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a todos los dems. El Si tiene cuatro electrones en la ltima capa que estn ligados a un orbital degenerado
, este orbital no pertenece a un nico tomo sino que adquiere un segundo nivel de degeneracin
al interaccionar con los tomos del cristal, por encima de este orbital hay otros libres.
Si todos los electrones estuviesen anclados a un tomo no habra cargas libres y por lo tanto sera un
aislante. Los orbitales libres no pertenecen a un nico tomo sino que al formarse un cristal se desarrolla
un orbital degenerado que pertenece a todos los tomos del cristal, este orbital al que llamaremos banda
de conduccin por contraposicin a los ligados a los tomos que son la capa de valencia.
Paremos un momento y establezcamos las diferencias aparentes con los metales: en los metales estas dos bandas se solapan con lo que los electrones pueden moverse libremente con un mnimo aporte
energtico, sin embargo en los semiconductores hay una banda prohibida similar a los saltos energticos
que se apreciaban en el tomo de hidrgeno, con lo que es necesaria una energa apreciable para que
un electrn pase a la banda de conduccin y pueda contribuir a la corriente elctrica. La energa trmica genera en un semiconductor pares electrn-hueco, es decir, suministra a un electrn ligado energa
su ciente como para saltar la banda prohibida y dejar tras de si una posicin electrnica libre a la que
llamaremos hueco. En un semiconductor intrnseco (puro) la conductividad vendr dada pues por
(1.9)
donde
ya que el nmero de electrones y de huecos ha de ser el mismo porque se generan por
pares. Cuntos pares se generarn? Depender de la temperatura segn una frmula llamada de energa
de activacin que viene a ser
(1.10)
el 2 aparece ya que cada una de las partculas necesita la mitad de la energa de la banda prohibida, pero
ya sabemos que n=p slo para semiconductores intrnsecos, si no son intrnsecos el nmero de portadores
de cada tipo no ser el mismo, de hecho tendremos una dependencia para electrones y otra para huecos
las frmulas sern
(1.11)
donde y
son el nmero de estados de la banda de conduccin-valencia y
la energa del nivel de
Fermi que es el nivel energtico donde, de haber un contnuo de niveles tendramos un 50% de llenado
de esos niveles.
Tenemos pues para concluir que la conductividad en un semiconductor cualquiera ser
(1.12)
es decir que aumenta cuando aumenta la temperatura al contrario que en los metales. Adems de las
ecuaciones 1.9 y 1.11 podemos deducir que cuanto mayor sea el nmero de portadores mayor ser la
conductividad (aunque esto ocurre en cualquier material).
1.1.2.4 Fotoconductividad
Una vez hemos entendido cuales son los parmetros que in uyen en la conductividad de un material
llegamos a la parte interesante que es como aprovechar esta caracterstica para medir la cantidad de luz
incidente sobre l, lo estudiaremos sobre los semiconductores ya que tanto sobre disoluciones como

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sobre metales los efectos son despreciables. Supongamos que tenemos un semiconductor tipo n (dopado
con impurezas donadoras), la conductividad como ya hemos deducido anteriormente ser,

aunque la movilidad no sea una constante la vamos a considerar en un principio como tal, la carga del
electrn es constante as que slo nos queda la densidad de portadores, en este caso electrones en el
semiconductor. Esta densidad es fija para una determinada temperatura si consideramos que sta es la
nica fuente de energa que permite a los portadores saltar a la banda de conduccin. Aqu es donde
aparece la energa de los fotones incidentes, en la fi gura podemos observar un fotn creando un par
+ + + + + + + + +
+ + + + + + + + +

Ec

E>Ec-E =E
v
-

- - - - - - - - - - - - - - - -

+ + + + + + + + +
+ + + - + + + + +

Ec

Ev

- - + - - - - - - - - - - - - -

Ev

Figura 1.5: Incidencia de un fotn y generacin de un par electrn hueco

electrn-hueco, su energa ha de ser igual o superior a la energa de la banda prohibida, el electrn sobre
el que ha incidido el fotn saltar a la banda de conduccin creando un hueco en la banda de valencia,
ambos portadores de carga participarn ahora en la conduccin aumentando la conductividad del material
y por tanto con una misma diferencia de potencial en los extremos del semiconductor la corriente ser
mayor debido a la disminucin de la resistencia. Qu longitudes de onda sern las que incrementen la
fotoconductividad? La respuesta parece evidente, aquellas cuya energa sea mayor que
pero vemos
que no es tan simple.

1.1.3 Tr ansmisin y absorcin.

Cuando un fotn de una energa determinada incide sobre una partcula esta absorbe el fotn como
ya hemos visto, cuando ha absorbido el fotn la partcula est excitada y puede realizar un cambio de
estado, como ascender a un centro (por ejemplo un orbital) de energa superior pero si la energa es
menor que la que necesita para cambiar de estado esta partcula liberara el fotn para volver a quedar
en un estado de energa mnima, en un principio podra emitirlo en cualquier direccin y sentido pero
para ello sera necesaria la participacin de otra partcula llamada fonn que sera la que recibira o
donara la cantidad de momento necesaria para cambiar la direccin del fotn y aunque esto ocurre lo
hace en una proporcin tan pequea que no vamos a considerarla. Si tras la interaccin con la partcula
tenemos un nuevo fotn con la misma energa y el mismo sentido tenemos transmisin. Cuando el fotn
tiene una energa superior a la necesaria para que la partcula con la que interacciona llegue a un nuevo
estado estable no se emite un nuevo fotn, la energa puede quedar atrapada en el material con el que ha
chocado el fotn y este ha sido absorbido. La absorcin slo ocurre cuando hay una interaccin, no todos
los fotones interaccionaran con la misma partcula ni a la misma profundidad del material absorbente,
hay una probabilidad de que el fotn choque y esta se suele representar como un camino libre medio. Si
el espesor del material es del orden del camino libre medio un 63% de los fotones se absorbern pero el

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resto atravesarn el material, este es un concepto que ser necesario asimilar para comprender la forma
de fabricacin de los dispositivos y tambin sus limitaciones.
1.1.3.1 Qu zona del espectro se detecta?
Con los datos que tenemos hasta ahora podramos entender porque no se detecta la zona del espectro
electromagntico con longitudes de onda superiores a la que proporciona una energa necesaria, pero
quiz resulte ms complicado entender porqu no se detectan todas las longitudes de onda inferiores
menores que sta. Aqu es donde aparece el problema de la absorcin, para longitudes de onda con una
energa muy superior a la anchura de banda prohibida la absorcin es muy fuerte de modo que en unas
pocas capas atmicas todos los fotones han cedido su energa a los electrones, estos electrones al estar
tan cerca de la super fi cie tienen un tiempo de vida muy corto ya que en la zona cercana a la superfi cie
hay una gran densidad de centros de recombinacin que no van a permitir que los electrones recorran un
camino apreciable de forma que no participan en el incremento de conductividad.

1.1.4 Diferencias entre fotor receptores

Los fotorreceptores pueden ser usados en situaciones muy distintas, por ejemplo, la clula de deteccin
de un ascensor o el sistema de recepcin de un sistema de fibra ptica, se citan estos dos porque en ellos
hay una diferencia fundamental y es el tiempo de respuesta. Mientras que en la clula del ascensor el
tiempo de respuesta puede ser del orden de dcimas de segundo sin que se degraden las caractersticas
del sistema en la bra ptica se pueden recibir seales a una frecuencia que puede llegar al gigaherzio, es
decir, los tiempos de respuesta han de ser menores de 1ns. No parece que los fotodetectores de respuesta
lenta tengan ninguna ventaja pero esto no es cierto, vamos a explorar el comportamiento interno del
fotodetector para analizar el tiempo de respuesta. Cuando el sistema se encuentra en equilibrio trmico
sin ningn tipo de excitacin adicional el nmero de portadores ha de permanecer constante, aunque
ello no signi que que deje de haber generacin trmica de pares electrn-hueco ni recombinacin de los
mismos, pero ambas magnitudes han de ser iguales. La probabilidad de que un electrn se encuentre con
un hueco y que por tanto se recombine ser proporcional a la densidad de huecos existentes, por tanto el
nmero total de recombinaciones ser proporcional a la probabilidad de que un electrn se recombine (ya
que el nmero de huecos no disminuye en equilibrio trmico) multiplicado por la densidad de electrones.

donde B es la constante de probabilidad y y

son las densidades de portadores en equilibrio, como
hemos dicho esta tambin ser la generacin de pares electrn-hueco de forma que la variacin de la
densidad de portadores o lo que es lo mismo, del incremento de portadores sea nula.

Cuando aplicamos una radiacin electromagntica sobre el semiconductor la generacin de portadores

de forma trmica no cambia (la temperatura es la misma) sin embargo la recombinacin si ya que el
nmero de portadores es mayor, la frmula anterior nos queda entonces

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siendo
la densidad de pares electrn-hueco generados de forma ptica, el segundo trmino la generacin trmica y el tercero la recombinacin trmica, n es el nmero de pares electrn-hueco generados
en exceso sobre los de equilibrio trmico, simpli cando bajo la suposicin de que estamos en un semiconductor dopado con impurezas aceptoras (p) y con un bajo nivel de inyeccin llegamos a la siguiente
ecuacin,

donde el trmino
es el inverso del tiempo de vida de un portador ( ) si resolvemos para regimen
permanente, en el que la variacin del nmero de portadores es nulo obtenemos que,

de aqu podemos deducir que para tiempos de vida largos (tiempos de respuesta largos) la ventaja que
obtenemos es que para la misma densidad de radicin ptica, es decir, para el mismo nmero de fotones
y por tanto la misma densidad de generacin de portadores el incremento de portadores es mayor y est
es la gran ventaja, obtemos ms seal para la misma excitacin, lo que nos simpli car la circuitera aadiendo de forma gratuita un ltro paso bajo. Si resolvemos ahora la ecuacin para el rgimen transitorio
obtenemos que
aqu vemos la otra cara de la moneda, la velocidad, si es pequeo aunque tendremos menos respuesta
para la misma excitacin la respuesta ser mucho ms rpida.