Si se dibuja una lnea recta tangente a la curva sobre el punto Q com o se m uestra en la

figura 1.33, se definir un cam bio particular en el voltaje y en la corriente que se puede uti
lizar para determ inar la resistencia de ac o dinm ica para esta regin de las caractersticas del
diodo. Se deber efectuar un esfuerzo para m antener el cam bio en el voltaje y en la corrien
te lo m s pequeo posible y equidistante de cada lado del punto Q. En form a de ecuacin,

donde A significa un cam bio finito en la cantidad.

Figura 1.33 Determinacin

de la resistencia de ac para un
punto Q.

(1.6)

M ientras m ayor sea la pendiente, m enor ser el valor de A Vd para el m ism o cam bio en A Id
y m enor ser la resistencia. L a resistencia de ac para la regin de crecim iento vertical de
la caracterstica es por lo tanto m uy pequea, m ientras que la resistencia de ac es m ucho
m ayor para niveles bajos de corriente.
Por lo tanto, en general, mientras menor sea el punto de operacin Q (corriente ms pe
quea o voltaje ms pequeo) mayor ser la resistencia de ac.

EJEMPLO 1.2

Para las caractersticas de la figura

(a) D eterm inar la resistencia de ac
(b) D eterm inar la resistencia de ac
(c) C om parar los resultados de los
vel de corriente.

1.34:
cuando I D 2 m A .
cuando ID 25 m A .
incisos (a ) y (b ) con la resistencia de de en cada ni

Figura 1.34

Ejemplo 1.2.

S o lu c i n
(a) P ara el caso ID = 2 m A ; se dibuj la lnea tangente en ID = 2 m A com o se m uestra
en la figura y se eligi una excursin de la seal de 2 mA por encim a y por debajo del
nivel de corriente especificado para el diodo. En el punto ID = 4 m A , VD = 0 .7 6 V, y
en ID 0 m A , VD = 0.65 V . Los cam bios en la corriente y el voltaje que resultan son
A Id = 4 m A - 0 m A = 4 m A
y

22

Captulo 1

A Vd = 0 .7 6 V - 0.65 V = 0.11 V
D iodos sem iconductores

y la resistencia de ac:
a ^ o u v
'

A/,

4 mA

(b) Para el caso ID 25 m A , se dibuj la lnea tangente en ID 25 m A como se muestra

en la figura, con una excursin de 5 mA por encima y por debajo del nivel de corriente elegi
do para el diodo. En el punto ID 30 m A , VD 0.8 V , y en ID 2 0 m A , VD = 0.7 8 V .
Los cam bios en la corriente y el voltaje que resultan son
A Id 30 m A 20 m A = 10 m A
y

A V d = 0.8 V - 0.78 V = 0 .0 2 V

y la resistencia de ac es
AV
0 .0 2 V
---- _ ---------- 2 i l
M d
10 m A

_
d

(c) Para el caso l D 2 m A , VD = 0.7 V y

ID

2 mA

lo cual excede por m ucho a la rd de 27.5 l .

Para el caso ID = 25 m A , VD = 0.7 9 V y
VD
0.7 9 V
RD = - f- = = r = n . 6 2 a
ID
25 m A
lo cual excede por m ucho a la rd de 2 f 1.

Calculam os la resistencia dinm ica de form a grfica, sin em bargo, existe una defini
cin bsica en clculo diferencial que establece lo siguiente:
La derivada de una funcin en un punto especfico es igual a la pendiente de la lnea tan
gente dibujada en ese punto.
Por lo tanto, la ecuacin 1.6 com o se defini en la figura 1.33, es equivalente a calcular la
derivada de la funcin en el punto de operacin Q. Si se encuentra la derivada de la ecua
cin general 1.4 del diodo sem iconductor con respecto a la polarizacin directa aplicada y
luego se invierte el resultado, se obtendr una ecuacin para la resistencia de ac o dinm i
ca en esa regin. Esto es, al tom ar la derivada de la ecuacin 1.4 con respecto a la polari
zacin aplicada, el resultado ser
d V d) =

dVDy

dV

d i r\
k .
-77T =
dVD
Tk

O]

.
+ Q

m ediante algunas m aniobras bsicas del clculo diferencial. E n general, l D

seccin de la pendiente vertical de las caractersticas y

din
dVr

/ 5 en la

_ In

Al sustituir r] = 1 para el caso del G e y del Si para la seccin de crecim iento vertical en
las caractersticas, obtendrem os
t .

1W 00 .
V

iw o o _
1

1.8 N iveles de resistencia

23

y a tem peratura am biente,

TK = T c + 2 7 3 = 2 5 + 2 7 3 = 2 98
k
11,600
=
~ = 38.93
Tk
298

de tal form a que

4

d ID
y

dVD

= 3 8 .9 3 l D

Al invertir el resultado para definir un ndice de resistencia (R = V //), se obtiene

d V D _ 0 .0 2 6
d ID

ID

26 m V
rd

In

(1.7)
Ge,Si

El significado de la ecuacin 1.7 debe entenderse claram ente, ya que im plica que la resis
tencia dinm ica puede calcularse de form a sim ple al sustituir el valor de la corriente en el
punto de operacin del diodo en la ecuacin. No hay necesidad de tener disponible las ca
ractersticas o de preocuparse por trazar lneas tangenciales com o se defini en la ecuacin
1.6. Sin em bargo, es im portante tener en m ente que la ecuacin 1.7 es exacta solam ente
para valores de 1D que se encuentran en la seccin de crecim iento vertical de la curva. Pa
ra valores m enores de I d ->r) = 2 (silicio) por lo que el valor de rD obtenido se debe m ul
tiplicar por un factor de 2. Para valores pequeos de \ D que se encuentran por debajo del
punto de inflexin de la curva, la ecuacin 1.7 resulta inapropiada. >
Todos los niveles de resistencia determ inados hasta ahora se han definido para la unin
p -n y no incluyen la resistencia del m aterial sem iconductor en s (denom inada resistencia
de cuerpo) ni la resistencia presentada por la conexin entre el m aterial sem iconductor y el
conductor m etlico externo (denom inada resistencia de contacto). E stos niveles adiciona
les de resistencia pueden incluirse en la ecuacin 1.7 al agregarle la resistencia denotada por
rB com o se m uestra en la ecuacin 1.8. Por lo tanto, la resistencia rd, incluir tanto a la re
sistencia dinm ica definida por la ecuacin 1.7 com o a la resistencia rB recin presentada.

ohm s

( 1.8)

El factor rB puede tener un rango de valores tpicos que van de 0.1 f l para el caso de
dispositivos de alta potencia, hasta de 2 f l para el caso de algunos diodos de baja potencia
de propsito general. Para el ejem plo 1.2, la resistencia de ac para el nivel de 25 mA se
calcul en 2 f l . A l utilizar ahora la ecuacin 1.7 obtenem os
26 m V _ 26 m V
rd

In

= 1.04 1

25 m A

La diferencia de aproxim adam ente 1 f l podra tom arse com o la contribucin debida a rB
Para el ejem plo 1.2, la resistencia de ac para el nivel de 2 mA se calcul com o 27.5 f l.
A hora m ediante la ecuacin 1.7 pero m ultiplicando por un factor de 2 para esta regin (ya
que en el punto de inflexin de la curva r = 2),
= 2

26 m V

= 2

26 m V
2 mA

= 2(13 a ) = 2 6 1

L a diferencia de aproxim adam ente 1.5 f l podra tom arse com o la contribucin debida a rB.
En realidad, el clculo de rd con un alto grado de precisin a partir de la curva carac
terstica m ediante la ecuacin 1.6 es un proceso difcil, cuyos resultados deben m anejarse
con cuidado en el m ejor de los casos. A niveles de corriente bajos del diodo, el factor rB
norm alm ente es lo suficientem ente pequeo en com paracin con rec o m o para perm itir ig-

Captulo 1

D iodos sem iconductores

norar su im pacto sobre la resistencia de ac del diodo. A niveles altos de corriente, el nivel
de rf puede acercarse al de rd, pero debido a que con frecuencia existirn otros elem entos
resistivos con m agnitudes m ucho m ayores en serie con el diodo, se asum ir en este libro que
la resistencia de ac se determ ina nicam ente por rd, ignorando el im pacto de rB a m enos
que se indique lo contrario. Las m ejoras tecnolgicas de los ltim os aos sugieren que el
nivel de rB continuar dism inuyendo en m agnitud y que eventualm ente ser un factor que
pueda ignorarse con seguridad al com pararse con rd.
El anlisis anterior se centr nicam ente en la regin de polarizacin directa, para la
regin de polarizacin inversa, asum irem os que el cam bio en la corriente sobre la lnea de
Is es nulo para la regin que va de los 0 V h asta la zona Z en er p o r lo que la resisten cia
de ac que resulta al aplicar la ecuacin 1.6 es lo suficientem ente grande com o para p erm i
tir la aproxim acin del circuito abierto.

o jTJj O

Resistencia de A C prom edio

Si la seal de entrada es lo suficientem ente grande para p roducir una excursin am plia co
mo en la figura 1.35, la resistencia asociada con el dispositivo para esta regin se denom i
na resistencia de ac prom edio, la cual es, por definicin, la resistencia determ inada por una
lnea recta trazada entre las dos intersecciones establecidas por los valores m nim os y m
ximos del voltaje de entrada. En form a de ecuacin (observe la figura 1.35),

A Vd
:=: -----av
Ald

(1.9)
p u n to p o r p u n to

Figura 1.35 Determina

cin de la resistencia de ac
promedio entre los lmites
indicados.

Para la situacin indicada por la figura 1.35

A Id 17 m A 2 m A = 15 m A
AVw
con

0 .7 2 5 V - 0.65 V = 0 .0 7 5 V
AVd

0.075 V

A /

15 m A

= 51

Si la resistencia de ac (rd) se determ inara cuando 1D 2 m A su valor sera m ayor que

5 i , y si se determ inara a 17 m A sera m enor. En m edio, la resistencia de ac efectuara la
transicin del valor alto en 2 m A hacia el valor bajo en 17 mA. L a ecuacin 1.9 define un
1.8 N iveles de resistencia

25

valor que se considera un prom edio de los valores en ac de 2 a 17 mA. El hecho de que un
nivel de resistencia pueda em plearse para un intervalo tan am plio de caractersticas dem os
trar ser algo m uy til en la definicin de circuitos equivalentes para un diodo en una sec
cin posterior.
Para ambos niveles de resistencia de de y de ac, mientras menor sea el nivel de corriente
utilizado para determinar la resistencia promedio, mayor ser el nivel de resistencia.

Tabla de resumen
La tabla 1.2 se desarroll para reforzar las conclusiones im portantes de las ltim as pgi
nas y para enfatizar las diferencias entre los distintos niveles de resistencia. Com o se indic
antes, el contenido de esta seccin ser el fundam ento para una gran cantidad de clculos
de resistencias que se realizarn en secciones y captulos posteriores.
TABLA 1.2 N iveles de resistencia

Ecuacin

Tipo

De DC o esttica

De AC
o dinmica

De ac promedio rav =

1.9

Definicin

especiales

grfica

Vd
*r>

Se define como un punto sobre

las caractersticas

AK, _ 26 mV
AL ~
In

Se define por ,una lnea tangente

en el punto Q

RD

r<t =

Caractersticas

AV
A/,, puntopor pumo.

Se define por una lnea

recta entre los lmites
de operacin

A/.,

CIRCUITOS EQUIVALENTES PARA DIODOS

Un circuito equivalente es una combinacin de elementos elegidos deform a apropiada pa

ra representar de la mejor manera las caractersticas terminales reales de un dispositivo,
sistema o similar, para una regin de operacin particular.
En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible elim inar el
sm bolo del dispositivo de un diagram a y sustituirlo por el circuito equivalente sin afectar
de form a im portante el com portam iento real del sistem a. El resultado a m enudo es una red
que puede resolverse m ediante las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.

26

Captulo 1

D iodos sem iconductores

C ircuito equivalente de segm entos lineales

U na tcnica para obtener un circuito equivalente para un diodo consiste en aproxim ar las
caractersticas del dispositivo utilizando segm entos de lneas rectas, com o se m uestra en la
figura 1.31. Al circuito equivalente resultante se le denom ina, com o es natural, circuito
equivalente de segm entos lineales. D ebe resultar obvio al observar la figura 1.36 que los
segm entos de lneas rectas no representarn una copia exacta de las caractersticas reales,
especialm ente en la regin del punto de inflexin; sin em bargo, los segm entos resultantes
son lo suficientem ente aproxim ados a la curva real que es posible establecer un circuito
equivalente que proporcionar una prim era aproxim acin excelente al com portam iento
real del dispositivo. Para la seccin con pendiente del equivalente, el nivel de resistencia
de ac prom edio que se present en la seccin 1.7 ser el nivel de resistencia que aparece
en el circuito equivalente de la figura 1.37 posterior al dispositivo real. En esencia, define el
nivel de resistencia del dispositivo cuando ste se encuentra en el estado de encendido . El
diodo ideal se incluy con el objetivo de establecer que slo existe una direccin de con
duccin a travs del dispositivo y que una condicin de polarizacin inversa para el d ispo
sitivo ocasionar el estado de circuito abierto. D ebido a que un diodo sem iconductor de si
licio no alcanza el punto de conduccin sino hasta que VD llega a 0.7 V bajo polarizacin
directa (com o se m uestra en la figura 1.36) deber existir en el circuito equivalente una b a
tera VT que se oponga a la direccin de conduccin com o se m uestra en la figura 1.37. La
batera solam ente indica que el voltaje a travs del dispositivo deber ser m ayor que el vol
taje de um bral de la batera antes de que pueda establecerse una conduccin a travs del
dispositivo en la direccin determ inada por el diodo ideal. C uando la conduccin se esta
blezca, la resistencia del diodo ser el valor especificado de rav.
Sin em bargo, recuerde que VT en el circuito equivalente no es una fuente de voltaje in
dependiente. Si se coloca un voltm etro sobre un diodo en particular encim a de una m esa
de laboratorio, no se obtendr una lectura de 0.7 V. L a batera solam ente representa el desfasam iento horizontal en las caractersticas que debern superarse para poder establecer la
conduccin.

vD(y )

b
Figura 1.37

h)

0.7 V

Figura 1.36 Definicin del

circuito equivalente de segmen
tos lineales utilizando segmentos
de lneas rectas para aproximar
la curva caracterstica.

rav
A /W
10Q

-Diodo ideal

Componentes del circuito equivalente de segmentos lineales.

1.9 Circuitos equivalentes para diodos

El nivel aproxim ado de rav puede determ inarse generalm ente a partir de un punto de
operacin que se describe en la hoja de especificaciones (que se discutir en la seccin
1.10). P or ejem plo, para un diodo sem iconductor de silicio, si IF = 10 m A (una co m en te
de conduccin directa para el diodo) cuando VD = 0.8 V, sabem os que para el silicio se re
querir un desplazam iento de 0.7 V para que la curva caracterstica se eleve y
AV,
=

M ,

p u n to a p u n to

0.8 V - 0. 7 V

0.1 V

10 m A - 0 m A

10 m A

= 10 i

segn se obtuvo para la figura 1.36.

C ircuito equivalente sim plificado

Para la m ayora de aplicaciones, la resistencia rav es lo suficientem ente pequea al com pa
rarla con los otros elem entos de la red, com o para poder ignorarla. L a elim inacin de rav
del circuito equivalente es sim ilar a afirm ar que las caractersticas del diodo son las que se
m uestran en la figura 1.38. Por cierto, esta aproxim acin se utiliza frecuentem ente en el
anlisis de circuitos sem iconductores com o se ver en el captulo 2. El circuito equivalen
te reducido se m uestra en la m ism a figura, y m anifiesta que en un sistem a electrnico, un
diodo de silicio polarizado directam ente, bajo condiciones de corriente de tendr una cada
de 0.7 V a travs de l, en el estado de conduccin a cualquier nivel de corriente del diodo
(por supuesto, dentro de los valores nom inales).

VT = 0.7 V
ll
fcl
1

O]
ID
0
Figura 1.38

VT= 0.7 V

Diodo ideal

vD

Circuito equivalente simplificado para el diodo semiconductor de silicio.

Circuito equivalente ideal

U na vez que se ha elim inado r av del circuito equivalente vayam os un paso adelante y es
tablezcam os que un nivel de 0.7 V norm alm ente puede ignorarse cuando se com para con
el nivel de voltaje aplicado. En este caso, el circuito equivalente se reducir al de un dio
do ideal con sus caractersticas com o se m uestra en la figura 1.39. En el captulo 2 vere
m os que es posible utilizar esta aproxim acin sin una prdida considerable de precisin.
En la industria, una popular sustitucin de la frase circuito equivalente de diodo es
m odelo de diodo, un m odelo por definicin es una representacin de un dispositivo, obje
to, sistem a, u otro existente. D e hecho, esta term inologa alternativa ser utilizada de for
m a casi exclusiva en los captulos siguientes.
ID
+

Figura 1.39

28

Captulo 1

Diodo ideal y sus caractersticas.

D iodos sem iconductores

VD

Tabla de resumen
Por claridad, los m odelos del diodo que son utilizados para la variedad de parm etros y
aplicaciones se presentan en la tabla 1.3 ju n to con sus caractersticas de segm entos linea
les. C ada una de ellas se revisar con m ayor detalle en el captulo 2. S iem pre existen ex
cepciones a la regla general, sin em bargo, es seguro afirm ar que el m odelo equivalente
sim plificado se utilizar de m anera m s frecuente en el anlisis de sistem as electrnicos
m ientras que el diodo ideal se aplicar con m ayor regularidad en el anlisis de sistem as de
fuentes de alim entacin donde existen voltajes m ayores.

TABLA 1.3 Circuitos equivalentes de diodos (m odelos)

Tipo

Condiciones

Modelo

Cariictersticas
b

j r av

Modelo de segmentos lineales

o
v

rav

D io d o
ideal

yT

VD

Modelo simplificado

VT

D io d o
id ea l

Dispositivo ideal
D io d o
ideal

1.10

HOJAS DE ESPECIFICACIONES DE DIODOS

Los datos sobre especificaciones de dispositivos sem iconductores son proporcionados nor
malmente de dos m aneras por el fabricante. L a form a m s com n es m ediante una breve
descripcin que se lim ita a una pgina com o m xim o. L a otra m anera es por m edio de una
revisin de las caractersticas utilizando grficas, ilustraciones, tablas, etctera. En cu al
quier caso, existen conjuntos de datos especficos que deben incluirse para una utilizacin
correcta del dispositivo, e incluyen:
1. El voltaje directo VF (para una corriente y tem peratura definida)
2. La corriente directa m xim a IF (para una tem peratura definida)
3. La corriente de saturacin inversa IR (para un voltaje y tem peratura definidos)
4. El nivel de voltaje inverso [PIV, PRV o V (B R ), donde BR proviene del trm ino ru p
tura (del ingls breakdow n) (para una tem peratura definida)]
5. El nivel de disipacin para la m xim a potencia en una tem peratura particular
6. Los niveles de capacitancia (com o se definirn en la seccin 1.11)
7. El tiem po de recuperacin inverso trr (com o se definir en la seccin 1.12)
8. El rango de tem peratura de operacin
Segn el tipo de diodo que se considere, se pueden proporcionar datos adicionales, co
mo son: rango de frecuencia, nivel de ruido, tiem po de conm utacin, niveles de resisten-

1.10 Hojas de especificaciones de diodos

29

C A P T U L O

Aplicaciones
de diodos
2.1

INTRODUCCIN

La construccin, caractersticas y modelos de los diodos semiconductores se presentaron en

el captulo 1. El objetivo primordial de este captulo es desarrollar un conocimiento prctico
del diodo dentro de una variedad de configuraciones mediante el uso de modelos apropiados
para el rea de aplicacin. Al final del captulo, se deber com prender con claridad el patrn
fundamental de comportamiento de los diodos en las redes de de y de ac. Los conceptos que
se aprendan en este captulo aparecern de manera recurrente en los captulos siguientes. Por
ejemplo, los diodos se emplean a menudo en la descripcin de la construccin bsica de los
transistores y en el anlisis de la redes de transistores en los dominios de de y de ac.
El contenido de este captulo revelar un aspecto interesante y muy positivo acerca del es
tudio del campo de los dispositivos y sistemas electrnicos. Una vez que se comprende el com
portamiento bsico de un dispositivo, se pueden determinar su funcin y respuesta dentro de
una variedad infinita de configuraciones. El rango de las aplicaciones no tiene fin; no obstan
te, las caractersticas y los modelos permanecen iguales. El anlisis abarca desde el empleo de
las caractersticas reales del diodo hasta el uso, casi exclusivo, de modelos aproximados. Es
importante que sin necesidad de repasar continuamente procedimientos matemticos prolon
gados, se entiendan en el papel la respuesta de los elementos de un sistema electrnico. Por
lo general, este procedimiento se lleva a cabo a travs de un proceso de aproximacin, el cual,
por s mismo, puede considerarse como un arte. Aunque los resultados que se obtienen me
diante el uso de las caractersticas reales pueden ser un poco diferentes de aquellos que se ob
tienen a travs de una serie de aproximaciones, es importante considerar que las caractersti
cas obtenidas a partir de una hoja de especificaciones pueden diferir un poco de las que se
obtienen a partir del uso real del dispositivo. En otras palabras, las caractersticas de un dio
do semiconductor 1N4001 pueden variar de un elemento a otro dentro del mismo lote. La va
riacin puede ser ligera, pero a menudo ser suficiente para validar las aproximaciones em
pleadas en el anlisis. Tambin se deben tom ar en cuenta los otros elementos de la red: es la
resistencia marcada con un valor de 100 Q exactamente 100 Q?, es el voltaje aplicado exac
tamente igual a 10 V o quiz a 10.08 V? Todas estas tolerancias contribuyen a la creencia di
fundida de que una respuesta determinada mediante un conjunto adecuado de aproximaciones
pueda, por lo general, ser tan precisa como sucede en el caso de una que utiliza las carac
tersticas completas. En este libro el nfasis se basa en el desarrollo de los conocimientos prc
ticos de un dispositivo a travs del uso de las aproximaciones apropiadas, con lo que se evita
un nivel innecesario de complejidad matemtica. Sin embargo, por lo regular, se proveer
el detalle suficiente como para permitir un anlisis matemtico minucioso para quien as lo
desee.

55

2.2

ANLISIS POR MEDIO DE LA RECTA DE CARGA

Por lo general, la carga aplicada tendr un impacto importante en el punto o regin de opera
cin de un dispositivo. Si el anlisis se realiza de forma grfica, se puede dibujar una lnea
recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada. La interseccin
de la recta de carga con las caractersticas determinar el punto de operacin del sistema. Tal
anlisis es llamado, por razones obvias, anlisis p o r medio de la recta de carga. A pesar de
que la mayora de las redes de diodos que se analizan en este captulo no emplean el enfoque
de la recta de carga, la tcnica es una de las que se utilizan de forma ms frecuente en los ca
ptulos subsecuentes, y esta introduccin ofrece la aplicacin ms simplificada del mtodo. De
igual forma, permite una validacin de la tcnica de aproximacin descrita a travs del resto
de este captulo.
Considere la red de la figura 2.1a, la cual emplea un diodo que posee las caractersticas
de la figura 2.1b. Observe que en la figura 2.1a la presin de la batera tiene como finalidad
establecer una corriente a travs del circuito en serie en direccin de las manecillas del reloj.
El hecho de que esta corriente y la direccin de conduccin definida del diodo coincidan,
revela que el diodo se encuentra en el estado de encendido y que la conduccin se ha esta
blecido. La polaridad resultante a travs del diodo ser la mostrada y el primer cuadrante (VD
e ID positivos) de la figura 2.1.b ser la regin de inters: la regin de polarizacin directa.
Mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito en serie de la figura
2.1a el resultado ser
e

vd

vd

vr

= o

i dr

(2.1)

Las dos variables de la ecuacin (2.1) (VD e D) son las mismas que las variables de los
ejes del diodo de la figura 2.1b. Esta similitud permite una graficacin de la ecuacin (2.1) so
bre las mismas caractersticas de la figura 2.1b.
Las intersecciones de la recta de carga sobre las caractersticas se pueden determinar f
cilmente si se tiene en cuenta que en cualquier lugar del eje horizontal lD = 0 A y que en cual
quier lugar del eje vertical VD = 0 V.
Si establecemos que VD = 0 V en la ecuacin (2.1) y se resuelve para ID, tendremos la mag
nitud de D sobre el eje vertical. Por tanto, con VD = 0 V, la ecuacin (2.1) se convierte en
E = V
=

0 V

I jy R
+

IdR

E
e

( 2 .2 )
>

l ~ R

o
II
a?

Figura 2.1 Configuracin de

diodo en serie: (a) circuito; (b) ca
ractersticas.

como se muestra en la figura 2.2. Si establecemos ID = 0 A en la ecuacin (2.1) y resolvemos

para VD, obtenemos la magnitud de VD sobre el eje horizontal. Por tanto, con 1D = 0 A, la
ecuacin (2.1) se convierte en
E = VD + IPR
= Vd + ( 0 A ) R

Vd E |/)= o a

(2.3)

como se muestra en la figura 2.2. Una lnea recta dibujada entre los dos puntos definir la rec
ta de carga como la descrita en la figura 2.2. El cambio en el nivel de R (la carga) cambiar
la interseccin sobre el eje vertical. El resultado ser un cambio en la pendiente de la recta de
carga, y un punto de interseccin diferente entre la recta de carga y las caractersticas del dis
positivo.
Ahora tenemos una recta de carga definida por la red y una curva caracterstica definida
por el dispositivo. El punto de interseccin entre los dos es el punto de operacin para este

56

Captulo 2

Aplicaciones de diodos

circuito. Al dibujar sim plem ente una lnea recta hacia abajo en direccin al eje horizontal,
puede determ inarse el voltaje del diodo VDq, mientras que una lnea horizontal proveniente
del punto de interseccin hacia el eje vertical proporcionar el nivel de IQ. La corriente 1D es
en realidad la corriente a travs de toda la configuracin en serie de la figura 2.1a. Por lo ge
neral, el punto de operacin se denomina punto de operacin estable (Q-pt, abreviacin de
rivada de su nombre en ingls Quiescent point) debido a las cualidades de estabilidad e in
movilidad, segn lo definido por una red de de.
La solucin que se obtiene en la interseccin de las dos curvas es la misma que se podra ob
tener por una solucin matemtica simultnea de las ecuaciones (2.1) y (1.4) [ID _ Is ( ^ - 1)]
como se demuestra posteriormente en esta seccin en un ejemplo de Mathcad. Dado que la
curva para un diodo tiene caractersticas no lineales, las matemticas involucradas requerirn
del uso de tcnicas no lineales que estn fuera de las necesidades y alcance de este libro. El
anlisis por medio de la recta de carga que se describi anteriormente, provee una solucin
con un esfuerzo mnimo, y una descripcin pictrica de cmo se obtuvieron los niveles de
solucin para VDq e IDq. Los siguientes dos ejemplos demostrarn las tcnicas que se presen
taron previamente, y tambin la facilidad relativa con la que puede dibujarse la recta de carga
mediante el uso de las ecuaciones (2.2) y (2.3).

Para la configuracin del diodo en serie de la figura 2.3a y utilizando las caractersticas del
diodo de la figura 2.3b determine:
(a) % e IDq.
(b) V*.

Figura 2.3

EJEMPLO 2.1

(a) Circuito; (b) caractersticas.

2.2

Anlisis por m edio de la recta de carga

57

Solucin
E

(a) Ecuacin (2.2):

Ecuacin (2.3):

10V
_
~ TT7T 10 m A
R f =ov
1 k i

ID ~

VD E \Id=oa = 10 V

La recta de carga resultante aparece en la figura 2.4. La interseccin entre la recta de carga y
la curva caracterstica define el punto Q como
UQ

= 0 .7 8 V

ID = 9 .2 5 m A
El nivel de VD es ciertamente un estimado, y la precisin de ID est limitada por la escala se
leccionada. Un nivel ms alto de precisin requerira de una grfica mucho ms larga y ms
ancha.
(b) VR = IrR = Id R = (9.25 m A )(l k f t) = 9.2 5 V
o

VR = E -

VD = 10 V - 0 .7 8 V = 9 .2 2 V

La diferencia en los resultados se debe a la precisin con la cual se puede leer la grfica. Ideal
mente, los resultados que se obtienen de una forma o de otra deberan ser los mismos.

(mA)

E
R
Punto Q

s 9.25 mA

10 VD (V)

()

VDq S 0.78 V
Figura 2.4

EJEMPLO 2.2

Solucin al ejemplo 2.1.

Repita el anlisis del ejemplo 2.1 con R = 2 kQ.

Solucin
E

(a) Ecuacin (2.2):

Ecuacin (2.3):

ID ~z

R v=ov

1 0 V

2kH

A
= 5< m A

VD = E \Id=0A = 10 V

La recta de carga resultante aparece en la figura 2.5. Observe la pendiente reducida y los ni
veles de corriente del diodo ante las cargas crecientes. El punto Q resultante est definido por
VD
= 0 .7 V
UQ
I Dq =

4.6 mA

(b) V* = IrR = Id R = (4 .6 m A )(2 k O ) = 9 .2 V

con VR = E VD = 10 V 0.7 V = 9 .3 V
La diferencia en los niveles se debe, nuevamente, a la precisin con la que se puede leer la
grfica. Sin embargo, los resultados proporcionan una magnitud esperada para el voltaje VR.

58

Captulo 2

Aplicaciones de diodos

I d (mA)

Como se observ en los ejemplos anteriores, la recta de carga est determinada nicamen
te por la red aplicada, mientras que las caractersticas estn definidas por el dispositivo selec
cionado. Si recurrimos a nuestro modelo aproximado para el diodo y no se modifica la red, la
recta de carga ser exactamente la misma que la que se obtuvo en los ejemplos anteriores. De
hecho, los siguientes dos ejemplos repiten el anlisis de los ejemplos 2.1 y 2.2 mediante el
modelo aproximado para permitir una comparacin de resultados.

Repita el ejemplo 2.1 utilizando el modelo equivalente del diodo semiconductor de silicio.

EJEMPLO 2.3

Solucin
La recta de carga se vuelve a dibujar segn se muestra en la figura 2.6, con las mismas inter
secciones como se defini en el ejemplo 2.1. Las caractersticas del circuito equivalente apro
ximado para el diodo tambin se han trazado en la misma grfica. El punto Q resultante:
v Dq

o.

7 \

lD
= 9.25 mA
UQ

Figura 2.6

Solucin al ejemplo 2.1 con el empleo del modelo aproximado del diodo.

2.2

A nlisis por m edio de la recta de carga

59

Los resultados obtenidos en el ejemplo 2.3 son muy interesantes. El nivel de IDq es exac
tamente el mismo que el obtenido en el ejemplo 2.1 por medio del uso de una curva caracte
rstica que resulta mucho ms fcil de dibujar que la que aparece en la figura 2.4. El nivel de
VD = 0.7 V contra el 0.78 V del ejemplo 2.1 tiene una diferencia en magnitud del orden de las
centsimas, pero ciertamente se encuentran en la misma vecindad, si se comparan sus magni
tudes con las de los otros voltajes en la red.

EJEMPLO 2.4

Repita el ejemplo 2.2 empleando el modelo equivalente aproximado para el diodo semicon
ductor de silicio.
S o lu c i n
La recta de carga se vuelve a dibujar como se muestra en la figura 2.7, con las mismas inter
secciones definidas en el ejemplo 2.2. Las caractersticas del circuito equivalente aproximado
para el diodo tambin se dibujaron en la misma grfica. El punto Q resultante:
VD
= 0 .7 V
UQ
I n = 4 .6 m A

Figura 2.7 Solucin al ejemplo

2.2 mediante el empleo del mo
delo aproximado del diodo.

En el ejemplo 2.4 los resultados que se obtienen para VDq e IDq son los mismos que los
que resultaron al utilizar las caractersticas completas del ejemplo 2.2. Los ejemplos anterio
res han demostrado que los niveles de corriente y voltaje que se obtuvieron al usar el modelo
aproximado, son muy cercanos a los que resultaron al utilizar las caractersticas completas.
Esto sugiere, como se aplicar en las secciones subsiguientes, que el uso de aproximaciones
apropiadas puede dar como resultado la obtencin de soluciones que son muy cercanas a la
respuesta real con un nivel reducido de incertidumbre acerca de la reproduccin adecuada de
las caractersticas y de la eleccin de una escala lo suficientemente grande. En el ejemplo si
guiente vamos un paso adelante y sustituiremos el modelo ideal. Los resultados revelarn las
condiciones que se deben satisfacer para aplicar el equivalente ideal de forma adecuada.

EJEMPLO 2.5

Repita el ejemplo 2.1 utilizando el modelo del diodo ideal.

Solucin
Como se muestra en la figura 2.8 la recta de carga contina siendo la misma, pero las carac
tersticas ideales ahora intersectan a la recta de carga en el eje vertical. Por lo tanto, el punto
Q est definido por
Vn = 0 V
I n 10 m A

60

Captulo 2

Aplicaciones de diodos

D (mA)

Figura 2.8

Solucin al ejemplo 2.1 mediante el uso del modelo del diodo ideal.

Los resultados para las soluciones del ejemplo 2.1 difieren lo suficiente como para causar preo
cupacin acerca de su precisin. Ciertamente, stos ofrecen algn indicio del nivel de voltaje y
de corriente que debern esperarse en relacin con otros niveles de voltaje de la red, pero el es
fuerzo adicional de simplemente incluir la diferencia de 0.7 V, muestra que el enfoque del ejem
plo 2.3 es ms apropiado.
El uso del modelo de diodo ideal, por tanto, debe reservarse para aquellas ocasiones en
que la funcin del diodo sea ms importante que los niveles de voltaje que difieran por dci
mas de volt, y en aquellas situaciones en que los voltajes aplicados sean considerablemente ma
yores que el voltaje de umbral VT. En las siguientes secciones se emplear exclusivamente
el modelo aproximado, debido a que los niveles de voltaje obtenidos sern sensibles a las va
riaciones que se aproximen a VT. En secciones posteriores se emplear el modelo ideal con
mayor frecuencia debido a que los voltajes aplicados sern con frecuencia un poco ms altos
que VT y los autores desean asegurarse de que el papel del diodo quede comprendido correc
ta y claramente.

Mathcad
El Mathcad ahora se emplear para encontrar la solucin de dos ecuaciones simultneas defi
nidas por el diodo y la red de la figura 2.9.
Las caractersticas del diodo estn definidas por

Figura 2.9 Localizacin del punto de operacin definido por las caractersticas
del diodo y de la red.

2.2

A nlisis por m edio de la recta de carga

o--- -------o

I d = Is{ekVD,TK ~ 1) = 50 m A (e 19'33v -

1)

Al aplicar de la ley de voltaje Kirchhoff alrededor del lazo cerrado, tenemos

E

VD

VR 0 = E

VD Ir R ==> E

VD I,yR

y resolviendo para la corriente del diodo tendremos

E - V
In

In =

vd

10 V

Vd

1k

1k

= lOmA -

1 10~3Vd

,-3
ID := 9 10'
VD :=0.7

Given
ID=10 10

110"3 VD

ID =5010'9 (e19-33 VD- l)

Find(ID, VD) =

-3
9.372*10
0.628

Debido a que ahora tenemos dos ecuaciones y dos incgnitas (ID y VD), podemos resolver ca
da incgnita mediante el M athcad de la manera siguiente:
Cuando se utiliza el M athcad para resolver ecuaciones simultneas, se debe estimar un
valor de cada cantidad para dar a la com putadora alguna pista o direccin en su proceso ite
rativo. En otras palabras, la com putadora probar las soluciones y trabajar de esta forma has
ta encontrar la solucin real respondiendo a los resultados obtenidos.
Para nuestra situacin las suposiciones iniciales para ID y VD fueron 9 mA y 0.7 V co
mo se muestra en la parte superior de la figura 2.10. Posteriormente, siguiendo la palabra Gi
ven (la cual es requerida), las dos ecuaciones se ingresan usando el signo de igual obtenido
con Ctrl =. Luego, teclear Find (ID, VD) para decir a la computadora qu es lo que se nece
sita determinar. Una vez de que el signo de igual se ha ingresado, los resultados aparecern
como se muestra en la figura 2.10. Como se indica en la figura 2.10 y en la figura 2.9, los re
sultados son ID = 9.372 mA y VD = 0.628 V.

Figura 2.10 Definicin del pro

cedimiento en el uso del Mathcad
para encontrar la solucin de dos
ecuaciones simultneas.

2.3

APROXIMACIONES DE DIODOS

En la seccin 2.2 se indic que los resultados obtenidos al emplear el modelo equivalente apro
ximado de segmentos lineales fueron muy cercanos, si no es que iguales, a la respuesta obte
nida al utilizar las caractersticas completas. De hecho, si se consideran todas las variaciones
posibles debidas a las tolerancias, temperaturas, etctera, se podra considerar que una solu
cin es tan precisa como la otra. Dado que el uso del modelo aproximado normalmente ori
gina un gasto reducido de tiempo y esfuerzo para obtener los resultados deseados, ste es el
enfoque que se emplear en este libro, a menos que se especifique otra cosa. Recuerde lo si
guiente:
El propsito principal de este libro es el desarrollo de un conocimiento general del
comportamiento, capacidades y reas posibles de aplicacin de un dispositivo, de m a
nera que m inimice la necesidad de desarrollos matemticos extensos.
El modelo equivalente completo de segmentos lineales que se present en el captulo 1,
no se utiliz en el anlisis de la recta de carga debido a que rav es tpicamente mucho menor
que los otros elementos en serie de la red. Si rav fuera cercana, en cuanto a magnitud, a los
otros elementos en serie de la red, el modelo equivalente completo se puede aplicar de la mis
ma forma a la descrita en la seccin 2.2.
Con el objeto de preparar el anlisis siguiente, se desarroll la tabla 2.1 para revisar las
caractersticas, modelos y condiciones de aplicacin ms importantes para el modelo aproxi
mado e ideal de los diodos. A pesar de que el diodo de silicio se utiliza casi exclusivamente de
bido a sus caractersticas de temperatura, el diodo de germanio todava se emplea y por ello se
incluye en la tabla 2.1. El diodo de germanio, de la misma forma que el diodo de silicio,
se aproxim a por medio de un equivalente de circuito abierto para voltajes menores a VT. En
trar al estado encendido cuando VD > VT = 0.3 V.

62

Captulo 2

Aplicaciones de diodos

TABLA 2.1 Modelos aproximado e ideal del diodo sem iconductor

Silicio

-w v
- E +

>

o---

In = 0 A

I D = OA

ID = OA

VD = 0 V -

/d =

Tenga en mente que el 0.7 y el 0.3 V en los circuitos equivalentes no son fuentes indepen
dientes de energa, sino que estn ah para recordarnos que hay un precio que pagar a cam
bio de encender un diodo. Un diodo particular en la mesa de laboratorio no indicar 0.7 o 0.3
V si se coloca un voltmetro a travs de sus terminales. Las fuentes especifican la cada de vol
taje a travs de cada una cuando el dispositivo est en encendido y especifican que el volta
je del diodo debe ser, por lo menos, del nivel indicado antes de que la conduccin pueda esta
blecerse.
En las siguientes secciones dem ostramos el impacto de los modelos de la tabla 2.1 sobre
el anlisis de las configuraciones de diodos. Para aquellas situaciones donde se emplee el cir
cuito equivalente aproximado, el smbolo del diodo aparecer como se seala en la figura 2.11a
para los diodos de silicio y de germanio. Si las condiciones son tales que el modelo del dio
do ideal se pueda emplear, el smbolo del diodo aparecer como se muestra en la figura 2.11 b.

2.3

Aproximaciones de diodos

oa

*
Si

Ge
(a)

(b)

Figura 2.11 (a) Notacin de

modelo aproximado; (b) notacin
de modelo ideal.

63

2.4

CONFIGURACIONES DE DIODOS
EN SERIE CON ENTRADAS DE DC

En esta seccin se utiliza el modelo aproximado para investigar una variedad de configuracio
nes de diodos en serie con entradas de de. El contenido establecer los fundamentos para el
anlisis de diodos que se revisar en las secciones de los captulos subsiguientes. De hecho,
el procedimiento descrito se puede aplicar a las redes con cualquier nmero de diodos dentro
de una amplia gama de configuraciones.
Para cada configuracin debe determinarse, en primer lugar, el estado de cada diodo. Cu
les diodos estn en encendido y cules en apagado ? Una vez que se determina esto, el
equivalente apropiado, como se muestra en la seccin 2.3, puede sustituirse y pueden deter
minarse los parmetros restantes de la red.
En general, un diodo se encuentra en el estado encendido si la corriente establecida
por las fuentes aplicadas es tal que su direccin concuerda con la de la flecha en el sm
bolo del diodo, y VD > 0.7 V para el silicio y V D > 0.3 V para el germanio.
Para cada configuracin, se reemplazarn mentalmente los diodos con elementos resisti
vos y se observar la direccin de la corriente resultante como la establecen los voltajes apli
cados (presin). Si la direccin resultante coincide con la flecha del smbolo del diodo, la
conduccin a travs del diodo ocurrir y el dispositivo estar en el estado encendido. La des
cripcin anterior es, por supuesto, dependiente de que la fuente proporcione un voltaje mayor
que el voltaje de encendido (Vr ) de cada diodo.
Si el diodo se encuentra en el estado encendido, se puede colocar la cada de 0.7 V a tra
vs del elemento, o se puede dibujar nuevamente la red con el circuito equivalente VT como
se defini en la tabla 2.1. Con el tiempo probablemente se preferir simplemente incluir la cada
de 0.7 V a travs de cada diodo encendido y dibujar una lnea a travs de cada diodo en el
estado apagado o abierto. Sin embargo, al principio, el mtodo de sustitucin se utilizar pa
ra asegurar que se determinen los niveles de voltaje y de corriente correctos.
El circuito en serie de la figura 2.12 que se describe con mayor detalle en la seccin 2.2
se utilizar para dem ostrar el enfoque descrito en prrafos anteriores. El estado del diodo se
determina primero por el reemplazo mental del diodo con un elemento resistivo como lo de
muestra la figura 2.13. La direccin resultante de / coincide con la flecha en el smbolo del
diodo, y dado que E > VT el diodo se encuentra en el estado encendido . La red entonces se
dibuja nuevamente como se demuestra en la figura 2.14 con el modelo equivalente apropiado
para el diodo de silicio en polarizacin directa. Para referencia futura, observe que la polari
dad de VD es la misma que resultara si el diodo, de hecho, fuera un elemento resistivo. El vol
taje y los niveles de corriente resultantes son los siguientes:

Figura 2.12 Configuracin de

diodo en serie.

Figura 2.13 Determinacin del

estado del diodo de la figura 2.12.

= Vr

(2.4)

+ Vn ~

= E - Vt

(2.5)

Ye

( 2 .6)

1R

I d = /* =

Figura 2.14 Sustitucin del

modelo equivalente para el diodo
encendido de la figura 2.12.

En la figura 2.15 el diodo de la figura 2.12 se invirti. M entalmente, el reemplazo del dio
do por un elemento resistivo, como lo muestra la figura 2.16, revelar que la direccin de la
corriente resultante no coincide con la flecha en el smbolo del diodo. El diodo est en el es
tado apagado, lo que da como resultado el circuito equivalente de la figura 2.17. Debido al
circuito abierto, la corriente del diodo es 0 A y el voltaje a travs de la resistencia R es el si
guiente:
V* = I rR = Io R = (0 A ) R = 0 V
El hecho de que VR = 0 V establecer E volts a travs del circuito abierto como lo define la ley

64

Captulo 2

A plicaciones de diodos

Figura 2.15 Inversin del dio

do de la figura 2.12.

Figura 2.16 Determinacin del

estado del diodo de la figura 2.15.

Figura 2.17 Sustitucin del

modelo equivalente para el diodo
apagado de la figura 2.15.

de voltaje de Kirchhoff. Tener en cuenta siempre que bajo cualquier circunstancia (valores ins
tantneos de de, de ac, pulsos, etctera), deber satisfacerse la ley de voltaje de Kirchhoff!

Para la configuracin de diodos en serie de la figura 2.18, determine VD, VR e ID.

EJEMPLO 2.6
+ VD -

Solucin

8V

VD =

1~L

Si

Dado que el voltaje aplicado establece una corriente en direccin de las manecillas del reloj
para coincidir con la flecha del smbolo y que el diodo est en el estado encendido,

R S 2.2 kQ Vp

0.7 V

VR = E -

VD = 8 V - 0.7 V =

I d ~ Ir ~

VR
7.3 V
n ~
R
2 .2 k l

7.3 V

= 3.32 mA

Repita el ejemplo 2.6 con el diodo invertido.

Figura 2.18
plo 2.6.

Circuito del ejem

EJEMPLO 2.7

Solucin
Al remover el diodo, encontramos que la direccin de / es opuesta a la flecha en el smbolo
del diodo y que el equivalente del diodo es el circuito abierto sin importar cul es el modelo
que se utiliz. El resultado es la red de la figura 2.19, donde ID - 0 A debido al circuito abier
to. Dado que VR = I rR, Vr = (0)R = 0 V. Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor
del lazo cerrado resulta:
e - v d - v r = o
y

Vn = E -

VR = E - 0 = E = 8 Y

Figura 2.19 Determinacin de

las cantidades desconocidas para
el ejemplo 2.7.

Observe, particularmente en el ejemplo 2.7, el alto voltaje a travs del diodo a pesar de
que se encuentra en estado apagado . La corriente es cero, pero el voltaje es significativo.
Con propsitos de repaso, tenga en cuenta el anlisis siguiente:
1. Un circuito abierto puede tener cualquier voltaje a travs de sus terminales, pero la corrien
te es siempre 0 A.
2. Un circuito cerrado tiene una cada de 0 V a travs de sus terminales, pero la corriente es
tar limitada nicamente por la red que la rodea.
En el siguiente ejemplo la notacin de la figura 2.20 se em plear para el voltaje aplica
do. sta es una notacin comn en la industria, con la que el lector debe familiarizarse.
Tal notacin y otros niveles definidos de voltaje se tratarn con mayor profundidad en el
captulo 4.

2.4

Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

65

o -------H -------- 0

E = + 10 V o

9 +10 V

E = -5V o

9 -5 V
5V

10 V

EJEMPLO 2.8

Figura 2.20

Notacin de la fuente.

Para la configuracin de diodos en serie de la figura 2.21, determine VD, VR e lD.

f" Vd

Figura 2.21 Circuito del diodo

en serie para el ejemplo 2.8.

Solucin
A pesar de que la presin establece una corriente con la misma direccin que la del smbo
lo de la flecha, el nivel de voltaje aplicado resulta insuficiente para encender el diodo de si
licio. El punto de operacin sobre las caractersticas se muestra en la figura 2.22 y establece
el equivalente del circuito abierto como la aproximacin apropiada. Por lo tanto, el voltaje y
los niveles de corriente resultantes son los siguientes:
Id = O A
VR
y

= Ir R = IoR = (0 A)1.2 kl = 0 V

VD = E =

0.5 V
!d

/
Figura 2.22 Punto de opera
cin con E = 0.5 V.

EJEMPLO 2.9

0.7 V

VD = 0.5 V

Determine Va e ID para el circuito en serie de la figura 2.23.

Figura 2.23 Circuito pa

ra el ejemplo 2.9.

66

Captulo 2

Aplicaciones de diodos

o--- -------o

Solucin
Un procedimiento similar al que se aplic en el ejemplo 2.6 revelar que la corriente resultan
te tiene la misma direccin que las puntas de flechas de los smbolos de ambos diodos y que
la red de la figura 2.24 es el resultado debido a que E - 12 V > (0.7 V + 0.3 V) = 1 V. Ob
serve que la fuente dibujada nuevamente es de 12 V y la polaridad es de V0 a travs de la re
sistencia de 5.6 kQ. El voltaje resultante
V0 = E -

VT ] -

VTi = 12 V - 0.7 V - 0.3 V =

11 V

11 v

V0

, = , = T = T = J t i = 1 M m A
Vr

11

0.7 V

VT

12

0.3 V
5.6 kQ

12 V

V0

Figura 2.24 Determinacin de

las cantidades desconocidas para
el ejemplo 2.9.

Determine ID, VD y Vq para el circuito de la figura 2.25.

EJEMPLO 2.10

+ VD Si

Si

+12 vo------M ------H T 7 o yyo

....

5.6 kQ
Figura 2.25
plo 2.10.

Circuito del ejem

Solucin
Al eliminar los diodos y al determinar la direccin de la corriente resultante / el resultado se
r el circuito de la figura 2.26. Existe una coincidencia en la direccin de la corriente para el
diodo de silicio, mas no para el de germanio. La combinacin de un circuito cerrado en serie
con un circuito abierto siempre dar como resultado un circuito abierto e / D = 0 A , como lo
muestra la figura 2.27.

/ O

H
Si
12 V - ;

Figura 2.26 Determinacin del

estado de los diodos de la figura
2.25.

Figura 2.27 Sustitucin del estado

equivalente para el diodo abierto.

La pregunta que queda por contestar es, qu sustituir en lugar del diodo de silicio? Para
el anlisis siguiente, tanto en ste como en los captulos subsiguientes, simplemente se tienen
que recordar, para el diodo prctico real que cuando ID = 0 A, VD = 0 V (y viceversa), como

2.4

Configuraciones de diodos en serie con entradas de DC

67

se describi para la situacin de no polarizacin en el captulo 1. Las condiciones descritas

por ID = 0 A y VDl = 0 V se indican en la figura 2.28.

/ =0A

//>,=OA
12 V

*5.6 kQ Vn
Figura 2.28 Determinacin de
las cantidades desconocidas del
circuito del ejemplo 2.10.

= IrR = I pR = (0 A ) R = 0 V

Vcrcujt0a5jerto

12 V

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff en la direccin de las manecillas del reloj resulta
E

- v

VDi = E -

D i -

v D2 -

v0 =

Vd - V 0 = 1 2 V - 0 - 0

= 12 V
con

EJEMPLO 2.11

V =

0V

Determine I, Vh V2 y V0 para la configuracin de de en serie de la figura 2.29.

+ v, Ri
-o y

, = 10 v o - A A A /----- i
4.7 kQ

Si

R2 < 2.2 kQ

V2

jy tK
E7 = - 5 V

Figura 2.29 Circuito para el

ejemplo 2.11.

Solucin
Las fuentes se dibujan y la direccin de la corriente se indica en la figura 2.30. El diodo se
encuentra en el estado encendido y la notacin que aparece en la figura 2.31 se incluye para
indicar este estado. Observe que el estado encendido se identifica mediante el VD = 0.7 V
adicional en la figura. Esto elimina la necesidad de volver a dibujar la red y evita cualquier
confusin que pueda resultar debido a la aparicin de otra fuente. Como se indic en la intro
duccin a esta seccin, ste ser probablemente el camino y la notacin que se tomar cuan-

+ V, -

i -

-yVW4.7 kQ
------ _

E,

kQ

2.2 kQ > R2 V2

2.2 kQ
Ei -==- 10 V

10 V

5V

5V

Figura 2.30 Determinacin del estado

del diodo de la figura 2.29.

68

+ 0.7 V -

-A A A ,--------- M-----

-v

C aptulo 2

El
+

^KVL^

Figura 2.31 Determinacin de las cantidades desconocidas para

la red de la figura 2.29.

A plicaciones de diodos

do se tenga un nivel de confianza mayor en el anlisis de configuraciones del diodo. Con el

tiempo, el anlisis completo se desarrollar simplemente mediante la referencia a la red origi
nal. Recuerde que un diodo con polarizacin inversa puede ser simplemente indicado median
te una lnea a travs del dispositivo.
La corriente resultante a travs del circuito es,
_ E x + E2 -

VD _

R + R 2

10 V + 5 V - 0.7 V _

4.7 k l + 2 .2 k l

14.3 V

6.9 k l

= 2.072 mA
y los voltajes son
Vi = I R { = (2 .0 7 2 m A )(4 .7 k l ) =

9.74 V

V2 = I R 2 = (2 .0 7 2 m A )(2 .2 k l ) =

4.56 V

Mediante la aplicacin de la ley de voltaje de Kirchhoff a la seccin de salida en direccin de

las manecillas del reloj, resultar
- E 2 + V2 ~ V
y

= 0

V0 = V2 - E 2 = 4 .5 6 V - 5 V =

-0 .4 4 V

El signo de menos indica que V0 tiene una polaridad opuesta a la que aparece en la figura 2.29.

2.5

CONFIGURACIONES EN PARALELO
Y EN SERIE-PARALELO

Los mtodos aplicados en la seccin 2.4 se pueden extender al anlisis de las configuraciones
en paralelo y en serie-paralelo. Para cada rea de aplicacin, simplemente se hacen coincidir
las series secuenciales de pasos aplicados con las configuraciones de diodos en serie.

Determine V0, I h ID e / D para la configuracin del diodo en paralelo de la figura 2.32.

7i

EJEMPLO 2.12

0.33 kQ

------- V W

-o +

l^ l

10 V

Si

| /d2
D2* S i

-o

Figura 2.32 Red para el

ejemplo 2.12.

Solucin
Para el voltaje aplicado la presin de la fuente es para establecer una corriente a travs de
cada diodo en la misma direccin que la que se muestra en la figura 2.33. Dado que la direc
cin de la corriente resultante coincide con la flecha de cada smbolo del diodo y que el vol
taje aplicado es mayor que 0.7 V, ambos diodos se encuentran en el estado encendido. El
voltaje a travs de los elementos en paralelo es siempre el mismo y
V =

0.7 V

La corriente
-

h =

~R

VD _ 10 V - 0.7 V
~

2.5

0.33 k l

= 28.18 mA

Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

69

o ------ ------------- o

+ vR U

0.33 kQ

--- W V
R

10 V

-O +

l'o,

d2

0.7 V

0.7 V V

Figura 2.33 Determinacin de

las cantidades desconocidas para
la red del ejemplo 2.12.

Si suponemos diodos de caractersticas similares, tenemos

/,

2 8 .1 8 m A

lo
, = h
d2 = 2T = -----2------ = 14.09 mA
El ejemplo 2.12 demostr una razn para colocar diodos en paralelo. Si la corriente no
minal de los diodos de la figura 2.32 es slo de 20 mA, una corriente de 28.18 mA daara a
un solo dispositivo en la figura 2.32. Mediante la colocacin de dos en paralelo, la corriente
est limitada a un valor seguro de 14.09 mA con el mismo voltaje en las terminales.

EJEMPLO 2.13

Determine la corriente I para la red de la figura 2.34.

Si

D\
O-----------------

. = 20 V

i = 4V

VSAr
2.2 kQ

d2
Si

Figura 2.34 Red para el

ejemplo 2.13.

Solucin
Al dibujar de nueva cuenta la red como se seala en la figura 2.35, se demuestra que la direc
cin de corriente resultante es tal que puede encender el diodo
y apagar el diodo D2. La
corriente resultante / es entonces

I=

E { E 2 ~ VD

20 V - 4 V - 0.7 V

2 .2 k l

= 6.95 mA

Figura 2.35 Determinacin

de las cantidades desconoci
das para la red del ejemplo
2.13.

EJEMPLO 2.14

Determine el voltaje de V0 para la red de la figura de 2.36.

Solucin
Inicialmente parecera que el voltaje aplicado encendera a ambos diodos. Sin embargo, si
ambos estuvieran encendidos, la cada de 0.7 V a travs del diodo de silicio no coincidira

70

Captulo 2

A plicaciones de diodos

con los 0.3 V a travs del diodo de germanio como se requiere por el hecho de que el voltaje
a travs de los elementos en paralelo debe ser el mismo. La accin resultante se puede expli
car slo con notar que cuando la fuente se enciende se incrementar de 0 V a 12 V en un ins
tante, aunque ste quiz pueda medirse en milisegundos. En el instante durante el incremento
en que se establece 0.3 V a travs del diodo de germanio, ste prender y mantendr un ni
vel de 0.3 V. El diodo de silicio nunca tendr la oportunidad de capturar sus 0.7 V requeridos,
y por tanto permanecer en su estado de circuito abierto como se muestra en la figura 2.37.
El resultado:

->t>

? 12 V

V' = 12 V - 0.3 V = 11.7 V

Figura 2.36
2.14.

Red del ejemplo

-o.K.

Figura 2.37 Determinacin de

V0 para la red de la figura 2.36.

Determine las corrientes /], / 2 e

I 2,

para la red de la figura 2.38.

EJEMPLO 2.15

Solucin
El voltaje aplicado (presin) es tal que enciende a ambos diodos, como se observ por las di
recciones de corriente resultantes en la red de la figura 2.39. Observe que el uso de la notacin
abreviada para los diodos encendido y la solucin, se obtienen a travs de una aplicacin de
las tcnicas aplicadas para las redes de de en serie-paralelo.

R
3.3 kQ

Si

-w-

A A /V

Si'

20 V

Vt2
0.7 V
/, = 1 = = 0.212 mA
3.3 kl

r2

A A /V
5.6 kQ
Figura 2.38
plo 2.15.

Red para el ejem

3.3 kQ

Figura 2.39 Determinacin

de las cantidades desconoci
das del ejemplo 2.15.

Al aplicar la ley de voltaje de Kirchhoff alrededor de la malla indicada en direccin del sen
tido de las manecillas del reloj resulta:

V0 + E - VT

VT = 0

V2 = E - Vr - Vt = 20 V - 0.7 V - 0.7 V = 18.6 V

2.5

Configuraciones en paralelo y en serie-paralelo

71

/,