INTRODUCCIN

Transistor
Transistor

El tamao de un transistor guarda relacin con la

potencia que es capaz de manejar.
Tipo
Invencin

Semiconductor
John Bardeen, Walter Houser Brattain
y William Bradford Shockley (1947)

Smbolo electrnico

Configuracin Emisor, base y colector

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor utilizado para entregar

una seal de salida en respuesta a una seal de entrada. Cumple funciones de
amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino transistor es la
contraccin

en

ingls

de transfer resistor

(resistor de

transferencia).

Actualmente se encuentra prcticamente en todos los aparatos electrnicos de

uso diario tales como radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes
de

cuarzo,

computadoras,

lmparas

fluorescentes,

tomgrafos,

telfonos

celulares, aunque casi siempre dentro de los llamados circuitos integrados.

Transistor de unin bipolar

Este artculo o seccin necesita referencias que aparezcan en una publicacin
acreditada.

Este

aviso

fue

puesto

el

14

de

febrero

de

2015.

Puedes aadirlas o avisar al autor principal del artculo en su pgina de discusin

pegando:
Transistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar BC548.

Diagrama de Transistor NPN

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de
sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de
entrada bastante baja.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan
generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones
de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su

funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras
que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor
atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de
Tipos de Transistor de Unin Bipolar
NPN
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes
regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da
son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los
"huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades
de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P
(la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente
ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida
del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta
en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo
est en funcionamiento activo.

PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del
transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN
brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N
entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la
fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea
corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule
desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la
direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en
funcionamiento activo.
Regiones operativas del transistor
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones operativas, definidas
principalmente por la forma en que son polarizados:

Regin activa directa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = ( + 1)Ib ; corriente del colector= Ib

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en la regin
de corte entonces est en una regin intermedia, la regin activa. En esta
regin la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente
de base (Ib), de (ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta
regin es la ms importante si lo que se desea es utilizar el transistor como
un amplificador de seal.

Regin inversa:
Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo,
el transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este
modo, las regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que
la mayora de los BJT son diseados para maximizar la ganancia de
corriente en modo activo, el parmetro beta en modo inverso es
drsticamente menor al presente en modo activo.

Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el
voltaje de alimentacin del circuito. (como no hay corriente circulando, no
hay cada de voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta
cuando la corriente de base = 0 (Ib =0)
De forma simplificada, se puede decir que el la unin CE se comporta como
un circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

corriente de colector corriente de emisor = corriente mxima, (Ic Ie = Imx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de
alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el
emisor o en ambos, ver Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de
potencial entre el colector y el emisor desciende por debajo del valor umbral
VCE,sat. Cuando el transistor esta en saturacin, la relacin lineal de
amplificacin Ic=Ib (y por ende, la relacin Ie=(+1)Ib ) no se cumple.
De forma simplificada, se puede decir que la unin CE se comporta como
un cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy prxima a
cero.
Como se puede ver, la regin activa es til para la electrnica analgica
(especialmente til para amplificacin de seal) y las regiones de corte y

saturacin, para la electrnica digital, representando el estado lgico alto y bajo,

respectivamente.
Identifica transistores NPN y PNP
PNP Y NPN
El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus
siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a
travs de sus terminales. Los transistores bipolares se usan generalmente en
electrnica analgica. Tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital
como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado
por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal
funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector, de extensin mucho mayor.

Los transistores de tipo NPN aquellos que tienen ms N en su nombre, esto quiere
decir que utilizan partculas subatmicas de signo Negativo para transportar la
corriente.
Y que los de tipo PNP, es decir, aquellos con ms P en su nombre, por lo que
utilizan partculas subatmicas de signo Positivo para transportar la corriente.
Esta diferencia es importante porque la forma de conectar estos transistores
depende de si son de tipo NPN o PNP, debido a que los signos de voltaje de
entrada difieren dependiendo del tipo de transistor. Otra diferencia es el material
con el que estn elaborados ya que generalmente los PNP se construyen con
Germanio mientras los NPN mas comnmente son construidos con Silicio.

Cuando te encuentras realizando algn circuito que requiera un transistor y no

tengas a la mano su hoja de datos, puedes saber si este es NPN o PNP mediante
un sencillo circuito:

MODELOS DE TRANSISTORES

DIAC
Es un componente electrnico que est preparado para conducir en los dos
sentidos de sus terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se
llegue a su tensin de cebado o de disparo (30v aproximadamente, dependiendo
del modelo).

Smbolo del diac

Estructura interna de un diac

Los encapsulados de estos dispositivos suelen ser iguales a los de los diodos de
unin o de zener.
Es un diodo bidireccional disparable que conduce la corriente, solo tras haberse
superado su tensin de disparo, y mientras la corriente circulante no sea inferior al
valor caracterstico para ese dispositivo.
El comportamiento es fundamentalmente el mismo para ambas direcciones de la
corriente. La mayora de los DIAC tienen una tensin de disparo de alrededor de
30V. En este sentido, su comportamiento es similar a un nen. Los diac son una
clase de tiristor, y se usan normalmente para disparar los TRIAC, otra clase de
tiristor. Es un dispositivo semiconductor de dos terminales, llamados nodo y
ctodo. Acta como un interruptor bidireccional el cual se activa cuando el voltaje

entre sus terminales alcanza el voltaje de ruptura, dicho voltaje puede estar entre
20 y 36 volts segn la referencia.
Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra
en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o
TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante
control de fase.
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control
de potencia, lo que significa que servir para controlar electrnicamente el paso de
corriente elctrica.
Principio de operacin y curva caracterstica

La operacin del DIAC consiste fundamentalmente en llevar la estructura NPN

hasta un voltaje de ruptura equivalente al

del transistor bipolar. Debido a la

simetrade construccin de este dispositivo, la ruptura puede ser en ambas

direcciones y debe procurarse que sea la misma magnitud de voltaje. Una vez que
el dispositivo empieza a conducir corriente sucede un decremento en el voltaje de
ruptura

, presentando una regin de impedancia negativa (si se sigue

aumentando la corriente puede llegar hasta la segunda ruptura), entonces se logra

que el dispositivo maneje corrientes muy grandes.

Figura 1. Curva caracterstica del diac

Como se ilustra en la figura

1, en este dispositivo se tiene siempre una pendiente

negativa, por lo cual no es aplicable el concepto de corriente de sustentacin.

La conduccin ocurre en el DIAC cuando se alcanza el voltaje de ruptura, con
cualquier polaridad, a travs de las dos terminales. La curva de la figura 1 ilustra
esta caracterstica. Una vez que tiene lugar la ruptura, la corriente fluye en una
direccin que depende de la polaridad del voltaje en las terminales. El dispositivo
se apaga cuando la corriente cae abajo del valor de retencin.
Fabricacin

La

fabricacin

de

los

diacs

se

basa

en

unir

materiales

cristalinos

semiconductores positivados

negativa

dos,

como

el

silicio

el

germanio, despus de un tratamiento especfico. Para que los materiales

cristalinos sean semiconductores, se les dopa (introducen su interior) con
partculas negativas o positivas, segn se requiera convertir el cristal
semiconductor en negativo o positivo.
Caractersticas generales y aplicaciones
Se emplea normalmente en circuitos que realizan un control de fase de la corriente
del TRIAC, de forma que solo se aplica tensin a la carga durante una fraccin de
ciclo de la alterna. Estos sistemas se utilizan para el control de iluminacin con
intensidad variable, calefaccin elctrica con regulacin de temperatura y algunos
controles de velocidad de motores.

La forma ms simple de utilizar estos controles es empleando el circuitorepresenta

do en la Figura 2, en que la resistencia variable R carga el condensador C hasta
que se alcanza la tensin de disparo del DIAC, producindose a travs de l la
descarga de C, cuya corriente alcanza la puerta del TRIAC y le pone en
conduccin. Este mecanismo se produce una vez en el semi ciclo positivo y otra
en el negativo. El momento del disparo podr ser ajustado con el valor de R
variando como consecuencia el tiempo de conduccin del TRIAC y, por tanto, el
valor de la tensin media aplicada a la carga, obtenindose un simple pero eficaz
control de potencia.

Figura 2. Disparo de un TRIAC mediante un DIAC

Otras diferentes aplicaciones de este dispositivo semiconductor son:

Controles de relevador.

Circuitos de retardo de tiempo.

Fuentes de alimentacin regulada.

Interruptores estticos.

Controles de motores.

Recortadores.

Inversores.

Ciclo-conversores.

Cargadores de bateras.

Circuitos de proteccin.

Controles de calefaccin.

Controles de fase.

Tipos de DIAC

DIAC de tres capas:

Es similar a un transistor bipolar sin conexin de base y con las regiones de

colector y emisor iguales y muy dopadas. El dispositivo permanece bloqueado
hasta que se alcanza tensin de avalancha en la unin del colector. Esto inyecta
corriente en la base que vuelve el transistor conductor, producindose un efecto
regenerativo. Al ser un dispositivo simtrico, funciona igual en ambas polaridades,
intercambiando el emisor y colector sus funciones.

DIAC de cuatro capas:

Consiste en dos diodos Shockley conectados en anti paralelo, lo que le da la

caracterstica bidireccional. Su aplicacin tiene como dispositivo de disparo
bidireccional para el TRIAC.
TRIAC
El TRIAC es un dispositivo semiconductor de tres terminales que se usa para
controlar el flujo de corriente promedio a una carga, con la particularidad de que
conduce en ambos sentidos y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al
disminuir la corriente por debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser
disparado independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante
una corriente de puerta positiva o negativa.

Caractersticas generales

La corriente puede pasar en ambas direcciones.

Adecuados para convertidores de conmutacin forzada en aplicaciones de

potencia intermedia y alta.

Control del encendido por corriente de puerta (pulso). No es posible

apagarlo desde la puerta.

Pueden apagarse con un pulso de seal negativo.

Cuando el TRIAC conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy

baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la
polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es ms positivo en MT2
(ver Figura 1), la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a
MT2. En ambos casos el TRIAC se comporta como un interruptor cerrado. Cuando
el TRIAC deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales
sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un
interruptor abierto.
Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al
TRIAC (dv/dt) an sin conduccin previa, el TRIAC puede entrar en conduccin
directa.

Figura 3. Smbolo del TRIAC y si circuito equivalente

Dispositivo capaz de soportar las potencias ms elevadas. nico dispositivo

capaz de soportar 4000 Amp y 7000 Volt.

Frecuencia mxima de funcionamiento baja, ya que se sacrifica la velocidad

(vida media de los portadores larga) para conseguir una cada en

conduccin lo menor posible. Su funcionamiento se centra en aplicaciones

a frecuencia de red.

Curva caracterstica

Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1 el TRIAC puede

encenderse aplicando una seal positiva entre la compuerta gate y la terminal
MT1. (Ve+). Si la terminal MT2 es negativa con respecto a MT1 se enciende
aplicando una seal negativa entre gate y MT1.

Figura 4. Curva caracterstica del TRIAC

Figura 5. Unin del TRIAC y circuito equivalente

Mtodos de endecido
Debido a que el TRIAC posee dos nodos denominados (MT1 y MT2) y una
compuerta G, la polaridad de la compuerta y la polaridad del nodo 2, se mide con
respecto al nodo 1. Puede dispararse desde el cuadrante I o III. A los tipos de
disparos se les denominan, I (+), I (-), III (+), III (-).
Disparo cuadrante I (+)
En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 y la de la compuerta son
positivas, con respecto al nodo MT1. Este mtodo es el ms comn. La corriente
de compuerta circula internamente hasta MT1, en parte por la unin P2N2 y en
parte por la zona P2. Se observa como la corriente pasa por la ruta desde MT2 de:
P1N1 y P2N2 para llegar a MT1. (Ver figura 5).

Disparo cuadrante III (-)

En este tipo de disparo es aquel en quela tensin del nodo MT2 y la tensin de la
compuerta son negativos con respecto a MT1.Esto hace que el TRIAC conduzca
desde

MT1

sta

MT2

pasando

por

la

rutaP2N1P1N4.

Disparo cuadrante I (-)

En este tipo de disparo la polaridad del nodo MT2 es positiva con respecto al
nodo MT1, mientras que la compuerta. Tiene una polaridad negativa con
respecto al nodo MT1. El TRIAC conduce del nodo MT2 al MT1 pasando
inicialmente por la ruta P1N1P2N3, y despus por la ruta principal P1N1P2N2

Disparo del cuadrante III (+).

En este modo la tensin del nodo MT2 es negativa con respecto a la del nodo
MT1 y la tensin de disparo de la compuerta es positiva con respecto al nodo
MT1.

Este mtodo conduce por la ruta P2N1P1N4 de MT1 hacia MT2.

Aplicaciones

Su versatilidad lo hace ideal para el control de corrientes alternas.

Una de ellas es su utilizacin como interruptor esttico ofreciendo muchas
ventajas sobre los interruptores mecnicos convencionales y los rels.

Funciona como interruptor electrnico y tambin a pila.

Se utilizan TRIACs de baja potencia en muchas aplicaciones como

atenuadores de luz, controles de velocidad para motores elctricos, y en los

sistemas de control computarizado de muchos elementos caseros. No

obstante, cuando se utiliza con cargas inductivas como motores elctricos,
se deben tomar las precauciones necesarias para asegurarse que el TRIAC
se apaga correctamente al final de cada semiciclo de la onda de corriente
alterna.