de un amplificador Clase A con carga inductiva y dispositivo real
Como siempre considerando onda senoidal, se obtendr:
Il =
Il
2
; Vl =
Vl
2
; Pl = Vl I l =
Vl I l
2
1
2
( 3 32 )
Vl I l
1 Vl I l
2
=
=
PF
VF I YQ
Pl
(3 33)
Dado que el denominador es fijo, el mximo se obtendr cuando sean mximos los factores
del numerador con los siguientes valores:
V l ( Max ) = VF 2 I YQ R Sat
I l ( Max ) = I YQ Max =
1 VF 2 I YQ R Sat I YQ
2
VF I YQ
1 VF 2 I YQ
2
VF
( 3 34 )
I l ( Max ) = I YQ =
V l ( Max )
R
*
L
VF 2 I YQ R Sat
R
*
L
I YQ =
VF
*
2 R Sat + R L
( 3 35)
RL
2 2 R Sat + R
*
L
= 50%
RL
( 3 36)
2 R Sat + R L
Clase B
RL
R L + R Sat
Max = 78,5%
RL
R L + R Sat
( 3 37 )
( 3 38)
25