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Electrnica de Potencia
Definicin de electrnica de potencia:
Es la aplicacin de dispositivos electrnicos al
control y conversin de energa elctrica.
Ejemplos: Control de motores, calefaccin,
sistemas de iluminacin, fuentes de
alimentacin, etc.
JJJor
1. Diodos de potencia
2. Tiristores
3. TBJ de potencia (Transistores bipolares de juntura)
4. MOSFET de potencia
5. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) 1. Diodos
de potencia
JJJor
2. Tiristores
JJJor
JJJor
Max. Volt
Inverso Max.
Corr Directa
5000V/5000A
3000V/1000A
Switchin
g time
(s)
100
2-5
Resistenci
a
equivalent
0,16m
1m
Schottky
40V/50A
0,2
10m
Uso general
5000V/5000A
200
0,25m
High Speed
1200V/1500A
20
0,50m
Light triggered
6000V/1500A
200-400
0,50m
TBJ
MOSFET
400V/250A
500V/9A
10
0,7
4m
0,6m
IGBT
1200V/400A
2,3
60m
Diodos
Tiristores
Transistor
JJJor
Lo intento apagar
Dispositivos con
control de apagado
JJJor
La corriente
de base es
significativa
La corriente
de gate es
despreciable
Funcionamiento:
t1
t2
ngulo de disparo
Pulso de encendido
VDC
ngulo de disparo
VAC (eficaz)
VDC = 0
Diodo de
proteccin
VDC
Efectos indeseados:
La tensin de salida
La fuente de alimentacin
Diodos de potencia
Esquema del diodo:
Curvas caractersticas:
a 10-15A)
Encapsulado DO-5:
Conexin elctrica
Disipacin trmica
Aislamiento elctrico
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax (por ej. 125C o 150C)
Clculo de disipadores
Analoga trmico - elctrica:
Juntura
Tj
Pd
Ambiente
T ambiente
Regimenes mximos
- Para el silicio debe garantizarse: Tj < Tjmax
Las caractersticas trmicas del diodo se definen segn:
Forma tpica
(Tjmax=125C): Pdja
@Ta=25C
= 25W
Rjc
= 1,4 C/W
Frecuentemente
(Tjmax=125C) :
Pdjc @Tc=25C = 70W
Alternativa (Tjmax=125C):
Pdja @Ta=25C =
25W Pdjc @Tc=25C
=
70W
Ocasionalmente
(Tjmax=125C) : Rjc
C/W
= 1,4
Clculo de disipadores
Problema: Dado un diodo con mximos:
Pdja @ Tamb = 25 C : 25 W
Pdjc @ Tcase = 25 C : 70 W
Rjc
Tc
Rca
Ta
Si no se cumple hay
que usar disipador
Pd
Ejercicio
Un transistor 2N3055 se utiliza en una etapa de salida de potencia en un
circuito de audio y disipa una potencia media de 30W. El circuito se
encuentra en montado en el interior de un gabinete dnde el aire puede
alcanzar una temperatura mxima de 50 C. El fabricante indica las
especificaciones de la figura.
a) Indicar si en necesario o no colocar un disipador al transistor. Si el
disipador es necesario calcular su resistencia trmica.
b) Si por fallas en la ventilacin la temperatura dentro del gabinete
aumenta a 75C, Qu le ocurre al transistor?
Ejercicio - Resolucin
T
j
Tc
Ta
R jc
Rca
Rja = Rjc Rca
Pmx= 117W @ T c = 25 C
T
Por lo tanto:
R
jc=
c
@T c
mx
mx
T
R ja=
m
xj
@T a
200 25 C
=
177
C
= 1.50
W
W
200 25 C = 29.17 C
=
W
P= 30
W,
Ta = 50 C y
R = 29.17
ja
C
W
Entonces:
Qu hacemos?
TO-92
TO-5
TO-247
TO-218
TO-220
TO-3
TO-220
TO-3
Incidencia de la posicin
Ventilacin forzada
Mantenimiento de disipadores
Limpieza
Pulido
Lubricado
Ajuste
P= 30 W
Ta = 50 C
R jc= 1.50
C
R = 27.67 W
T j = 200 C
mx
mx
T c = T j P R jc
mx
Tc
= 200 C 30 1.5 C
= 155
Quema!
C
R = 1.50
Ta = 50 C
Despejando
:
Tc Ta = P
Rca
R || R =
Tc
ca
dis
C
W
ja
|| Rdis
Ta
1
1
1
Rdis = 3.5 C Rc
W
a
T =T
jc
R = 27.67
Tc = 155 C
155 50 C
= 3.5
30
W
C
R =4
dis
P R
W
R
R =
50 C
30W
427.67
+ 1.5
= 199.8 C
156cm
50
Tiristores
ngulo de disparo
Pulso de encenido
Cambiando el ngulo de
disparo se modifica
VDC
VDC
AW
- Luego del encendido IG debe ser cero para evitar perdidas en la juntura.
- No debe aplicarse IG con el tiristor en inversa, porque podra dispararse.
Circuitos de proteccin
di/dt: si IT crece muy rpido no se distribuye uniformemente y se crean hot-spots
- El inductor Ls ayuda a proteger al sistema
Al cargarse el capacitor
limita dV/dt
pero al descargarse
nada limita la corriente
Limita la corriente
de descarga del
capacitor
1. Silicon control
rectifier (SCRs)
2. Fast Switching Thyristors
(SCRs)
3. Gate Turn-off
Thyristors
(GTOs)
4. Triode of Alternating
Current (TRIACs)
5. Reverse Conducting
Thyristors (RCTs)
6. Static Induction Thyristors
(SITHs)
7. Light Activated Silicon
Controlled Rectifiers
(LASCRs)
8. FET Controlled Thyristors
(FET-CTHs)
9. MOS Controlled Thyristors
(MCTs)
(1,2)
(6)
(3)
(9)
(4)
(7)
+
+
o.
Ejercicio
Un SCR se utiliza en el circuito de la figura,
a) Dibujar las formas de onda de tensin en el SCR y en la RL
para diferentes ngulos de disparo del dispositivo. Indicar
cuando la potencia disipada en la carga es mxima.
b) La cada de tensin en el SCR cuando conduce es aproximadamente
1 Volt. Las resistencias trmicas del SCR son Rjc = 1.5 C/W y Rca =
62 C/W. Las temperaturas mximas son Ta = 50 C y Tj = 150 C.
Para el caso de mxima potencia disipada en la carga, determinar si
el SCR necesita montarse sobre un disipador.
Ejercicio (resolucin)
Vemos la situacin para distintos ngulos de disparos:
vs
vs
t
vSCR
vSCR
t
vRL
vRL
td = 0
td > 0
500
1 0.62 A
Luego, se tiene entonces que la Ief que circula por el SCR es: I
ef
A
Ve 1V 0.5V
2
f
2 2
0.22
Ejercicio
El modelo equivalente trmico del SCR es el siguiente:
Sin disipador
tenemos:
Vs
Vef = 220V
f = 50Hz
al disparo
al disparo
Ejercicio (resolucin)
Vs [V]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
200
0
-200 0
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
V RL [V]
0.03
Tiempo [s]
V SRC1 [V]
0.02
200
0
-200
V D1 [V]
0.01
200
0
-200
200
0
-200
200
0
-200
V SCR2 [V]
al disparo
V D2 [V]
al disparo
200
0
-200
SCR1
Seal disparo
Vs [V]
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
00
-200
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
V SRC1 [V]
200
0
-200
V D1 [V]
200
0
-200
V D2 [V]
200
200
0
-200
V SCR2 [V]
SCR2
V RL [V]
Seal disparo
200
0
-200
Ejercicio (resolucin)
0
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
D1
RL
SCR1
Se
Se
Vs [V]
200
0
-200
V RL [V]
200
0
-200
V SRC1 [V]
al disparo
200
0
-200
V D1 [V]
200
0
-200
V D2 [V]
SCR2
200
0
-200
V SCR2 [V]
D2
200
0
-200
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
al disparo
SCR1
Se
D2
D1
SCR2
RL
Ejercicio (resolucin)
D2
0
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
0.01
0.02
0.03
Tiempo [s]
0.04
0.05
0.06
Transistores de potencia
Son transistores que deben soportar grandes corrientes, tensiones y potencias.
Parmetros
MOS
Bipolar
Impedancia de
Alta (1010 )
Media (104 )
entrada Ganancia en
Alta (107)
corriente
Resistencia
ON (saturacin)
Media / alta
Media (10 a
100)
Baja
Alta
Alta
Alto (1000 V)
Alto (1200 V)
Mxima temperatura
Alta (200C)
Media (150C)
Frecuencia de trabajo
Alta (100-500
Khz)
Alto
Baja (10-80
Khz)
Medio
Costo
D1
RL
SCR1
Se
Se
D2
SCR2
IC = IB
Curvas de transferencia y avalanchas del TBJ (las del MOS son similares):
IC
IB
Funcionamiento normal
Funcionamiento extremo
- Avalancha secundaria: Puede darse una avalancha con tensiones por debajo
de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin
de la intensidad de base). Est avalancha es destructiva. Debe evitarse.
Esto es as porque:
Potdis
VC
E
= VCEIC
IC
ON
Potdis-ON = 0VIC
Potdis-OFF = VCE0A
IB
Pdi
s
IC
OFF
Aplicaciones