Esfuerzo de corte crtico resuelto o

esfuerzo cizallante resuelto crtico,

rC.
En el contexto de la microplasticidad, el
esfuerzo de corte crtico resuelto, rC, es
el esfuerzo de corte necesario para
deslizar las dislocaciones en un cristal.
Esta es una propiedad del cristal.
El esfuerzo debe entonces ser calculado
segn un sistema de deslizamiento, esto
es, segn un plano de deslizamiento y
segn una direccin de deslizamiento.
Este valor se llama crtico, rC, cuando
es suficientemente elevado como para
permitir el deslizamiento de las
dislocaciones.
(Cuando
a
nivel
microscpico se alcanza el valor rC, a
nivel macroscpico se alcanza el lmite
elstico).
El rC frecuentemente se mide a travs
de un ensayo de traccin en un
monocristal, adems, como dato, se
debe conocer la orientacin de dicho
monocristal respecto del eje de traccin.
Esta orientacin se obtiene a travs de
experiencias de difraccin de rayos X;
normalmente se emplea una tcnica que
se llama la tcnica del monocristal o de
Laue.
Para llegar a calcular estos esfuerzos, se
emplea como ejes de referencia los ejes
de la celda del monocristal respectivo.
Tales ejes, por definicin, son paralelos
a las aristas de la respectiva celda. En
trminos de tales ejes se identifican los
planos y las direcciones cristalinas.
Tambin la orientacin del eje de
traccin se da en relacin con los ejes
de referencia del cristal.
Lo que nos interesa es conocer el
esfuerzo de corte crtico resuelto que
produce deslizamiento de dislocaciones
y, por ende, la fluencia del material.
Cuando, en una estructura homognea,

las dislocaciones comienzan a deslizar a

nivel microscpico, entonces, a nivel
macroscpico se tiene la condicin de
fluencia.
El esfuerzo de corte crtico resuelto
es una propiedad del material.

rC

Lo que se mide usualmente en un

ensayo de traccin, ya sea de un
monocristal o de un policristal es el
esfuerzo de traccin al cual se inicia la
fluencia. A tal esfuerzo le llamamos
lmite elstico en traccin, ,C.
Supongamos entonces que tenemos un
monocristal de orientacin conocida,
para el cual se ha determinado
experimentalmente el valor del ,C, y
que conocemos la orientacin del
sistema que deslizar. Lo que queremos
calcular es el rC del material, constante
que determinaremos a partir de los datos
,C y
orientacin del monocristal.
Ntese que ,C NO es una propiedad del
material; en efecto, si variamos la
orientacin de un monocristal, su ,C
cambia.
Lo que debemos hacer entonces es
deducir la Ley de Schmid, ver pginas
137-140 del texto de Schmid (3
edicin). La nomenclatura est definida
en la Figura 5.36 de dicho texto. De esta
manera, la relacin entre el esfuerzo de
traccin y el esfuerzo de corte resueltos
segn el sistema de deslizamiento
pertinente, queda dado por:
r = , cos= cos>
donde rC es el ngulo entre el eje de
traccin y la normal al plano de
deslizamiento, en tanto que = ese el
ngulo entre el eje de traccin y la
direccin de deslizamiento. Ntese que
slo en casos particulares se cumple = +
> = 90.

Al producto (cos= cos>) usualmente se

le denomina factor de Schmid, S. De
esta manera se tiene: r = S ,.
Ntese que el valor mximo de S es .

corresponde a un monocristal recocido,

condicin que debe hacerse explcita.

Cuando el esfuerzo de traccin,

corresponde al lmite de fluencia en
traccin, el esfuerzo de corte resuelto
alcanzar el valor crtico buscado, rC.

Cuando se tiene un policristal con

muchos granos (de grano fino), con
granos de forma equiaxial y de
orientacin al azar, el material es
istropo por compensacin. Esto es sus
propiedades no dependen de la
orientacin del material porque las
contribuciones de los granos se
compensan en promedio, aunque cada
grano sea anistropo. Una estructura
con las caractersticas anteriores,
frecuentemente
se
obtiene
por
recristalizacin.

Supongamos que en el caso anterior

corresponde a un monocristal de CCC,
material que tiene 12 sistemas de
deslizamiento. De los 12 sistemas, cul
ser el que deslice primero?. Repuesta,
es aquel que, para un , suficientemente
elevado, ser el primero en cumplir la
condicin r = rC ; esto es, ser aquel
sistema que, entre los doce, presente el
mayor factor de Schmid, S.
Al someter un monocristal a
deformaciones plsticas importantes, el
monocristal rota respecto del eje de
traccin. De hecho en cualquier proceso
de deformacin plstica un monocristal
o un grano cualquiera de un policristal
rotan respecto del eje de deformacin.
Algunas consecuencias de esto son:
Los sistemas de deslizamiento
podran cambiar durante la
deformacin plstica, al cambiar
la orientacin de los granos y por
lo tantos los valores S de los
sistemas
de
deslizamiento
posibles.
Si los granos de un policristal
estn orientados inicialmente al
azar, con la deformacin plstica,
los
granos
adquieren
una
orientacin privilegiada, ya no al
azar.
Adems, el material debe endurecer por
deformacin plstica, debido a la
multiplicacin de dislocaciones. En
consecuencia, rC debe crecer con la
deformacin plstica. Frecuentemente,
el rC que se informa de un material

Isotropa por compensacin y textura

Por otra parte, se dice que un policristal

(con muchos granos) tiene textura,
cuando hay una cierta direccionalidad
en la estructura del material, lo que
conlleva que el material sea anistropo
Al deformar plsticamente en fro
(supongamos por laminacin) un
policristal que inicialmente cumpla las
tres condiciones anteriores, habr
desarrollo de textura por dos razones:
1.
Los granos se alargarn en la
direccin de laminacin. As los
granos ya no sern de forma
equiaxial; al microscopio se vern
con una estructura (forma de
granos) a veces llamada de fibra.
2.
Con la deformacin plstica, los
granos rotarn y ya no estarn
orientados al azar. Esto slo puede
ser slo analizado por tcnicas de
difraccin, no por microscopa.

Lmite elstico en traccin de un

policristal versus aquel del respectivo
monocristal.
En tecnologa lo que interesa
usualmente es el LE (lmite elstico,
medido en traccin) del policristal. Pero
desde el punto de vista fundamental, el
policristal est formado por granos
dentro de los cuales deslizan las
dislocaciones,
dislocaciones
que
deslizan por esfuerzos de corte.
Entonces el LE del policristal est
ligado al rC de su monocristal; de hecho
la relacin es lineal. Cabe sealar una
vez ms que el LE de un monocristal no
tiene sentido fsico si es que no se
informa la orientacin del monocristal.
Se ha verificado la siguiente relacin:
LE del policristal= (S promedio del
policristal)* rC. El S promedio es el
valor medio de los factores de Smith de
los sistemas activados en cada grano.
Para cada grano se consideran los dos o
tres sistemas con el mayor factor de
Smith. Se hace la sumatoria sobre todos
los granos. Se supone granos
equiaxiales, orientados al azar y
numeros.
Para cristales de Fe alfa, que tienen
muchsimos sistemas de deslizamiento,
el factor S promedio es prximo al valor
mximo, esto es 0,5. Para cristales CCC
el S promedio vale 1/3.
Endurecimiento por solucin slida.
El endurecimiento por deformacin
plstica es un mecanismo de
endurecimiento de metales y sus
aleaciones. Otra forma, entre otras, de
endurecer una matriz metlica es por
solucin slida, ya sea de tipo
sustitucional o intersticial. Los tomos
extraos
disueltos
dificultan
el
movimiento de las dislocaciones en la
matriz, esto es, aumentan el rC y, por
ende, el LE del policristal de inters
industrial.

As, el latn 70-30, una aleacin

formada por un 30%p. de Zn disuelto
sustitucionalmente en Cu, es ms duro
que el Cu, aunque an con bastante
ductilidad. El latn 70-30 tiene una
estructura CCC, igual que el Cu puro.
Por su aplicacin, ese material debe ser
equiaxial y de tamao de grano fino.
Por lo tanto, es un material de estructura
recristalizada, donde el recocido
aplicado a un material previamente
deformado en fro en una magnitud
suficiente,
debe
permitir
la
recristalizacin pero no el ulterior
crecimiento de tamao de grano.
Durante el proceso de fabricacin de
una vainilla de municin, basado en
deformacin plstica en fro, es
necesario
realizar
recocidos
intermedios,
entre
pasos
de
deformacin,
para
recuperar
la
ductilidad del material, cuidando de
mantener un tamao de grano fino y
equiaxial.