Prctica 1A: Caracterizacin del Recurso

Solar. Medidas de Irradiancia con distintos

sensores fotovoltaicos

INSTITUTO DE ENERGA SOLAR

UNIVERSIDAD POLITCNICA DE MADRID
Prof. Estefana Caamao Martn
email: estefan@ies-def.upm.es
Abril del 2015
CARRERA
ASIGNATURA
TTULO DEL
LABORATORIO
FECHA DEL
LABORATORIO

INFORME DE LABORATORIO
Master en Energia Solar y Fotovoltaica
Laboratorio de Mdulos e Instalaciones Fotovoltaicas
Caracterizacin del Recurso Solar
LAB N
1
Marzo del 2015
NOMBRES

INTEGRANTES

Trujillo Danilo Fabricio

Objetivo:
Medir valores de irradiancia con distintos sensores fotovoltaicos, hacer un anlisis comparativo y
brindar conclusiones
Seccin 1
Cuadro de los resultados en trminos de diferencia de irradiancia equivalente (coeficiente a de
los ajustes) y de la bondad de los ajustes (coeficiente de determinacin R2)
Ge(D1) vs Ge(d2)
Ge(D1) vs Ge(D4)
Ge(D2) vs Ge(D4)
Ge(D5) vs Ge(D6)
Ge(D1) vs Ge(D5)
Ge(D1) vs Ge(D6)
Ge(D2) vs Ge(D5)
Ge(D2) vs Ge(D6)
Ge(D4) vs Ge(D5)
Ge(D4) vs Ge(D6)
Ge(D2) vs Ge(D3)
Ge(D3) vs Ge(D4)
Ge(D1) vs Ge(D3)
Ge(D3) vs Ge(D5)
Ge(D3) vs Ge(D6)

coeficiente a
0,8789
0,9537
1,0849
0,9972
0,9715
0,9688
1,1052
1,102
1,0186
1,0158
2,3717
0,3302
0,3302
0,336
0,3351

coeficiente de determinacin R2
0,9919
0,9996
0,9923
1
0,9995
0,9996
0,9922
0,9919
0,9999
0,9999
-0,027
-6,289
-0,037
-6,287
-6,28

LABORATORIO DE MDULOS E INSTLACIONES FOROVOLTAICAS

Prctica 1A: CARACTERIZACIN DEL RECURSO SOLAR
Dispositivos
Dispositivo

Tipo

Tecnologa

ISC* (A)

D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 MISO
D8 MBP
D9 CISP

Clula
Clula
Clula
Mdulo
Mdulo
Mdulo
Mdulo
Mdulo
Clula

Si mono (Isofotn)
Si mono (Isofotn)
Si mono (Isofotn)
Si mono (Isofotn)
Si poly (Photowatt)
Si poly (Photowatt)
Si mono (Isofotn)
Si Mono (BP Solar)
Si mono (JRC)

3,17
3,48
-(1)
3,20
3,01
-(1)

Shunt
Canal
(A mV)
bajada
4 150
1
4 150
11
25 60
3
10 150
4
6 150
5
6 150
13
Estacin Meteorolgica del IES
Estacin Meteorolgica del IES
Estacin Meteorolgica del IES

Canal
Datalogger
201
202
205
206
207
209

Nota (1) Dispositivo no calibrado, a calibrar como sensor de irradiancia en la prctica .

La mejor relacin se da entre los Dispositivos 5 y 6 que corresponden a Si poly (Photowatt) ya el

coeficiente de relacin R2 da un valor de 1 como se puede apreciar en la tabla.
Los peores resultados se obtuvieron con el dispositivo 3 y con las posibles combinaciones con los otros
dispositivos, como se puede apreciar en la tabla cuyas celdas aparecen de color verde. Y el mejor
resultado en color gris.
Seccin 2
Representaciones Grficas del mismo fabricante Si mono (Isofotn) (D1, D2, D3, D4)

Ge(D1) vs Ge(d2)
1000
900
800
Ge (D1)

f(x) = 0.88x
700 R = 1
600
500
400
300
350

450

550

650

750

850

950

1050

Ge (D2)

Ge(D2) vs Ge(D3)
5100
4100
3100
Ge (D3)

2100
1100
100
50

f(x) = 2.37x
R = 0.72
150

250

350

450

550

650

750

850

Ge (D2)

Ge(D3) vs Ge(D4)
1100

f(x) = 0.33x
900 R = 0.72
700

G(D4)

500
300
100
300

800

1300 1800 2300 2800 3300 3800 4300

G(D3)

Ge(D1) vs Ge(D3)
4100
3600
3100
2600
G(D3) 2100
1600 f(x) = 2.08x
1100 R = 0.72
600
300

400

500

600

700

800

900

1000

G(D1)

Ge(D1) vs Ge(D4)
950
850 f(x) = 0.95x
750 R = 1
G(D4) 650
550
450
350
370

470

570

670

770

870

970

G(D1)

Ge(D2) vs Ge(D4)
970
870
770 f(x) = 1.08x
R = 1
670
G(D4)
570
470
370
350 400 450 500 550 600 650 700 750 800 850
G(D2)

Representacin Grfica del mismo fabricante Si poly (Photowatt)

Ge(D5) vs Ge(D6)
950
850
750

f(x) = 1x
R = 1

Ge(D6) 650
550
450
350
350

450

550

650

750

850

950

Ge(D5)
Representacin Grfica de diferentes fabricantes Si mono (Isofoton) y Si poly (Photowatt)

Ge(D1) vs Ge(D5)
950
850 f(x) = 0.97x
R = 1
750
Ge(D5) 650
550
450
350
360

460

560

660

760

860

960

Ge(D1)

Ge(D1) vs Ge(D6)
950
850
750

f(x) = 0.97x
R = 1

Ge(D6) 650
550
450
350
360

460

560

660

760

860

960

Ge(D1)

Ge(D2) vs Ge(D5)
970
870

f(x) = 1.11x
770 R = 1
Ge(D5) 670
570
470
370
340

440

540

640

740

840

Ge(D2)

Ge(D2) vs Ge(D6)
970
870
770

f(x) = 1.1x
R = 1

Ge(D6) 670
570
470
370
340 390 440 490 540 590 640 690 740 790 840
Ge(D2)

Ge(D3) vs Ge(D5)
1100

f(x) = 0.34x
900 R = 0.72
700

Ge(D5)

500
300
100
300

800

1300 1800 2300 2800 3300 3800 4300

Ge(D3)

Ge(D3) vs Ge(D6)
1100

f(x) = 0.34x
900 R = 0.72
700

Ge(D6)

500
300
100
300

800

1300 1800 2300 2800 3300 3800 4300

Ge(D3)

Ge(D4) vs Ge(D5)
950
850 f(x) = 1.02x
R = 1
750
Ge(D5) 650
550
450
350
350

450

550

650

750

850

950

Ge(D4)

Ge(D4) vs Ge(D6)
950
850 f(x) = 1.02x
R = 1
750
Ge(D6) 650
550
450
350
350

450

550

650

750

850

950

Ge(D4)

Seccin 3
Clculos y anlisis de Resultados
Calibracin de los dispositivos D3 y D6 que no estn calibrados.
Para el dispositivo 3 se utiliz el dispositivo 1 como sensor de calibracin ya que son de la misma
marca y caractersticas (clulas de Silicio monocristalino de Isofotn) y el sensor de irradiancia MBP
de la estacin meteorolgica del IES:
Tiempo
11/03/2015 15:31:00

GMBP (W/m2)
830,55

ISC (A) D1
2,8810856

I SC I SC
=
G
G

I SC
G
W 2,8810856 (A )
I SC =1000 2
W
m
830,55 2
m

I SC =3.47 (A )
I SC =G .

( )

( )

Para el dispositivo 6 se utiliz el dispositivo 5 como sensor de calibracin (mdulos policristalinos

Photowatt) y el sensor de irradiancia MBP de la estacin meteorolgica del IES:
Tiempo
11/03/2015 15:31:00

GMBP (W/m2)
830,55

ISC (A) D5
2,6555508

I SC I SC
=
G
G

I SC
G
W 2,6555508( A)
I SC =1000 2
W
m
830,55 2
m
I SC =G .

( )

( )

I SC =3.20( A)

Constantes de calibracin

V OC

Para el dispositivo 3

V OC =( I SC ) ( R shunt )
V OC =( 3.47 A ) ( 0,024 )
V OC =83.28 mV
Para el dispositivo 6

V OC =( I SC ) ( R shunt )
V OC =( 3.20 A ) ( 0,025 )
V OC =80 mV
Como se puede observar en la grfica los peores resultados se dan con el dispositivo 3 una clula de
Silicio monocristalino fabricada por Isofotn, al hacer el anlisis lo que se puede deducir es que la
clula est deteriorada ya que los otros grficos muestran un mejor interpretacin de la comparacin de
las irradiancias efectivas.
Siendo el mejor el grfico que muestra la comparacin entre los dispositivos D5 y D6, donde el
coeficiente de relacin determinado en Excel da un valor de 1, estos son mdulos de Silicio
policristalino fabricados por Photowatt.
Grficos de Irradiancia equivalente a

A
12
10
Peores valores de
Irradiancia
equivalente

8
6
4
2
0
0

10

12

Valores de a de los diferentes mdulos descontando los peores valores

10

12

Grficos del coeficiente de determinacin R

R2
12
10
8
Peores valores de la
bondad
de
los
ajustes

6
4
2
0
0

10

12

Valores de R2 de los diferentes mdulos descontando los peores valores

R2
12
10
8
6
4
2
0
0

10

12

Seccin 4
Conclusiones:

10

No se puede trabajar con el dispositivo 3 ya que se encuentra degradado y da valores errneos

en la medicin.
El mejor resultado al comparar la irradiancia efectiva se muestra entre los mdulos de Silicio
policristalinos fabricados por Photowatt, ya que da un coeficiente de relacin igual a .
A pesar de ser diferentes dispositivos de diferentes fabricantes se puede apreciar que la
diferencia es mnima como se puede ver en el grfico, muestran valores aceptables para su uso
en la prctica.

11