TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

Instituto Tecnológico Superior

de Tierra Blanca

Regiones del Transistor

Nombre del alumno: Jesus Emmanuel Rayon Flores

Grupo: 408-B
Carrera: Ing. Mecatrónica
Materia: Electrónica analogía
Docente: Fernando Machorro Ramos
Trabajo: Investigación
Fecha de entrega: 12/05/2021
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Regiones del transistor

Existen cuatro condiciones de polarización posibles. Dependiendo del

sentido o del signo de los voltajes de polarización en cada una de las
uniones del transitor, éste se puede encontrar en alguna de las cuatro
regiones que se pueden observar en el gráfico de la derecha. Estas
regiones son; Región activa directa, Región de saturación, Región de
corte y Región activa inversa. A continuación podemos observar el
comportamiento de cada una de estas regiones.

La región activa directa:

Corresponde a una polarización directa de la unión emisor-base. Esta es
la región de operación normal del transistor para amplificación.

La corriente de colector es proporcional a la corriente de base

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Centrando la atención en la recombinación de los electrones en la base

procedentes del emisor podemos observar que allí donde había un hueco
pasa a haber, tras la recombinación, un ión negativo inmóvil. Si
desaparecen los huecos de la base y se llena de iones negativos, se carga
negativamente, y se repelen los electrones procedentes del emisor. En
este caso se impediría la circulación de la corriente, es decir, es necesario
que la corriente de base reponga huecos para que haya corriente de
colector.

Por tanto, por cada electrón recombiando hay que introducir un hueco
nuevo que neutralice la carga negativa. Si la reposición de huecos es lenta
(corriente IB pequeña) la capacidad de inyectar electrones será baja,
debido a la repulsión eléctrica. Este fenómeno tiene la propiedad de ser
aproximadamente lineal, con lo que se puede establecer que:

en donde es un coeficiente adimensional, denominadaganancia

directa de corriente, o bien ganacia estática de corriente.
Por lo tanto, los electrones inyectados desde el emisor a la base, atraídos
por el potencial positivo aplicado al colector, pueden atravesar la unión
BC, y dar origen a la corriente de colector IC
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Mediante el emisor, se inunda la base de electrones, aumenta

drásticamente el número de portadores minoritarios del diodo base-
colector, con lo que su corriente inversa aumenta también
Región activa inversa
Corresponde a una polarización inversa de la unión emisor-base y a una
polarización directa de la unión colector-base. Esta región es usada
raramente.
Región de corte
Corresponde a una polarización inversa de ambas uniones. La operación
en ésta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
aplicaciones de conmutación en el modo apagado, pues el transistor actúa
como un interruptor abierto (IC 0).

En este caso las dos uniones están polarizadas en inversa, por lo que
existen zonas de deplección en torno a las uniones BE y BC. En estas
zonas no hay portadores de carga móviles, por lo tanto, no puede
establecerse ninguna corriente de mayoritarios. Los portadores
minoritarios sí pueden atravesar las uniones plarizadas en inversa, pero
dan lugar a corrientes muy débiles. Por lo tanto, un transistor en corte
equivale a efectos prácticos, a un circuito abierto.
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Región de saturación
Corresponde a una polarización directa de ambas uniones. La operación
den esta región corresponde a aplicaciones de conmutación en el modo
encendido, pues el transistor actúa como un interruptor cerrado (VCE
0).