REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

UNIVERSIDAD PRIVADA RAFAEL BELLOSO CHACN

FACULTAD DE INGENIERA
ESCUELA DE ELECTRNICA
CTEDRA: ELECTRNICA INDUSTRIAL
SECCIN: O-913

DISEO DE UN CIRCUITO DE DISPARO POR UJT

PRESENTADO POR:

Br. CORTEZ, Jairo C.I: 25.190.219

Br. LINARES, Rogelio C.I: 22.168.151
Br. MARTINEZ, Grecia C.I: 24.404.214

Maracaibo, mayo de 2016

INTRODUCCIN
Un tiristor es un dispositivo semiconductor de potencia. Estos, operan como
conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado
conductor. El transistor monojuntura (UJT) es un tipo de tiristor que contiene dos
zonas semiconductoras. Posee tres terminales denominados emisor (E), base 1
(B1) y base dos (B2). Est formado por una barra semiconductora tipo N, entre los
terminales B1-B2, en la que se difunde una regin tipo P+, el emisor, en algn
punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del parmetro , conocido
como factor intrnseco.

El UJT es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Sus

caractersticas lo hacen muy til en muchos circuitos industriales, incluyendo
temporizadores, osciladores, generadores de onda, y en circuitos de control de
puerta para SCR y TRIACs.

El SCR es un dispositivo electrnico que tiene la caracterstica de conducir

la corriente elctrica en un solo sentido tal como lo hace un diodo, pero para que
comience a conducir, ste necesita ser activado. Cuando no conduce, se le puede
considerar como un interruptor abierto y mientras conduce como uno cerrado.
Estos cuentan con 3 pines a los cuales se les llama nodo, ctodo y puerta o
compuerta, cuando el tiristor SCR entra en conduccin o se activa la corriente en
el ir del nodo hacia el ctodo tal como ocurre en los diodos. El tiristor conduce y
se mantiene conduciendo, no necesitando de ninguna seal adicional para

mantener la conduccin, y, no es posible desactivarlo con la compuerta. Y, la

duracin del pulso aplicado a la compuerta G debe ser lo suficientemente largo
para asegurar que la corriente de nodo se eleve hasta el valor de retencin. Otro
aspecto importante a tomar en cuenta es la amplitud del pulso, que influye en la
duracin de ste.
En el presente trabajo se presenta el diseo y el montaje, de un circuito de
disparo con UJT y SCR. Con un ngulo de disparo de 30, se presentan los
clculos tericos, y las simulaciones realizadas, en conjunto a los resultados
obtenidos del montaje prctico realizado en el laboratorio para comprobar los
tericos.

MARCO TERICO
UJT
El nombre UJT proviene de las siglas inglesas de Unijunction Transistor
(transistor uniunn), con las que se designa un elemento compuesto de una barra
de silicio tipo N de cuyos extremos se obtienen los terminales base 2 (B2 ) Y base
1 (BI). Esta barra de silicio consta de un grado de dopado caracterstico que le
proporciona una resistencia llamada resistencia interbases (RBB). En un punto
determinado de la barra, ms prximo a B2 que a B1 se incrusta un material. tipo
P para formar una unin P-N respecto a la barra original, dando lugar al terminal
d emisor (E). Considerando el lugar de insercin del material tipo P, se obtiene un
divisor de tensin sobre la resistencia RBB original: el formado por las partes
correspondientes de la barra N comprendidas entre B2 y E Y entre E y B1, A estas
resistencias as obtenidas se las denomina RB1 Y RB2, respectivamente.

La Figura muestra la estructura interna de un UJT adems su circuito

equivalente:

Figura 1. Estructura interna de un UJT y su circuito equivalente

En trminos simples, el UJT opera de la siguiente forma:

1. Cuando el voltaje entre el emisor y la base 1, VEB1, es menor que un cierto
valor denominado voltaje pico, Vp, el UJT est apagado, y no puede fluir corriente
de E a B1 (IE = 0).
2. Cuando VEB1 excede a Vp, en una pequea cantidad, el UJT se dispara o se
enciende. Cuando esto sucede, el circuito de E a B1 se convierte en
prcticamente un circuito cerrado y la corriente empieza a surgir de una terminal
hacia la otra. En virtualmente todos los circuitos UJT, la rfaga de corriente de E a
B1 es fugaz y el UJT rpidamente se revierte de regreso a la condicin de
apagado.

De la expresin anterior se deduce que la tensin de cebado del UJT depende

de la tensin de alimentacin (VBB), con lo que variando sta conseguiremos
igualmente variar la tensin de pico. En la grafica se puede ver el punto de pico
del UJT para una tensin VBB dada, indicndose con lnea de trazos el cebado del
elemento. A esta zona se la conoce con el nombre de zona de resistencia
negativa.

Figura2. Grfica: punto pico del UJT

SCR
El tiristor (SCR) es un dispositivo semiconductor biestable de cuatro capas,
PNPN , con tres terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G). Puede conmutar
de bloqueo a conduccin, o viceversa, en un solo cuadrante.

Figura3. Capas, terminales y smbolo del SRC

El flujo de corriente promedio a una carga se puede controlar al colocar un
SCR en serie con la carga. Si el voltaje de alimentacin es C.A, el SCR invierte
una cierta parte del tiempo del ciclo caen el estado encendido y el resto del tiempo
en el estado apagado. Para una alimentacin de 60 Hz/C.A, el tiempo del ciclo es
de 16.67 ms, el cual se divide entre el tiempo transcurrido en encendido y el
tiempo transcurrido en apagado.

La compuerta controla la cantidad de tiempo transcurrido en cada estado.

Un SCR es disparado por una pequea rfaga de corriente que se aplica en la
compuerta. Esta corriente de compuerta (iG) fluye a travs de la unin entre la
compuerta y el ctodo, y sale del SCR en la terminal del ctodo. La cantidad de
corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza
como IGT. Dado que existe una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo,
el voltaje entre esas terminales (VGK) debe ser ligeramente Mayor a 0.6 V.

La curva caracterstica del SCR es la representada en la figura donde:

Figura4. Curva caracterstica del SCR

VAK < 0 Zona de bloqueo inverso: SCR bloqueado (circuito abierto). Solo lo
recorre una dbil corriente de fuga inversa. Hay que intentar no sobrepasar la
tensin inversa mxima.
VAK > 0; sin excitar puerta Zona de bloqueo directo: SCR bloqueado (circ.
abierto). Solo lo recorre una dbil corriente de fuga directa. Hay que intentar no
sobrepasar la tensin directa mxima.
VAK > 0; excitada en puerta, Zona de conduccin: SCR conduce
(cortocircuito). entre G y K circula un impulso positivo de corriente. Duracin del
impulso de cebado: lo suficiente para que IA = IL (de enganche). Mientras el SCR
conduce, este se comporta como un diodo.

El SCR se bloquea cuando la corriente directa (IT) < corriente de mantenimiento

(IH), en cuyo caso la puerta pierde todo poder sobre el SCR.

Con los conocimientos tericos de estos dos componentes se monto un

circuito de disparo de SCR por UJT, en la figura se muestra el diagrama prctico
usado para el montaje, ntese que la resistencia de 100ohms/100watts es la
carga, en este caso un bombillo de 40watts.

Figura5. Diseo del circuito de disparo

En este circuito, el diodo zener ZD1 recorta la forma de onda V1 al voltaje
zener (generalmente cercano a 20 V para uso con una fuente de alimentacin de
120 V C.A) durante el medio ciclo positivo de la lnea C.A. Durante el medio ciclo
negativo, ZD1 se polariza directamente y mantiene a VS cercano a 0 V.

Una vez que el voltaje cd VS se ha establecido, lo cual ocurre muy pronto

despus de cruzar cero hacia la parte positiva de la lnea de C.A, CE comienza a
cargarse a travs de RE. Cuando CE alcanza el pico de voltaje del UJT, el UJT se
dispara, creando un pulso de voltaje a travs de R1. Esto dispara al SCR,

permitiendo de este modo, el flujo de corriente a travs de la carga para el resto

del medio ciclo positivo. En las figuras a continuacin se pueden ver las formas de
ondas de Voltaje en R1 y Voltaje en la Carga.

Figura6. Grficas de voltaje en R1 y en RL

La energa de la carga est controlada por el potencimetro RE. Cuando RE es
bajo, CE se carga rpidamente, ocasionando un disparo anticipado del UJT y del
SCR. Esto da por resultado una corriente promedio alta a travs de la carga.
Cuando RE es grande, CE se carga de forma ms lenta, ocasionando un disparo
demorado y una menor corriente de carga promedio.

OBJETIVO GENERAL

Disear un circuito de disparo por UJT con un ngulo de disparo de 30.

MATERIALES
-

SCR 2p4m
Transistor uniunin (UJT) 2N4870
Diodo Zener de 24V, 1W.
Resistencia variable de 500k, 3 pines.
Resistencia de 41 , W.
Resistencia de 39, W.
Resistencia de 560, W.
Resistencia de 330, W.
Capacitor de 10nF.
Bombillo de 110V, 40W.

EQUIPOS
- Fuente voltaje regulable AC.
- Milmetro digital (Uni-T 50b).
- Wish Protoboard.
- Osciloscopio

PROCEDIMIENTO

Figura7. Circuito de Disparo

VALORES TERICOS:
Vv=1.5V

Ip=3A

=0.66

Vcc=24V

Rbb=6.4K

Rb1(descarga)=100

Iv=5mA

Se calcula el tiempo de disparo, para un ngulo de 30:

td=

30 x 8.33 mS
180

td=1.38 mS

Se calcula el voltaje Vp:

Vp=0 . 66 x ( 24 V )+ 0 .7 V

Vp=16 . 54 V

Para calcular el tiempo en que el diodo Zener tarda en comenzar a conducir,

se despeja de la frmula de Vz:

Vz=120 2 x sin (120 ) tz

24 V
)
120 2 V
120

sin (

tz=

tz=0 .37 mS

El tiempo del capacitor es obtenido, con el tiempo del Zener y el tiempo de

disparo:
tc=1 . 38 mS0 . 37 mS

tc=1 . 01 mS

Los valores de Re, Re mximo y Re mnimo sern:

( max ) =

( min )=

24 V 16 . 54 v
3 A

( max ) =2. 49 M

24 V 1. 5 V
5 mA

( min )=4 . 5 K

= 4 . 5 K x 2. 49 M

=105. 85 K

El valor del capacitor y la frecuencia:

Ce=

1 . 01 mS
16 . 54 V 24 V
( 105. 85 K ) xLn (
)
1. 5 V 24 V

Ce=8. 64 nF

f=

105 . 85 K x 8 . 64 nFxLn(

T=

1
)
10 . 66

1
1.014 KHz

Circuito equivalente del UJT:

T=1.0mS

f=1.014KHz

Figura8.
equivalente del UJT
R2=R1Circuito
=0
Ie=0A
I ( max )=

R 1=

24 V
6.4 K

0.3 V
3.75 mA

R1=80

R2=80 x 10

Iz=

R2=800

1W
24 V

Vr=120 V 24 V

r=

I ( max )=3 .75 mA

Iz=41.67 mA

Vr=96 V

96 V
41.67 mA

r=2.30 K

96 V
2.30 K

Pr=4 W

Pr=

Vo ( min )=

80 x24 V
(80+ 800 +6.4 K)

Vo ( min )=0.26V

(16.54 V 0.7 V )x 80
80 +100

Vo(max)=7.04 V

Vo ( max )=

VALORES PRCTICOS:
td=1. 4 mS
Vv=2V

=85 .1 K
fos=1 KHz

Vo ( min )=0. 2 V

Vo(max)=12V

Vp=17.5 V
T =1 mS
tc=1 mS

En la presente tabla se encuentra un resumen de las mediciones

realizadas en el laboratorio, junto con los valores obtenidos tericamente y el
porcentaje de error calculado. El porcentaje de error es calculado:
valor terico x 100
valor tericovalor prctico
%Error=

Parmetro
td (mS)
Re (K)
Vp (V)
Vv (V)
fos (KHz)

Valor Terico
1.38mS
105.85K
16.54V
1.5V
1.014KHz

Valor Prctico
1.4mS
85.1K
17.5V
2V
1KHz

% de Error
1.45%
19.6%
5.80%
33.33%
1.4%

T (mS)
Vo (min)(V)
Vo(max) (V)
tc(mS)

SIMULACIONES

1.0mS
1mS
0.26V
0.2V
7.04V
12V
1.01mS
1mS
Tabla #1: Errores porcentuales

0%
23.08%
70.45%
1%

Figura9. Carga y descarga del Capacitor

Figura10. Vo mximo

Figura11. Vo(min) tomando como referencia la lnea azul (Vo(min)=0.2V)

Figura12. Voltaje nodo - ctodo

GRFICAS

Figura13. Carga y descarga del capacitor (t=1mS)

Figura14. Vo mximo (12V)

Figura15. Vo mnimo (0.2V)

Figura16. Voltaje nodo-Ctodo

CONCLUSIONES

Se observo que la diferencia entre lo prctico y lo terico vario

considerablemente los resultados en los errores, debido a que cuando se
realizaron los clculos tericos se tomaron los datos como una media o referencia
de los datos suministrados por el fabricante en el datasheet, ya que se tomo una
media entre los valores mximos y mnimos de los datos del dispositivo, de esta
forma lo terico fue una estimacin de lo que se iba a observar en la practica
Tambin influyo los clculos de las resistencias y el capacitor en lo prctico ya
que se utilizaron valores comerciales que de una forma modificaron el resultado
prctico.

REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS
Maloney, T. (2006). ELECTRNICA INDUSTRIAL MODERNA. 5ta Edicin.
Mxico. Pearson Educacin.
Muhammad, R. (2005). ELECTRNICA DE POTENCIA: Circuitos Dispositivos
y aplicaciones. 3era Edicin. Mxico. Pearson Educacin.
San Miguel, P. (2014). ELECTRNICA. 2da Edicin. Madrid, Espaa. Ediciones
Paraninfo.