LOS TRANSISTORES

1. HISTORIA Y FUNDAMENTOS FISICOS DEL TRANSISTOR

Una vez que se acab la segunda Guerra Mundial se inici en los Bell Laboratories, en Estados
Unidos, un programa de investigacin bsica sobre teora de slidos. Uno de los resultados de este
esfuerzo fue el transistor. En esa poca la teora cuntica, es decir, la teora fsica que describe los
fenmenos microscpicos ya estaba bien establecida.
La teora cuntica haba abierto la posibilidad de entender las propiedades de los slidos a partir de
su estructura atmica. La direccin de los laboratorios Bell esperaba que a travs de un proyecto
de investigacin interdisciplinaria se adquirieran suficientes conocimientos acerca de los slidos
para disear y fabricar materiales que se utilizaran en el desarrollo de nuevos y mejorados
componentes y elementos para sistemas de comunicaciones.
Se form el grupo para investigar los semiconductores, que estuvo integrado por los fsicos Walter
H. Brattain, William Schockley, John Bardeen, Gerald Pearson y el fsico-qumico Robert Gibney.
Tanto Shockley como Barden haban estudiado a fondo la teora cuntica mientras que Brattain
haba llevado un curso de posgrado en la materia.
En 1945 formaron otros grupos de estudio de semiconductores para estar al da en el campo. Se
dieron cuenta de que durante la guerra se haban logrado notables avances en la utilizacin de los
semiconductores silicio y germanio como detectores para el radar. Se haba tenido que recurrir a
estos semiconductores porque en el radar se empleaban seales elctricas de muy alta frecuencia
que los tubos al vaco, con todos los adelantos logrados, no podan manejar adecuadamente. En la
primera parte del presente siglo ya se haban usado semiconductores (la galena, por ejemplo)
como detectores de ondas electromagnticas antes del invento del tubo al vaco. Durante la guerra
varios laboratorios haban logrado progresos en la comprensin del comportamiento de los
semiconductores, as como en la preparacin de muestras de silicio y germanio.
Las propiedades elctricas de las sustancias dependen del grado de libertad que tengan sus
electrones. Para esto baste decir que los electrones de los tomos estn acomodados alrededor
del ncleo en capas, y en cada una hay un nmero mximo de electrones: dos en la primera capa,
ocho en la segunda, 18 en la tercera, etc. Los electrones de un tomo van ocupando
sucesivamente las capas, a partir de la interior, hasta llegar a agotar los electrones. Entonces, si un
tomo tiene, digamos, ocho electrones (que corresponde al elemento oxgeno), dos ocupan la
primera capa y los seis restantes ocupan la segunda; por lo tanto, en el oxgeno la ltima capa no
queda completa. Se muestra un diagrama esquemtico de la estructura de capas de los primeros
once tomos de la tabla peridica. As, el litio (Li) tiene solamente un electrn en su capa externa;
el boro (B) tiene tres; el carbn, cuatro; el nen, ocho, o sea que queda completa. Con base a
estos hechos se construye la tabla peridica de los elementos. En el siglo pasado el ruso Dimitri
Mendelev ide esta tabla en forma emprica, y que slo pudo ser explicada con fundamento una
vez que se aplic la mecnica cuntica a la estructura atmica en el presente siglo.

Estructura de las capas electrnicas de algunos tomos.

Los electrones que estn en capas completas quedan fuertemente atrapados al tomo, mientras
que la atraccin es dbil para los electrones de la ltima capa, si sta no est completa; as,
mientras menos electrones haya en la ltima capa, menor ser la fuerza con la que queden
atrapados. Por lo tanto, en aquellos elementos con un solo electrn en su ltima capa, como ste
est muy dbilmente unido al tomo podr separarse de l con mucha facilidad, y as este electrn
quedar disponible para que el elemento conduzca muy bien electricidad. tomos con un solo
electrn en su capa externa son el sodio, el cobre, la plata, el oro, etc., elementos que son buenos
conductores de electricidad.
Los tomos que tienen capas externas llenas de electrones ejercen una fuerte atraccin sobre ellos
y por tanto no son buenos conductores de electricidad. Para que sirvieran a este propsito se
requeriran fuerzas muy elevadas sobre los electrones externos, que implicara aplicar voltajes muy
altos a la sustancia. Los elementos que tienen sus capas externas completas son el helio, el nen,
el argn, etc., llamados gases nobles.
Los tomos y molculas son entes que tienen niveles de energa bien definidos para cada uno de
ellos. El estado que tiene el valor ms bajo de la energa se llama base, mientras que los estados
con valores mayores de la energa se llaman excitados. A la secuencia de niveles mostrada en la
figura se le llama el espectro de energa del tomo en cuestin. Distintos tomos tienen diferentes
espectros de energa. En cualquier instante el tomo solamente puede tener una de las energas
de sus niveles, es decir, el tomo no puede poseer una energa que tenga un valor que se
encuentre entre dos valores de sus niveles. Se dice que la energa est cuantizada. Si el tomo
experimenta determinado proceso es posible que cambie su energa, por ejemplo, a causa de una
colisin con otro tomo, de una descarga elctrica, de calentamiento, etc. En este caso, el tomo
puede pasar del nivel de energa en que se encuentra a otro nivel, por ejemplo pasar del estado
base al primer estado excitado, o al segundo, etc., pero solamente puede empezar y terminar en l
alguno de sus niveles permitidos. Esto significa que en las transiciones del tomo, los cambios de
energa que puede experimentar son iguales a las separaciones (E)1, (E)2 etc., que
corresponden a las diferencias de las energas entre cualquier pareja de sus niveles. As, se dice
que hay una transicin entre los niveles involucrados. Por otro tipo de motivos que no vienen al
caso, puede ocurrir que alguna de estas transiciones est prohibida.

Espectro de energa de un tomo.

Si la transicin es de un nivel bajo a otro superior, se dice que el tomo absorbe energa (igual a la
diferencia entre los valores de las energas de dichos niveles); mientras que si pasa de un nivel alto
a otro ms bajo, se dice que el tomo emite energa (igual a la diferencia entre los valores de las
energas de dichos niveles). Lo anterior significa que un tomo solamente puede absorber o emitir
energa en cantidades perfectamente determinadas, que son iguales a los valores de las
diferencias de las energas entre las parejas de niveles cuyas transiciones sean permitidas.
Hasta este momento hemos hablado solamente de tomos aislados, que no experimentan ninguna
fuerza. Sin embargo, cuando los tomos forman un slido ocurren fenmenos colectivos entre ellos
puesto que sus densidades son muy altas, lo que significa que estn muy juntos, por lo que las
fuerzas que ejercen unos sobre otros son de gran consideracin; como consecuencia, los niveles
de energa de los electrones se modifican considerablemente. Ahora, en lugar de tener un conjunto
de valores bien precisos, se forman intervalos de energas permitidas separados por valores de
energa que son prohibidos. En la siguiente figura se muestra un diagrama de la energa de un
slido hipottico. En este caso, los electrones pueden tener energas entre los valores E1 y E2,
entre E3 y E4 etc. Sin embargo, no pueden tener energas entre E2y E3. Al dominio de energas
que s pueden ser adquiridas se les llama bandas permitidas y al dominio en que no pueden
tenerlas se les llama bandas prohibidas. Se dice que los slidos tienen una estructura de bandas.
Ahora bien, los electrones que tienen los tomos de un slido van ocupando las bandas permitidas
de abajo hacia arriba consecutivamente, de manera anloga a como lo hacen en tomos aislados.
Una vez que se ocupa una banda, los electrones restantes, si es que los hay, empiezan a ocupar la
siguiente banda permitida.

En un slido, el espectro de energa forma bandas tanto permitidas como prohibidas.

Hay varias posibilidades, una de ellas es que los tomos de una sustancia vayan llenando las
capas permitidas y que todava queden electrones que al empezar a ocupar la ltima banda
permitida no la llenen completamente. Los electrones que estn en la ltima banda incompleta
podrn desprenderse de los tomos con mucha facilidad, por tanto, podrn conducir muy bien
electricidad y la sustancia es, en consecuencia, un buen conductor de electricidad.
A las bandas que se ocupan completamente se les llama bandas de valencia y a las que se ocupan
parcialmente se les llama de conduccin.
Otra posibilidad es que los electrones de un slido llenen completamente las bandas permitidas y
al completar la ltima ya no haya ms electrones disponibles. Por la tanto la siguiente banda
permitida, que sera de conduccin, queda vaca. Pueden ahora darse dos casos.
1) En el primero, la separacin de E entre la ltima banda de valencia (completa) y la de
conduccin (vaca) es muy grande. En este caso, para que un electrn que est en la parte
superior de la banda de valencia pueda pasar a la de conduccin tiene que adquirir por lo menos la
energa E, que en general es muy difcil de dar externamente. Hay varias maneras de
proporcionar esta energa: por medio de un voltaje, que en nuestro caso sera extremadamente
alto, o bien, aumentando la temperatura del slido, que tambin tendra que ser un aumento
desproporcionado. En consecuencia, los electrones quedan bien unidos a los tomos y no pueden
dar lugar a una corriente elctrica. Este es el caso de un aislador.
2) El segundo caso es cuando la separacin entre la ltima banda de valencia (completa) y la de
conduccin (vaca) es muy pequea. Si la temperatura es relativamente baja no hay electrones en
la banda de conduccin y por consiguiente la sustancia se comporta como un aislador. Sin
embargo, con una energa muy pequea que se le proporcione, por ejemplo, con un pequeo
voltaje o bien con un ligero aumento de temperatura, varios electrones pasarn a la banda de
conduccin sin llenarla, y por tanto, la sustancia se comportar como un conductor. A este tipo de
slidos se les llama semiconductores. En su fase slida el germanio y el silicio son ejemplos de
semiconductores.
Otra forma de explicar lo anterior es la siguiente: los semiconductores estn constituidos por
tomos que tienen cuatro electrones en su ltima capa. Cuando forman un slido cada electrn es
compartido por dos tomos vecinos. Se puede decir que el electrn de un tomo se mueve hacia el
hueco que hay en la ltima capa (que no est llena) del tomo vecino. A este tipo de
comportamiento se le llama ligadura covalente. Por tanto, en esta sustancia no hay electrones
disponibles para conducir electricidad. En esta situacin la banda de conduccin del slido est
vaca. Si se le aumenta un poco la temperatura al semiconductor, algunos de los electrones se
escaparn y ya no formarn la ligadura covalente; estos electrones pasaron a la banda de
conduccin y estn disponibles para conducir electricidad.

La ltima capa de un semiconductor (en este caso germanio, Ge) tiene cuatro electrones, que son
compartidos con el tomo vecino. Esto es la covalencia. Los circulos negros denotran electrones.
Supongamos ahora que en el semiconductor se sustituye tino de los tomos por otro que tenga
cinco electrones de valencia, por ejemplo un tomo de fsforo, en este caso, cuatro de los
electrones de su capa exterior se ocuparn de formar ligaduras covalentes con los tomos de
germanio vecinos, mientras que el quinto electrn, por decirlo as, queda libre. Este puede servir
para conducir electricidad. En consecuencia, se puede mejorar la capacidad de conducir
electricidad de un semiconductor introducindole impurezas o, como se dice en la jerga de los
especialistas, "dopndolo" (del ingls dope). A un semiconductor as dopado se le llama N.

Una impureza de fsforo (P) permite que haya un electrn libre, que sirve para conducir la
electricidad.
Otra posibilidad sera reemplazar uno de los tomos del semiconductor por otro que tenga
solamente tres electrones en su capa externa, como por ejemplo, el boro. En este caso, los tres
electrones del boro sirven de ligaduras con tomos vecinos, quedando la cuarta de las ligaduras
vaca.
Ahora uno de los electrones de un tomo vecino forma la ligadura faltante, pero al hacerlo deja un
hueco en el tomo que ocupaba originalmente. En seguida, un electrn de otro tomo pasa a
ocupar el lugar faltante, dejando a su vez un hueco y as sucesivamente. Nos damos cuenta de

que el hueco o agujero se ha ido propagando. Estos agujeros tienen la misma masa que el
electrn, pero debido a que efectivamente es una ausencia de electrn, o sea de carga negativa, el
agujero tiene carga efectiva positiva. Por tanto, este semiconductor con impurezas de boro da lugar
a una corriente elctrica de agujeros positivos que tiene sentido opuesto a la de una corriente de
electrones. Los agujeros se comportan como si fueran partculas. A este tipo de semiconductor se
le llama P. Lo que ocurre es algo similar a cuando se tiene una hilera de monedas con una faltante.
Cuando cada moneda se mueve para ocupar el espacio vaco, el agujero se mueve a lo largo de la
hilera en sentido opuesto a las monedas.

Una impureza de boro (B) da lugar a un dficit de un electrn, que equivale a un agujero positivo.

Al moverse las monedas hacia la izquierda, el agujero se mueve a la derecha.

En cualquiera de los dos casos, la conductividad elctrica del semiconductor se aumenta
sustancialmente si se le aaden impurezas de cualquiera de los dos tipos en partes por milln. Una
consecuencia importante es que en semiconductores con impurezas el nmero de electrones que
conducen electricidad puede ser controlado.
Juntemos dos bloques, uno de semiconductor P y otro N. La magnitud de la corriente elctrica que
fluya depende del sentido del voltaje aplicado. Si el bloque P se conecta a la terminal positiva de
una batera y el N a la terminal negativa, entonces ocurre lo siguiente: como en el bloque P hay
agujeros positivos, stos son repelidos hacia el bloque N y atrados hacia la terminal
negativa B; por tanto, hay una corriente de agujeros de A a B, es decir, a travs del dispositivo y
llegan a la batera. Por otro lado, en el bloque N hay electrones negativos que son repelidos por B y

atrados por A; en consecuencia, los electrones fluyen de B a A cruzando el dispositivo y llegando a

la batera. En resumen, hay una doble corriente elctrica: de electrones negativos de B a A y de
agujeros positivos de A a B. Estas corrientes son, en general, apreciables.

Un bloque N y otro P unidos permiten el paso de corriente elctrica si estn conectados a la batera
como se muestra.
Veamos ahora qu ocurre si se conectan los bloques de manera opuesta. En este caso, los
agujeros de P son atrados hacia A y repelidos porB, con el resultado de que no cruzan el
dispositivo. Por otro lado, los electrones de N son atrados por B y repelidos por A, lo que ocasiona
que tampoco crucen el dispositivo. En consecuencia, no hay corriente a travs del dispositivo y el
circuito est, de hecho, abierto.
En resumen, en el dispositivo mostrado en la figura anterior solamente circula electricidad cuando
la polaridad de la batera es la que se muestra en la figura, mientras que si se invierte la polaridad,
no hay corriente. Se puede tambin pensar que este fenmeno ocurre debido a que la resistencia
del dispositivo no es la misma cuando la corriente circula en un sentido que cuando circula en el
opuesto. En un sentido la resistencia es muy pequea y por tanto es fcil que circule electricidad,
mientras que en el sentido opuesto la resistencia crece enormemente impidiendo la corriente
elctrica. De esta forma se consigue un dispositivo que funciona de manera similar al diodo
construido con un tubo al vaco y recibe el nombre de diodo semiconductor; debido a sus
propiedades descritas se utiliza como rectificador de corriente.
Supngase ahora que construimos otro dispositivo que consiste en dos bloques semiconductores
tipo N y uno extremadamente delgado de tipoP; el bloque P, llamado base (denotado por B), queda
entre los dos N. Si ahora se conecta uno de los bloques N, llamado emisor (denotado porE), a la
terminal negativa de una batera, y el otro bloque N, llamado colector (denotado por C), a la
positiva, entonces los electrones del emisor son repelidos por A y atrados por D, por lo que cruzan
la base y llegan al colector, dando lugar a que haya una corriente en el circuito a travs de la
batera (y si hubiera una carga como una resistencia, la corriente la atravesara). La magnitud de la
corriente que llegue a circular depende de varios factores. uno de ellos es el voltaje de la batera;
mientras mayor sea ste, mayor ser la corriente. Otro de los factores es la polaridad de la base. Si
la base es positiva, los electrones que vienen del emisor sern atrados por la base y se
acelerarn, por lo cual habr mayor corriente a travs del dispositivo. Si por otro lado la base es
negativa, entonces cierto nmero de electrones que vienen del emisor sern rechazados y se
regresarn, disminuyendo la corriente neta; en el caso extremo en que la polaridad de la base,
siendo negativa, tenga una magnitud muy grande, rechaza todos los electrones y prcticamente no
hay corriente. As, la polaridad de la base controla y modifica la corriente que circula a travs del
dispositivo. Asimismo, la corriente puede intensificarse, dependiendo del voltaje de la batera. En
consecuencia, este dispositivo amplifica la seal que muestre la base. Pero este comportamiento
es precisamente el que tiene el triodo construido con un tubo al vaco.

El ctodo equivale al emisor,

El nodo equivale al colector,
La rejilla equivale a la base.
El dispositivo descrito se llama triodo NPN.

Esquema de un triodo semiconductor NPN.

Tambin se puede construir un dispositivo en que un bloque N muy delgado queda entre dos
bloques P, llamado triodo NPN. Su funcionamiento es completamente similar al
triodo NPN, solamente que las polaridades quedan invertidas.
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genricamente transistores.
Durante 1945 a 1949 el grupo de la compaa Bell desarroll la teora de los transistores, la verific
experimentalmente y construy diodos y triodos. En el ao de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain
recibieron el Premio Nobel de Fsica por el brillante trabajo que desemboc en la invencin del
transistor. Hemos de mencionar que Bardeen recibi en 1972 nuevamente el Premio Nobel de
Fsica, ahora en compaa de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber desarrollado la teora de la
superconductividad.

VENTAJAS DEL TRANSISTOR

Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vaco. En primer lugar, para que funcione
un tubo al vaco su ctodo debe calentarse, y esto se logra pasando una corriente cercana a l. El
voltaje tpico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez conectado este voltaje se
necesita esperar determinado tiempo hasta que se caliente el ctodo. Por tanto, cualquier aparato
que use tubos al vaco no funciona inmediatamente despus de haberse conectado. El transistor
no requiere este calentamiento, por lo que empieza a funcionar inmediatamente despus de su
conexin. En consecuencia, el uso de un transistor en lugar de tubos al vaco ahorra mucha
energa, y por tanto, resulta ms econmico.
En segundo lugar, la respuesta del transistor a seales de frecuencias muy altas es muy efectiva,
lo cual no ocurre con los tubos al vaco.
Como el tamao de un transistor es mucho menor que el de los tubos al vaco, con l se inici la
miniaturizacin de los aparatos electrnicos.

El invento del transistor abri una nueva era en la civilizacin moderna, ya que se le pudo utilizar
de manera muy general en una gran variedad de aparatos. En las dcadas de 1950 y 1960 se
construyeron radios, computadoras electrnicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias a
los transistores fueron de tamaos relativamente pequeos, porttiles, con requerimientos de
energa muy reducidos y de larga vida.
En gran medida, en las dcadas mencionadas los transistores sustituyeron a los tubos al vaco. Sin
embargo, para ciertas aplicaciones muy especficas los tubos han tenido ventajas sobre los
transistores. As, se emplean para transmisores de radio de potencia alta y mediana, para
amplificadores de microondas y osciladores, para tubos de rayos catdicos como los que se usan
en las televisiones, monitores, pantallas de diversos aparatos, etctera.
2. FUNCIONAMIENTO BASICO DEL TRANSISTOR
En resumen, los transitores son dispositivos electrnicos de estado slido, cuando sobre un
semiconductor se ponian dos puntas metalicas y a una se le aplicaba una cierta tension, la
corriente en la otra venia influenciada por la de la primera; a la primera punta se la denomina
emisor; al semiconductor , base y a la otra punta, colector. Posteriormente se encontro que igual
fenomeno ocurria si se unian dos semiconductores polarizados en sentido inverso a otro de distinto
tipo; asi se construyen los transistores de union, que son los mas empleados. Segun la estructura
de sus uniones, los transitores pueden se p-n-p o n-p-n; sustituyen con ventajas a los triodos de
vacio y valvulas termoionicas multielectrodicas, al menos en lo que a bajas potencias se refiere.
El transistor cobra su importancia al ser un componente capaz de cambiar de estado, permitiendole
cambiar o amplificar de acuerdo a las condiciones de trabajo y diseo, fluctuando entre un estado
conductor y uno insulador.
Insulacin
La grafica muesta al transitor en su efecto de cambio cuando el transistor esta hecho para alterar
su estado de inicio de conductividad (prendido, la corriente al maximo) a su condicion final de
insulacion (apagado y sin flujo de corriente). La corriente fluye desde el emisor (punto E) al colector
(punto C). Cuando un voltaje negativo se le aplica a la base (punto B), electrones en la region base
son empujados (como dos cargas que se repelan, en este caso dos negativas) creando la
insulacion. La corriente que fluia desde el punto E al punto C se detiene.

Conductividad
La grafica muestra el efecto del transistor cuando pasa de su estado de insulacin (apagado y sin
flujo de corriente) a su estado final de conductividad (prendido, la corriente al maximo). El transistor
trabaja al principio como un insulador. Para que pueda tener conductividad, voltaje positivo tiene
que ser aplicado a la base (punto B). Como las cargas positivas se atraen (en este caso, positivo y
negativo), los electrones se halados fuera de los limites y deja que siga el flujo de corriente como lo
muestra la figura. El transistor se cambio de insulador a conductor.

El transistor se puede conmutar en corte y conduccin variando la polarizacin en el electrodo de

base con respecto al potencial de emisor. Ajustando la polarizacin a un punto situado
aproximadamente a mitad de camino entre el corte y la saturacin se situar el punto de trabajo del
transistor en la regin activa de funcionamiento.Cuando funciona en esta regin el transistor es
capaz de amplificar. Las caractersticas de un transistor polarizado en la regin activa se pueden
expresar en trminos de tensiones de electrodo y de corrientes lo mismo que en los tubos de vaco.
El comportamiento del transistor se puede analizar en trminos matemticos por medio de
ecuaciones que expresan las relaciones entre sus corrientes, tensiones, resistencias y reactancias.
Estas relaciones se denominan parmetros hbridos y definen los valores instantneos de tensin y
de corriente que existen en el circuito sometido a examen. Los parmetros permiten predecir el
comportamiento del circuito en particular sin construirlo realmente.
A continuacin se enumeran algunos de los parmetros ms tiles en las aplicaciones del
transistor:

Ganancia de resistencia: Se expresa como razn de la resistencia de salida a la resistencia de

entrada.La resistencia de entrada de un transistor tpico es baja, aproximadamente 500 ohmios,
mientras la resistencia de salida es relativamente alta, ordinariamente ms de 20.000 ohmios.Para
un transistor de unin la ganancia de resistencia suele ser mayor de 50.

Ganancia de tensin: Es el producto de alfa y la ganancia de resistencia.Un transistor de unin

que tiene un valor de alfa menor que la unidad, no obstante, una ganancia de resistencia del orden
de 2.000 a causa de que su resistencia de salida es extremadamente alta, y la ganancia de tensin
es aproximadamente 1.800.

Ganancia de potencia: Es el producto de alfa elevado al cuadrado y la ganancia de resistencia, y

es del orden de 400 o 500.
Hay tres configuraciones bsicas: conexin de base a masa, conexin de emisor a masa y
conexin de colector a masa. Las tres corresponden, aproximadamente, a los circuitos de rejilla a
masa, ctodo a masa y placa a masa en la terminologa del tubo de vaco.
El circuito de base a masa tiene baja impedancia de entrada y alta impedancia de salida, y desde
el circuito de entrada hasta el de salida no se produce inversin de fase de la seal. El circuito de
emisor a masa tiene una impedancia de entrada ms alta y una impedancia de salida ms baja que
el circuito de base a masa, y se produce una inversin de fase entre la seal de entrada y la de
salida. Esto proporciona ordinariamente la mxima ganancia de tensin en un transistor.El circuito
de colector a masa tiene impedancia de entrada relativamente alta, impedancia de salida baja y no
produce inversin de fase de la seal desde el circuito de entrada hasta el de salida. La ganancia
de potencia y la ganancia de tensin son ambas bajas.
3. NOMENCLATURA DE LOS TRANSISTORES

Los transistores generalmente se dividen en grupos de produccin clasificados como "

entretenimiento ", " industrial " y " militar ". Las dos ltimas clasificaciones suelen requerir varios
ensayos e implica tolerancias ms estrechas y una documentacin de calidad, mientras que los
transistores procedentes de la misma lnea de produccin que tienen una especificacin menos
rigurosa se incluyen a menudo en la categora primera, ms econmica. Los tipos de
semiconductores se numeran de acuerdo con varios sistemas. El estndard ms antiguo es el
sistema JEDEC. El primer nmero de este identificador indica el nmero de uniones ( 1=diodo, 2=
triodo, 3=tetrodo y 4=heptodo ). La letra N denota semiconductor, y va seguido de un nmero de
orden por el cual se ha registrado el dispositivo.
Los fabricantes europeos emplean una nomenclatura o identificacin consistente en nmero de tipo
que se compone de dos o tres letras seguidas de dos o tres nmeros, indicando las letras el tipo
del transistor y el uso, y los nmeros indican el nmero de orden en la clasificacin particular. Los
transistores japoneses suelen estar indentificados por el cdigo 2S, seguido de una letra
identificadora y un nmero de orden.Adems de estos cdigos generalmente reconocidos, se han
adoptado muchos otros cdigos por fabricantes individuales, y tambin estn en uso.

4. TRANSISTORES DE POTENCIA Y DISTINTOS TIPOS DE TRANSISTORES.

Mientras los circuitos integrados se usan para aplicaciones de pequeas seales y baja potencia,
la mayora de las aplicaciones de alta potencia todava requieren transistores de potencia
discretos. Las mejoras en las tcnicas de produccin han proporcionado potencias ms altas en
encapsulados de tamao pequeo; tambin han aumentado el voltaje de ruptura mximo de
transistor y han proporcionado transistores de potencia con una velocidad de conmutacin mayor.
La potencia mxima manejada por un dispositivo particular y la temperatura de las uniones del
transistor estn relacionadas, debido a que la potencia disipada por el dispositivo causa un
incremento de temperatura en la unin del dispositivo. Es obvio que un transistor de 100W
proporcionar ms capacidad de potencia que un transistor de 10W.
Se debe hacer notar que de los dos tipos de transistores bipolares (germanio y silicio), aquellos de
silicio proporcionan temperaturas nominales mximas. Por lo general, la temperatura mxima de
unin de estos tipos de transistores de potencia es:
Silicio: 150-200C
Germanio: 100-110C
Para muchas aplicaciones, la potencia promedio disipada puede aproximarse mediante:
PD = VCEIC
Sin embargo, esta disipacin de potencia se permite solamente hasta una temperatura mxima.
Por arriba de esta temperatura se debe reducir la capacidad de disipacin de potencia del
dispositivo (o prdida de disipacin) para que a temperaturas superiores del encapsulado se
reduzca la capacidad de manejo de potencia, llegando a 0W a la temperatura mxima del
encapsulado del dispositivo.

Entre mayor sea la potencia manejada por el transistor, mayor ser la temperatura del
encapsulado. En la actualidad, el factor limitante en el manejo de potencia por un transistor
particular es la temperatura de la unin del colector del dispositivo. Los transistores de potencia
estn montados en encapsulados metlicos grandes para ofrecer un rea grande a partir de la cual
pueda radiar (transferirse) el calor generado por el dispositivo. Aun as, la operacin de un
transistor directamente en el aire (montado en una tarjeta de plstico, por ejemplo) limita
severamente la potencia nominal del dispositivo. Si en vez de ello (como es lo usual) se monta el
dispositivo en algn tipo de disipador de calor, su capacidad de manejo de potencia puede
acercarse ms al valor de su potencia nominal mxima.

El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores

normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen
que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.
4.1. TIPOS DE TRANSISTORES
Existen tres tipos de transistores de potencia:
- Bipolar.
- Unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo).
- IGBT o Transistores Bipolares de compuerta aislada.
4.1. 1. Transistores Bipolares:
Los transistores Bipolares son dispositivos controlados por corriente, estos se forman por una capa
de material tipo P emparedada entre dos capas de material tipo N, o una de tipo N emparedada
entre dos de tipo P. En el primer caso se tiene un transistor NPN y en el segundo un transistor PNP.
La region central se denomina base (B) y los dos extremos emisor (E) y colector (C), la base es
sumamente estrecha y poco dopada en relacin con el emisor y colector, por lo que tiene muy baja
concentracin de portadores.
El emisor esta fuertemente dopado, y la concentracion de portadores mayoritarios disponibles
supera ampliamente los de la base, mientras que el colector es bastante amplio y dotado con una
alta concentracin de portadores minoritarios en relacin a la base y pocos mayoritarios respecto al
emisor. En el caso de un NPN, la base no posee la suficiente cantidad de huecos para combinarse
con todos los electrones que puede suministrar el emisor, por lo que la mayoria de electrones
atraviezan la base en direccion al colector.

A continuacin se muestra en la grafica las representaciones tipicas de transistores bipolares tipo

NPN y PNP (izquierda), La estructura de capas de una configuracin NPN (medio), Como se
distribuyen las terminales en un transistor bipolar (derecha), el circuito equivalente resultante (abajo
izquierda) y la curva caracteristica de estos transistores de Corriente del colector contra voltaje

Debido a como se alternan las capas P y N, existen 2 uniones PN (emisor-base EB y colector-base

CB) y estas deben polarizarse de modo que se polarize la union EB directamente y CB
inversamente, en este caso, la polarizacin de la unin EB la provee el voltaje Vbb y la de la union
CB el voltaje Vcc. Por esto, en un transistor NPN la base debe ser positiva con respecto al emisor
ynegativa con el colector. Analogamente, en un transistor PNP la base debe ser negativa respecto
al emisor y positiva para el colector.

Como resultado de la polarizacin se producen 3 corrientes: la de base (Ib), la del emisor (Ie) y la
del colector (Ic). Debido a que la unin BE esta polarizada directamente, los portadores
mayoritarios de ambas regiones son obligados por el voltaje Vbb a cruzar la unin y combinarse
mutuamente. En el caso de un transistor NPN, una parte de los electrones suministrados por el
emisor (del 1% al 5%) se combinan con los pocos huecos disponibles en la base, esto origina una
corriente de base (Ib) relativamente pequea.

Los electrones restantes (95% al 99%) son atraidos hacia el colector por la fuerte tensin inversa
de polarizacin Vcc de la unin CB, pasan a rtaves de la extensa regin del colector y se dirigen
hacia el polo positivo de la bateria Vcc, creando una corriente Ic muy intensa. Las corrientes de
colector Ic y de base Ib estan relacionadas con la corriente del emisor de acuerdo a:
Ie = Ib + Ic
La capacidad de amplificacin de un transistor se mide observando el efecto de la corriente de
base Ib sobre la corriente de colector Ic para un determinado valor de Vce. La relacin incremental
entre ambas cantidades se denomina ganancia de corriente Beta y se representa mediante el
simbolo o hfe y corresponde a:
Hfe = ic / Ib
Encapsulado:
Los transistores se fabrican en serie, formando simultaneamente varios cientos o millares de
unidades sobre una oblea semiconductora de 38 a 50 mm de diametro y luego cortandolos uno por
uno. Las tcnicas de fabricacin mas utilizadas son la aleacin, difusin, el proceso planar y el
crecimiento epitaxial. Una vez construidos los transistores se hospedan en capsulas plasticas o
metalicas. La capsula protege el transistor de la humedad y los contaminantes, sirve como
disipador de calor, proporciona los pines de acceso, y facilita su manipulacion e identificacion.
4.1.2. Transistores de efecto de campo (FET)
Son dispositivos de tres terminales controlados por voltaje, se encuentran constituidos por un
material de base tipo N o P llamado sustrato, dentro del cual se forma una region de tipo opuesto
en forma de U llamada canal, ligeramente dopada. El sustrato actua como compuerta o gate (G),
uno de los extremos del canal como fuente o source (S) y el otro como drenador o drain (D). Entre
la compuerta y el canal se forma una unin PN, este tipo de FET se denominan FETs de unin o
JFETs.

En la mayoria de los casos, el diseo del canal es simetrico, por lo que cualquiera de los extremos
se puede utilizar como drenador o como fuente, sin embargo existen casos especiales en los
cuales el canal es asimetrico y por consiguiente no se pueden intercambiar estos terminales. Los
JFETs pueden ser de canal N o canal P, dependiendo del dopado del canal.

Polarizacin:
Los JFETs necesitan ser polarizados mediante dos tensiones externas. La tensin Vdd dirige el
paso de los portadores de corriente por el canal y la tension Vgs regula su cantidad. Esta ultima
polariza inversamente la union NP entre el canal y el sustrato. En un JFET de canal N, la fuente
debe ser positiva con respecto a la compuerta y negativa con respecto al drenador.

El efecto neto de la polarizacin es la creacin entre el drenador y fuente de una corriente de

drenaje Id, la cual circula a lo largo del canal, y depende del voltaje Vgs. Por tanto, el canal actua
como una resistencia variable. En el caso de un JFET de canal N, la tension Vgs crea en sus
proximidades de la unin sustrato-canal una zona de agotamiento, libre de electrones. Esta se
forma por completo dentro del canal debido a la fuerte concentracin de huecos en el sustrato y
una baja concentracin de electrones en el canal.
El espesor de la zona de agotamiento determina el area util o efectiva del canal, y su capacidad de
dejar pasar mas o menos electrones. La regin de agotamiento se extiene a lo largo de las paredes
del canal, siendo mas amplia en el lado del drenador que en el de la fuente, esto debido a que
desde el punto de vista de la compuerta el drenador esta sometido a una tensin inversa de
polarizacin mas alta (Vdd + Vgs) que la fuene (Vgs)
Si el material de la puerta est ms dopado que el del canal, la mayor parte de la capa estar
formada por el canal. Si al tensin de la puerta es cero, y Vds = 0, las capas desiertas profundizan
poco en el canal y son uniformes a todo lo largo de la unin.
Si Vds se hace positiva ( y Vgs sigue siendo cero) por el canal circular una corriente entre
sumidero y fuente, que har que la polarizacin inversa de la unin no sea uniforme en toda su
longitud y, en consecuencia, en la parte ms prxima al sumidero, que es la ms polarizada, la
capa desierta penetrar ms hacia el interior del canal.
Para valores pequeos de Vds, la corriente de sumidero es una funcin casi lineal de la tensin, ya
que la penetracin de la capa desierta hacia el interior del canal no vara substancialmente de su
valor inicial. Sin embargo, a medida que aumenta la tensin aumenta tambin la polarizacin
inversa, la capa desierta profundiza en el canal y la conductancia de ste disminuye. El ritmo de
incremento de corriente resulta, en consecuencia, menor y llega un momento en que el canal se ha
hecho tan estrecho en las proximidades del sumidero que un incremento de Vds apenas tiene
efecto sobre la corriente de sumidero. Entonces se dice que el transistor est trabajando en la zona

de estriccin (pinch-off), nombre cuyo origen se evidencia en la figura anterior, llamndose tensin
de estriccin Vp a la del punto de transicin entre el comportamiento casi lineal y el casi saturado.

Si a la puerta se le aplica una polarizacin negativa estacionaria, la capa desierta penetra ms en

el interior que con la polarizacin nula; por tanto, para pasar a la zona de estriccin se necesita
menos tensin de sumidero. El aumentar la polarizacin negativa permite tener la transicin a la
zona de estriccin a corrientes de sumidero an inferiores.
El funcionamiento del FET se basa en la capacidad de control de la conductancia del canal por
parte de la tensin de puerta y, como la unin puerta-canal se encuentra siempre polarizada
inversamente, el FET es por esencia un elemento de alta impedancia de entrada.
Parametros de funcionamiento:
La corriente de sumidero Id es funcin tanto de la tensin de sumidero Vds como de la puerta Vgs.
Como la unin est polarizada inversamente, suponemos que la corriente de puerta es nula, con lo
que podemos escribir:
Ig = 0 e

Id = (Vds, Vgs)

En la zona de estriccin (saturacin) en que las caractersticas son casi rectas (en el grfico, son
horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta del
transistor para pequeos incrementos de Vds y Vgs en esta forma

El parmetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la

pendiente de la curva. Que como en el grfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como he
dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parmetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separacin vertical entre las caractersticas que corresponden a diferencias de valor de Vgs de 1
voltio.

 Tiristores
Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia.
Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan
como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor.
Para muchas aplicaciones se puede suponer que los Tiristores son interruptores o conmutadores
ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.
Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn
tiene tres terminales: nodo ctodo y compuerta. La fig. 1 muestra el smbolo del tiristor y una
seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin.
Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen
polarizacin directa o positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y solo fluir una pequea
corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo
directo o en estado desactivado llamndose a la corriente fuga corriente de estado inactivo ID. Si el
voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande la unin J2
polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el
voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya
tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones
que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en
estado de conduccin o activado.

La cada de voltaje se deber a la cada ohmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn
1V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia
externa, RL, tal y como se muestra en la fig. 2.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL, a fin
de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al
reducirse el voltaje del nodo al ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La
corriente de enganche, IL, es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal la

compuerta.
Una vez que el tiristor es activado , se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control
sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no existe una capa de
agotamiento de vida a movimientos libres de portadores. Sin embargo si se reduce la corriente
directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH , se genera
una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero reducido de portadores; el
tiristor estar entonces en estado de Esto significa que ILbloqueo. La corriente de mantenimiento
es del orden de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche, IL. >IH . La corriente
de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de
rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche.
Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al del nodo, la unin J2 tiene polarizacin
directa, pero las uniones J1 y J3 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos
conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo
inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente de fuga inversa IR, fluir a travs
del dispositivo.

Activacin del tiristor:

Un tiristor se activa incrementndola corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante
una de las siguientes formas.

TERMICA: Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares

electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har
que 1 y 2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (1+2) puede tender a la unidad y el tiristor
pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se
evita.

LUZ: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los pares electrnhueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que
esta llegue a los discos de silicio.

ALTO VOLTAJE: Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo
VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de
activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.
Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones
capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede
daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes
especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.

CORRIENTE DE COMPUERTA: Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una

corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las
terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el
voltaje de bloqueo directo.

Tipos de tiristores
Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un
tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta
cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de
activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento de activacin y desactivacin, en
general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras:
1. Tiristores de control de fase (SCR).
2. Tiristores de conmutacin rpida (SCR).
3. Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4. Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).
5. Tiristores de conduccin inversa (RTC).
6. Tiristores de induccin esttica (SITH).
7. Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
8. Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
9. Tiristores controlados por MOS (MCT)
Condiciones ideales de un transistor.
- Pequeas fugas.
- Alta potencia.
- Bajos tiempos de respuesta (ton , toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento.
- Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor.

- Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado ( VCE mxima elevada).

- Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt ).
Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores
bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino
que siempre hay un retardo (ton , toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las
capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y
recombinacin de los portadores.
4.3. Funcionamiento y comparacin de tipos transistores:
La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin
sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para
regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de
una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia vienen determinada por la estructura interna de
ambos dispositivos, que son substancialmente distintas.
Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de
control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos
terminales.
En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:
- En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC.
- En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID.
- En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor.
Tiempos de conmutacin

Cuando el transistor est en saturacin o en corte las prdidas son despreciables. Pero si tenemos
en cuenta los efectos de retardo de conmutacin, al cambiar de un estado a otro se produce un
pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el producto IC x VCE va a tener un valor
apreciable, por lo que la potencia media de prdidas en el transistor va a ser mayor. Estas prdidas
aumentan con la frecuencia de trabajo, debido a que al aumentar sta, tambin lo hace el nmero
de veces que se produce el paso de un estado a otro.
Podremos distinguir entre tiempo de excitacin o encendido (ton) y tiempo de apagado (toff). A su
vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en otros dos.

Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el instante en que se aplica
la seal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta que la seal de salida alcanza el 10% de su
valor final.
Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el
10% y el 90% de su valor final.
Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde que se quita la
excitacin de entrada y el instante en que la seal de salida baja al 90% de su valor final.
Tiempo de cada (Fall time, tf): Tiempo que emplea la seal de salida en evolucionar entre el 90% y
el 10% de su valor final.
Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones :

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) ser siempre mayor que el tiempo
de encendido (ton).
Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia mxima a la cual puede
conmutar el transistor:

Corriente media: es el valor medio de la corriente que puede circular por un terminal (ej. ICAV,
corriente media por el colector).
Corriente mxima: es la mxima corriente admisible de colector (ICM) o de drenador (IDM). Con
este valor se determina la mxima disipacin de potencia del dispositivo.
VCBO: tensin entre los terminales colector y base cuando el emisor est en circuito abierto.
VEBO: tensin entre los terminales emisor y base con el colector en circuito abierto.
Tensin mxima: es la mxima tensin aplicable entre dos terminales del dispositivo (colector y
emisor con la base abierta en los bipolares, drenador y fuente en los FET).
Estado de saturacin: queda determinado por una cada de tensin prcticamente constante.
VCEsat entre colector y emisor en el bipolar y resistencia de conduccin RDSon en el FET. Este
valor, junto con el de corriente mxima, determina la potencia mxima de disipacin en saturacin.
Relacin corriente de salida - control de entrada: hFE para el transistor bipolar (ganancia esttica
de corriente) y gds para el FET (transconductancia en directa).
Modos de trabajo
Existen cuatro condiciones de polarizacin posibles. Dependiendo del sentido o signo de los
voltajes de polarizacin en cada una de las uniones del transistor pueden ser :

Regin activa directa: Corresponde a una polarizacin directa de la unin emisor - base y a una
polarizacin inversa de la unin colector - base. Esta es la regin de operacin normal del
transistor para amplificacin.

Regin activa inversa: Corresponde a una polarizacin inversa de la unin emisor - base y a una
polarizacin directa de la unin colector - base. Esta regin es usada raramente.
Regin de corte: Corresponde a una polarizacin inversa de ambas uniones. La operacin en sta
regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo apagado, pues el transistor acta
como un interruptor abierto (IC 0).
Regin de saturacin: Corresponde a una polarizacin directa de ambas uniones. La operacin en
esta regin corresponde a aplicaciones de conmutacin en el modo encendido, pues el transistor
acta como un interruptor cerrado (VCE 0).
Avalancha secundaria. Curvas SOA.

Si se sobrepasa la mxima tensin permitida entre colector y base con el emisor abierto (VCBO), o
la tensin mxima permitida entre colector y emisor con la base abierta (VCEO), la unin colector base polarizada en inverso entra en un proceso de ruptura similar al de cualquier diodo,
denominado avalancha primaria.
Sin embargo, puede darse un caso de avalancha cuando estemos trabajando con tensiones por
debajo de los lmites anteriores debido a la aparicin de puntos calientes (focalizacin de la
intensidad de base), que se produce cuando tenemos polarizada la unin base - emisor en directo.
En efecto, con dicha polarizacin se crea un campo magntico transversal en la zona de base que
reduce el paso de portadores minoritarios a una pequea zona del dispositivo (anillo circular).La
densidad de potencia que se concentra en dicha zona es proporcional al grado de polarizacin de
la base, a la corriente de colector y a la VCE, y alcanzando cierto valor, se produce en los puntos
calientes un fenmeno degenerativo con el consiguiente aumento de las prdidas y de la
temperatura. A este fenmeno, con efectos catastrficos en la mayor parte de los casos, se le
conoce con el nombre de avalancha secundaria (o tambin segunda ruptura).
El efecto que produce la avalancha secundaria sobre las curvas de salida del transistor es producir
unos codos bruscos que desvan la curva de la situacin prevista (ver grfica anterior).
El transistor puede funcionar por encima de la zona lmite de la avalancha secundaria durante
cortos intervalos de tiempo sin que se destruya. Para ello el fabricante suministra unas curvas
lmites en la zona activa con los tiempos lmites de trabajo, conocidas como curvas FBSOA.

Podemos ver como existe una curva para corriente continua y una serie de curvas para corriente
pulsante, cada una de las cuales es para un ciclo concreto.
Todo lo descrito anteriormente se produce para el ton del dispositivo. Durante el toff, con
polarizacin inversa de la unin base - emisor se produce la focalizacin de la corriente en el
centro de la pastilla de Si, en un rea ms pequea que en polarizacin directa, por lo que la
avalancha puede producirse con niveles ms bajos de energa. Los lmites de IC y VCE durante el
toff vienen reflejado en las curvas RBSOA dadas por el fabricante.
Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.
Las cargas inductivas someten a los transistores a las condiciones de trabajo ms desfavorables
dentro de la zona activa.

En el diagrama superior se han representado los diferentes puntos idealizados de funcionamiento

del transistor en corte y saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a
saturacin. Para una carga resistiva, el transistor pasar de corte a saturacin por la recta que va
desde A hasta C, y de saturacin a corte desde C a A. Sin embargo, con una carga inductiva como
en el circuito anterior el transistor pasa a saturacin recorriendo la curva ABC, mientras que el paso
a corte lo hace por el tramo CDA. Puede verse que este ltimo paso lo hace despus de una
profunda incursin en la zona activa que podra fcilmente sobrepasar el lmite de avalancha
secundaria, con valor VCE muy superior al valor de la fuente (Vcc).
APLICACIONES TRANSISTORES
transistor en conmutacin.

Tenemos un interruptor en posicin 1, abierto:

IB = 0
IC = 0 CORTE (el transistor no conduce)
Recta de carga:

Esto era lo ideal, lo exacto sera:

Pero para electrnica digital no tiene mucha importancia ese pequeo margen, por lo tanto se
desprecia.
Interruptor en posicin 2:

Finalmente tenemos una grfica de la siguiente forma:

Aplicacin: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada.

Me invierte la Vsal, invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en electrnica
digital.

A ese circuito le llambamos "Circuito de polarizacin de base", que era bueno para corte y
saturacin, para conmutacin. Pero este que hemos hecho no es exacto, lo exacto es:

Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn muy separados se desprecia y no se le da
importancia a ese pequeo error.
Transistores en circuitos con polarizacion de emisor
Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los cambios en la
ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo ms estable posible.
Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de polarizacin de Emisor", que es el siguiente:

El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la zona ACTIVA.
Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la malla de entrada la tensin VC ser
de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la resistencia RE ser de:

Grficamente:

Si bcc = 150 solo vara IB.

Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula y hace que vare IB
sin que nada ms vare, por lo tanto:
"El punto Q es muy estable".
Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no se usa la aproximacin de IC
= IE. Sin esta aproximacin tenemos:

Y ahora si influye el bcc.

Y tendramos: VCE = 8,77 V

Con bcc = 150:

Con bcc = 50:

Vara algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.

TABLA DE CONTENIDO TRANSISTORES

Historia y Fundamentos fsicos del transistor.
Funcionamiento Bsico del transistor
Nomenclatura del transistor.
Transistores de Potencia y distintos tipos de transistores.
Tipos de Transistores.
Transistores Bipolares
Transistores de efecto de campo (FET)
Tiristores.
Condiciones ideales de un transistor.
Funcionamiento y comparacin de distintos tipos de transistores.
Aplicaciones de los transistores.
Transistor en conmutacin.
Transistor en circuitos con polarizacin de emisor.
Conclusiones.
CONCLUSIONES
El transistor es un gran aporte al campo del desarrollo cientifico y tecnologico, dado su amplia
versatilidad y su gran aplicabilidad en la investigacin y desarrollo. Sus fundamentos fsicos son
fundamentados en las bases de la mecanica cuantica, aprovechando sus concepciones y
formulaciones teoricas es posible llevar a la practica elementos practicos e innovadores como el
transistor. La incursion de los transistores sustituyo los tubos al vacio y permitio la reduccin de
sistemas y diseos electronicos, siendo estos mas estables y de mayor rendimiento.
El estudio del efecto de transicin de niveles de energia y el espectro atomico fueron decisivos en
la formulacin teorica del transistor, ademas del estudio del atomo de la mecanica cuantica y la
fisica atomica, permitiendo aprovechar las propiedades intrinsecas de los atomos de Germanio,
fosforo entre otros, para el diseo de sistemas basados en las reacciones atomicas entre ellos por
sus electrones, perfeccionando este proceso hasta llevarlo a lo que actualmente conocemos como
transistores.
Curva de prdida de disipacin de potencia tpica para os transistores de silicio.