Taller No.

2 Implementacin de Diodos
Luis Eduardo Perdomo Orjuela
Cd. 20062007052
Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Electrnica de Potencia
1. Encontrar para las siguientes caractersticas, a). Voltaje en cada diodo,
b). Encuentra las resistencias de reparticin de voltaje R 1 y R2 si los
voltajes de los diodos son igual a V D2=VD2=Vo. (VD=200V, Is1=15mA,
Is2=5mA, RR=120K, VD1=VD2=VD/2)

Fig. 1. Ref. 1
a). Is=Is1+Ir1=Is2+Ir2;
R1=R2
Is1 + (VD1/R1) = Is2+ (VD2/R2)

VD1+VD2=VD;
Is1 + ((VD-

VD2)/R) =Is2+ (VD2/R)

VD2= R/2[Is1-Is2+ (VD/R)] =700V
VD1=VD-VD2=-500V
b).VD1+VD2=VD

VD1=VD/2=200V/2=100V

Is1+ (VD1/R1) =Is2+ (VD2/R2) =Is2+ (VD1/R2)

R2= [VD1/ (Is1-Is2+ (VD1/R1))] =9090.9;

R1=100K.

2. Que es la corriente de recuperacin inversa (IRR)

El tiempo tRR es, el tiempo implementado en el diodo para que los

portadores mayoritarios y minoritarios regresen a recombinarse con
cargas opuestas y neutralicen la juntura. Este tiempo se forma a partir
del cruce por cero de la corriente inversa de recuperacin, hasta un 20%
de esta. Este cruce por cero puede estar determinado por la respuesta
natural del circuito o la aplicacin de un voltaje inverso.
Este tiempo se compone de dos partes, ta es la parte en que I RR alcanza
su mximo partiendo del cruce por cero y tb que es tiempo dado del el
mximo IRR hasta un 20%de esta. tRR = ta + tb
3. Diferencia entre diodo general y diodo Schottky
1.2.3. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda Edicin,
Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
4.
Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.

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Diodo General

Este diodo posee un tiempo

de recuperacin rpido de 5
us.

Aunque posee un tiempo

rpido de recuperacin alto,
sus aplicaciones son en baja
frecuencia. (hasta 1KHz)

Sus principales aplicaciones

son en rectificadores y
convertidores.
Estas
aplicaciones deben estar
sujetas a (50V-5Kv) y varios
miles de amperios.

Diodo Schottky

En este diodo se soluciona la

parte de almacenamiento de
carga en la juntura, dado
que simula la unin PN.

La simulacin PN es dada de
la siguiente forma: sobre la
capa de silicio es adicionado
un metal, el cual permite
disminuir
los
portadores
minoritarios.

Dado que la corriente de

fuga es alta en relacin al
voltaje
en
fuentes
de
alimentacin
de
alta
corriente.

4. cul es el problema de los diodos conectados en serie y su solucin

Fig.2 ref. 2
Se plantea un circuito con diodos polarizados de forma inversa, la curva
caracterstica de cada diodo difiere una de la otra, aunque son provistos
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Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
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Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.

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Electrnica de Potencia
por el mismo fabricante. Por estar en un circuito en serie, la corriente
que circula por ambos, debe ser la misma. Al ser una sola corriente sus
voltajes de bloqueo sern diferentes.

Fig. 3 ref.3
Con este arreglo, se est forzando a que cada diodo tenga una corriente
distinta, pero voltajes iguales. Por las resistencias, circulara la corriente
residual de saturacin de los diodos.
La grafica de la Fig.3 presenta, la asignacin de voltajes para corrientes
de bloqueo. Esta condicin permite, estar seguro que el potencial
entregado, ser reflejado en una medicin.
5. Si dos diodos estn conectados en serie y tienen el mismo voltaje,
porque hay diferencia en corriente de fuga
Al remitirnos a la Fig. 3 logramos ver, cuando se igualan los voltajes en
los diodos, la corriente de fuga es diferente para cada uno. Esto se debe
a que la curva caracterstica vara dado que cada diodo responde de
distinta forma en la juntura aunque este fabricados en serie. Se puede
catalogar como un defecto de fbrica o margen de error.

6. Que es un diodo en marcha libre

1.2.3. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda Edicin,

Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
4.
Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.

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Fig.4 ref.4
El diodo de marcha libre se ve representado por Dm, el cual opera como
descargador de la carga. Si tomamos inicialmente el circuito cerrado, el
diodo D1 conduce a diferencia de Dm, dado que Dm queda polarizado
inversamente. Si el circuito dura un tiempo prudente, lograra llegar a
una estabilizacin, es decir, el efecto del transitorio sobre esta habr
pasado. La corriente que circula por este ser Vf/R.
Al abrir el circuito, la energa potencial almacenada en el inductor, se
transforma en energa cintica, dado que el circuito opera como
descargador y es cerrado a travs de Dm.
7. Los valores medidos de un diodo a t= 15C: VD1=V D2=1200V; ID1=100A;
ID2=50A. Determine a). el coeficiente de emisin n, b). la constante de
fuga Is.
a). VD2-VD1=nVTLn(ID2/ID1)

n=(VD2-VD1)/(VTLn(ID2/ID1)) 0

b). VD1=nVTLn(ID1/ID2)
0

VD1/(nVT)=Ln(ID1/Is) Is=ID1/(exp(VD1/(nVT)))

Estos resultados, muestran que un diodo no puede tener sino una sola
corriente asignada para un voltaje determinado.
8. Dos diodos conectados en paralelo siendo la cada de voltaje directa a
travs de cada uno de ellos de 1.5V. las caractersticas de v-i de los
diodos aparecen en la figura P2-3. Determine las corrientes directas a
travs de cada diodo.

1.2.3. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda Edicin,

Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
4.
Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.

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Is1= 50A
Is2=100A
9. Dos diodos estn conectados en serie, como aparece en la figura 2.9a. la
resistencia a travs de los diodos es R1=R2=10K. el voltaje de entrada
de corriente directa es 5KV. Las corrientes de fuga son Is1=25mA,
Is2=40mA. Determine el voltaje a travs de los diodos.
Is=Is1+ (VD1/R1) =Is2+ (VD2/R2);

VD1+VD2=VD

Is1 + (VD-VD2)/R1= (VD2/R2) +Is2

Is1-Is2+VD/R1=VD2 (2/R)
VD2=(R/2) [IS1-IS2+VD/R] =2425V
VD1=2575V
10.Se tienen las siguientes caractersticas (Vf=100V, R= 5K, L= 2mh, t RR= 5
us)
di/dt= Vs/Ls;

IRR=tRR(dv/dt)=tRR(Vs/Ls)=0.25A

WR=Ls/2[(Io+IRR)2 Io2]= Ls/2[(Io+tRRVs/Ls)2 Io2]

1.2.3. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda Edicin,

Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
4.
Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.

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Cd. 20062007052
Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Electrnica de Potencia
Bibliografa
1. Muhammad H. Rashid, Electrnica de Potencia, Prentice Hall
Hispanoamrica S.A, Segunda Edicin, 1995, ISBN 968-880-586-6.
2. Daniel W. Hart, Electrnica de Potencia, Prentice Hall, Segunda
Edicin, 2001, ISBN 84-205-3179-0.

1.2.3. Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda Edicin,

Pg. 30, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.
4.
Muhammad H. Rashid, Electrnica de potencia, Segunda
Edicin, Pg. 28, Prentice Hall Hispanoamrica, ISBN 968-880-586-6.