Universidad Nacional de Colombia. Quica Daniel, Castiblanco Manuel. Simulaciones segundo trabajo.

25441140, 25441187.

Informe Transistores
- Simulaciones
MOSFET
Abstract Respective simulation and analysis of exercises as

Quica Porras Daniel Felipe,

{dfquicap,
Castiblanco
mscastiblancon}@unal.edu.co
Navas Manuel Sebastin
Universidad Nacional de Colombia

work focused on the analysis of MOSFET transistors, either

NMOS or PMOS type, the simulations show were made in the
Orcad PSpice software is performed.
ResumenSe realizar la simulacin y anlisis respectivo de
los ejercicios propuestos como trabajo, enfocado en el anlisis de
los transistores MOSFET, ya sea de tipo NMOS o PMOS, las
simulaciones que se mostrarn fueron hechas en el software
Orcad PSpice.
Palabras
ClaveTransistor,
MOSFET,
NMOSFET,
PMOSFET, saturacin.

I.

B. Ejercicio 4.43
En las imgenes que se encuentran a continuacin se observan
las simulaciones correspondientes a cada ejercicio en las
cuales se observan las tensiones etiquetadas, bajo las
siguientes condiciones en cada dispositivo NMOS: Vt = 1V y
Kn = 0.4 mA/V2 y = 0.

INTRODUCCIN

En el siguiente informe se presentaran las imulaciones echas

respecto a ejercicios que contenan NMOS y PMOS en sus
topologas, adems de eso se compararan los resultados
obtenidos en el trabajo escrito que viene adjunto a este
informe.

II. RESULTADOS ESPERADOS

A continuacin se encontraran las simulaciones respectivas a
cada ejercicio.

A. Ejercicio 4.42
En estos ejercicios se deba encontrar los voltajes etiquetados,
adems de esto encontrar la resistencia apropiada que
reemplace a la fuente de corriente para que fluya la misma
corriente que la misma suministra.
En las siguientes imgenes se puede apreciar las simulaciones
para cada ejercicio, las cuales incluyen los voltajes etiquetados
y la resistencia que tiene el mismo rendimiento que la fuente
de corriente.
Imagen 1: Simulacin ejercicio 4.42 - a
Imagen 2: Simulacin ejercicio 4.42 - b
Imagen 3: Simulacin ejercicio 4.42 - c
Imagen 4: Simulacin Ejercicio 4.42 - d

Imagen 5: Simulacin ejercicio 4.43 a

Imagen 6: Simulacin ejercicio 4.43 b
Imagen 7: Simulacin ejercicio 4.43 c

Imagen 8: Simulacin ejercicio 4.43 d

Imagen 9: Simulacin ejercicio 4.43 e

Universidad Nacional de Colombia. Quica Daniel, Castiblanco Manuel. Simulaciones segundo trabajo.
25441140, 25441187.

transistores NMOS, los cuales tienen las siguientes

caractersticas: Vt = 1V y Kn = 2mA/V2 y = 0.
Imagen 13: Simulacin ejercicio 4.44 a

Imagen 10: Simulacin ejercicio 4.43 - f

Imagen 14: Simulacin ejercicio 4.44 - b

III. ANLISIS DE RESULTADOS

Imagen 11: Simulacin ejercicio 4.43 g

Imagen 12: Simulacin ejercicio 4.43 h

C. Ejercicio 4.4
En este ejercicio para cada circuito mostrado se deba
encontrar el voltaje de nodo etiquetado para cada circuito con

Para el ejercicio 4.42, los literales a, c y d con sus respectivos

puntos a desarrollar a y b, imagen 1,3 y 4, las simulaciones
dieron iguales a los resultados tericos, para el punto b existen
discrepancias casi que imperceptibles, pero se puede decir que
se atribuyen a errores de truncamiento para los clculos
tericos. Para el literal b, imagen 2, las simulaciones muestran
que no hay flujo de corriente a travs del MOSFET, NMOS
para el simulador dicho transistor a las caractersticas
planteadas, se encuentra en zona de corte; segn lo calculado
en papel, lo anterior ocurre s Vgs = 0.58v, la tensin no logra
abrir el canal, el simulador puede haber tomado dicho valor
para que no se viera flujo de corriente en el transistor de la
imagen 2.
Para el ejercicio 4.43, los literales a, b, c, d y e, con sus
respectiva imagen, 5, 6, 7, 8, 9. Los resultados calculados son
exactamente iguales a los datos que el simulador genera y
muestra, se usa la misma cantidad de cifras significativas. Para
el caso de los literales f, g y h se tiene ciertas diferencias de

Universidad Nacional de Colombia. Quica Daniel, Castiblanco Manuel. Simulaciones segundo trabajo.
25441140, 25441187.
los valores calculados que son: V6=1.4v, V7=3.6234v y V8=1.43v. Cuya simulacin resulta con: V6=1.423v, V7=3.624v y
V8=-1.423v. Pese a que no signifique mucho, hay cierta
diferencia que apunta a otro error de truncamiento
probablemente generado por la calculadora de la parte
realizada a mano.
Para el ejercicio 4.44 tanto el literal a como el b, discrepan de
los resultados de la simulacin pero como tal son muy
parecidos el error de truncamiento no es mayor al 10% dado
que las tensiones calculadas fueron: V1=2.44v, V2=-2.56v,
V3=7.55, V4=5v y V5=2.45v y los simulados fueron:
V1=2.438v, V2=-2.562v, V3=7.562, V4=5v y V5=2.438v. Ya
como se puede evidenciar las pequeas diferencias se deben a
la mayor precisin de los valores arrojados por el simulador,
dado que este tiene la posibilidad de iterar en las ecuaciones
un mayor nmero de veces, reduciendo el error cada que se
hace esto.

IV. CONCLUSIN
Para este trabajo es importante identificar que la polarizacin
en DC de los MOSFET es algo que siempre se da en trminos

de 4 variables; tensin en source, gate, drain y la corriente de

operacin del transistor. Se identific que lo que busca la
polarizacin DC es lograr fijar el transistor MOSFET, ya sea
NMOS o PMOS, en una zona de operacin de saturacin,
donde segn su configuracin para pequea seal, como
determinar los parmetros de amplificacin para que todo
funcione donde debe ser. Adems como se menciona
anteriormente las variables que siempre se necesitan tener en
cuenta, las podemos obtener, si es que necesario, mediante
ciertas ecuaciones que me facilitan al acceso a los valores en
cuestin. Finalmente la mayor complicacin que se puede
tener al realizar problemas de este tipo es, despejar de manera
adecuada la ecuacin cuadrtica y encontrar sus soluciones,
escoger de las dos cul es la adecuada, la que en la mayora de
veces cumple el saturacin del transistor.

V. REFERENCIAS
[1] Adel S. Sedra Kenneth C. Smith, pags. 364-365
Microelectronic Circuits, Fifth Edition.
[2] Parmetros MOSFET para modelo OrCAD PSpice,
disponible en: http:// navarjona. blogspot.com /2014/03/
parmetros mosfet-nmos-pmos.html
[3] Ejercicios en manuscrito- Sedra. A. seccin 4.2: Circuitos
MOSFET en DC. 4.42-4.44.