UNIVERSIDAD BICENTENARIA DE ARAGUA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTICA

SAN JOAQUIN TURMERO

MARACAY, MAYO DE 2016

Estructura atmica de los materiales

Cada tomo est conformado por orbitas llamadas capas de valencias, estas
lneas tienen formas de valos donde se encuentran girando los electrones.
El ncleo se encuentra en medio de las orbitas y es donde estn concentrados los
protones. Como las cargas de signos opuestos se atraen, los protones tienen
como propsito evitar que los electrones se salgan de orbita. Este equilibrio se da
gracias a que en los tomos debe existir la misma cantidad de protones y
electrones.

Semiconductores

Cuando varios tomos de silicio se aproximan entre si, esta estructura se llama
Cristal de Silicio, en donde las capas de valencia se juntan y cada tomo comparte
un electrn con el tomo vecino y a estos se les denomina enlace covalente.

Cuando se unen mas tomos a esta estructura se le denomina cristal puro, ya que
no tiene tomos libres ni huecos en los enlaces, este cristal es un aislante perfecto

Cuando a un tomo se le aplica energa trmica, este libera un electrn el cual

deja un vaco en la capa de valencia; a este vaco se le llama hueco, este se
comporta como una carga positiva.
Si al cristal que se expuso a energa trmica se le expone a una corriente, este
hueco atraer un electrn libre para ser apareado con el que est prximo a l.
Al estar completo el cristal sin ningn hueco ni electrn libre se le llama
SEMICONDUCTOR INTRINSECO, ya que este no da lugar a los mismos; por lo
cual este se dice que es un aislante perfecto.

A diferencia de un SEMICONDUCTOR EXTRINSECO el cual incrementa la

conductividad en el semiconductor; lo que significa que tiene electrones libres.
Para que esta conductividad sea posible el cristal debe ser dopado, para lograr
esto se deben introducir algunas impurezas; estos son tomos de otro material
pentavalente.

Un semiconductor dbilmente dopado presenta una resistencia alta, as que un

conductor fuertemente dopado presenta una resistencia baja. Como estas
impurezas estn donando un electrn adicional a la estructura. A este
semiconductor compuesto por un cristal extrnseco, lleva el nombre de
semiconductor tipo n de NEGATIVO es decir que cada uno de sus tomos aporta
una carga negativa.

Cuando se introducen impurezas trivalentes estas aportan un hueco al cristal se le

denominan impurezas aceptadoras ya que estn pueden aceptar electrones libres.
A esta estructura se le denomina semiconductor tipo p de positivo ya que estas,
por cada tomo trivalente que se coloca este aporta un hueco el cual sabemos son
iones positivos

UNION P-N
Esto se da a partir de la unin de la mitad de un material tipo P y la mitad de uno
tipo N un justo donde se juntan estos cristales se denomina lnea de unin.

Esto nos dice que los electrones libres del lado del material n se mueven en todas
las direcciones y algunos de estos traspasan la lnea de unin estos se convierten
en portadores minoritarios ya que el lado del material tipo p tiene muchos huecos y
los mismos atraen a los electrones libres y pasan de ser libres a electrones de
valencias

Zona de agotamiento
Aqu cuando un tomo pentavalente del material tipo n pierde un electrn y el
mismo atraviesa la lnea de deplexion, este queda cargado positivamente ya que
la cantidad de protones en el ncleo del tomo no cambia debido a que tiene una
mayor cantidad de protones que de electrones. Esto quiere decir que al este
electrn libre pasar al tomo trivalente del lado se combina con el hueco y deja de
ser un electrn libre y as el tomo queda cargado negativamente ya que hay mas
electrones en su capa de valencia que protones en el ncleo

Estas diferencias de carga forman una diferencia de potencial que se le llama

potencial de barrera ya que la que separa los materiales es una barrera que
impide el paso de los electrones del lado n al lado p y se expresa en volts.

El voltaje que hay en dicho potencia depende de 3 cosas:

1. Cantidad de dopado de ambos materiales
2. Temperatura a la que este expuesto el materia
3. Tipo de materia

DIODO
POLARIZACION EN DIRECTA
Un diodo es la unin p-n polarizado en directa. Esto significa que el lado del
material tipo n que est cargado mayoritariamente de electrones libres, se coloca
una placa negativa y del lado tipo p que tiene mayor parte de huecos, se coloca
una placa positiva. Para que las placas mantengan la polaridad se coloca una
fuente de tensin de continua y se conecta positivo con positivo y negativo con
negativo, como se va generar un flujo de electrones tambin se aade una
resistencia limitadora

Podemos decir que un diodo polarizado en directa produce una corriente elctrica
siempre y cuando el potencial sea mayor a 0.7V si el material es silicio y 0.3V si es
germanio
Mientras el voltaje no supere la barrera de potencial, no hay conduccin, por lo
cual no hay corriente. Una vez que el voltaje supera la barrera de potencial la
unin p-n conduce y por lo tanto hay una corriente que crece abruptamente cuyo
valor est delimitado por la resistencia.

POLARIZADO EN INVERSA
Esto quiere decir que la placa positiva se encuentra conectada a la regin n y la
placa negativa a la regin p. Se hace pasar una corriente por el diodo los
electrones pasaran entre los huecos del materia p pero luego se encontraran con
la barrera de deplexion as los electrones que ocuparon los huecos se convierten
en electrones de valencia cargando negativamente el tomo
Si la fuente sigue aumentando su diferencia de potencial los electrones podrn
atravesar el la zona de deplexion pero cuando llegan al otro lado y se encuentren
con los dems tomos su energa cintica es tanta que podrn romper los enlaces
de los electrones y estos sern atrados por la placa positiva de la fuente
causando con esto una corriente en inversa.