Piezoelectricos Dif

4.
Materialesparalastecnologasdelasinformacinylascomunicaciones(TICs)
Information andcommunication
and communication technologies (ICTs)
4.2Materialeselctricosymagnticos.Acoplamientos
Piroelctricos yPiezoelctricos
y Piezoelctricos paradeteccin
para deteccin
y/oactuacinenlasmicro ynanoescalas
Breverevisindefsicadepiroelctricos ypiezoelctricos.
Ferroelectricidad yacoploelectromecnico
Piroelectricidadydeteccinderadiacinenelinfrarrojo.Tecnologascermicaseintegradas
Piezoelectricidadydispositivoscermicosdetransduccinelectromecnica
Piezoelctricosintegrados.Sistemasmicroelectromecnicos piezoelctricos
Ferroelctricos/ferroelsticos yotrosmecanismosparatransduccinelectromecnica
FRONTERAS
EN CIENCIA DE MATERIALES
FRONTERASENCIENCIADEMATERIALES
Tcnicasespecficasdecaracterizacin
dematerialespiro ypiezoelctricos
InstitutodeCiencia
deMaterialesdeMadrid
Piezoelctricosparadeteccinyactuacin
Breverevisindefsicadepiezoelctricos
Piezoelectricidadyelectrostriccin
Elefectopiezoelctricodirectoeslageneracindeundesplazamientoelctricoenunslido
El
efecto piezoelctrico directo es la generacin de un desplazamiento elctrico en un slido
linealmenteproporcionalaunatensinmecnica
Di = d ijk jk
Di = oE i + Pi
Elefectopiezoelctricoinversoesladeformacinlinealdeunslido
bajolaaplicacindeuncampoelctrico
Elefectoelectrostrictivo esladeformacinnolinealdeunslido
bajolaaplicacindeuncampoelctrico
1 ui u j
Sij =
+
2 x j x i
S jk = d ijk E i + Mijkl E i E j
Ambosefectosestnntimamenteligadosconlaexistenciadeacoploentrelapolarizacin
Ambos
efectos estn ntimamente ligados con la existencia de acoplo entre la polarizacin
yladeformacin,demaneraquesepuedeescribir,quizsdeformamsfundamental
Di = eijk S jk
S jk = gijk Di + Qijkl Di D j
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Breverevisindepiezoelectricidad
Untensorde3ordentiene27componentesindependientes.Sinembargo,dessimtricoenjyk,
porloquesesloquedan18,loquepermiteelusodeunanotacinmatricialreducida
Notacintensorial
11
22
33
23,32
31,13
12,21
Notacinmatricial
Eslamismanotacinreducidaqueseaplicaaloscamposelsticos:deformacin(S)ytensin(),
yportantoaloscoeficienteselsticos(s)
Di = eip S p
S p = gip Di ( i = 1 ,2 ,3 p = 1 ,2 ,3 ,4 ,5 ,6 )
3
3
1
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Lasestructurascristalinassepuedenclasificaren32grupospuntualesdeacuerdoconsusimetra,
yestosgrupospuntualessepuedendividirasuvezendosclases:
aquellosquetienecentrodesimetra,ylosquecarecendel
Hay21grupospuntualessincentrodesimetra,20deloscualessonpiezoelctricos
Lapiezoelectricidadesunapropiedad
intrnsecamenteligada
alaestructuracristalogrfica
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Elgrupopuntualdeterminalasimetradeltensorpiezoelctrico
1
d33,
33, d31=d32,d15=d24
0
dij=0
3
d22,d21,d16
2
d33,d31d32,d15 d24
FRONTERAS
Unejemplo:polimorfosdeBaTiO3
InstitutodeCiencia
Notanbreverevisindepiezoelectricidad
Termodinmicadematerialespiezoelctricos
IncorporacindelacoploelectromecnicoalateoradeLandauDevonshire
1
1
1
1
FP = P 2 + P 4 + P 6 + sSS 2 + QSP
QS 2 EP S
2
4
6
2
El t d d
Elestadodeequilibriovienedefinidodenuevoporelmnimodelaenergalibre:
ilib i i
d fi id d
l i
d l
lib
FP
= 0 = sS + QP 2
S
FP
= 0 E = P + P 3 + P 5 + 2QSP
P
Enausenciadetensionesmecnicas:
Q
0 = sS + QP 2 S = P 2
s
No existe deformacin espontnea (S=0) en la fase paraelctrica
Noexistedeformacinespontnea(S=0)enlafaseparaelctrica
DeformacinespontneaproporcionalaPS2 enlafaseferroelctrica
FRONTERAS
Piezoelectric Actuators andUltrasonic Motors
(Kluwer Academic Publishers,1999)
InstitutodeCiencia
Enrelacinconelcoeficientepiezoelctrico
f
p
h=
E
= 2QP
S
Existeunarelacinintrnsecaentrelapiezoelectricidaddeunferroelctrico queseorigina
apartirdeunafasesprototipocentrosimtrica,ysuelectrostriccin
Engeneral,laenergalibredeunpiezoelctricobajodeformacin
y desplazamiento elctrico constantes es:
ydesplazamientoelctricoconstanteses:
1 D
1 S
+
ijj Di D j hijk
F = c ijkl
S
S
j ijj kl
j Sijj Dk ( i , j , k , l = 1 ,2 ,3 )
2
2
F
Ei =
= ijS D j hijk S jk
Di
ij =
F
D
= c ijkl
Skl hijk Dk
Sij
E i = ijS D j hip S p
D
p = c pq
Sq hpk Dk
( p , q = 1 ,2 ,,...,,6 )
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Enpiezoelectricidad,lascondicionesdecontorno
definen las ecuaciones constitutivas que se usan:
definenlasecuacionesconstitutivasqueseusan:
E i = ijS D j hip S p
Di = ij E j + d ip p
D
p = c pq
Sq hpk Dk
E
S p = spq
q + d pk E k
Di = ijS E j + eip S p
E i = ij D j gip p
E
p = c pq
Sq epk E k
D
S p = spq
q + gpk Dk
Porlotantosedefinencuatrogruposdecoeficientespiezoelctricosqueestnrelacionados
atravsdelaspermitividades ycoeficienteselsticos
d=
D S
=
E
e = dc E
e=
D
=
E S
d = g
g=
S E
=
D
h=
D E
=
S
h = gc D
FRONTERAS
Permitividades ycoeficienteselsticosquedependende
lascondicionesdecontorno
InstitutodeCiencia
Breve(estas)revisindefsicadepiroelctricos
Piroelectricidadymaterialespiroelctricos:subgrupodelospiezoelctricospolares
N t d l
Notodoslospiroelctricos
i l t i
sonferroelctricos
f
l t i
Haymaterialesenlosqueelcampocoercitivoessuperioralcampoderupturadeldielctrico
El efecto piroelctrico eslageneracindeundesplazamientoelctrico

Elefectopiroelctrico
es la generacin de un desplazamiento elctrico
proporcionalauncambiodetemperatura
D
P
= S +E
T
T
T
Elprimertrminorepresentalapiroelectricidadespontnea
En un ferroelctrico contransicindesegundoorden
Enunferroelctrico
con transicin de segundo orden
1
2
P
Polarizacin,
P
PS = o (To T )
Derivada:coeficientepiroelctrico
Temperatura T
Temperatura,T
Entransicionesdeprimerorden,
elcoeficientedivergeenlatransicin
1
2
PS
1 o
I =
I =
2 ( To T )
T
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Piroelctridad ymaterialespiroelctricos
Elsegundotrminorepresentaunapiroelectricidadinducida
De nuevo, en un ferroelctrico contransicindesegundoorden
Denuevo,enunferroelctrico
con transicin de segundo orden
= o ( 1 + ),
(
2 o ) 1
=
To T
E ( 2 o ) 1
II = E
II =
T
(To T )2
Contribucinasociadaaladependenciadelapermitividad conlatemperatura
Requierelaaplicacindeuncampoelctrico
Basedelosbolmetrosdielctricos
Fenomenologicamente,lapiroelectricidadsemanifiestacomounacorrientededesplazamiento
Fenomenologicamente
la piroelectricidad se manifiesta como una corriente de desplazamiento
queesproporcional
alavariacintemporaldelatemperatura
tem p
peratura
corriente
J=
D
D T
T
=
=
t
T t
t
FRONTERAS
tiem po, t
InstitutodeCiencia
Piroelctricos paradeteccin
Materialesferroelctricos paradetectoresderadiacininfrarrojapiroelctricos
Longitudesdeondaenelrangodelaventanaatmsferica entre8y14m,
enelqueestaelmximodeemisindeloscuerposatemperaturaambiente
Unpiroelctrico essensiblealoscambiosdetemperatura,esnecesarioportantomodular
la intensidad de la radia in infrarroja a na fre en ia dada
laintensidaddelaradiacininfrarrojaaunafrecuenciadada
VS
W
V0
Cp
ip
RP
CA
RL
Laresponsividad encorrientedeundetectordeestetipoes:
i =
I
A
H
=
, T =
W G 1 + 2 2
G
T
0V
0V
Cmarasdevisinnocturna
Basadasenmatricesdeelementos
piroelctricos
i l i
Rep.Prog.Phys.64 1339(2001)
Donde esfraccinderadiacinabsorbida
T esunaconstantedetiempotrmicaquedefinen
lacapacidadcalorficaHylaconductanciatrmicaG
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Detectorespiroelctricos deradiacininfrarroja
Engeneral,esmssencillomedirvoltajes.Laresponsividad envoltajees:
V = Z i =
ARP
G 1 + 2 T2 1 + 2 E2
, E = RP ( C E + C A )
Apareceunasegundaconstantedetiempo,enestecasoelctrica,quedefinenlaresistenciaycapacidaddelelemento
Estasrespuestaspermitendefinirunaseriedefigurasdemeritodelosmaterialesparalosdetectores:
p
p
f
fg
p
Si >>
Si >>
y >>
D* =
i
1
A
H
, V
ct
Fi =
Dondeceselcalorespecfico
FV =
cA
c
A
t
=
NEP
4K BT c tan w
Tambinsedefineunatercerafigurademerito
Tambin
se define na tercera fig ra de merito
ligadaaladetectividad
Fd =
NEP de ingls noise equivalent power

NEPdeinglsnoise
ControladoporelruidoJohnsondelcondensador,
ylasprdidasdielctricas
c tan
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Detectoresderadiacininfrarrojapiroelctricos interados:
lminasdelgadasferroelctricas sobreSi
Propiedadesdereduccindeescaladelosdispositivos
Delacermicaalalminadelgada
Dosefectos:aumentodelacapacidadelctrica,ydisminucindelacapacidadcalorfica
Inversindelasconstantesdetiempo
1
t , C y H , E y T E 2
T t
En ol men
Envolumen
En lmina
Enlmina
E < T y V
Doslmitesenlaresponsividad envoltaje:
ARP
H
Papelclavedelcalorespecficoc
A
T < E y V
CG
Papelclavedelaconductividadtrmica
Micromecanizacin deestructurassupendidas
de estructuras supendidas
Manipulacindelamicroestructura delmaterial
Introduccin
controlada de porosidad
Introduccincontroladadeporosidad
J.Am. Ceram.Soc.90 142(2007)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialesparadetectoresderadiacininfrarrojapiroelctricos envolumen
Ci l
Cristales,materialescermicosypolimeros
i l
i
li
f
ferroelectricos
l
i
Piroelectricidadespontnea
Piroelectricidadinducida
Piroelectricidadespontnea
CristalesdeLiTaO3,Sr1xBaxNb2O6 conestructurabroncetugsteno yTGS(sulfatodetriglicina),

cermicasdePb(Zr,Ti)O3 yPbTiO3 modificado,
FRONTERAS
como Pb(Sc1/2Ta1/2)O3
Relaxores comoPb(Sc
Elcopolimero ferroelctrico P(VDFTrFE)
InstitutodeCiencia
Materialesparadetectoresderadiacininfrarrojapiroelctricos integrados
Basados en la piroelectricidad espontnea
Basadosenlapiroelectricidadespontnea
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Basadosenlapiroelectricidadinducida
Rep.Prog.Phys.64 1339(2001)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialespiezoelctricosparatransduccinelectromecnica
Cermicaspiezoelctricas:unatecnologamadurayubicua
Basedeunabanicodetecnologas:
Actuadores
Enmicroelectrnica(sistemasdeposicionamiento),nanotecnologa(sistemasSPMs),tecnologaspticas
En
microelectrnica (sistemas de posicionamiento), nanotecnologa (sistemas SPMs), tecnologas pticas
(sistemasadaptativos),tecnologasdelainformacin(cabezadeimpresinporchorrodetinta),artculosde
consumo(enfoqueautomticodecmarasfotogrficas)...
D t t
Detectores
Enlaindustriaenergtica(medidoresdeflujodegasesylquidos),
deltransporte(acelermetros)...
Sistemadeimgenes
i
d i
porultrasonidospara
aplicacionesmdicas
Sistemasexpertos
Entransporte(controlactivodevibraciones)
G
Generacinydeteccindeultrasonidos
i d
i d l
id
((Ultrason technologies)
g )
EnIndustriamdica(ecografas,sondas nointrusivas),en
anlisisdeestructuras(ensayosnodestructivos)
Generacinydeteccindeondasacsticassubmarinas
Enlaindustriapesquera,aplicacionesmilitares(SONAR)
Recoleccin
de energa?
Recoleccindeenerga?
FRONTERAS
Energy Harvesting
Cristalesenaplicacionesespecficas
InstitutodeCiencia
Materialescermicospiezoelctricosparatransduccinelectromecnica
Unmaterialdereferencia:cermicasdelasolucinslida
conestructuraperovskita Pb(Zr,Ti)O3
500
Tem
mperatura(oC)
PC Pm3m
400
TC
FT P4mm
300
FRHT R3m
200
100
AO
FRLT R3c
PbZrO3
0.8PZ
MPB
0.6
0.4
0.2
PbTiO3
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
MaterialescermicospiezoelctricosdePb(Zr,Ti)O3
Lapiezoelectricidadesmximaenlafronteradefasesmorfotrpica
(MPB del ingls morphotropic phase boundary)
(MPBdelinglsmorphotropicphase
boundary)
entrelospolimorfosferroelctricos conestructurastetragonalyrombodrica
Coeficientes efectivos del policristal
Coeficientesefectivosdelpolicristal
Relacionadoscon
loscoeficientesdelcristal
5 m
5
FRONTERAS
Piezoelectricceramics(AcademicPress,1971)
InstitutodeCiencia
Origendelaaltaactividadpiezoelctrica
Lospolicristales muestranpiezoelectricidad?
Lapolarizacindelaspiezocermicas
Simetraefectiva6mm
Anlogocristalesconestructurahexagonalpolar
g
g
p
E
E
E
s11
s
s
12
13
E
E
E
s12
s11
s13
E
E
E
s
s
s
13
33
13
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
d
31 d 31 d 33
E
s55
E
s55
d15
E
s66
d15
0
d15
11
d15
11
d 31
d 31
d 33
0
0
0
0

33
FRONTERAS
Lasceramicas ferroelctricas polarizadas
sonlosnicospolicristales piezoelctricos(ypiroelctricos)
InstitutodeCiencia
Unapuntegeneralsobrecermicaspiezoelctricas
3
Efectopiezoelctricolongitudinal
Efectopiezoelctricodecizalla
5
D3=d333
D1=d155
1
P
D3=d311
Efectopiezoelctricotransversal
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
OrigendelaaltaactividadpiezoelctricadelPb(Zr,Ti)O3 enelMPB
Presenciasimultneadedominiostetragonalesde90o,yrombodricosde71y109o
que(porgeometra)aumentanlapolarizacinquesepuedeinducirenelpolicristal
conuncampoelctrico
109o
71o
Incl endo transformacin parcial de na fase en otra

Incluyendotransformacinparcialdeunafaseenotra
PbZr1xTixO3
x=0.55
x=0.47
x=0.40
Tambin,sehadescrito
unareduccindeltamao
delosdominios
h
hastalananoescala
l
l enelMPB,
l MPB
quefacilitasumovilidad
FRONTERAS
J.Appl.Phys.101 074107(2007)
InstitutodeCiencia
Contribucindelamovilidaddelasparedesdedominioferroelctricosferroelsticos
aloscoeficientespiezoelctricos
Ilustracindeladeformacinbajocampopormovimiento
de paredes de 90o tetragonales
deparedesde90
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Ingenieracomposicionaldelamovilidaddelasparedes:
unconceptoclaveenlosmaterialescomerciales
Aumentodelamovilidadporsustitucinheterovalente demayorvalencia
PZTblandosconcoeficientespiezoelctricoshasta600pC
PZT blandos con coeficientes piezoelctricos hasta 600 pC N11
Pb2+
Pb2+
Pb2+
Zr
O2-
O2Pb2+
Pb2+
Pb2+
O2-
O2-
4+
Acompararcon200pC N1 paraPZTenelMPB
La3+ ensitioAoNb
en sitio A o Nb5+ ensitioB
en sitio B
O2Materialesparaaplicacionesdealtasensibilidad,
en las que la histresis no sea un problema
enlasquelahistresisnoseaunproblema
VA
La3+
Mecanismomalentendido
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Disminucindelamovilidadporsustitucinheterovalente demenorvalencia
PZTduroslibresdehistresisparaaplicacionesdealtapotencia
p
p
p
Introduccindedefectosdipolaresquesealinean
p
f
conlapolarizacinferroelctrica
Pb2+
Pb2+
Ni
O2-
O2Pb2+
Pb2+
Pb2+
O2-
Pb2+
Ni2+ oFe3+ ensitioB
2+
VO
Pb2+
O2Pb2+
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Mecanismoresponsabledeladisminucindelamovilidaddelasparedes
Anclajedelasparedesporlainteraccindipolarentrelapolarizacinferroelctrica
ylosdefectosdipolares
E p DD =
3 r r r r
r r
(
)
(p .r )(p2 .r )
p
.
p
3 1 2
2 1
4 o r
r
1
J.Appl.Phys.73 3454(1993)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
http://www.ferropermpiezo.com/
FRONTERAS
http://www.morganelectroceramics.com/products/piezoelectric/
InstitutodeCiencia
DescubrimientodeunanuevafasemonoclnicacongrupoespacialCm
eneldiagramadefasesdelasolucinslida,
entrelospolimorfosrombodricoytetragonal
t l
li
f
b d i
t t
l
[111]
[001]
ar
cm
[001]
[111]
-am
ct
[001]
[110]
[110]
[111]
Lasimetradeestafasesloobligaalapolarizacinespontnea
La
simetra de esta fase slo obliga a la polarizacin espontnea
aestarcontenidaenelplano(110),
ysesitaentrelasdirecciones<001>y<111>depolarizacinenlasfases
rombodricaytetragonal
800
Lafasemonoclinica
sepuedeentender
p
comolacondensacin
dedesplazamientos
decortoalcance,
perpendiculares a la
perpendicularesala
polarizacin,
presentesenlosotros
dospolimorfos
PC
temperrature (K)
ar
600
MPB
400
FT
FR
200
FM Cm
0
33
43
53
63
x (%Ti)
Phys.Rev.B61
8687(2000)
y
(
)
[110]
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Altaactividadpiezoelctricaporunmecanismoderotacindelapolarizacinbajocampo
Odeinestabilidadtransversaldelaredcristalina
Muyaltapermitividad
y
p
transversal
enlafronteraentrelasfasesmonoclnicaytetragonal
EstudiosestructuralesconradiacinsincrotrndePb(Zr,Ti)O3 rombodrico
b j
bajocampoaplicado
li d
Deformacinendireccionesnopolares
Demostracinexperimentaldelmecanismoderotacin
Phys.Rev.Lett.84 5423(2000)
Mximodelcoeficiente
d15 delcristal
d15=11Q44P3
IEEETrans.UFFC
56 1574(2009)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Cristalesconpiezoelectricidadydeformacinbajocampoultragrandes
Coeficienteslongitudinalesefectivossuperioresa2000pC N1 enladireccin<001>decristales
dePb(Zn1/3Nb2/3)O3PbTiO3 yPb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 condistorsinrombodrica
Rotacindelapolarizacinobservadaexperimentalmente
J.Appl.Phys.82 1804(1997)
Phys.Rev.Lett.86 3891(2001)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Cristalespiezoelctricosconpiezoelectricidadultragrande
DiagramadefasesdelsistemaPb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3
Phys.Rev.B74 024101(2006);Mater.Sci.Eng.B120 206(2005)
Temperratura(K
K)
573
PC
473
aT>TB
R
373
273
173
PMN
(ps)?FR
0.1PT
FMBCm
FMC Pm
0.2PT
FT
MP
B
0.3PT
0.4PT
DosdiferenciasbsicasconeldiagramadelPb(Zr,Ti)O
dif
i b i
l di
d l b( i) 3 enelMPB
l
Estadorelaxor dealtatemperatura
Dosfasesmonoclnicas
Cermicascon600pC N1
PT
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Cristalespiezoelctricosconpiezoelectricidadultragrande
Tecnologaclaveparatransduccinelectromecnicadealtasensibilidad
A.A. Bokov, Mater. Sci. Eng. B 120 206 (2005)
A K Singh et al
A.K.
al, Phys.
Phys Rev.
Rev B 74 024101 (2006)
http://www.trstechnologies.com/Products/single_crystal.php
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialescermicostexturados dePb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3
porTGG(delinglstemplated grain growth)
Preparacindepartculas
conanisotropadeforma
Anisotroparelacionadaconunadireccincristalogrfica
Preparacindepolvocermiconanomtrico
Mezcla
Appl.Phys.Lett.78 2551(2001);J.Am. Ceram.Soc.88 312(2005)
Conformacindelamezcla
Conformacin
de la mezcla
enuncampodetensionesanistropo
Orientacindelasplantillasenlamatriz
Densificacin
d33efect. 1600pC N1
Crecimientodelasplantillas
C
i i t d l
l till
consumiendolamatriz
Tratamientotrmicofinal
Materialcermicotexturado
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialescermicostexturados piezoelctricosparamuyaltapiezoelectricidad
Ejemploenalmina
Sntesis de partculas anisomtricas deperovskitas:tecnologallaveparalascermicastexturadas

Sntesisdepartculasanisomtricas
de perovskitas: tecnologa llave para las cermicas texturadas
Transformacindemicropartculas (muy)anisomtricas dexidos
conestructuraencapasderivadosdelasperovskitas
enperovskitas simplesporreaccionestopoqumicas
NaCl KCl ( 4:1 )950 3 h
BaBi 4Ti 4O15 + BaCO3 2BaTiO3 + 2Bi 2O3 + CO2

YdePb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 ?
EstructuratipoAurivillius
J.Am. Ceram.Soc.90 1323(2007)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialescermicospiezoelctricossinplomo
NuevasdirectivaseuropeasWEEEyRoHS,envigordesde2006
p
y
,
g
Moratoriaparalaspiezocermicas
Waste Electrical andElectronic Equipment

Restriction ofthe useofcertain Hazardous Substances inelectrical andelectronic equipment
TransformacindelMPBortorrmbicoortorrmbicodelsistemaK
Transformacin
del MPB ortorrmbico ortorrmbico del sistema K1xNaxNbO3 enunMPB
en un MPB
ortorrmbicotetragonalpormodificacincomposicional
ComposicinToyota(K,Na,Li)(Nb,Ta)O
Cermicastexturadas porTGGmuestrancoeficientespiezoelctricosd33 de400pC N1
FRONTERAS
Nature 432 84(2004)
InstitutodeCiencia
Mecanismoincorrecto
Desplazamientoatemperaturaambientedeunatransicinpolimrficadealtatemperatura
Lafuertedependenciadelaspropiedadesconlatemperaturalimitalaventanapotencialdeoperacin
J.Am. Ceram.Soc.92 1153(2009);J.Electroceram.19 111(2007)

Unaposiblealternativa:
cermicastexturadas
de(Bi1/2Na1/2)TiO3BaTiO3
concoeficientes
fi i t
piezoelctricos
de200pC N1
J.Electroceram.11 207(2003)
Transicinaunafaseantiferroelctrica a150oC
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Diseodenuevosmateriales
ElobjetivoesdisearunmaterialenunMPBdeltipoRTconmuyaltapiezoelectricad
t,factordetoleranciadelaperovskita.r,radiosinicos
0.75 < t < 1 , t =
rA + rO
2 (rB + rO )
UnprimerrequisitoesuncatinensitioAaltamentepolarizable,comoelPb
U
i
i it
ti
iti A lt
t
l i bl
l Pb2+:Tl
Tl+ yBi
Bi3+
Cationesconnmeroatmicoyradioinicograndes
Y
preparar cermicas texturadas
Yprepararcermicastexturadas
Modelodematerialesbasadosenelconocimiento
J.Am. Ceram.Soc.92 1153(2009)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Diseodematerialessinplomoconaltapiezoelectricidad
ElMPBpareceindispensable
p
,
Diseodesolucionesslidasconestructuraperovskita,
yextremosferroelctricos(ono)condistintasimetra;
distintaorientacindelapolarizacinespontnea
PreferibleconBi3+ ensitioA
Unejemplo:(0.94x)(Bi1/2Na1/2)TiO30.06BaTiO3xK0.5Na0.5NbO3 conxhasta0.04
Estabilizacindelafaseantiferroelctrica atemperaturaambiente,yelevadadeformacinbajocampo
asociadaalatransicinentrelasfasesantiferroelctrica ferroelctricainducidaporelcampo
Mecanismoalternativoparatransduccinelectromecnicapreviamentedescritoen(Pb,La)(Sn,Zr,Ti)O
p
p
( , )( , , ) 3
J.Appl.Phys.66 6014(1989)
FRONTERAS
Appl.Phys.Lett.91 112906(2007)
InstitutodeCiencia
Diseodematerialessinplomoconaltapiezoelectricidad
Enlamismasolucinslida;(0.94x)(Bi1/2Na1/2)TiO30.06BaTiO3xK0.5Na0.5NbO3,hastax=0.18
se ha descrito alta electrostriccin en la fase antiferroelctrica
sehadescritoaltaelectrostriccinenlafaseantiferroelctrica
Alternativaalosferroelctricosrelaxores basadosenPbconaltaelectrostriccinparaactuacinlibredehistresis
Segundomecanismoalternativoparaactuacin
Adv.Mater.21 4716(2009)
S jk = Mijkl E i E j
Elmaterialdereferenciaes0.9Pb(Mg1/3Nb2/3)O30.1PbTiO3
FRONTERAS
J.Appl.Phys.51 1142(1980)
InstitutodeCiencia
Serequierennuevosmaterialespiezoelctricosdealtasensibilidad
paratransduccinelectromecnicaaaltatemperatura
Solucionesslidasdetipoperovskita BiMO3PbTiO3 conMPB,yaltaTdeCurie

paraoperacinentre200y400oC
RelacinempricaentreTC delMPByelfactordetoleranciadelaperovskita R/Menlasolucinslida
Cermicasde0.64BiScO30.36PbTiO3 cond33=700pC N1
Appl.Phys.Lett.93 192913(2008)
Cristalesconpiezoelectricidadultragrande
TC=450oC
Appl.Phys.Lett.
83 3150(2003)
(
)
(1x)BiScO3xPbTiO3
conx<0.5
05
FRONTERAS
Jpn. J.Appl.Phys.40 5999(2001)
InstitutodeCiencia
Materialescermicospiezoelctricosparaoperacinaaltatemperatura
Sntesisyprocesadodecermicasdeperovskitas conbajofactordetolerancia:
tecnologallaveparaeldesarrollodematerialescermicos
para transduccin a alta temperatura
paratransduccinaaltatemperatura
Mecanosntesis comoalternativaalasntesisporaltaspresiones
Sntesisdepolvonanocristalino de0.92Pb(Zn1/3Nb2/3)O30.08PbTiO3 y(1x)BiScO3xPbTiO3
poractivacinmecanoqumica enmolinosplanetariosdealtaenerga
P
Pe
Pe
Pe
140 h
x=0.20
x=0.40
Pe
Pe
x=0.40
x=0.45
0 45
I(u.a.)
I (u.a.)
100 h
70 h
50 h
x=0.50
x=0.55
30 h
x=0.60
18 h
x=0.64
Bi2O3
Bi2O3
1 h
20
40
50
60
0 h
10
30
20
30
40
50
60
Chem Mater.19 4982(2007)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Materialescermicospiezoelctricosparaoperacinaaltatemperatura
xidosconestructuratipoperovskita laminarAurivillius
paratransduccinelectromecnicaporencimade500oC
Materialesmuyanistropos,conlapolarizacinespontneaenelplanoab
Texturacin necesaria
yfcilencomparacinconlasperovskitas debido
asuhbitodecrecimientomuyanisotrpico
SrBi4Ti4O15
TemperaturadeCurie de530oC
Coeficiented33 de25pC N1
Bi4Ti3O12 dopadoconNb
dopado con Nb
CaBi2Nb2O9
EstructuradelBi4Ti3O12 con2bloques[Bi2 Ti3O7]2 entrelascapasde[Bi2O2]2+
FRONTERAS
Appl.Phys.Lett.
87 082911(2005)
InstitutodeCiencia
Fronterasenpiezoelctricoscermicos
Investigacinmuytecnologca
Tecnologadecapagruesa(>1
Tecnologa
de capa gruesa (> 1 m)
m)
Nanoestructuracin delosmateriales,yefectosdelananoestructuracin enlaspropiedades
Porejemploeneldiagramadefases,yenlamovilidaddelasparedesferroelctricas/ferroelsticas
j p
g
f
,y
p
f
/f
Nuevosmaterialesdemuyaltapiezoelectricidad
Desarrollo de nuevos procedimientos de texturacin
Desarrollodenuevosprocedimientosdetexturacin
Nuevosmaterialesdealtasensibilidadsinplomo,ynuevosmaterialesparatransduccin
p
aaltatemperatura
Diseo de materiales
Diseodemateriales
Tecnologasdelminadelgada(<1m) Piezoelctricosintegrados
Motivadoporlaminiaturizacindeloscomponentescermicosylaimplementacin
dedeteccinyactuacin
FRONTERAS
ensistemasmicroelectromecnicos
InstitutodeCiencia
Materialescermicospiezoelctricosparatransduccinelectromecnica
Miniaturizacindedispositivoscermicospiezoelctricos:actuadores
Estructurasmulticapaparaamplificacinlongitudinal:L=Nd33 V Losdesarrollossiguenalosdemostrados
enMLCs
Micropalanca actuadapiezoelectricamente fabricada
portecnologademicrofabricacin deSi
El t d
Electrodos
Dispositivometalcermico
paraFlexoextensin
Lmina
Lmina
Piezo
Si
Estructuratipopalanca: d31 (L/t)2 V

Cantilever eningls
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Piezoelctricosintegrados.Sistemasmicroelectromecnicos piezoelctricos
Unprimerejemplo:detector
p
j p
defuerzasparaSPMconsistente
f
p
enunalminapiezoelctricaintegradaenlamicropalanca
I
Amplificador sintonizable
Amplificadorsintonizable
Conversor intensidad/voltaje
Electrodosuperior
Electrodo inferior
Electrodoinferior
O
Nanotechnol.4 477(1993)
Lminapiezoelctrica*
Generadorde
Generador
de
funciones
Sistema de retroalimentacin
Sistemaderetroalimentacin
Palancadesiliciomicromecanizada
Palanca
de silicio micromecanizada
(200x50x3.5m)
Piezocermica
Amplificadordealtovoltaje
FRONTERAS
Posicionador xyz
*ZnO oPb(Zr,Ti)O3/Pt
InstitutodeCiencia
Sistemasmicroelectromecnicos piezoelctricos
Parmetrosdelamicropalanca ydeldetectorconunalminadePb(Zr,Ti)O3/Pt
3K
k = 3 ,constantedemuelle
l
f=
1.875 2
k=8.7Nm1
f=72.5kHz
K ,frecuenciaderesonancia
M
2l 2
e31=10Cm2
2
2
h
h
K = c i whi i + y n h j i
j =1
2
i =1
12
Res=0.7nm
i
h n
y n = c i hi h j i / ci hi
i =1
j = 1 2 i = 1
n
M = w i hi
i =1
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Esquemadelafabricacindeunamicropalanca conlminadelgadapiezoelctricaintegrada
FE
Si
SiO2
Ti/Pt
Cr/Au
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Otroejemplo:micromotor piezoelctrico
Sens.Actuat.A48 157(1995)
Masa inercial y de carga

Masainercialydecarga
Eje
f=26kHz
v=200rpm
M=35nN m
a2.5Vy1mN
Engranajedesalida
Ruedaparacentrado
RotordeCuBe
Obleadesilicioconmembrana
bl d l
b
micromecanizada (t=20m,=4mm)
FRONTERAS
LminapiezoelctricaZnO oPb(Zr,Ti)O3/Pt
InstitutodeCiencia
LminasdePb(Zr,Ti)O3 enelMPBsobresustratosdePt/SiO2/Si
Denuevo,fuertesefectosdelminadelgada,concoeficientespiezoelctricos
significativamentemenoresqueenvolumen
Unprimerefecto:disminucindeloscoeficientesefectivosporlalimitacindeladeformacin
i
f
di i i d l
fi i
f i
l li i i d l d f
i
enelplanodelalmina(porelsustrato)
Deteccin,,
E
D3 = d 31 1 + d 31 2 + d 33 3 + 33
3
Actuacin,
E
E
E
S3 = s13
1 + s13
2 + s33
3 + d 33 E 3
M d l
Modolongitudinal
it di l
E
E
E
S1 = s11
1 + s12
2 + s13
3 + d 31E 3 = 0
E
E
E
S2 = s12
1 + s11
2 + s13
3 + d 31E 3 = 0
E
S3
s13
=
= d 33 ,efec . = d 33 2d 31 E
E
3 E3
s11 + s12
D3
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Origendelosefectosdelminaenlapiezoelctricidad delPb(Zr,Ti)O3
Modotransversal
S
Deteccin,, D3 = e31S1 + e31S2 + e33 S3 + 33 E 3
E
E
E
Actuacin, 1 = c11
S1 + c12
S2 + c13
S3 + e31E 3
E
E
E
2 = c12
S1 + c11
S2 + c13
S3 + e31E 3
E
E
E
3 = c13
S1 + c13
S2 + c 33
S3 + e33 E 3 = 0
E
D3 1 , 2
c13
=
= e31 ,efec . = e31 e33 E
S1 ,2
E3
c 33
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Unsegundoefecto:limitacindelamovilidaddelasparedesferroelectricas/ferroelsticas
porlalimitacindeladeformacinenelplanodelalmina
Efectodescritoenlaconmutacindelapolarizacin:
Efecto
descrito en la conmutacin de la polarizacin: desplazamientosdelargoalcance
desplazamientos de largo alcance
Tambinlimitalosdesplazamientosdecortoalcance coeficientespiezoelctricos
LminasdePbZr0.52Ti0.48O3/Pt/Ti/SiO2/SipreparadasporCSD,conespesorde0.57.5m,
dimetro de grano (de columna) de 0 1 m,yorientaciones<111>y<100>
dimetrodegrano(decolumna)de0.1
m y orientaciones <111> y <100>
Estudiodelanolinealidaddelefectopiezoelctrico
Presenciadedominiosde90o,bsicamenteinmvilesconespesor<2m
Efectodediametro degrano(decolumna)
FRONTERAS
J.Appl.Phys.89 1336(2001);J.Am. Ceram.Soc.87 221 (2004)
InstitutodeCiencia
Unapuntesobrenolinealidadesenferroelctricos
ExistenciadeunrgimenRayleigh enelcoeficientepiezoelctrico
asociadoadesplazamientosirreversibles
d l
delasparedesdedominiosferroelctricos/ferroelsticos
d d d i i f
l t i /f
l ti
d 33 = d 33 o + E
Paredesmviles
Pb(Zr,Ti)O3
:Nb
Paredesinmviles
SrBi2Ta2O9
J.Appl.Phys.82 1788(1997)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Untercerefecto:posibledesaparicindelMPBentrelospolimorfosferroelctrico ytetragonal
LminasdePbZrxTi1xO3/Pt/Ti/SiO2/SipreparadasporCSD,conespesorde0.2m,
dimetrodegrano(decolumna)de0.1m,yorientacin<111>
Paredesinmviles
J.Appl.Phys.93 5568(2003)
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Teoria termodinmica
Elestadodeequilibriodelsistemavienedeterminadoporladeformacinpordesajustedered
Sm=(b*a
(b* ao)/ao
Lminas epitaxiales dePb(Zr,Ti)O3 conorientacin[100]
Phys.Rev.B67 054107(2003)
/Si?
/STO
<001>
MPB en
volumen
FRONTERAS
J.Appl.Phys.93 4091(2003),97 074101(2005)
InstitutodeCiencia
LminasdePb(Mg1/3Nb2/3)O3PbTiO3 enelMPBsobresustratosdePt/SiO2/Si
Estabilizacindelestadorelaxor dealtatemperaturaporunefectodetamaodecolumna
p
p
f
Esnecesarioconsiderarlosefectosdetamaojuntoalosdelsustratoenlminascolumnares opolicristalinas
0.70PMN-0.30PT
1 m
2000
E for the ceramics (kV mm-1)

-5
100
1500
10
1000
500
0.1
Dielectric lo
osses, tan
Relative perrmittivity, (xo)
Thin Film
01 1
0.1,
1, 10
10, 100
100, 1000 kH
kHz
0
Electric polarisa
E
ation, P (C cm
m-2)
0.5 micron
-3
Thin Film
Ceramics
20
-1
CGC
FGC
-20
0.01
300
350
400
450
500
550
Temperature, T (K)
JJ.Appl.Phys.89
Appl Phys 89 568
(2001)
568(2001)
J.Mater.Res.24 526(2009);J.Phys.D:Appl.Phys.43 205401(2010)
-50
-30
-10
10
30
50
-1
Electric field for the film, E (kV mm )
FRONTERAS
InstitutodeCiencia
Piezoelctricosentecnologasderadiofrecuenciasymicroondas
TecnologaLCCT(delinglslowtemperature cofired ceramics)
paracircuitosincrustados(embedded)
TecnologasSAWyBAW(delinglessurface/bulk acoustic wave)
enlminadelgada(piezoelctrica)
l
d l d (
l
)
FRONTERAS
J.Am. Ceram.Soc.89 2063(2006)
InstitutodeCiencia
Piezoelctricosentecnologasderadiofrecuenciasymicroondas
Piezoelctricosenresonancia
E
Enuncomponentepiezoelctrico,esposibleexcitarresonanciasmecnicasconuncampoelctrico
t i
l t i
ibl
it
i
i
l t i
Basedelasaplicacionesdetransduccinelectromecnica:
generacinydeteccindeultrasonidos,yacsticasubmarina
Cadaresonanciamecnicallevaasociadaunaresonanciaelctrica
Basedelasaplicacionesentecnologasderadiofrecuencias:filtrosSAW
Nichodecristales(deLiNbO3 yLiTaO3)
Miniaturizacin de los dispositivos y tecnologas de microondas:
Miniaturizacindelosdispositivosytecnologasdemicroondas:
filtrosBAW
conductancce, G (siemens)
Nichodelminasdelgadasdepiezoelctricosnoferroelctricos
AlN yZnO
Orientacinindispensable
Resonanciaenespesordeundiscode500men4MHz(ft1)
215GHzenelrangodelam
J.Appl.Phys.100 051606(2006)
0
3900
4000
4100
4200
FRONTERAS
frequency, f (kHz)
InstitutodeCiencia

Piezoelectricos Dif

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4.

El efecto piroelctrico eslageneracindeundesplazamientoelctrico

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Incl endo transformacin parcial de na fase en otra

Ni2+ oFe3+ ensitioB

Appl.Phys.Lett.78 2551(2001);J.Am. Ceram.Soc.88 312(2005)

Sntesis de partculas anisomtricas deperovskitas:tecnologallaveparalascermicastexturadas

BaBi 4Ti 4O15 + BaCO3 2BaTiO3 + 2Bi 2O3 + CO2

Waste Electrical andElectronic Equipment

Cermicastexturadas porTGGmuestrancoeficientespiezoelctricosd33 de400pC N1

J.Am. Ceram.Soc.92 1153(2009);J.Electroceram.19 111(2007)

0.75 < t < 1 , t =

J.Am. Ceram.Soc.92 1153(2009)

Solucionesslidasdetipoperovskita BiMO3PbTiO3 conMPB,yaltaTdeCurie

Chem Mater.19 4982(2007)

Estructuratipopalanca: d31 (L/t)2 V

Masa inercial y de carga

E for the ceramics (kV mm-1)

Relative perrmittivity, (xo)

Electric field for the film, E (kV mm )

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