Tarea

Diodo emisor de luz y diodo laser
Ian Carlos Espinoza Santiago

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TAREA
DIODO EMISOR DE LUZ (LED):
1. Qu es?
LED viene de la sigla inglesa Light-Emitting Diode, que en espaol quiere
decir Diodo emisor de luz. Ahondando en la definicin, y por si no leyeron
nuestro artculo anterior, un diodo es un objeto que slo permite el paso de
corriente en una direccin. Es conductor si la corriente pasa a favor, y
aislante si intenta circular en contra.
El invento se ha masificado en los ltimos aos y por ello la mayor parte de
la gente cree que es una tecnologa nueva. Es cierto, los LEDs de hoy son
mucho ms avanzados que los originales, pero el principio cientfico detrs
de su funcionamiento proviene de la primera dcada del siglo XX. Se trata
de un fenmeno similar al que explica los Rayos X, mediante el cual la
variacin de energa en la estructura electrnica de un material provoca la
liberacin de esa energa en forma de radiacin electromagntica. A
diferencia de los rayos X, en este caso no hay tal cosa como un bombardeo
de electrones sino que existe un contacto directo entre el conductor y el
cristal semiconductor. Adems, el fotn emitido mediante este fenmeno
sale provisto de una frecuencia que lo ubica dentro del espectro de la luz
visible. Por eso se llama a esto Electroluminiscencia, y fue descubierta y
documentada por Henry Joseph Round en 1907, mientras trabajaba en
los Laboratorios Marconi, el mayor proveedor de equipos para la
radiotelegrafa en esa poca.
2. Smbolo Estructura:
Smbolo LED emisor de luz
Estructura:

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3.
OPERACIN
El funcionamiento normal consiste en que, en los materiales conductores,
un electrn, al pasar de la banda de conduccin a la de valencia,
pierde energa; esta energa perdida se manifiesta en forma de
un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria.
El que esa energa perdida, cuando pasa un electrn de la banda de
conduccin a la de valencia, se manifieste como un fotn desprendido o
como otra forma de energa (calor por ejemplo) depende principalmente del
tipo de material semiconductor. Cuando un diodo semiconductor se polariza
directamente, los huecos de la zona positiva se mueven hacia la zona
negativa y los electrones se mueven de la zona negativa hacia la zona
positiva; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que
circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse,
es decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos "cayendo"
desde un nivel energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso
emite con frecuencia un fotn en semiconductores de banda prohibida
directa [direct bandgap] con la energa correspondiente a su banda
prohibida (vase semiconductor). Esto no quiere decir que en los dems
semiconductores (semiconductores de banda prohibida indirecta [indirect
bandgap]) no se produzcan emisiones en forma de fotones; sin embargo,
estas emisiones son mucho ms probables en los semiconductores de
banda prohibida directa (como el nitruro de galio) que en los
semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).
La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos
los diodos y solo es visible en diodos como los ledes de luz visible, que
tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que
la radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y una energa de la
banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro visible. En
otros diodos, la energa se libera principalmente en forma
de calor, radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En el caso de que el

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diodo libere la energa en forma de radiacin ultravioleta, se puede
conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin visible
mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la
radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz
visible.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una
cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente
se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar
coloreado, es solo por razones estticas, ya que ello no influye en el color
de la luz emitida. Usualmente un led es una fuente de luz compuesta con
diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida
puede ser bastante complejo.
Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente
que atraviesa el led. Para ello hay que tener en cuenta que el voltaje de
operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est
relacionado con el material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la
gama de intensidades que debe circular por l vara segn su aplicacin.
Los valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un led corriente
estn comprendidos entre los 10 y los 40 mA. En general, los ledes suelen
tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que circula por ellos,
con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele buscar un
compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto ms
grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto
menor es la intensidad que circula por ellos). El primer LED que emita en el
espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick
Holonyak en 1962.
4. CARACTERISTICAS FUNDAMENTALES DEL DIODO:
Formas de determinar la polaridad de un LED de insercin
Existen tres formas principales de conocer la polaridad de un LED:
1. La pata ms larga siempre va a ser el nodo
2. En el lado del ctodo, la base del LED tiene un borde plano
3. Dentro del LED, la plaqueta indica el nodo. Se puede reconocer porque
es ms pequea que el yunque, que indica el ctodo
(Santiago, 03-07-2013)
Tiempo de encendido

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Los LEDs tienen la ventaja de poseer un tiempo de encendido muy corto
(aproximadamente en un cuarto de segundo) en comparacin con las
luminarias de alta potencia como lo son las luminarias de alta intensidad de
vapor de sodio, aditivos metlicos, halogenuro o halogenadas y dems
sistemas con tecnologa incandescente.
Desventajas
Segn un estudio reciente parece ser que los LEDs que emiten una
frecuencia de luz muy azul, pueden ser dainos para la vista y provocar
contaminacin lumnica.2 Los ledes con la potencia suficiente para la
iluminacin de interiores son relativamente caros y requieren una corriente
elctrica ms precisa, por su sistema electrnico para funcionar con voltaje
alterno, y requieren de disipadores de calor cada vez ms eficientes en
comparacin con las bombillas fluorescentes de potencia equiparable.
5. CURVAS DE P vs I o V vs I:

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6. EFECTO DE LA TEMPERATURA:
7. TIPOS DE LED :
8. APLICACIN ESPECIFICA:

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Los ledes en la actualidad se pueden acondicionar o incorporarse en un
porcentaje mayor al 90 % a todas las tecnologas de iluminacin actuales,
casas, oficinas, industrias, edificios, restaurantes, arenas, teatros, plazas
comerciales, gasolineras, calles y avenidas, estadios (en algunos casos por
las dimensiones del estadio no es posible porque quedaran espacios
obscuros), conciertos, discotecas, casinos, hoteles, carreteras, luces de
trfico o de semforos, sealizaciones viales, universidades, colegios,
escuelas, estacionamientos, aeropuertos, sistemas hbridos, celulares,
pantallas de casa o domsticas, monitores, cmaras de vigilancia,
supermercados, en transportes (bicicletas, motocicletas, automviles,
camiones triler, etc.), en linternas de mano, para crear pantallas
electrnicas de led (tanto informativas como publicitarias) y para cuestiones
arquitectnicas especiales o de arte culturales. Todas estas aplicaciones se
dan gracias a su diseo compacto.
Los diodos infrarrojos (IRED) se emplean desde mediados del siglo XX en
mandos a distancia de televisores, habindose generalizado su uso en
otros electrodomsticos como equipos de aire acondicionado, equipos de
msica, etc., y, en general, para aplicaciones de control remoto as como en
dispositivos detectores, adems de ser utilizados para transmitir datos entre
dispositivos electrnicos como en redes de computadoras y dispositivos
como telfonos mviles, computadoras de mano, aunque esta tecnologa de
transmisin de datos ha dado paso al bluetooth en los ltimos aos,
quedando casi obsoleta.
Los ledes se emplean con profusin en todo tipo de indicadores de estado
(encendido/apagado) en dispositivos de sealizacin (de trnsito, de
emergencia, etc.) y en paneles informativos (el mayor del mundo,
del NASDAQ, tiene 36,6 metros de altura y est en Times
Square,Manhattan). Tambin se emplean en el alumbrado de pantallas de
cristal lquido de telfonos mviles, calculadoras, agendas electrnicas, etc.,
as como en bicicletas y usos similares. Existen adems impresoras con
ledes.
El uso de ledes en el mbito de la iluminacin (incluyendo la sealizacin de
trfico) es moderado y es previsible que se incremente en el futuro, ya que
sus prestaciones son superiores a las de la lmpara incandescente y
la lmpara fluorescente, desde diversos puntos de vista. La iluminacin con
ledes presenta indudables ventajas: fiabilidad, mayor eficiencia energtica,
mayor resistencia a las vibraciones, mejor visin ante diversas
circunstancias de iluminacin, menor disipacin de energa, menor riesgo
para el medio ambiente, capacidad para operar de forma intermitente de
modo continuo, respuesta rpida, etc. Asimismo, con ledes se pueden

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producir luces de diferentes colores con un rendimiento luminoso elevado, a
diferencia de muchas de las lmparas utilizadas hasta ahora que tienen
filtros para lograr un efecto similar (lo que supone una reduccin de su
eficiencia energtica). Cabe destacar tambin que diversas pruebas
realizadas por importantes empresas y organismos han concluido que el
ahorro energtico vara entre el 70 y el 80 % respecto a la iluminacin
tradicional que se utiliza hasta ahora. 4 Todo ello pone de manifiesto las
numerosas ventajas que los ledes ofrecen en relacin al alumbrado pblico.
Los ledes de luz blanca son uno de los desarrollos ms recientes y pueden
considerarse como un intento muy bien fundamentado para sustituir
los focos o bombillas actuales (lmparas incandescentes) por dispositivos
mucho ms ventajosos. En la actualidad se dispone de tecnologa que
consume el 92 % menos que las lmparas incandescentes de uso domstico
comn y el 30 % menos que la mayora de las lmparas fluorescentes;
adems, estos ledes pueden durar hasta 20 aos y suponer el 200 % menos
de costos totales de propiedad si se comparan con las lmparas o tubos
fluorescentes convencionales.5 Estas caractersticas convierten a los ledes
de luz blanca en una alternativa muy prometedora para la iluminacin.
Tambin se utilizan en la emisin de seales de luz que se trasmiten a
travs de fibra ptica. Sin embargo esta aplicacin est en desuso ya que
actualmente se opta por tecnologa lser que focaliza ms las seales de
luz y permite un mayor alcance de la misma utilizando el mismo cable. Sin
embargo en los inicios de la fibra ptica eran usados por su escaso coste, ya
que suponan una gran ventaja frente al coaxial (an sin focalizar la emisin
de luz).
Pantalla de ledes: pantalla muy brillante formada por filas de ledes verdes,
azules y rojos ordenados segn la arquitectura RGB, controlados
individualmente para formar imgenes vivas muy brillantes, con un altsimo
nivel de contraste. Entre sus principales ventajas, frente a otras pantallas,
se encuentran: buen soporte de color, brillo extremadamente alto (lo que le
da la capacidad de ser completamente visible bajo la luz del sol), altsima
resistencia a impactos.
DIODO LASER O LASERES DE DIODO:
1. DEFINICION:
Todos los lseres de diodo estn construidos con materiales
semiconductores, y tienen las propiedades caractersticas de los diodos
elctricos. Por esta razn reciben nombres como :
Lseres de semiconductor - por los materiales que los componen
Lseres de diodo - ya que se componen de uniones p-n como un

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diodo
Lseres de inyeccin - ya que los electrones son inyectados en la
unin por el voltaje aplicado
La utilizacin tanto en I+D como comercial de los lseres de diodo ha
cambiado dramticamente en los ltimos 20 aos. Hoy en da el nmero
de lseres de diodo vendidos en unos aos se mide en millones,
mientras que todos los dems tipos de lser juntos se miden en millares.
De hecho, la familia actual de lseres de diodo es utilizada en productos
de alto consumo como: CD -Compact Discs, Impresoras Lser, Escner y
comunicaciones pticas.
El diodo lser fue inventado en tres laboratorios de investigacin en USA
de modo independiente. Los investigadores consiguieron radiacin
electromagntica coherente de un diodo de unin p-n en base al
material semiconductor Gas - Arsenuro de Galio.
Los Semiconductores
En general, los slidos pueden dividirse entre grupos:
Aislantes - Materiales que no son conductores de la electricidad como
cuarzo, diamante, goma o plstico
Conductores- Materiales que son conductores de la electricidad como
oro, plata, cobre
Semiconductores- Materiales con una conductividad elctrica intermedia
entre materiales conductores y no conductores
Ejemplos: Ge, Si, Gas, InP, Gas.
La conductividad de un semiconductor aumenta con la temperatura
(explicado ms tarde), contrariamente a lo que sucede con los
materiales metlicos, cuya conductividad disminuye con la temperatura
debido al aumento del nivel vibracional de los tomos.
Niveles energticos
En un gas, cada tomo o molcula est (bajo el punto de vista
energtico) a gran distancia de sus vecinos, con lo que puede
considerarse aislado.
Podemos considerar del mismo modo a unos pocos tomos de un
material (que actan como tomos de impurezas) que son aadidos a un
medio homogneo slido de otro material.

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En contraste con los niveles energticos separados existentes en un gas
o en un pequeo nmero de tomos de impurezas en un slido
homogneo, los electrones en un semiconductor estn en bandas
energticas, que, efectuando una simulacin, se componen de
agrupaciones de un gran nmero de niveles energticos por efectos
cunticos. Estas bandas de energa corresponden a todo el material, no
estando asociadas a un slo tomo. La anchura de la banda aumenta a
medida que decrece la distancia entre los tomos y aumenta la
interaccin entre ellos.
Las bandas energticas en un semiconductor pueden ser de dos tipos:
Banda de Valencia - Los electrones en una banda de valencia estn
ligados a los tomos del semiconductor.
Banda de Conduccin - Los electrones en una banda de conduccin
pueden moverse por el semiconductor.
La separacin entre la banda de valencia y la de conduccin se
denomina la Brecha de Energa, no existiendo ningn nivel energtico
posible dentro de sta zona. Si un electrn de la banda de valencia
consigue suficiente energa, puede " saltar " la brecha de energa para
introducirse en la banda conductora. (Ver figura 6.19a)
Las bandas de energa llenas son aquellos niveles energticos de los
electrones internos, ligados al tomo, que no participan en los enlaces
entre los tomos del slido. Para que un slido conduzca la electricidad,
los electrones necesitan moverse en el slido.
En un aislante - la banda de valencia est llena de electrones, con lo que
los electrones no pueden moverse dentro de la banda. Para que exista
una conduccin de electricidad, los electrones de la banda de valencia
deben pasar a la banda de conduccin. En consecuencia, debe
suministrarse una energa superior a la brecha de energa a los
electrones de la banda de valencia, a fin de conseguir su transferencia a
la banda de conduccin. Como la brecha de energa es grande, sta
evita el paso, y en consecuencia, los aislantes son poco conductores
La estructura de los niveles energticos de un aislante pueden verse en
la figura 6.19a.

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Figura 6.19a: Niveles energticos de un aislante

En un conductor - (metal) Las bandas de valencia y de conduccin se
sobreponen, por lo que en la prctica la brecha de energa es nula. En
consecuencia, los electrones necesitan muy poca energa para pasar a la
banda de conduccin y conducir la electricidad.
La estructura de los niveles energticos de un conductor pueden verse
en la figura 6.19b
Figura 6.19b: Niveles energticos de un conductor

En un semiconductor - la brecha de energa es muy pequea, por lo que
se requiere muy poca energa para transferir los electrones de la banda
de valencia a la de conduccin. Hasta la temperatura ambiente
proporciona la energa suficiente. Aumentando la temperatura, ms y
ms electrones sern transferidos a la banda de conduccin. En
consecuencia aumenta la conductividad con la temperatura.
La estructura de los niveles energticos de un semiconductor puede
verse en la figura 6.20.

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Figura 6.20: Niveles energticos de un semiconductor>

Cuando se transfiere un electrn de la banda de valencia a la de
conduccin, se crea un " agujero " en la banda de valencia. Estos "
agujeros " se comportan como cargas positivas que se mueven por la
banda de valencia como consecuencia de aplicar un voltaje. En el
proceso de la conduccin elctrica participan tanto los electrones que
estn en la banda de conduccin como los " agujeros positivos " que
permanecen en la banda de valencia originados por el " salto " de
electrones a la banda de conduccin.
A fin de controlar el tipo y densidad de los " portadores " de carga en un
semiconductor, se aaden impurezas con un nmero extra de "
portadores " de carga al semiconductor. Los tomos de estas impurezas
son elctricamente neutros.
Las Impurezas
En un material semiconductor " puro , la estructura de las bandas y la
brecha de energa estn determinadas por el propio material. Aadiendo
otro material con portadores de carga, aparecen niveles de energa
adicionales dentro de la brecha (ver figura 6.21).
Si la impureza contiene ms electrones que el propio material
semiconductor puro, los portadores de carga aadidos son negativos
(electrones), y el material se denomina " semiconductor de tipo n. En
este tipo de materiales aparecen niveles energticos adicionales muy
cercanos a la banda de conduccin, con lo que es suficiente con un
aporte pequeo de energa para hacerlos saltar a la banda de
conduccin, de modo que tenemos ms portadores de carga libres para
conducir la electricidad.

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Si la impureza contiene menos electrones que el material semiconductor,
los niveles energticos extras aparecen cerca de la banda de valencia.
Los electrones de la banda de valencia pueden saltar a estos niveles
fcilmente, dejando atrs " agujeros positivos. Este tipo de material se
denomina " semiconductor de tipo p
En la figura 6.21 se describe la influencia de la adicin de impurezas en
la anchura de las bandas de energa
Figura 6.21: Niveles energticos de un semiconductor

El proceso Laser en un Laser de Semiconductor
Cuando unimos un semiconductor tipo "p" a otro tipo "n, obtenemos
una " unin p-n
Esta unin p-n conduce la electricidad en una direccin preferente (hacia
adelante). Este aumento direccional de la conductividad es un
mecanismo comn en todos los diodos y transistores utilizados en la
electrnica. Y es la base del proceso lser que tiene lugar entre las
bandas de energa de la unin.
La Figura 6.22 muestra las bandas de energa ideales de una unin p-n,
sin aplicar un voltaje externo.
Figura 6.22: Niveles de energa de una unin p-n sin voltaje aplicado

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El nivel mximo de energa ocupado por electrones se denomina Nivel de
Fermi.
Cuando se conecta el polo positivo de un voltaje a la cara p de la unin
p-n, y el negativo a la cara n, se establece un flujo de corriente a travs
de la unin p-n. Esta conexin se denomina Voltaje dirigido hacia
adelante o positivo. Si se conecta con la polaridad inversa (polo + a la
cara "n" y polo - a la cara "p) se denomina Voltaje dirigido hacia atrs o
negativo; ste causa un aumento de la barrera de potencial existente
entre las partes p y n, con lo que evita el paso de la corriente a travs de
la unin.
Aplicando un voltaje en una unin p-n

Cuando se aplica un voltaje a travs de una unin p-n, la poblacin de
las bandas de energa cambia.
El voltaje puede ser aplicado de dos formas o configuraciones posibles:
1. Voltaje positivo o hacia adelante - significa que el polo negativo del
voltaje es aplicado a la cara "n" de la unin, y el polo positivo a la
cara "p, como se muestra en la figura 6.23:
Figura 6.23: Bandas de energa de una unin p-n cuando se le aplica un

voltaje positivo
El voltaje hacia adelante o positivo crea portadores extra en la unin,
reduciendo la barrera de potencial, y origina la inyeccin de portadores
de carga, a travs de la unin, al otro lado.
Cuando un electrn de la banda de conduccin en el lado "n" es
inyectado a travs de la unin a un " agujero " vaco en la banda de
valencia del lado "p, tiene lugar un proceso de recombinacin (electrn
+ agujero), y se libera energa
En los diodos lser, nuestro inters se concentra en los casos especficos
en que la energa es liberada en forma de radiacin lser. Se produce un
fuerte aumento de la conductividad cuando el voltaje positivo es
aproximadamente igual a la brecha de energa del semiconductor.

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.Voltaje negativo o hacia atrs - causa un aumento de la barrera de
potencial, disminuyendo la posibilidad de que los electrones salten al
otro lado. Aumentando el voltaje negativo a valores altos (dcimas de
voltio), se puede obtener un colapso del voltaje de la unin (avalancha)
La construccin de un Diodo Lser
Se ensea la estructura bsica en capas de un lser de diodo simple en
la figura 6.24.
Las capas de los materiales semiconductores estn dispuestas de modo
que se crea una regin activa en la unin p-n, y en la que aparecen
fotones como consecuencia del proceso de recombinacin. Una capa
metlica superpuesta a las caras superior e inferior permite aplicar un
voltaje externo al lser. Las caras del semiconductor cristalino estn
cortadas de forma que se comportan como espejos de la cavidad ptica
resonante.
Figura 6.24: Estructura bsica de un lser de diodo
La Figura 6.25 describe la forma en que la radiacin lser

electromagntica es emitida para un lser simple de diodo. La radiacin
lser tiene forma rectangular y se difunde a diferentes ngulos en dos
direcciones.

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Figura 6.25: Perfil de la radiacin lser emitida por un diodo lser simple
Ms tarde describiremos unas estructuras y diseos especiales que
permiten confinar las zonas activas en una regin ms pequea, y
controlar as el perfil del haz lser conseguido.
Sumario de los Lseres de Diodo hasta ste punto:
Los portadores de carga en un lser de diodo son los electrones
libres en la banda de conduccin, y los agujeros positivos en la
banda de valencia.
En la unin p-n, los electrones "caen" en los agujeros, que
corresponden a niveles de energa ms bajos
El flujo de corriente a travs de la unin p-n del lser de diodo
ocasiona que ambos tipos de portadores (agujeros y electrones)
se recombinen, siendo liberada energa en forma de fotones de
luz.
La energa de un fotn es aproximadamente igual a la de la
brecha de energa.
La brecha de energa viene determinada por los materiales que
componen el diodo lser y por su estructura cristalina.
Curva I-V de un Diodo Lser
Si la condicin requerida para la accin lser de inversin de poblacin
no existe, los fotones sern emitidos por emisin espontnea. Los
fotones sern emitidos aleatoriamente en todas las direcciones, siendo
sta la base de los LED - diodo emisor de luz.
La inversin de poblacin slo se consigue con un bombeo externo.
Aumentando la intensidad de la corriente aplicada a la unin p-n, se
alcanza el umbral de corriente necesario para conseguir la inversin de
poblacin.

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En la figura 6.26 se muestra un ejemplo de la potencia emitida por un
diodo lser en funcin de la corriente aplicada. Se aprecia enseguida que
la pendiente correspondiente a la accin lser es mucho mayor que la
correspondiente a una red.
Figura 6.26: Potencia de emisin de un diodo lser en funcin de la

corriente aplicada.
El umbral e corriente para el efecto lser viene determinado por la
interseccin de la tangente de la curva con el eje X que indica la
corriente (esta es una buena aproximacin) Cuando el umbral de
corriente es bajo, se disipa menos energa en forma de calor, con lo que
la eficiencia del lser aumenta. En la prctica, el parmetro importante
es la densidad de corriente, medida en A/cm2, de la seccin transversal
de la unin p-n.
Dependencia de los parmetros del diodo lser de la
temperatura
Uno de los problemas bsicos de los diodos lser es el aumento del
umbral de corriente con la temperatura. Los operativos a bajas
temperaturas requieren bajas corrientes. A medida que la corriente fluye
por el diodo, se genera calor. Si la disipacin no es la adecuada, la
temperatura aumenta, con lo que aumenta tambin el umbral de
corriente.
Adems, los cambios en temperatura afectan a la longitud de onda
emitida por el diodo lser. Este cambio se ilustra en la figura 6.27. , y se
compone de dos partes:
1. Un aumento gradual de la longitud de onda emitida proporcional al
aumento de temperatura, hasta que:
2. Se produce un salto a otro modo longitudinal de emisin

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Figura 6.27: cambio de la longitud de onda emitida en funcin de la

temperatura
Debido a estas variaciones con la temperatura, se necesitan diseos
especiales para poder conseguir una emisin continua de alta potencia.
Confinamiento de la luz dentro de la zona activa
Un factor importante en la construccin de un diodo lser es el
confinamiento de la luz dentro del rea activa. Dicho confinamiento se
acompaa por la deposicin de distintos materiales cerca de la zona
activa. En consecuencia, la primera clasificacin de los lseres de diodo
considera los tipos de estructura cercanos a la zona activa (ver fig. 6.28)
El nombre de cada grupo o familia viene dado por el tipo de materiales
existentes cerca de la capa activa:
Homojunction laser - Lser de unin homognea - Todo el lser est
constituido por un mismo material, normalmente Gas - Arsenuro de
Galio. En este tipo de estructura simple, los fotones emitidos no estn
confinados en direcciones perpendiculares al eje del lser, con lo que su
eficiencia es muy baja.
Single Heterostructure - Estructura heterognea simple - En un lado de la
capa activa existe otro material con una brecha de energa diferente.
Esta diversidad de brechas de energa motiva un cambio en el ndice de
refraccin de los materiales, de modo que se pueden construir
estructuras en gua de ondas que confinan a los fotones en un rea
determinada. Normalmente, la segunda capa es de un material similar al
de la primera, solo que con un ndice de refraccin menor.
Ejemplo: El Gas - Arsenuro de Galio - y el Gas - Arsenuro de Galio
Aluminio - son materiales prximos utilizados habitualmente.

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Double Heterostructure - Estructura heterognea doble - Un material
distinto se coloca a ambos lados de la capa activa, con un ndice de
refraccin menor (mayor brecha de energa). Este tipo de estructuras
confinan la luz dentro de la capa activa, por lo que son ms eficientes.
Ejemplo: Capa activa de Gas confinada entre dos capas de Gas.
Distintas Estructuras de los Diodos Lser
Hoy en da una estructura habitual es una tira estrecha de la capa activa
(Stripe Geometry - Geometra en tiras), confinada por todos los lados
(tanto por los lados como por arriba y abajo) con otro material. Esta
familia de lseres se denomina Index Guided Lasers - Lseres orientados
al ndice
En la figura 6.28 se detallan distintas estructuras de confinamiento
utilizadas.
Figura 6.28: Ejemplos de distintos tipos de estructura de confinamiento
Diodos Lser orientado a Ganancia - Gain Guided
Aislando los electrodos metlicos en las partes superior e inferior, se
limita la zona por donde pasa la corriente. Como resultado, la inversin

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de poblacin slo tiene lugar en la zona especfica por donde pasa la
corriente.
Un ejemplo est en la figura 6-28 (ltima figura), en donde un electrodo
de tira delgada se sobrepone al material lser. La corriente limita el rea
en la zona activa en donde puede existir el efecto de amplificacin, y
sta slo podr existir en sta zona.
Las ventajas de este tipo de lseres de diodo son:
1. Fciles de producir
2. Es relativamente fcil conseguir una potencia alta, ya que al aumentar
la corriente aumenta la zona activa
Las desventajas son:
1.La calidad del haz obtenido es menor que con los orientados al
ndice.
2. Es ms difcil conseguir una emisin estable en frecuencia simple.
Monturas de los Lser de Diodo
Se requieren monturas especiales para los lseres de diodo, debido a su

tamao miniaturizado, para poder ser operativos y cmodos. Existen
muchos tipos de monturas, pero quizs el ms estndar es similar a un
transistor, e incluye en la montura las pticas necesarias para colimar el
haz (ver figura 6.29)
Figura 6.29a: Montura de un lser de diodo comercial

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Figura 6.29b: Seccin perpendicular

Para poder obtener ms potencia de los lseres de diodo, se han
desarrollado matrices de diodos lser, que emiten sincronizada mente, y
que estn pticamente acoplados, de modo que se alcanzan las dcimas
de vatio.
Ventajas de los diodos lser
Son muy eficientes ( ms del 20% de la energa suministrada se

consigue en forma de radiacin lser )
Son muy fiables
Tienen vidas medias muy largas (estimadas en ms de 100 aos

de operacin continuada!).
Son muy baratos ( se construyen con tcnicas de produccin en

masa utilizadas en la industria electrnica )
Permiten la modulacin directa de la radiacin emitida,

simplemente controlando la corriente elctrica a travs de la
unin p-n. La radiacin emitida es funcin lineal de la corriente,
pudindose modular a dcimas de GHz.
Ejemplo: En un sistema experimental, y utilizando fibras pticas
de modo simple, se transmite informacin a 4 [GHz], lo que es
equivalente a la emisin simultnea de 50,000 llamadas
telefnicas en una fibra (cada llamada ocupa una banda de
frecuencia de 64 [KB/s]).
Volumen y peso pequeos
Umbral de corriente muy bajo

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Consumo de energa muy bajo

Banda del espectro estrecha , que puede llegar a ser de unos
pocos kilo-Herz en diodos lser especiales
Cavidades pticas especiales en los diodos lser
La cavidad ptica ms simple es la creada al pulir los extremos del

cristal de semiconductor del que se compone el lser. El pulido crea un
plano perpendicular al plano del medio activo, de modo que es
perpendicular al eje del lser.
Debido al alto ndice de refraccin (n 3.6) de los materiales utilizados,
la reflexin de la cara pulida es de aproximadamente el 30%. Es posible
cambiar esta reflexin utilizando tcnicas de metalizado en capas. Un
tipo de capa es el 100% reflectante en uno de los lados del diodo lser.
En algn tipo de lser, las prdidas que atraviesan la capa trasera son
utilizadas para controlar la potencia emitida por la parte delantera,
obtenindose una retro-alimentacin en tiempo real.
Un tipo distinto y ms complicado puede fabricarse integrando una red
de difraccin cerca de la capa activa del lser. Existen dos tipos de
estructura que utilizan redes de difraccin en vez de capa espejada en
un extremo de la cavidad (ver figura 6.30):
1. DFB = Distributed FeedBack Laser - - Retroalimentacin distribuida - la
red de difraccin se distribuye a lo largo de todo el medio activo. La
longitud de onda de la red determina la longitud de onda emitida por el
lser, en una lnea muy fina del espectro.
2. DBR = Distributed Bragg Reflector - Reflector de Bragg distribuido - la
red de difraccin est fuera de la zona activa, en donde no circula
corriente (parte pasiva de la cavidad)

22
Figura 6.30: Cavidades pticas especiales utilizadas para obtener lneas de

emisin estrechas
Diodos lser Acoplados
Existen tambin estructuras especiales en donde dos lseres se acoplan
pticamente. La radiacin emitida por el primer lser es transferida al
segundo, que es controlado por otra fuente de alimentacin. Un ejemplo
puede verse en la figura 6.31
Figura 6.31: Lser de diodo con acoplamiento ptico

23

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Volumen y peso pequeos

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