MEMORIAS SOMI XV

TEL-21
DISEO Y ANALISIS DE TRANSICIONES COPLANAR - MICROCINTA
PARA SU OPERACION EN EL INTERVALO DE FRECUENCIAS DE 1 A 50 GHz
P. Rosas, J. Medina1, D. Hernndez
Dpto de posgrado, Facultad. de Ingeniera, UABC Mexicali
Tel: (6) 566-4270 ext. 340, Email: prosas@ingmxl.mxl.uabc.mx

RESUMEN
En este trabajo, se presentan diferentes alternativas para desarrollar transiciones de alta
frecuencia que emplean dos tecnologas diferentes como es el caso de la gua de onda coplanar y
la tecnologa de microcinta. En los circuitos planares de alta frecuencia desarrollados con
tecnologa de microcinta, se requieren transiciones microcinta - coplanar en sus puertos de entrada
y salida, con el fin de poder efectuar una caracterizacin de los circuitos o dispositivos sin requerir
agregar conectores coaxiales y minimizando las parasitancias. Por otro lado, en los dispositivos o
circuitos desarrollados con tecnologa coplanar, se requiere agregar transiciones coplanar microcinta en sus puertos de entrada y salida para interconectarlos con circuitos de microcinta o
bien para encapsularlos y agregar conectores coaxiales. Se proponen y disean nuevas
estructuras y se presentan resultados del anlisis del comportamiento en el intervalo de
frecuencias de 1 a 50 GHz.
ABSTRACT
In this work, different alternatives to develop microstrip-to-coplanar waveguide transitions at high
frequency are presented. In high frequency planar circuits developed with microstrip technology,
microstrip-to-coplanar transitions are required in their input and output ports, in order to characterize
circuits or devices avoiding the use of coaxial connectors and reducing in this way the parasitic
effects. On the other hand, in devices or circuits developed in coplanar technology is necessary to
add coplanar-to-microstrip transitions in their input and output ports to interconnect them with
microstrip circuits or to encapsulate them, as well as to add subsequently coaxial connectors.
Different transition structures are proposed and designed. The frequency response of each
proposed structure is studied and the scattering parameter results are given in the 1 to 50 GHz
frequency range.
1. INTRODUCCION
Actualmente, las estructuras para la transmisin de seales de microondas se realizan en su
mayora en tecnologas planares, es decir, que para su construccin se utilizan lneas de
transmisin cuyas caractersticas elctricas pueden determinarse a partir de las dimensiones
fsicas presentadas en un solo plano del substrato en que estn construidos los elementos. Las
tecnologas planares ms comnmente utilizadas son la microcinta y la Gua de Onda Coplanar.
En el desarrollo de circuitos hbridos de microondas es comn que se requiera conectar
componentes activos, que fueron desarrollados en algn tipo especfico de tecnologa planar, con
lneas de transmisin realizadas en otra tecnologa. Una tcnica comn para solucionar este
problema es utilizar pequeos alambres metlicos para lograr la conexin entre circuitos, con un
efecto que muchas veces degrada en gran medida la respuesta del circuito total, debido
principalmente a un efecto inductivo de los alambres a frecuencias de microondas y ondas
1

CICESE, Departamento de Electrnica y Telecomunicaciones

Km. 107 Carretera Tijuana-Ensenada, 22860 Ensenada B. C. Mxico
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milimtricas. Sin embargo, empleando transiciones entre las lneas de distintas tecnologas es
posible evitar este tipo de inconvenientes.
Existen diversos trabajos relacionados con el diseo y anlisis de transiciones de estructuras
planares, entre los que se encuentran el realizado por Burke y Jackson [1], quienes presentan un
mtodo de acoplamiento de una gua coplanar localizada en un lado del substrato con una
microcinta grabada sobre el otro lado. En dicha estructura el acoplamiento entre ambas estructuras
es electromagntico y no requiere de hoyos metalizados ni alambres para interconectarlas. Por otro
lado, Golja y colaboradores [2] disearon y construyeron una transicin coplanar microcinta en un
substrato de GaAs con un espesor de 100m, empleando ambas caras del substrato y hoyos
metalizados. Otra de las investigaciones realizadas se encuentra en el trabajo publicado por Yook
y colaboradores [3], los cuales estudian diferentes configuraciones de transiciones por medio de
los mtodos de Diferencias Finitas en el Dominio del Tiempo TDFD y el de Elementos Finitos FEM.
Se analizan tres estructuras en donde la primera consiste de una gua coplanar que se encuentra
por un lado del substrato y la microcinta por el otro, en donde el acoplamiento es electromagntico.
La segunda estructura es similar a la primera pero se utiliza un hoyo metalizado para interconectar
ambos lados del substrato. En la tercera estructura tanto la gua coplanar como la microcinta se
encuentran del mismo lado del substrato y por el otro el plano de tierra.
En este trabajo se proponen y disean nuevas estructuras y se presentan resultados del anlisis
del comportamiento en el intervalo de frecuencias de 1 a 50 GHz. Para ello, se presentan los
resultados del anlisis de onda completa aplicado a distintas estructuras de transicin de Gua de
Onda Coplanar con plano de tierra adicional (GOCPA) a microcinta, que fue realizado con el
Simulador de Estructuras para Altas Frecuencias HFSS que emplea el Mtodo de Elementos
Finitos FEM [4].
2. DISEO DE LAS TRANSICIONES
Las caractersticas que se deben cumplir para disear y construr transiciones coplanar
microcinta son: Diseo fcil y rpido, facilidad de construccin, as como lograr un comportamiento
adecuado, en donde se obtengan prdidas por regreso adecuadas en el modo de reflexin y bajas
prdidas por insercin en el modo de transmisin dentro del ancho de banda de operacin.
En el diseo de las transiciones, se utilizan expresiones cerradas obtenidas del anlisis cuasiesttico de la microcinta y la GOCPA basadas en el mtodo de transformacin conforme [5]. Al
utilizar lneas de GOCPA, se pueden obtener diferentes configuraciones geomtricas que
satisfacen un valor de impedancia caracterstica especfico (por ejemplo 50) [5], al contrario de lo
que sucede con las lneas de microcinta para las cuales solo un valor de ancho del conductor
cumple con el valor de impedancia propuesta (considerando una constante dielctrica ( r ) y
espesor del dielctrico (h) iguales en los dos casos). Por esta razn es posible obtener diferentes
configuraciones para la seccin de GOCPA.
La estructura bsica de una transicin coplanar - microcinta se muestra en la figura 1, en la cual se
pueden observar las tres secciones que constituyen la transicin, destacando la central en la que
existe una variacin en el valor de la separacin S desde su valor mnimo correspondiente al ancho
de la ranura de la GOCPA original, hasta su valor mximo que corresponde a una lnea de GOCPA
cuyo conductor central tiene el mismo ancho que la lnea de microcinta. En esta seccin, se busca
minimizar el desacoplamiento entre ambas estructuras mediante una conversin paulatina de una
tecnologa a la otra, por medio de lneas de transmisin de 50 de pequeas longitudes cuya
seccin transversal est regida por la forma de variacin del parmetro S.

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Figura 1. Estructura bsica de una transicin coplanar microcinta.

La forma en que vara la separacin S, depender de las siguientes condiciones:
Mantener una impedancia de 50 a lo largo de la estructura.
La distancia entre los planos de tierra (W+2S) de la seccin de lnea de GOCPA debe ser
menor a 300 m (que es la dimensin de puntas de prueba coplanares empleadas
comnmente para medicin).
Al inicio de la segunda seccin, las dimensiones de las lneas debern cumplir la condicin de
que exista propagacin de modos de GOCPA y que al final de esta se presenten modos de
microcinta, con el propsito de minimizar prdidas o desacoplamientos.
Esto ltimo, genera una zona modos indefinidos de cuya longitud depende el comportamiento final de las
transiciones. La condicin para que se presenten estos modos se expresa como [6]:

S h << 1
S h>2

Modo de GOCPA

(1a)

Modo de Microcinta

(1b)

donde S es el ancho de las ranuras y h es el espesor del substrato.

Para disear las transiciones, se propone que en la parte coplanar la separacin del conductor
central o ancho de las ranuras (S) sea el parmetro que rija el clculo de las lneas de transmisin.
Por lo tanto, se establece la manera en que vara la separacin S y se calcula el ancho W
correspondiente a una impedancia de 50. La longitud fsica se calcula para tener /4 a la
frecuencia central del rango de inters en la primera y tercera seccin, mientras que para la
segunda donde se cambia de tecnologa se determina geomtricamente. Empleando el paquete
Line Calc de MDS [7], se disearon cinco estructuras para dos substratos diferentes: RT/Duroid
6006 ( r=6.15, h=0.254mm)
y el RT/Duroid 6010 ( r=10.2, h=0.254mm). Los parmetros
geomtricos de las transiciones diseadas se presentan en las Tablas 1 a 5.
La transicin C10508 cuyos parmetros geomtricos se muestran en la Tabla 1, se disea para el
substrato RT/Duroid 6010, con S=80 m y W=100 m para la seccin de lnea de GOCPA, y

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W=249 m para la seccin de microcinta. Las longitudes de las secciones coplanar y microcinta se
obtuvieron para operacin a 50 GHz. Con dichas dimensiones, se tiene una relacin entre los
anchos de la lnea de microcinta y la GOCPA de 2.49 y una relacin separacin - espesor S/h =
0.315.
Tabla 1
Secc. GOCPA
Secc. Microcinta

Duroid 6010
Secc. de cambio de
Transicin C10508
tecnologa
Ancho de las ranuras
***
SGOCPA =80m
Smax=939m
Ancho del conductor
***
W GOCPA =100m
W GOCPA =249m
Long. Fsica de la seccin
lGOCPA =641m
lGOCPA =539m
l=591m
Incremento en S
***
***
S=31m
Long. de los incrementos
***
***
l=31m
Tabla 1. Parmetros geomtricos de la transicin C10508.
Los parmetros geomtricos de la transicin C61503 se presentan en la Tabla 2. Esta se disea
para el substrato RT/Duroid 6006, con S=30m y W=66m para la seccin de lnea de GOCPA, y
W=385m para la seccin de microcinta. La relacin entre los anchos de los conductores centrales
de las lneas es de 5.83 y S/h = 0.118. Se propuso que la longitud de la zona de cambio de
tecnologa fuera distinta en ambas transiciones para observar su efecto sobre los parmetros de
dispersin de la estructura.
Duroid 6006
Transicin C61503
Ancho de las ranuras
Ancho del conductor
Long. Fsica de la seccin

Tabla 2
Secc. GOCPA
Secc. Microcinta

Secc. de cambio de
tecnologa
Smax=624m
***

***
SGOCPA =30m
W GOCPA =66m
W GOCPA =385m
lGOCPA =877m
lGOCPA =688m
Incremento en S
***
***
Long. de los incrementos
***
***
Tabla 2. Parmetros geomtricos de la transicin C61503.

l=783m
S=31m
l=41m

La transicin C61506 cuyos parmetros geomtricos se muestran en la Tabla 3, se disea para el

substrato de RT/Duroid 6006, con S=60m y W=158m para la seccin de lnea de GOCPA, y
W=385m para la seccin de microcinta. Para esta estructura, la relacin entre los anchos de los
conductores centrales de las lneas es de 2.437 y S/h = 0.236.
Con estas dimensiones se intenta desvanecer el modo de GOCPA lo ms rpidamente posible en
la seccin de cambio de tecnologa de la nueva transicin al aumentar el valor de la relacin S/h,
mantener constante la razn entre la W de la lnea de microcinta y la W de la lnea de GOCPA,
conforme al valor de la transicin C10508 con la intencin de procurar las buenas caractersticas
de esta, adems de mantener la longitud aproximada de la zona de cambio de tecnologa similar al
de la transicin C61503 y la forma en que incrementa la relacin S/h en ella.

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Tabla 3
Secc. GOCPA
Secc. Microcinta

Duroid 6006
Secc. de cambio de
Transicin C61506
tecnologa
Ancho de las ranuras
***
SGOCPA =60m
Smax=624m
Ancho del conductor
***
W GOCPA =158m
W GOCPA =385m
Long. Fsica de la seccin
lGOCPA =815m
lGOCPA =688m
l=751m
Incremento en S
***
***
S=29.7m
Long. de los incrementos
***
***
l=39.5m
Tabla 3. Parmetros geomtricos de la transicin C61506.
Con la intencin de reducir el cambio abrupto en el paso del ancho del conductor de la lnea de
GOCPA al de la lnea de microcinta, se aumenta la longitud de la seccin de cambio de tecnologa.
Para ello se propuso la transicin P61506 cuyos parmetros geomtricos se muestran en la Tabla
4. La transicin P61506 est diseada para el substrato de RT/Duroid 6006, con S=60m y
W=158m para la seccin de lnea de GOCPA, y W=371m para la seccin de microcinta. En esta
estructura se pretende mantener valores muy similares en la relacin entre los anchos de las lneas
y S/h que las de la transicin C61506. Los valores de estas para la transicin P61506 son de 2.348
para la relacin entre anchos de conductores y de 0.236 para S/h.
Duroid 6006
Transicin P61506
Ancho de las ranuras
Ancho del conductor
Long. Fsica de la seccin
Incremento en S
Long. de los incrementos

Tabla 4
Secc. GOCPA
Secc. Microcinta
SGOCPA =60m
W GOCPA =158m
lGOCPA =1153m
***
***

***
W GOCPA =371m
lGOCPA =988m
***
***

Secc. de cambio de
tecnologa
Smax=465m
***
l=1070m
S=21.3m
l=56.3m

Tabla 4. Parmetros geomtricos de la transicin P61506.

Para tener otro punto de comparacin en el anlisis, se propuso la transicin P10504 (Tabla 5).
Esta se dise aumentando la longitud de la zona de cambio de tecnologa, para el substrato de
RT/Duroid 6010, con S=40m y W=43m para la seccin de lnea de GOCPA, y W=233m para la
seccin de microcinta. La relacin entre los anchos de las lneas es 5.42 y tiene un valor de S/h =
0.157. En esta transicin se consigue un cambio menos abrupto durante la transformacin del
conductor central de la lnea de GOCPA al conductor de la lnea de microcinta, debido a la longitud
mayor de la seccin de cambio de tecnologa.
Duroid 6010
Transicin P10504
Ancho de las ranuras
Ancho del conductor
Long. Fsica de la seccin

Tabla 5
Secc. GOCPA
Secc. Microcinta

Secc. de cambio de
tecnologa
Smax=551m
***

***
SGOCPA =40m
W GOCPA =43m
W GOCPA =233m
lGOCPA =984m
lGOCPA =781m
Incremento en S
***
***
Long. de los incrementos
***
***
Tabla 5. Parmetros geomtricos de la transicin P10504.
3. RESULTADOS DEL ANALISIS DE LAS TRANSICIONES

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l=882.m
S=26.9m
l=46.4m

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Las estructuras diseadas cuyas dimensiones se muestran en las Tablas I a la 5, se analizaron
mediante un programa de anlisis electromagntico basado en el mtodo de Elementos Finitos
llamado HFSS [4], con el propsito de obtener el comportamiento de los parmetros de dispersin
en funcin de la frecuencia. Los resultados del anlisis de onda completa correspondientes a las
transiciones C10508 y C61503 se presentan en las figuras 2 y 3 respectivamente.
En la figura 2, se puede observar que la transicin C10508 presenta prdidas por insercin
menores a 0.2 dB en el intervalo de frecuencias de 1 a 35 GHz, sin embargo, las prdidas por
regreso son adecuadas hasta aproximadamente 30 GHz. A frecuencias mayores, las prdidas
aumentan aceleradamente con una pendiente de aproximadamente 10 dB por dcada de
frecuencia, provocando que a muy alta frecuencia no permita una transmisin de seal ya que
existe una resonancia cercana a los 42 GHz.

Figura 2. Resultado del Anlisis de Onda Completa de la transicin C10508.

En la figura 3 se presentan los resultados del anlisis de la transicin C61503. En dicha figura se
muestra que las prdidas por insercin de la transicin son menores a 0.5 dB, casi en el mismo
ancho de banda que la transicin C10508, pero que sus prdidas por regreso no adecuadas,
permitiendo su operacin solamente a frecuencias bajas en el intervalo de frecuencias de 1 a 10
GHz. Cabe resaltar la presencia de una resonancia cercana a los 48 GHz.
Los resultados del anlisis de onda completa para la transicin C61506 se muestran en la figura 4.
En esta figura se puede observar que la estructura C61506 tiene un ancho de banda de trabajo de
20 GHz, en el intervalo de frecuencias de 30 a 50 GHz, donde las prdidas por regreso son
menores a -25dB y las prdidas por insercin son menores a 0.2 dB. Cabe aclarar que existe una
resonancia en su comportamiento muy cercana a la frecuencia de 53 GHz.

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Figura 3. Resultado del Anlisis de Onda Completa de la transicin C61503.

Figura 4. Resultado del Anlisis de Onda Completa de la transicin C61506.

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Los resultados del anlisis para la transicin P61506 se muestran en la figura 5. En esta figura se
puede apreciar que esta transicin cuenta con un ancho de banda de 15 GHz, dentro del intervalo
de 48 a 63 GHz, donde las prdidas por regreso son menores a -20 dB y las prdidas por insercin
inferiores a 0.5 dB. Se puede observar que esta estructura tambin muestra una resonancia
cercana a los 47 GHz.

Figura 5. Resultado del Anlisis de Onda Completa de la transicin P61506.

El resultado del anlisis de onda completa de la transicin P10504 se muestra en la figura 6. En
ella se puede observar que esta transicin tiene un comportamiento adecuado en un ancho de
banda de aproximadamente de 23 GHz, desde 10 GHz hasta 33 GHz, donde las prdidas por
regreso son menores a -20 dB y las prdidas por insercin son menores a 0.5 dB. Como ya se ha
notado con anterioridad, en esta transicin tambin se presenta un efecto resonante a los 38 GHz
aproximadamente.

4. CONCLUSIONES
En este trabajo se propuso una metodologa de diseo de transiciones realizadas con dos
tecnologas de lneas de transmisin planares (coplanar microcinta), adecuadas para operacin a
frecuencias de microondas y ondas milimtricas. La metodologa propuesta se basa en una
variacin lineal del ancho de las ranuras de la GOCPA en la zona de cambio de tecnologa y dos
criterios de diseo para la variacin de la longitud de la parte central o de transicin. Se disearon
cinco transiciones diferentes sobre un solo lado de un substrato, empleando expresiones cuasiestticas y el programa Line Cal de MDS. Asimismo, se presentaron los resultados obtenidos del
diseo de las cinco transiciones y los correspondientes al anlisis electromagntico de las
estructuras mediante el mtodo de elementos finitos del programa HFSS.
Del anlisis de los resultados correspondientes a las cinco transiciones diseadas, se puede
concluir que: El buen comportamiento de las transiciones est relacionado con la longitud fsica de

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la zona de cambio de tecnologa, la forma de crecimiento del ancho del conductor (W), el valor de
la relacin S/h y el valor de la relacin W m/W GOCPA .
En general las transiciones diseadas presentaron comportamientos distintos entre s, que sirvieron de
referencia para el anlisis. Estas diferencias son mayores sobre todo en las prdidas por regreso y en el ancho
de banda de operacin. De las estructuras diseadas, la C10508 y la C61506 mostraron un mejor
comportamiento, en donde la primera opera en el rango de frecuencias desde DC hasta 33 GHz con prdidas
por insercin y por regreso menores a 0.2dB y 20 dB respectivamente, mientras que la segunda funciona
adecuadamente entre 30 y 50 GHz con prdidas por insercin y por regreso menores a 0.2dB y a 25 dB
respectivamente. Con las dos transiciones anteriormente mencionadas y con la P61506 que opera
adecuadamente de 48 a 63 GHz, es posible cubrir un ancho de banda desde 1 hasta 63 GHz.

Figura 6. Resultado del Anlisis de Onda Completa de la transicin P10504.

5. REFERENCIAS
1. J. Burke and R. Jackson. Surface-to Surface Transition via Electromagnetic Coupling of
Microstrip and Coplanar Waveguide, IEEE Microwave Theory and Techniques, vol 37, pp. 519525, mar 1989.
2. B. Golja, H. Sequera, S. Duncan, G. Mendenilla and N. Byer. A coplanar to microstrip
transition for W-Band circuit fabrication with 100m thick GaAs wafers, IEEE Microwave and
Guided Wave letters, vol. 3, pp. 29-31, Feb 1993.
3. J. Yook, N. Dib, L. Kathehi, Characterization of high frequency interconnects using Finite
Difference Time Domain and Finite Element Methods, IEEE Trans on Microwave Theory and
Techniques, vol. 42, pp. 1727-1736, sep. 1994.

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4. Ann, High Frequency Structure Simulator HFSS, Hewlett Packard user reference HP85180A,
p.p.1-1 to 18-8, (1994).
5. G.Ghione. y C. Naldi. "Coplanar waveguides for MMIC aplications: effect of the upper shielding,
conductor backing, finite extend ground planes, and line to line coupling", IEEE MTT, 35, pp
260-267. (1987).
6. Gupta et al., "Microstrip lines and slotlines" , (Ed. Artech House), second edition, (1996).
7. Ann, Microwave and RF Design System MDS, Hewlett Packard user manual release 6, Vol:
1-8. (1994),

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