Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Son materiales que tienen una resistencia elctrica intermedia entre los conductores y los
aislantes. Por efectos de temperatura en estos materiales hay electrones que se desligan de sus
tomos quedando un electrn y un hueco (tomo sin electrn) que se constituyen en portadores
de carga, el movimiento de estos portadores cuando se aplican voltajes constituye una corriente
elctrica. Es un material conductor intrnseco.
A mayor temperatura existen ms portadores de carga, las corrientes son mayores, por tanto la
resistencia es menor, se usan como elementos para medir temperaturas (termistores).
Los semiconductores ms usados son el Silicio y el Germanio. Cuando al semiconductor intrnseco
se adicionan tomos de otros elementos (impurezas) por cada tomo adicionado se forma un
portador de carga.
Al usar materiales del grupo III de la tabla qumica se forman huecos quedando un semiconductor
con ms huecos (portadores mayoritarios) y se obtiene un semiconductor extrnseco tipo P.
Al usar impurezas del grupo V quedan electrones libres y el material va a tener portadores
mayoritarios electrones y portadores minoritarios huecos formando un material semiconductor
extrnseco tipo N. El dopado es una medida de la cantidad de impurezas por unidad de volumen y
determina fuertemente la conductividad del material. El proceso de dopado se hace en hornos de
vaco a alta temperatura, los semiconductores usados en electrnica son monocristalinos, es decir,
en su estructura no aparecen lmites de grano.
LECCION 2 UNION PN
EL DIODO
Un diodo es la unin de dos zonas de material semiconductor, una de tipo N y la otra de tipo P,
entre las dos se forma una zona llamada de agotamiento (Z.A.) donde es mnima o nula la
presencia de portadores de carga. Tanto en la zona P como en la zona N existen portadores de
carga minoritarios del signo contrario.
A la zona P se le llama nodo (A) y a la zona N se le llama ctodo (K).
POLARIZACIN DE UN DIODO
Un diodo trabaja unido a un circuito elctrico el cual le aplica un voltaje. Se presentan dos
posibilidades:
POLARIZACIN DIRECTA
El voltaje positivo aplicado al nodo empuja los huecos hacia la zona de agotamiento, lo mismo
hace el voltaje negativo sobre los electrones del ctodo. Cuando el voltaje es pequeo y va
aumentando la zona de agotamiento se va estrechando al llegar a un valor llamado voltaje de
umbral la zona de agotamiento desaparece y los huecos y electrones se recombinan y el circuito
externo empieza a aportar huecos a la zona P y electrones a la zona N apareciendo una corriente
elctrica a travs del diodo, se dice que el diodo est en conduccin.
El voltaje umbral es 0.2 voltios para germanio y 0.6 voltios para silicio. La corriente del diodo en
conduccin crece fuertemente con un crecimiento pequeo del voltaje (dcimas de voltio). Se
considera entonces para un diodo de silicio siempre que est en conduccin su voltaje es de 0.7
voltios.
Si los voltajes en el circuito son mucho mayores a 0.7v, el voltaje del diodo se
considera 0 y se asimila a un interruptor cerrado.
POLARIZACIN INVERSA
El voltaje negativo aplicado al nodo atrae los huecos y el voltaje positivo aplicado al ctodo atrae
los electrones por lo que la zona de agotamiento se ensancha, sobre los portadores minoritarios
ocurre el fenmeno contrario, stos hacen recombinacin y forman una corriente muy pequea
(nA a A) que en el caso prctico se considera nula. Se dice entonces que el diodo se comporta
como un interruptor abierto.
El voltaje en el diodo ser el que el circuito aplique y puede llegar a cualquier valor, en la prctica
cientos de voltios para diodos rectificadores.
Cuando el voltaje inverso aplicado llega a
cierto valor la atraccin entre huecos y
electrones crece tanto que rompen la
resistencia de la estructura del
semiconductor y viajan a gran velocidad
recombinndose y formando una
corriente que crece rpidamente, se
llama fenmeno de avalancha y a ese
voltaje se llama Zener o de avalancha. En
diodos rectificadores este voltaje es de
cientos de voltios y si el diodo llega a ese voltaje normalmente se daa por una elevacin muy
rpida de temperatura.
La grfica
muestra la
variacin de la
corriente en
funcin del voltaje
aplicado al diodo
indicando el
comportamiento
tanto en
polarizacin
directa como en
inversa.
PRUEBA DE UN DIODO
Con un multmetro anlogo un diodo se prueba en la escala de resistencia, colocando la punta roja
(+) al nodo y la punta negra (-) al ctodo debe marcar un valor pequeo de resistencia (<200)
y al conectar al contrario debe marcar un valor grande (>1M) en la escala ms alta (R*1k). Con
un multmetro digital en directo debe marcar el voltaje de umbral (0.5 a 0.7v para silicio) y en
inverso debe marcar circuito abierto indicado en la mayora de multmetros con una "1" a la
izquierda del display.
POTENCIA DE UN DIODO
Cuando un diodo conduce igual que una resistencia disipa potencia que se convierte en calor y
eleva la temperatura del diodo, si la temperatura sube por encima de unos 300C la estructura del
semiconductor se agrieta y el diodo se daa ("quema"). La disipacin de potencia: PD = VD*ID se
debe mantener por debajo de un lmite que depende del tamao del diodo y su estado de
disipacin de calor.
En directo entonces se tiene un valor mximo de corriente:
Para diodos rectificadores en inverso el lmite est dado por el voltaje avalancha que se llama
entonces voltaje pico reverso VRP , por ser normalmente mayor a 100v la corriente de avalancha
para llegar al lmite de potencia es tan pequea que se puede decir que instantneamente sube la
temperatura y el diodo se quema.
Para diodos Zener en zona de avalancha se tendr un mximo de corriente:
ELECCIN DE UN DIODO
Los diodos vienen identificados por referencias que cambian de un fabricante a otro, pero una
referencia de un fabricante es equivalente a una referencia en cada uno de los otros fabricantes.
Los fabricantes editan manuales con diferentes niveles de informacin sobre cada una de las
referencias producidas y se tienen se tienen las guas maestras de reemplazo que sirven para
conocer las referencias equivalentes. En Colombia el mercado se gua principalmente por Master
Replacement Guide de ECG Semiconductors.
Para seleccionar un diodo se deben conocer mnimo los siguientes datos:
Corriente que va a conducir (pico o promedio), voltaje inverso a que va a estar sometido,
frecuencia de las seales; con estos valores usando las tablas del manual ECG se podr escoger
una referencia adecuada que soporte las condiciones de trabajo. En altas frecuencias se deben
escoger diodos Fast SW y en casos donde se requiere que un diodo pase muy rpido de corte a
conduccin se deben usar diodos Fast Recovery.
CIRCUITOS RECTIFICADORES
Son circuitos que convierten seales alternas en seales de una sola polaridad (positiva o
negativa)
Segn su configuracin son de media onda o de onda completa y segn la fuente AC usada son
monofsicos o polifsicos.
Para mirar los voltajes y corrientes en el diodo examinamos dos circuitos bsicos a continuacin.
Del manual ECG se puede tomar el diodo ECG 116 que soporta VPR = 600v y IMmax = 1A.
Para obtener una onda rectificada negativa se coloca el diodo en sentido contrario.
Para una fuente de 60Hz en la resistencia la seal de voltaje tiene una frecuencia de 120Hz.
Estos circuitos se aplican en alimentacin de motores DC, pero no dan seales adecuadas para
alimentacin de circuitos electrnicos, se aade un condensador como filtro.
Se toma como un sistema bifsico de voltajes alternos, adicionamos diodos para hacer
rectificacin:
que reciba el voltaje positivo ms alto, cuando otro voltaje se hace mayor cambia el diodo que
conduce, esto se llama conmutacin automtica.
Si se usa la red de 60Hz en la carga la seal es de 180Hz con un valor medio
VLM = 0.827VP
Corriente pico en el diodo:
CONEXIN ANTIPARALELO
Se usa para recortar en dos niveles, uno positivo y el otro negativo.
Sea una fuente senoidal de 10VP, R = 200, RC=1Ky un diodo Zener de 6v, cual ser la
corriente pico en el diodo.
Sea un circuito que consume 10mA a 5v, con una fuente de VF = 8v, cul es el valor de R
adecuado?
Supongamos que disponemos de un diodo de VZ = 5V a 1/2w.
Su corriente mxima es: IDmax = 0.5v/5v = 0.1A, escogemos una corriente menor para
funcionamiento:
IZ = 10mA, entonces R = (8v - 5v)/(10mA + 10mA) = 3v/20mA = 150
Para circuitos que consumen alta corriente se usa regulacin en conjunto de un diodo Zener y un
transistor en ese caso el voltaje en el circuito es VZ - 07v.
REFERENCIA DE VOLTAJE
Los diodos Zener son construidos de manera que VZ es muy exacto y se mantiene constante
para diferentes valores de IZ, esto permite que un Zener se use en electrnica como referencia
de voltaje para diferentes aplicaciones.
__
LECCIN 7 LED
Su nombre viene de Light Emitter Diode (Diodo Emisor de Luz), trabaja como un diodo que
conduce en directo y no conduce en inverso, la diferencia es que en estado de conduccin emite
luz.
El voltaje en conduccin no es 0.7v, es de mayor valor, normalmente se consiguen diodos LED de
1v, 3v y 9v.
Identificacin de terminales y demostracin
Un led se usa siempre con una resistencia en serie, sta determina la cantidad de corriente que
pasa por el led, en la prctica esta corriente se fija en un valor entre 5 y 20mA.
Ejemplo 1: Se va a encender un led con un voltaje de 5v, el led es de 3v, cul es el valor de
resistencia en serie?
Tomemos una corriente de 10mA, entonces:
Ejemplo 2: Un led se puede usar tambin como fuentes alternas, enciende en los semiciclos
positivos y se apaga en los negativos, el resultado es que el led se ve constantemente encendido
pero con baja intensidad.
Sea un led de 9V y se va a usar con energa elctrica AC de 120VRMS.
Calculamos el valor pico de la seal:
Se usa R = 8.2K
DISPLAY DE 7 SEGMENTOS
Es un dispositivo que contiene 8 leds, de forma y posicin especial que sirven para visualizar
nmeros o caracteres, se indican con las letras a a la g y el punto decimal.
Internamente vienen conectados en dos formas nodo comn y ctodo comn.
LECCION 1 CLASES
La palabra Transistor viene de Transfer Resistor o resistencia de transferencia, es un elemento que
se comporta como una resistencia variable que depende de una seal elctrica de control,
entonces al cambiar el valor de la seal de control cambia la cantidad de corriente que pasa por el
transistor.
Hay dos clases principales de transistores: Bipolares (BJT) y de efecto de campo (FET).
En los transistores BJT la seal de control es una corriente y en los FET es un voltaje.
Clases de transistores:
BIPOLAR a. NPN
b. PNP
TRANSISTOR
FET
FET
Corriente
Canal N
MOSFET
Enriquecimiento
(Enhancement)
Canal P
Canal N
Canal P
Empobrecimiento Canal N
(Depletion)
Canal P
FET
VMOS, MOS doble compuerta,
Especiales etc
TRANSISTORES BIPOLARES
Estn constituidos por tres capas de semiconductor que se llaman emisor (E), base (B) y colector
(C), en el transistor NPN la base es semiconductor P, el emisor y el colector de semiconductor N,
en el transistor PNP es lo contrario.
Para que un transistor bipolar funcione se debe "polarizar" que consiste en colocar fuentes de
voltaje y resistencia que coloquen el diodo base emisor en directo (|VBE|=0.7) y que el diodo base
colector est en inverso.
Hay varias formas de polarizar un transistor, los ms usados son fija, divisor de voltaje,
realimentacin por colector, realimentacin por emisor, seguidor emisor, etc., estos circuitos se
indican en la Tabla No. 1.
El comportamiento fundamental del transistor es que genera una corriente en el colector que es
proporcional a la corriente que entra (NPN) o sale (PNP) por la base, la constante de
proporcionalidad se llama la ganancia de corriente y se indica por o hFE.
= IC / IB
Conceptualmente se dice que el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada
por corriente, es decir, una fuente de corriente que no es de valor fijo, vara produciendo ms o
menos corriente en la medida que hay ms o menos corriente en la base.
Como en el transistor no se acumula carga toda la corriente que entra a l debe salir, entonces:
IE = IC + IB = ( +1) IB
Si >> 1 IE IC
IB = (VCC - 0.7)/RB
IE IC = * IB
VCE = VCC - IC*RC
VRC = IC*RC
VE = 0
VB = 0.7v
VC = VCE
Mtodo
exacto
(RE<=10R2)
VTH =
Mtodo aproximado
(R2*VCC)/(R1
(RE >10R2)
+R2)
VB = (R2*VCC)/(R1
RTH= (R1*R2)/
+R2)
(R1 +R2)
VE=VB-0.7
IB = (VTH IE IC = VE/RE
0.7)/(RTH +
IB = IC/
(b+1)RE)
VRC = IC * RC
IE IC = *IB
VCE = VCC - IC (RC+
VE = IE*RE
RE)
VCE = VCC VC = VE + VCE
IC(RC+ RE)
VC = VE + VCE
VB = VB +
0.7v
IB = VCC - 0.7
RB+(+1) RB
IE IC = * IB
VB = VE +0.7v
VE = RE - IE
VC = VCE +VE
VCE = Vcc - IC*(RC +
RE)
IB = (VCC - 0.7)/
(RB+b Rc)
IE IC = * IB
VB = 0.7V
VC = Vcc - IC * Rc
Ejemplo:
Cuales son los voltajes y corrientes en
el siguiente circuito de polarizacin
fija:
RB= 200K RC = 1K
VCE = VC
IE IC = 4.65 mA
Se analiza la malla de salida:
PT = VCE * IC
Esta tiene un valor lmite indicado por
los fabricante para cada referencia en los manuales de especificaciones. Los datos
de potencia lmite dependen que se pueda mantener los transistores a bajas
temperaturas, esto se logra ensamblando disparadores de aletas a los
transistores, los disipadores se especifican por su resistencia trmica
= (T / P) (c/w) que depende de su forma, nmero de aletas, tamao y color.
Los transistores traen encapsulados especiales para unirlos a los disipadores, por
ejemplo los encapsulados T0-22 y T0-3.
__
El amplificador es un circuito que recibe una seal elctrica y entrega una seal de mayor
amplitud, pueden ser amplificadores de voltaje o de corriente. La estructura es la siguiente:
Los circuitos de acoplamiento son:
DIRECTO
POR CONDENSADOR
POR TRANSFORMADOR
Los modelos indicados son para el modelo por re (resistencia dinmica de emisor), existe tambin
el modelo por parmetros hbridos. Al modelo se analiza cuando esta conectado a las resistencias
de polarizacin, los condensadores se consideran corto circuito y las fuentes DC se hacen cero por
aplicacin del principio de superposicin.
El modelo de resistencia dinmica de emisor nos planteo que el diodo BE se comporta una
resistencia re, que no es de valor fijo sino depende de la corriente que est pasando por del diodo,
en general se aproxima re por la siguiente relacin: re = 26mv / IE
IE es la corriente de emisor calculada en la polarizacin DC del transistor.
CARACTERSTICAS DE UN AMPLIFICADOR
Todos los amplificadores electrnicos tienen cuatro caractersticas principales; que relacionan las
variables presentes en los terminales del amplificador:
Las frmulas para calcular las caractersticas de los transistores como amplificadores para cada
tipo de polarizacin se indican en la Tabla No. 2. La polarizacin ms comnmente usada es la de
divisor de voltaje, la mayora son usadas para amplificar voltaje excepto el seguidor emisor que no
amplifica voltaje sino corriente (Av 1), sta es usada en lo que se llama etapas de salida donde
se deben entregar altas corrientes a una carga sin que las amplitudes de voltaje se reduzcan
apreciablemente por el consumidor, por ejemplo en sonido entregar la seal a los particulares, en
el campo industrial se usan para variar la velocidad de motores DC de baja potencia.
Para manejo de mayores potencias en el caso de querer
trabajar un motor DC con inversin de giro se usan dos
transistores uno PNP y uno NPN formando lo que se llama par
complementario, ambos trabajan como seguidor emisor pero
uno trabaja en el semiciclo positivo de seal y el otro en el
semiciclo negativo.
EFECTO DE CARGA
Cuando a un amplificador se conecta un circuito que acte como carga (ZL) se produce una
disminucin o "cada" del voltaje de salida, el voltaje con carga (VOL) es: VOL = (ZLVO) / (ZL + ZO)
= AVVi( ZL/ (ZL+ ZO))
Tabla No. 2
Niveles relativos para los parmetros importantes de los amplificadores de emisor comn, base
comn y colector comn.
Configuracin
Zi
Zo
Ay
Ai
Medio (1 k)
Medio (2 k)
Alto (-200)
Alto (100)
= RB || re
= re
= RC
= RC
= - (RC ||
rO)/re
= - RC/re
= - ( RB rO)/(rO +
RC)( RB + re)
=
(RB 10re)
(ro 10RC)
(ro 10RC)
(ro 10RC)
||
rO
(RB 10re)
Medio (1 k)
Medio (2 k)
= R || R2 || re = RC || rO
= RC
(ro 10RC)
Alto (-200)
Alto (50)
= - (RC ||
rO)/re
= - RC/re
(ro 10RC)
Bajo (-5)
Alto (50)
= RB || Zb
= - Rc/(re +
RE)
= RB/(RB + Zb)
= RC
= - RC/RE
(RE>> re)
= RE || re
Zb (re + RE) = r
e
Bajo ( 1)
Alto ( - 50)
RB || RE
(RE>> re)
RE>> re
Bajo (20 k)
Medio (2 k)
Alto (200)
Bajo (-1)
= RE || re
= re
= RC
= RC/re
-1
Medio (1 k)
Medio (2 k)
Alto (- 200)
Alto ( 50)
= re/(1/ +
RC/RE)
= RC || RF
= - RC/re
= RF/(RF + RC)
= RF
(RE>> re)
(ro 10RC)
(ro 10RC)
(ro 10RC
RF>> RC)
RC
VRC = Ic Rc Vcc
en ese caso VCE 0 y la Ic no puede crecer ms. Podemos asimilar un transistor como una palanca y su circuito
de polarizacin a los resortes sobre las que hay fuerzas y deformaciones, las fuerzas son el smil de corriente
ylos desplazamientos el smil del voltaje.
__
LECCION 5 TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR
Un transistor funciona como un interruptor para el circuito conectado al colector (Rc) si se hace pasar
rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un interruptor abierto y en saturacin es un
interruptor cerrado. Los datos para calcular un circuito de transistor como interruptor son: el voltaje del
circuito que se va a encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje Vcc se hace igual al voltaje
nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente Icsat. Se calcula la corriente de saturacin
mnima, luego la resistencia de base mnima:
IBSAT min = Icsat / b
RBMax = Von/IBsat min
Donde Von es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito debe usar una RB por lo
menos 4 veces menor que RBmax.
Adicionalmente se debe asegurar un voltaje en RB de apagado Voff que haga que el circuito entre en corte.
La principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados lgicos, all se mantienen
trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en otro campo se aplican para activar y desactivar
rels, en este caso como la carga es inductiva (bobina del rel) al pasar el transistor de saturacin a corte se
presenta la "patada inductiva" que al ser repetitiva quema el transistor se debe hacer una proteccin con un
diodo en una aplicacin llamada diodo volante.
__
LECCIN 6 TRANSISTORES FET Y MOSFET
TRANSISTOR FET
FET (Field Efect Transistor): transistor de efecto del campo. Esta formado por
una barra de semiconductor N o P que se llama el canal, tiene un cinturn o
estrechamiento del otro tipo de semiconductor, los extremos del canal se
unen a terminales D(drain, drenaje) y S (Source, surtidor o fuente), el
cinturn se une al terminal G (Gate, compuerta).
Al aplicar voltaje entre D y S (VDS) se forma una corriente ID que depende
de la resistencia del canal, si se aplica un voltaje VGS negativo (G = -, S =
+) el diodo formado por el cinturn y el canal queda en inverso y no hay
corriente de compuerta (IG = 0) pero el voltaje negativo es G repele las
cargas negativas que pasan por el canal que aparece como un aumento de
resistencia y la corriente ID disminuye, haciendo mayor o menor la magnitud
de VGS haremos que ID disminuya o aumente, as se obtiene un control de
ID, siendo la variable de control del voltaje VGS.
En el FET la relacin entre ID y VGS est dada por la ecuacin de Schotkley:
ID = IDSS (1 - (VGS/VP))
IDSS y VP son constantes caractersticas de cada tipo o referencia de transistor, se
obtienen en las hojas de especificaciones del fabricante. Los circuitos de polarizacin
de FET y MOSFET se encuentran en la Tabla No. 3 donde el punto de trabajo se da
por el corte de la parbola de la ecuacin de Schotkley y la recta de carga del
circuito.
Los transistores FET y MOSFET se usan como amplificadores, donde su caracterstica
ms importante es su alta impedancia de entrada por efecto de IG = 0. En la Tabla
No. 4 se especifican las frmulas de Zi, Zo y Av para cada uno de los circuitos
amplificadores.
JFET
Con polarizacin fija
JFET
Con autopolarizacin
JFET
Con polarizacin mediante
divisor de voltaje
Compuerta comn
JFET
CONFIGURACIN
VGSQ = - VGG
VDS = VDD - IDRS
VGSQ = - IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG - IDRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
VGSQ = 0 V
JFET
(VGSQ = 0 V)
IDQ = Iss
VGSQ = -IDRS
VD = VDD
JFET
(RD = 0 )
VS = IDRS
VDS =VDD - IDRS
MOSFET
De tipo decremental (todas
las configuraciones arriba de
los casos positivos donde =
+ voltaje) polarizacin Fija
MOSFET
de tipo decremental
polarizacin mediante divisor
de voltaje
VGSQ = + VGG
VDS = VDD - IDRS
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG - ISRS
VDS =VDD - ID(RD + RS)
MOSFET
de tipo incremental
configuracin por
retroalimentacin
VGSQ = VDS
MOSFET
de tipo incremental
Polarizacin mediante divisor
de voltaje
VG = R2 VDD/(R1 + R2)
VGS = VG - IDRS
Zp
Zo
Av = Vo/Vi
Alta (10 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= RG
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= RG
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Media (2 )
Media (-2)
= RG
- gmRs/(1 + gmRs)
(rd 10(RD+Rs))
(rd 10(RD+Rs))
Alta (10 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= R1 || R2
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Alta (10 M)
Baja (100 k)
= RG
Baja (1 k)
Media (2 K)
= RD || rd
RD
RS || 1/gm
(rd 10RD)
Media (2 K)
= (RF + rd || RD)/ = RF || rd || RD
(1+gm(rd || RD))
RF/(1+gmRD)
gmRS/(1 + gmRS)
(rd 10RS)
Media (+10)
= (gmRD + (RD/rd))/
(1+ (RD/rd))
gmRD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
Media (1 k)
Baja (<1)
RD
(RF rd 10RD)
Media (-10)
= - gm (RF || rd || RD)
- gmRD
(RF rd 10RD)
Media (1 M)
Media (2 K)
Media (-10)
= R1 || R2
=RD || rd
RD
-gm RD
(rd 10RD)
(rd 10RD)
__
LECCION 1 CIRCUITOS INTEGRADOS
Usando transistores se conforman circuitos que producen funciones desde muy sencillas como los
amplificadores de seal hasta funciones complejas como los microprocesadores; en la medida que se deben
usar ms transistores para una funcin el espacio ocupado por el circuito aumenta y se hacen ms difciles
lograr los niveles de polarizacin adecuados, hay ms posibilidad de problemas de funcionamiento, usando
circuitos integrados se logra mayor fiabilidad en el ensamblaje y funcionamiento de un equipo y sobre todo se
ha logrado reduccin en el espacio ocupado por los circuitos.
CLASES
Las dos principales clases de circuitos integrados son lineales y digitales; los lineales manejan seales anlogas
que son aquellos voltajes o corrientes que varan y toman cualquier valor entre un mnimo y un mximo estas
seales se representan por variables continuas, los circuitos integrados digitales funcionan
__
LECCION 2 ENCAPSULADOS
Los circuitos integrados se forman por una pastilla semiconductora
donde se fabrican los diodos, transistores, resistencias, etc.; a ella
se unen mediante alambres a los terminales o pines metlicos con
que se conectar a otros circuitos y todo va montado en un
encapsulado plstico o cermico que le da forma exterior.
Los encapsulados se identifican por su tamao y distribucin de los
pines, siendo los ms usados: DIP, SIP, SMD, FLAT CARRIER.
Los encapsulados DIP se numeran sus pines en sentido antihorario, empezando por el pin de abajo a la
izquierda, teniendo el hueco o la muesca media caa al lado izquierdo.
Cada fabricante usa un sistema propio no normalizado de identificacin de integrados, en general para el uso
de cualquier referencia lo ms conveniente es obtener la informacin del fabricante respecto a especificaciones,
formas de conexin, aplicaciones y notas de aplicacin.
Algunos fabricantes adems de la referencia indican un nmero de cuatro dgitos donde los dos primeros
indican ao de fabricacin y los otros dos la semana; ejemplo: 9835, indica que fue fabricado en la semana 35
de 1998.
__
Vo = Ad (Vo-Vb)
Donde:
Ad: Es la ganancia diferencial de voltaje.
El amplificador operacional (AO) se acerca en la practica a un amplificador ideal:
Amplificador ideal
AO
Ad
100000 o ms
Zi
2M o ms
Zo
200M o menos
V- a V+
Por ejemplo: un AO conectado a una fuente sencilla de 10v, acepta voltajes de entrada de 0 a
10v, y da en la salida de 1 a 9v; se alimenta a una fuente dual de 6v permite a la entrada
voltajes de -6v a +6v y la salida entrega de -5 a+5v aproximadamente.
SATURACIN
Debido a los valores tan grandes de amplificacin, la ecuacin del AO solo se cumple cuando Va Vb es muy pequeo, menor a 150 V, si la diferencia de entrada es mayor no se cumple la
ecuacin y el integrado entra en estado de saturacin donde el voltaje de salida permanece en
(V+) -1v, la diferencia de entrada es positiva y permanece en (V-) + 1v si la diferencia de entrada
es negativa. (Vcc - 1v y 1v en el caso de fuente sencilla).
Ejemplo:
LECCION 4 APLICACIONES
Las aplicaciones del AO dependen del circuito extremo que se le conecte y consideremos las
siguientes formas:
LECCION 5 COMPARADOR
Comparador de voltaje
Si Va >Vb hay saturacin positiva
Vo = VOH
Si Va < Vb hay saturacin negativa
Vo = VOL
Si Vi es mayor que la referencia V el integrado coloca su
salida en nivel alto si Vi es menor que Vz el integrado pone la
salida en nivel bajo.
Sirve para amplificar voltajes tanto DC como AC, la seal de salida tiene la misma forma de la
entrada pero con signo negativo por lo que se tiene un ngulo de fase de 180, de ah su
nombre de inversor.
__
LECCION 7 SUMADOR
Integrador
Sumador de Voltaje
La corriente en RR es el negativo de la suma de las corrientes
en otras resistencias: IR= -(IA +IB +.IN)
Si las resistencias son iguales el circuito suma los voltajes y da valor negativo : Vo = - (VA+VB+
+VN)
Restador de voltaje
Si R1 = R2 y R3=R4 Vo = V1 - V2
El circuito realiza la resta entre los dos voltajes.
Si se puede continuar describiendo aplicaciones del
AO. Estas se encuentran detalladas con sus
correspondientes clculos y ejemplos en libras
especializados sobre el tema como:
Coughlin Robert y Driscoll, Frederick. Amplificadores
Operacionales y circuitos integrados lineales.
Prentice Hall.
LECCIN 1 CLASES
TIRISTORES
Los tiristores son un grupo de dispositivos
semiconductores diseados especialmente para
trabajar en regmenes de altas corrientes y/o altos
voltajes, sus aplicaciones principales son en el
campo de la electrnica de potencia.
La mayora de tiristores tienen dos estados corte y
conduccin y en el caso de conduccin la corriente
no est determinada por el dispositivo sino por el
circuito de carga.
Dentro del grupo de tiristores tenemos los
siguientes dispositivos
o
controlado de silicio
SCR: Rectificador
o
o
TRIAC
GTO: SCR con
SUS: Interruptor
DIAC
compuerta de apagado
unilateral de silicio
potencia.
El transistor de una unin (UJT) es un dispositivo que se usa para el disparo de tiristores.
Los Tiristores ms usados son el SCR y el TRIAC
conduce en directo y no conduce en inverso, pero adicionalmente para entrar en conduccin debe
inyectarse en el compuerta una corriente mayor que una corriente de compuerta mnima (IGmin)
que es diferente para cada referencia de SCR, la aplicacin de la corriente de compuerta cuando el
SCR est en directo para que entre en conduccin se llama el disparo del SCR.
Una vez que el SCR ha entrado en conduccin, se mantiene as todo el tiempo que el circuito
externo mantenga una corriente a travs del SCR mayor que una corriente mnima de
sostenimiento.
Cuando la corriente del SCR se hace menor que la corriente de sostenimiento ste deja de
conducir, a este proceso se llama conmutacin apagado.
Conmutacin natural: cuando el circuito de carga por los voltajes aplicados hace que la corriente
sea menor que la de sostenimiento.
Conmutacin forzada: Cuando se coloca un circuito adicional que induzca la conmutacin, hay tres
formas tpicas:
a.
Colocar un interruptor normalmente abierto en paralelo, al
cerrarlo la corriente se va por el interruptor y la corriente del SCR se vuelve cero
apagndose.
b.
Colocar un interruptor normalmente cerrado en serie, al abrirlo
la corriente se hace cero y apaga el SCR.
c.
Un circuito que inyecte una corriente de ctodo hacia nodo de
forma que la suma de las corrientes inyectada y de carga se haga menor que la corriente
de sostenimiento.
Cuando el voltaje de nodo a ctodo vara en el tiempo (dv/dt) muy rpido el SCR puede entrar en
conduccin sin corriente de compuerta, sta es una situacin indeseada y se debe de evitar pues
produce estados de conduccin no deseados.
Las caractersticas principales de un SCR son:
ITmax : Mxima corriente que puede conducir (pico, RMS o promedio)
VDmax : Mximo voltaje entre nodo o ctodo (inverso o directo en no conduccin).
IGTmin :Corriente de compuerta mnima para producir el dispatro.
VGTmax :Voltaje compuerta ctodo mximo
Ihold min : Corriente de sostenimiento mnima.
VFON :Voltaje nodo ctodo cuando est en conduccin
dv/dt
max
mx
V / IGTmin
A mayor tiempo de disparo ser menor el voltaje medio en la carga, para 60 Hz con un tiempo
de disparo de 4.16 ms el voltaje habr bajado a la mitad y con td= 8.33 ms el voltaje habr
llegado a cero.
Puente rectificado trifsico controlado y formas de onda.
__
TRIAC
Es otro dispositivo de tres terminales, su diferencia principal con el SCR es que puede conducir en
ambos sentidos por lo que es especial para aplicaciones con ambas polaridades de los voltajes
alternos.
Siendo VT el voltaje entre MT2 y MT1 y VG el voltaje de G a MT1 se pueden dar cuatro
combinaciones que se llaman los cuadrantes de disparo del Triac, que se indica en la grfica a la
derecha abajo todas las referencias de triacs se disparan en los cuadrantes I y III, algunas
referencias se disparan tambin en los cuadrantes II y IV pero requieren de corrientes de
compuerta mayores.
Igual que en el SCR el Triac pasa a conduccin cuando la corriente de compuerta se hace mayor
que la corriente mnima y un Triac conmutan a corte cuando la corriente del dispositivo se hace
mayor que la corriente de sostenimiento.
Las caractersticas principales de un Triac son las mismas de un SCR: ITmax, VDmax, IGTmin, VGTmax, Ihold
min, VFON, dv/dt max.
LECCIN 9 APLICACIONES
APLICACIONES DEL TRIAC
Control de voltaje RMS sobre una carga monofsica. Se usa especialmente para control de
iluminacin con lmparas incandescentes o control de velocidades de motores universales.
En cada semiciclo al ir aumentando el voltaje pasa una corriente muy pequea por la carga que no
la activa pero esa corriente va por el potencimetro y es suficiente para cargar el condensador,
cuando el condensador se ha cargado a unos 2 o 3 voltios la compuerta entra en conduccin
En principio el xito de estos circuitos se debe a que variaciones que pueden llegar a ser hasta de
unidades de voltio no generan error mientras permanezcan dentro de la franja asignada para cada
Como aplicacin los circuitos digitales se usan para representar variables matemticas o
elementos del mundo real que cumplan con la caracterstica de tener dos estados, por ejemplo:
Elemento
Estado 1
Circuito digital
Lgica tradicional
Verdadero
Falso
Falso
Verdadero
Cerrado
Abierto
Encendida
Apagada
Verde
Rojo
Abierta
Cerrada
Estado 2
Y muchos ms ...
Por la analoga con la representacin de proposiciones lgicas a los circuitos digitales se les llama
tambin circuitos lgicos
__
VOLTAJE DE
FUENTE
NIVEL
ALTO
NIVEL
BAJO
FAN
OUT
REF.
TTL
Lgica de transistor
transistor
5 VDC
2.5v a 5.5v
0.0v a 0.8v 10
50
ECL
DTL
HTL
I2L
Lgica de inyeccin de
corriente
5 VDC
0a1v
74XX
74LSXX
40XX
45XX
1.3 a 5.0 v 8
SIGNIFICADO
NMERO DE
TRANSISTORES
SSI
MSI
50 a 500
LSI
500 a 50000
VLSI
50000 a 500000
ULSI
FUNCIN
Los circuitos digitales segn su funcin pertenecen a dos grandes clases:
o
COMPUERTAS LOGICAS
Son circuitos que generan voltajes de salida en funcin de la combinacin de entrada
correspondientes a las Funciones Lgicas, en este curso se usa la analoga llamada lgica positiva
en la cual alto (H) corresponde a Verdadero y bajo (L) corresponde a Falso.
La funcin lgica que representa la compuerta es: F=AB y se lee "F igual a A and B".
La funcin lgica que representa la compuerta es: F=ABC y se lee "F igual a A and B and C".
En la practica de los electrnicos se acostumbra usar la analoga L = 0 (se dice cero lgico) y H =
1 (uno lgico), entonces es comn usar las tablas as:
A and B
A and B and C
COMPUERTA OR
A or B
A or B or C
En TTL: 7432
En CMOS: 40
En TTL: 74
En CMOS: 40
COMPUERTA INVERSOR
(A negado)
0
En TTL: 7404, En CMOS: 40
COMPUERTA NOR
A nor B
A nor B nor C
En TTL: 7402
En CMOS: 40
En TTL: 74
En CMOS: 40
COMPUERTA NAND
A nand B
A nand B nand C
En TTL: 7400
En CMOS: 40
En TTL: 74
En CMOS: 40
COMPUERTA EXOR
B
ANALISIS DE CIRCUITOS
COMBINACIONALES
El anlisis consiste en que dado un
circuito conocer el valor de sus salidas
para cada una de las posibles
combinaciones de entrada, este
resultado se representa en la Tabla de
Verdad del circuito y la funcin Booleana
que representa el circuito.
Ejemplo
La funcin Booleana se obtiene
generando la correspondiente expresin
para cada compuerta y haciendo los reemplazos hasta obtener una sola expresin que represente
todo el circuito.
Reemplazando:
La tabla de Verdad se forma con la lista de combinaciones segn el nmero de variables de
entrada (ver Funciones Lgicas) y una columna por cada salida del circuito, con cada combinacin
de entrada se van hallando los valores de salida de cada compuerta usando las tablas de verdad
de cada funcin bsica hasta calcular el valor de la salida del circuito y se va colocando el
correspondiente valor en la tabla, en la grfica siguiente se ven los valores para la combinacin de
entrada A=0 B=0 C=0:
B A F1 F2 F3 F4 F
0 0
0 1
1 0
1 1
0 0
0 1
1 0
1 1