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Universidad Nacional de Colombia. Quica Daniel, Castiblanco Manuel. Simulaciones segundo trabajo.

25441140, 25441187.

Informe - Simulaciones
Transistores MOSFET
Quica Porras Daniel Felipe, Castiblanco Navas Manuel Sebastin
{dfquicap, mscastiblancon}@unal.edu.co
Universidad Nacional de Colombia
Abstract Respective simulation and analysis of exercises as
work focused on the analysis of MOSFET transistors, either
NMOS or PMOS type, the simulations show were made in the
Orcad PSpice software is performed.
ResumenSe realizar la simulacin y anlisis respectivo de
los ejercicios propuestos como trabajo, enfocado en el anlisis de
los transistores MOSFET, ya sea de tipo NMOS o PMOS, las
simulaciones que se mostrarn fueron hechas en el software Orcad
PSpice.
Palabras
ClaveTransistor,
MOSFET,
NMOSFET,
PMOSFET, saturacin.

I. INTRODUCCIN
En el siguiente informe se presentaran las imulaciones echas
respecto a ejercicios que contenan NMOS y PMOS en sus
topologas, adems de eso se compararan los resultados
obtenidos en el trabajo escrito que viene adjunto a este informe.

Imagen 2: Simulacin ejercicio 4.42 - b

II. RESULTADOS ESPERADOS


A continuacin se encontraran las simulaciones respectivas a
cada ejercicio.

A. Ejercicio 4.42
En estos ejercicios se deba encontrar los voltajes etiquetados,
adems de esto encontrar la resistencia apropiada que
reemplace a la fuente de corriente para que fluya la misma
corriente que la misma suministra.
En las siguientes imgenes se puede apreciar las simulaciones
para cada ejercicio, las cuales incluyen los voltajes etiquetados
y la resistencia que tiene el mismo rendimiento que la fuente de
corriente.

Imagen 1: Simulacin ejercicio 4.42 - a

Imagen 3: Simulacin ejercicio 4.42 - c

Imagen 4: Simulacin Ejercicio 4.42 - d

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B. Ejercicio 4.43
En las imgenes que se encuentran a continuacin se observan
las simulaciones correspondientes a cada ejercicio en las cuales
se observan las tensiones etiquetadas, bajo las siguientes
condiciones en cada dispositivo NMOS: Vt = 1V y Kn = 0.4
mA/V2 y = 0.

Imagen 8: Simulacin ejercicio 4.43 d

Imagen 5: Simulacin ejercicio 4.43 a

Imagen 9: Simulacin ejercicio 4.43 e

Imagen 6: Simulacin ejercicio 4.43 b

Imagen 10: Simulacin ejercicio 4.43 - f


Imagen 7: Simulacin ejercicio 4.43 c

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Imagen 11: Simulacin ejercicio 4.43 g

Imagen 14: Simulacin ejercicio 4.44 - b

III. ANLISIS DE RESULTADOS


Para el ejercicio 4.42, los literales a, c y d con sus respectivos
puntos a desarrollar a y b, imagen 1,3 y 4, las simulaciones
dieron iguales a los resultados tericos, para el punto b existen
discrepancias casi que imperceptibles, pero se puede decir que
se atribuyen a errores de truncamiento para los clculos
tericos. Para el literal b, imagen 2, las simulaciones muestran
que no hay flujo de corriente a travs del MOSFET, NMOS para
el simulador dicho transistor a las caractersticas planteadas, se
encuentra en zona de corte; segn lo calculado en papel, lo
anterior ocurre s Vgs = 0.58v, la tensin no logra abrir el canal,
el simulador puede haber tomado dicho valor para que no se
viera flujo de corriente en el transistor de la imagen 2.
Imagen 12: Simulacin ejercicio 4.43 h

C. Ejercicio 4.4
En este ejercicio para cada circuito mostrado se deba encontrar
el voltaje de nodo etiquetado para cada circuito con transistores
NMOS, los cuales tienen las siguientes caractersticas: Vt = 1V
y Kn = 2mA/V2 y = 0.

Para el ejercicio 4.43, los literales a, b, c, d y e, con sus


respectiva imagen, 5, 6, 7, 8, 9. Los resultados calculados son
exactamente iguales a los datos que el simulador genera y
muestra, se usa la misma cantidad de cifras significativas. Para
el caso de los literales f, g y h se tiene ciertas diferencias de los
valores calculados que son: V6=1.4v, V7=3.6234v y V8=1.43v. Cuya simulacin resulta con: V6=1.423v, V7=3.624v y
V8=-1.423v. Pese a que no signifique mucho, hay cierta
diferencia que apunta a otro error de truncamiento
probablemente generado por la calculadora de la parte realizada
a mano.
Para el ejercicio 4.44 tanto el literal a como el b, discrepan de
los resultados de la simulacin pero como tal son muy parecidos
el error de truncamiento no es mayor al 10% dado que las
tensiones calculadas fueron: V1=2.44v, V2=-2.56v, V3=7.55,
V4=5v y V5=2.45v y los simulados fueron: V1=2.438v, V2=2.562v, V3=7.562, V4=5v y V5=2.438v. Ya como se puede
evidenciar las pequeas diferencias se deben a la mayor
precisin de los valores arrojados por el simulador, dado que
este tiene la posibilidad de iterar en las ecuaciones un mayor
nmero de veces, reduciendo el error cada que se hace esto.

Imagen 13: Simulacin ejercicio 4.44 a

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IV. CONCLUSIN
Para este trabajo es importante identificar que la polarizacin
en DC de los MOSFET es algo que siempre se da en trminos
de 4 variables; tensin en source, gate, drain y la corriente de
operacin del transistor. Se identific que lo que busca la
polarizacin DC es lograr fijar el transistor MOSFET, ya sea
NMOS o PMOS, en una zona de operacin de saturacin, donde
segn su configuracin para pequea seal, como determinar
los parmetros de amplificacin para que todo funcione donde
debe ser. Adems como se menciona anteriormente las
variables que siempre se necesitan tener en cuenta, las podemos
obtener, si es que necesario, mediante ciertas ecuaciones que
me facilitan al acceso a los valores en cuestin. Finalmente la
mayor complicacin que se puede tener al realizar problemas
de este tipo es, despejar de manera adecuada la ecuacin
cuadrtica y encontrar sus soluciones, escoger de las dos cul
es la adecuada, la que en la mayora de veces cumple el
saturacin del transistor.

V. REFERENCIAS
[1] Adel S. Sedra Kenneth C. Smith, pags. 364-365
Microelectronic Circuits, Fifth Edition.
[2] Parmetros MOSFET para modelo OrCAD PSpice,
disponible en: http:// navarjona. blogspot.com /2014/03/
parmetros mosfet-nmos-pmos.html
[3] Ejercicios en manuscrito- Sedra. A. seccin 4.2: Circuitos
MOSFET en DC. 4.42-4.44.