UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA.

PRCTICA # 7: TRANSISTORES EN
CONMUTACIN.
Christian Legarda.
clegarda@est.ups.edu.ec

Pedro Pineda.
ppineda@est.ups.edu.ec

Henry Siguenza.
Franco Pinos.
hsiguenza@est.ups.edu.ec fpinosv@est.ups.edu.ec
Electrnica de Potencia I
Sede-Cuenca

AbstractThis paper aims to analyze the role of switching

mode transistors, also own carataresitica to analyze each of
the power transistors, such as support to high intentions and
currents, currents tambn their discipar.
H
ResumenEn este documento se pretende analizar la funcin
de los transistores en mode de conmutacin, tambin para
analizar cada carataresitica propia de los transistores de potencia,
como el soporte a altas tenciones y corrientes, como tambn sus
corrientes a discipar.
Index TermsConmutacin, Potencia, Transistores.

I. INTRODUCCIN
El laboratorio de Electrnica Potencia I, es un lugar donde
se comprueba la validez argumentada en las clases expuestas
por parte del profesor sobre el tema a aplicar.
Este aspecto implica, que debemos reconocer tericamente y
analticamente los transistores en conmutacin y sus diferentes
configuraciones, para as proceder al anlisis de los circuitos
con el uso de los dems dispositivos que lo complementan,
para ser utilizados en la prctica, con el fin de llevar a cabo
de la forma ms concreta y correcta posible. Cuyo fin es
dar a conocer los resultados obtenidos tras la comprobacin
de los circuitos planteados, ya que la metodologa utilizada
para el diseo fue mediante los parmetros establecidos en
los objetivos y que fue puesta en marcha con todos los
conocimientos establecidos conforme se lleva la materia.

III. MARCO TERICO

A. TRANSISTORES DE POTENCIA
Este tipo de dispositivo tiene la caraterstica de poder
controlar tanto su encendido como su apagado, mientras los
que trabajan en conmutacin, son capaces de trabajar en la
zona de saturacin, produciendo por ende una pequea cada
de voltaje en el estado de encendido.
Pero se debe tomar en cuenta que la velocidad de conmutacin es mucho mayor que de los tiristores.

B. TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

Como se puede observar en la figura 1., este tipo de
dipositivo se forma al agregar una segunda regin n o p, a
un diodo de union pn, teniendo asi los transistrores pnp y
npn.

II. OBJETIVOS
A. GENERAL

Comprobar el funcionamientos de los transistores en

conmutacin.
Figure 1. Transistor Bipolar

B. ESPECFICOS
1) Analizar el comportamiento de los transistores de potencia.
2) Calcular todas los factores inmersos en los circuitos.
3) Obtener las ondas de voltaje y corriente.

Cuyas configuraciones son tres, como, la de los trasistores

normales es decir: Base comn, Colector Comn y Emisor
Comn siendo este ultimo el ms utilizado para aplicaciones
de conmutacin, como se puede observar en la figura 2.

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Table I
D ESCRIPCIN DE M ATERIALES Y H ERRAMIENTAS .
Materiales
IGBT
Resistencia
Bananas
Sonda Diferencial
Sonda de Corriente
Fuente de Voltaje
Osciloscopio Digital

Unidades
3
2
15
1
1
1
1

Figure 2. Emisor Comn

C. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN

A causa de las capacitancias internas, producidas en las

condiciones transitorias, debido a las uniones CBJ y BEJ, el
transistor no se enciende al instante, como se espera idealmente. Ya que cuando el voltaje de entrada VB incrementa de
cero a un valor V1 , igual efecto de incremento que se produce
en la corriente, ya que en este intervalo de crecimiento la
corriente de colector no responde denominado asi este tiempo
como tiempo de retardo td .
Una vez pasado ese tiempo de retardo ,la corriente sube
hasta llegar a su estado estable, produciendo un tiempo al que
lo llamaremos tiempo de subida tr , cuyo valor depende de la
constante de tiempo producida por la capacitancia de la unin
BEJ.
Mientras que el tiempo de cada depende de la constante de
tiempo, que est definida por la capacitancia producida por la
unin BEJ con polarizacin inversa.
Donde los tiempo de de enciedido y apagado se dan gracias
a las siguientes ecuaciones:

Figure 3. Tiempos de Conmutacin.

IV. MATERIALES Y HERRAMIENTAS

V. D ESARROLLO
A. Circuito 1
1) Calculos : A continuacion se realizara los calculos de
resistencias empleadas en el circuito con el valor impuesto del
resistor del colector del transistor
Datos :

Rc=330
= 75
V cc = 5v

Corriente de colector
tenc = td + tr

(1)

Ic =

V cc
5
=
= 0.015152A
Rc
330

Corriente de base
Ib = Ic = 0.015152A 75 = 0.202mA
Resistencia de base
tapg = ts + tf

(2)
Rb =

Siendo estos tiempo representados por la siguiente figura:

V cc
5
=
= 24.7K
Ib
0.202mA

2) Simulacion : A continuacion se realiza el circuito en

simulink

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Figure 4. Esquema Realizado en Simulink

Figure 6. Desafase entre la entrada y la salida de la seal

Figure 5. Seal de ingreso y salida del circuito

Figure 7. Desafase mas amplio entre la entrada y la salida de la sea

3) Mediciones en Laboratorio : En esta parte se hace un

anlisis de los datos obtenidos en el laboratorio, conectamos el
circuito con un diodo para as verificar como cambia el tiempo
de encendido del primer circuito respecto al segundo.Se observa las seales de entrada y salida de la activacin de los
transistores verificando as el desfase que se produce y cual
sera el nuevo tiempo con estas caractersticas.
En la tabla se observa los valores obtenidos mediante el
osciloscopio
B. Circuito 2
1) Calculos : Ahora se calcula el capacitor, teniendo en
cuenta que que en 5T se carga un capacitor completamente,
Table II
VALORES M EDIDOS
Circuito
Ingreso
Salida

Vrms(V)
11.0
8.01

Vpp(V)
23.2
10.6

teninedo una resistnecia de 1k y un T igual a 1/frecuencua todo

para 2 por obtener el tiempo del ciclo posistivo, conociendo
todo eso se procede al calculo:
5T = R C

5T
=C
R
5 8.3 103
=C
1000

41.66uF = C
Vdc(V)
2
6.26

2) Simulacion: A continuacion se realiza el circuito en

simulink

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Figure 8. Esquema Realizado en Simulink

Figure 10. Seal de salida

Figure 9. Seal de ingreso del circuito

Figure 11. Seal de entrada y salida

Figure 12. Desfase de la entra y salida

3) Mediciones en Laboratorio : En esta parte se hace un

anlisis de los datos obtenidos en el laboratorio, conectamos el
circuito con un diodo para as verificar como cambia el tiempo
de encendido del primer circuito respecto al segundo.Se observa las seales de entrada y salida de la activacin de los
transistores verificando as el desfase que se produce y cual
sera el nuevo tiempo con estas caractersticas.

Figure 13. Desafase entre la entrada y la salida de la seal

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R EFERENCES
[1] A. B. Montilla, Electrnica de potencia: aspectos generales y convertidores electrnicos. 2012.
[2] W. R. Ned Moan, Tore Undeland, Electrnica depotencia: convertidores,
aplicaciones y diseo, vol. 3. 2009.

Figure 14. Desafase mas amplio entre la entrada y la salida de la sea

En la tabla se observa los valores obtenidos mediante el

osciloscopio
Table III
VALORES M EDIDOS
Circuito
Ingreso
Salida

Vrms(V)
8.02
8.02

Vpp(V)
22.7
10.6

Vdc(V)
2
6.25

C. Analisis de datos
En la presente practica de laboratorio se noto claramente el
desfase producido por el tiempo de encendido entre la seal de
ingreso respecto a la seal de salida, como sabemos el tiempo
de encendido,t , es el tiempo que necesita el dispositivo para
conmutar de corte a conduccin. Las aplicaciones en las cuales
se usa el transistor como interruptor, es necesario hacerle, el
paso de un estado a otro y no se realiza de forma instantnea.
VI. CONCLUSIN

Se puede argumentar que dichos transistores de potencia

que poseen grandes corrientes y voltajes de soporte pero
ya al ser BJT poseen baja frecuencia de conmutacin.
Como se pudo observar el paso de un estado a otro
se denomina conmutacin y este no es instantneo sino
que requiere un cierto tiempo, por lo que en funcin de
la magnitud del mismo, se ver limitada la utilidad del
dispositivo.
VII. CONCLUSION

It can be argued that such power transistors having large

currents and voltages and support but when BJT have low
switching frequency.
As it could be seen the transition from one state to another
is called switching and this is not instantaneous but
require a certain time, so that depending on the magnitude
of it, will be limited the usefulness of the device.