SEP

SNEST

DGEST

INSTITUTO TECNOLGICO DE TOLUCA

Ttulo del trabajo: Tipos de diodos

Unidad: I Dispositivos Semiconductores

Materia: Electrnica analgica

Carrera: Ing. Mecatrnica

Profesor: Ral Paz Reveriano

Presenta:

No. cuenta

Hernndez Esquivel Ivn

10281302

Metepec, Mxico; a 26 de febrero de 2014

Contenido
1.- Diodos Rectificadores
2.-Diodos Emisores de Luz
3.-Fotodiodo
4.-Diodo Schottky
5.-Diodo Zener
6.-Diodo Varicap
7.-Diodo Laser
8.-Diodo Pin
9.-Diodo SCR
10.-Diodo TRIAC
11.-Diodo SHOCKLEY
12.-Diodo SUS
13.-Diodo SBS
14.-Diodo GTO

Introduccin
Un diodo es una sustancia cuya conductividad es menor que la de un conductor y
mayor que la de un aislante. El grado de conduccin de cualquier sustancia
depende, en gran parte, del nmero de electrones libres que contenga. En un
conductor este nmero es grande y en un semiconductor pequeo es
insignificante. El nmero de electrones libres de un semiconductor depende de los
siguientes factores: calor, luz, campos elctricos y magnticos aplicados y
cantidad de impurezas presentes en la sustancia.
Es inconcebible la vida moderna sin los medios de comunicacin (radio, televisin,
telefona), sin los sistemas de manejo de informacin (computacin), sin la
electrnica de consumo en el hogar, sin los avances de la medicina auxiliados por
la tcnica. Todo ha sido posible gracias a los trabajos de investigacin y desarrollo
tecnolgico, los cuales se han visto acelerados a partir de la invencin de los
diodos y transistores. Estos dispositivos basados en materiales semiconductores,
a partir de los cuales se fabrican prcticamente todos los sistemas electrnicos
actuales. La tecnologa de los semiconductores es un factor bsico en las
economas de los pases desarrollados.
De acuerdo con la facilidad con que se mueven los electrones por el interior de las
sustancias se establecen tres tipos de stas: conductores, aislantes y
semiconductores. La facilidad del movimiento depende de la estructura atmica de
la sustancia.

Diodos Rectificadores
El diodo rectificador es uno de los mecanismos de la familia de los diodos ms
sencillos. El nombre diodo rectificador deriva de su aplicacin, la cual reside en
separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo
una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en
forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero
durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con
ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los
diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que
realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en
sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn.
En electrnica, un rectificador es el elemento o circuito que permite convertir la
corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza utilizando diodos
rectificadores, ya sean semiconductores de estado slido, vlvulas al vaco o
vlvulas gaseosas como las de vapor de mercurio (actualmente en desuso).
Dependiendo de las caractersticas de la alimentacin en corriente alterna que
emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn alimentados por una fase
de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.
Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se
utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos
semiciclos son aprovechados.
El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda,
constituido por un nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.
La rectificacin de una corriente alterna (C.A.) para convertirla en corriente directa
(C.D.) denominada. tambin corriente continua (C.C.) es una de las tecnologas
ms antiguas empleadas en los circuitos electrnicos desde principios del siglo
pasado, incluso antes que existieran los elementos semiconductores de estado
slido, como los diodos de silicio que conocemos en la actualidad.
Puesto que los diodos permiten el paso de la corriente elctrica en una direccin y lo
impiden en la direccin contraria, se han empleado tambin durante muchos aos en
la deteccin de seales de alta frecuencia, como las de radiodifusin, para
convertirlas en audibles en los receptores de radio. En la actualidad varios tipos de
diodos de construccin especial pueden realizar otras funciones diferentes a la simple
rectificacin o deteccin de la corriente cuando se instalan en los circuitos
electrnicos.
Funcionamiento

de

un

diodo

rectificador

comn

de

media

onda

Para comprender mejor la forma en que funciona un semiconductor diodo, es

necesario recordar primero que la corriente alterna (C.A.) circula por el circuito
elctrico formando una sinusoide, en la que medio ciclo posee polaridad positiva
mientras y el otro medio ciclo posee polaridad negativa. Es decir, cuando una
corriente alterna circula por un circuito elctrico cerrado su polaridad cambia
constantemente tantas veces como ciclos o hertz por segundo de frecuencia posea.
En el caso de la corriente alterna que llega a nuestros hogares la frecuencia puede
ser de 50 o de 60 ciclos en dependencia del sistema que haya adoptado cada pas en
cuestin. En Europa la frecuencia adoptada es de 50 ciclos y de 60 ciclos en la mayor
parte de los pases de Amrica (Ver tabla de frecuencia de la corriente por pases y
los respectivos voltajes).

Animacin de un circuito rectificador simple de media onda,

compuesto por un solo diodo.

En la animacin de arriba se puede apreciar que en el proceso de rectificacin de la

corriente alterna (C.A.) utilizando un solo diodo, durante un primer medio ciclo
negativo los electrones circularn por el circuito atravesando primero el diodo y a
continuacin el consumidor o carga elctrica, representado por una resistencia (R).
En ese instante, en los extremos de la resistencia se podr detectar una corriente
directa "pulsante" que responde a ese medio ciclo. En el medio ciclo siguiente (esta
vez positivo), los electrones cambiarn su sentido de circulacin y no podrn
atravesar ni la resistencia, ni el semiconductor diodo, porque en ese instante el
camino estar bloqueado por el terminal positivo del diodo y no habr circulacin de
corriente por el circuito. A continuacin y durante el medio ciclo siguiente negativo, de
nuevo el diodo vuelve a permitir el paso de los electrones, para bloquearlo
nuevamente al cambiar la corriente el sentido de circulacin y as sucesivamente
mientras
se
contine
suministrndole
corriente
al
diodo.
Por tanto, durante cada medio ciclo negativo de una fuente de corriente alterna (C.A.)
conectada a un diodo se registra una polaridad fija en los extremos de un consumidor
conectado al circuito de salida del propio diodo, mientras que durante el siguiente
medio ciclo positivo no aparecer polaridad alguna debido al bloqueo que ofrece el
propio diodo al paso de los electrones en sentido inverso. De esa forma, a travs del
consumidor circular una corriente pulsante, pues en este caso el diodo acta como

un

rectificador

Funcionamiento

de
de

los

corriente
diodos

alterna
rectificadores

de
de

media
onda

onda.
completa

Cuando un circuito elctrico o electrnico requiere de una corriente directa que no

sea pulsante, sino mucho ms lineal que la que permite un simple rectificador de
media onda, es posible combinar de dos a cuatro diodos rectificadores de forma tal
que la resultante sea una corriente directa (C.D.) con menos oscilaciones residuales.
La estructura ms usual para obtener un puente
rectificador de "onda completa" es la compuesta por
cuatro diodos conectados de forma conveniente. Sin
embargo, en algunos casos se obtiene un efecto similar
conectando solamente dos diodos, empleando como
fuente de suministro de corriente alterna (C.A.) un
transformador con una derivacin en el centro del
enrollado secundario. Esa derivacincentral permite
alimentar por igual a cada uno de los diodos gracias a
su simetra en contrafase que hace posible que el
punto medio del enrollado sea siempre el polo negativo mientras el polo positivo
cambia en sus extremos cada medio ciclo de frecuencia alterna de la corriente
aplicada al circuito. Sin embargo, a la salida del circuito rectificador se obtiene
una corriente directa (C.D.) de onda completa.

Animacin del funcionamiento de

un circuito rectificador de corriente
alterna
de
onda
completa
compuesto por dos diodos de
silicio.

No obstante, la mayora de los circuitos elctricos o electrnicos que funcionan con

corriente directa (C.D.), emplean rectificadores de onda completa compuestos por
cuatro diodos. A continuacin se ilustran tres formas de esquematizar en un diagrama
la conexin de esos cuatro diodos para obtener un rectificador de onda completa.

Diferentes formas de representar esquemticamente un mismo puente

rectificador de onda completa integrado por cuatro diodos, aunque la
figura de la izquierda es la forma ms comn de representarlo.

Un puente rectificador de cuatro diodos funciona

de la siguiente forma: como se puede observar
en la parte (A) de la ilustracin, durante el primer
medio ciclo negativo () de la corriente que
proporciona la fuente de suministro alterna
(C.A.) conectada al puente rectificador, los
electrones atraviesan primero el diodo (1),
seguidamente el consumidor (R) y despus el
diodo (2) para completar as la circulacin de la
corriente de electrones por una mitad del circuito
correspondiente al puente rectificador.

Como aclaracin, al llegar los electrones en su recorrido al punto de conexin (a), no

pueden atravesar el diodo (4) porque, de acuerdo con la colocacin que ste ocupa
en el circuito, bloquear o impedir la circulacin de los electrones en ese sentido.
Una vez que los electrones continan su recorrido, al llegar al punto de conexin (b),
tampoco pueden atravesar el diodo (4), porque la corriente de electrones nunca
circula en direccin a su propio encuentro (de forma similar a como ocurre con la
corriente de agua en un ro), sino que siempre se mueve en direccin al polo opuesto
de la fuente de suministro que le proporciona la energa elctrica, o sea, el polo
positivo
de
la
corriente
alterna
(C.A.)
en
este
caso.
En la parte (B) de la ilustracin podemos ver que la corriente alterna cambia la
polaridad y, por tanto, el sentido de circulacin de los electrones. En esta ocasin, los
electrones atraviesan primeramente el diodo (3), a continuacin atraviesan el
consumidor (R) y, por ltimo, el diodo (4) para retornar a la fuente de suministro
elctrico y completar as el circuito. De forma similar a lo ocurrido en el ciclo anterior,

ahora el diodo (1) es el encargado de bloquearle el paso a los electrones para que se
puedan dirigir en direccin al consumidor (R), mientras que el diodo (2) tampoco
pueden atravesarlo los electrones, porque no pueden ir a su propio encuentro, tal
como ocurre en el medio ciclo anterior.

Animacin del funcionamiento del rectificador de onda completa o

puente rectificador, compuesto por cuatro diodos.
Como se habr podido apreciar, tanto en el primer medio ciclo, como en el siguiente,
los signos de polaridad positiva (+) y negativa () a la salida del circuito del puente de
rectificacin donde se encuentra conectado el consumidor (R), se mantiene
constante, pues una vez rectificada la corriente alterna (C.A.) y convertida en directa
(C.D.) las polaridades no sufren variacin alguna como ocurre con la corriente alterna
a la entrada del circuito. En esa ilustracin se puede ver tambin que a la salida del
circuito de rectificacin se obtienen una serie de pulsaciones continuas, es decir, no
intermitentes como ocurre cuando se emplea un solo diodo rectificador en un circuito
de media onda.

Diodo emisor de luz

Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los electrones pueden
recombinarse con los huecos en el dispositivo, liberando energa en forma de
fotones. Este efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz
(correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir de la banda de
energa del semiconductor. Por lo general, el rea de un led es muy pequea
(menor a 1 mm2), y se pueden usar componentes pticos integrados para formar
su patrn de radiacin.

El funcionamiento normal consiste en que, en los materiales conductores, un

electrn, al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta
energa perdida se manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una
amplitud, una direccin y una fase aleatoria. El que esa energa perdida, cuando
pasa un electrn de la banda de conduccin a la de valencia, se manifieste como
un fotn desprendido o como otra forma de energa (calor por ejemplo) depende
principalmente del tipo de material semiconductor. Cuando un diodo
semiconductor se polariza directamente, los huecos de la zona positiva se mueven
hacia la zona negativa y los electrones se mueven de la zona negativa hacia la
zona positiva; ambos desplazamientos de cargas constituyen la corriente que
circula por el diodo.
Si los electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse, es
decir, los electrones pueden pasar a "ocupar" los huecos "cayendo" desde un nivel
energtico superior a otro inferior ms estable. Este proceso emite con frecuencia
un fotn en semiconductores de banda prohibida directa [direct bandgap]) con la
energa correspondiente a su banda prohibida (vase semiconductor). Esto no
quiere decir que en los dems semiconductores (semiconductores de banda
prohibida indirecta [indirect bandgap]) no se produzcan emisiones en forma de
fotones; sin embargo, estas emisiones son mucho ms probables en los
semiconductores de banda prohibida directa (como el nitruro de galio) que en los
semiconductores de banda prohibida indirecta (como el silicio).

La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los

diodos y solo es visible en diodos como los leds de luz visible, que tienen una
disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la radiacin sea
reabsorbida por el material circundante, y una energa de la banda prohibida
coincidente con la correspondiente al espectro visible. En otros diodos, la energa
se libera principalmente en forma de calor, radiacin infrarroja o radiacin
ultravioleta. En el caso de que el diodo libere la energa en forma de radiacin
ultravioleta, se puede conseguir aprovechar esta radiacin para producir radiacin
visible mediante sustancias fluorescentes o fosforescentes que absorban la
radiacin ultravioleta emitida por el diodo y posteriormente emitan luz visible.
El dispositivo semiconductor est comnmente encapsulado en una cubierta de
plstico de mayor resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las
lmparas incandescentes. Aunque el plstico puede estar coloreado, es solo por
razones estticas, ya que ello no influye en el color de la luz emitida. Usualmente
un led es una fuente de luz compuesta con diferentes partes, razn por la cual el
patrn de intensidad de la luz emitida puede ser bastante complejo.
Para obtener buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el led. Para ello hay que tener en cuenta que el voltaje de operacin va
desde 1,8 hasta 3,8 voltios aproximadamente (lo que est relacionado con el
material de fabricacin y el color de la luz que emite) y la gama de intensidades
que debe circular por l vara segn su aplicacin. Los valores tpicos de corriente
directa de polarizacin de un led corriente estn comprendidos entre los 10 y los
40 mA. En general, los ledes suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la
corriente que circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada,
se suele buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor
cuanto ms grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor
cuanto menor es la intensidad que circula por ellos). El primer led que emita en el
espectro visible fue desarrollado por el ingeniero de General Electric Nick
Holonyak en 1962.
Circuito bsico de polarizacin directa de un solo led.

Circuito bsico para polarizar varios ledes de manera directa.

Para conectar ledes de modo que iluminen de forma continua, deben estar
polarizados directamente, es decir, con el polo positivo de la fuente de
alimentacin conectado al nodo y el polo negativo conectado al ctodo. Adems,
la fuente de alimentacin debe suministrarle una tensin o diferencia de potencial
superior a su tensin umbral. Por otro lado, se debe garantizar que la corriente
que circula por ellos no exceda los lmites admisibles, lo que daara
irreversiblemente al led. (Esto se puede hacer de manera sencilla con una
resistencia R en serie con los ledes). En las dos imgenes de la derecha pueden
verse unos circuitos sencillos que muestran cmo polarizar directamente ledes.
La diferencia de potencial vara de acuerdo a las especificaciones relacionadas
con el color y la potencia soportada.
En trminos generales, pueden considerarse de forma aproximada los siguientes
valores de diferencia de potencial:7
1.
2.
3.
4.
5.
6.

Rojo = 1,8 a 2,2 voltios.

Anaranjado = 2,1 a 2,2 voltios.
Amarillo = 2,1 a 2,4 voltios.
Verde = 2 a 3,5 voltios.
Azul = 3,5 a 3,8 voltios.
Blanco = 3,6 voltios.
Luego, mediante la ley de Ohm, puede calcularse la resistencia R adecuada para
la
tensin
de
la
fuente
Vfuente
que
utilicemos.

El trmino I en la frmula se
refiere al valor de corriente para la intensidad luminosa que necesitamos. Lo
comn es de 10 miliamperios para ledes de baja luminosidad y 20 mA para ledes
de alta luminosidad; un valor superior puede inutilizar el led o reducir de manera
considerable su tiempo de vida.
Otros ledes de una mayor capacidad de corriente, conocidos como ledes de
potencia (1 W, 3 W, 5 W, etc.), pueden ser usados a 150 mA, 350 mA, 750 mA o
incluso a 3000 mA dependiendo de las caractersticas optoelctricas dadas por el
fabricante.
Cabe recordar que tambin pueden conectarse varios en serie, sumndose las
diferencias de potencial en cada uno. Tambin se pueden hacer configuraciones
en paralelo, aunque este tipo de configuraciones no son muy recomendadas para
diseos de circuitos con ledes eficientes.

El LED (Light-Emitting Diode: Diodo Emisor de Luz), es un dispositivo

semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza
de forma directa la unin PN en la cual circula por l una corriente elctrica . Este
fenmeno es una forma de electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de
diodo que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la
corriente elctrica, emite luz . Este dispositivo semiconductor est comnmente
encapsulado en una cubierta de plstico de mayor resistencia que las de vidrio
que usualmente se emplean en las lmparas incandescentes. Aunque el plstico
puede estar coloreado, es slo por razones estticas, ya que ello no influye en el
color de la luz emitida. Usualmente un LED es una fuente de luz compuesta con
diferentes partes, razn por la cual el patrn de intensidad de la luz emitida puede
ser bastante complejo.
Para obtener una buena intensidad luminosa debe escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED y evitar que este se pueda daar; para ello, hay que tener en
cuenta que el voltaje de operacin va desde 1,8 hasta 3,8 voltios
aproximadamente (lo que est relacionado con el material de fabricacin y el color
de la luz que emite) y la gama de intensidades que debe circular por l vara
segn su aplicacin. Los Valores tpicos de corriente directa de polarizacin de un
LED estn comprendidos entre los 10 y 20 miliamperios (mA) en los diodos de
color rojo y de entre los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LED. Los diodos
LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su
bajo consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada
de 100,000 horas. Para la proteccin del LED en caso haya picos inesperados que
puedan daarlo. Se coloca en paralelo y en sentido opuesto un diodo de silicio
comn
En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente que
circula por ellos, con lo cual, en su operacin de forma optimizada, se suele
buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto
ms grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto
menor es la intensidad que circula por ellos).
Smbolo del LED
ESTRUCTURA DEL LED

Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directo

Cuando estos portadores se recombinan, se produce la liberacin de una cantidad
de energa proporcional al salto de banda de energa del material semiconductor.
Una parte de esta energa se libera en forma de luz, mientras que la parte restante
lo hace en forma de calor, estando determinadas las proporciones por la mezcla
de los procesos de recombinacin que se producen.
La energa contenida en un fotn de luz es proporcional a su frecuencia, es decir,
su color. Cuanto mayor sea el salto de banda de energa del material
semiconductor que forma el LED, ms elevada ser la frecuencia de la luz emitida.

Diodo emisor de luz con la unin polarizada en sentido directa

Fotodiodo
Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la
incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se
polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente
cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se
comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior
generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el
ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente
de oscuridad.
Principio de operacin
Un fotodiodo es una unin PN o estructura P-I-N. Cuando un haz de luz de
suficiente energa incide en el diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea
un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de
la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la
unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente.
Los diodos tienen un sentido normal de circulacin de corriente, que se llama
polarizacin directa. En ese sentido el diodo deja pasar la corriente elctrica y
prcticamente no lo permite en el inverso. En el fotodiodo la corriente (que vara
con los cambios de la luz) es la que circula en sentido inverso al permitido por la
juntura del diodo. Es decir, para su funcionamiento el fotodiodo es polarizado de
manera inversa. Se producir un aumento de la circulacin de corriente cuando el
diodo es excitado por la luz.
Composicin
El material empleado en la composicin de un fotodiodo es un factor crtico para
definir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz
visible (longitud de onda de hasta 1m); germanio para luz infrarroja (longitud de
onda hasta aprox. 1,8 m ); o de cualquier otro material semiconductor.
Material

Longitud de onda (nm)

Silicio

1901100

Germanio

8001900

Indio galio arsnico (InGaAs)

8002600

sulfuro de plomo

<1000-3900

Tambin es posible la fabricacin de fotodiodos para su uso en el campo de los

infrarrojos medios (longitud de onda entre 5 y 20 m), pero estos requieren
refrigeracin por nitrgeno lquido.
Antiguamente se fabricaban exposmetros con un fotodiodo de selenio de una
superficie amplia.
Diodo detector de luz
El fotodiodo se parece mucho a un diodo semiconductor comn, pero tiene una
caracterstica que lo hace muy especial: es un dispositivo que conduce una
cantidad de corriente elctrica
Luz incidente
Sentido de la corriente generada
proporcional a la cantidad de lo incide (lo ilumina).
Esta corriente elctrica fluye en sentido opuesto a la flecha del diodo y se llama
corriente de fuga.
El fotodiodo se puede utilizar como dispositivo detector de luz, pues convierte la
luz en electricidad y esta variacin de electricidad es la que se utiliza para informar
que hubo un cambio en el nivel de iluminacin
sobre el fotodiodo.
Circuito de polarizacin
Curvas caractersticas de un fotodiodo
Si el fotodiodo es polarizado en directa, la luz que incide no tendra efecto sobre l
y se comportara como un diodo semiconductor normal. (Recuerde, el fotodiodo
trabaja en inversa).
La mayora de los fotodiodos vienen equipados con un lente que concentra la
cantidad de luz que lo incide, de manera que su reaccin a la luz sea ms
evidente.
A diferencia del LDR o fotorresistencia, el fotodiodo responde a los cambios de
oscuridad a iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse
en circuitos con tiempo de respuesta ms pequeo. Esta cualidad tambin la
tienen los fototransistores

Uso
A diferencia del LDR , el fotodiodo responde a los cambios de oscuridad a
iluminacin y viceversa con mucha ms velocidad, y puede utilizarse en circuitos
con tiempo de respuesta ms pequeo.
Se usa en los lectores de CD, recuperando la informacin grabada en el surco del
Cd transformando la luz del haz lser reflejada en el mismo en impulsos elctricos
para ser procesados por el sistema y obtener como resultado los datos grabados.
Usados en fibra ptica
Diodo Schottky

El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico

alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona
conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa
(menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas
tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls
se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la
diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor
en lugar de circuito abierto; esto, dejando de lado la regin Zener, que es cuando
existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa para que a pesar de
estar polarizado en inversa ste opere de forma similar a como lo hara
regularmente.
Funcionamiento
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fcilmente cuando la
polarizacin cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la
frecuencia el tiempo de conmutacin puede llegar a ser muy bajo, poniendo en
peligro el dispositivo.
El diodo Schottky est constituido por una unin metal-semiconductor (barrera
Schottky), en lugar de la unin convencional semiconductor P - semiconductor N
utilizada por los diodos normales.
As se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador
mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor est dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones mviles)
desempearn un papel significativo en la operacin del diodo y no se realizar la

recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los

diodos rectificadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser mucho
ms rpida.
Caractersticas
La alta velocidad de conmutacin permite rectificar seales de muy altas
frecuencias y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensin umbral
valor de la tensin en directa a partir de la cual el diodo conduce de 0,7 V, los
diodos Schottky tienen una tensin umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
emplendose, por ejemplo, como proteccin de descarga de clulas solares con
bateras de plomo cido.
La limitacin ms evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo
permite poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo Schottky es en variadores
de frecuencia (inverters) para que la corriente que vuelve desde el motor al
variador no pase por los transistores IGBT del chopper, lo cual conducira a su
rpido deterioro. Cuando el motor se comporta como generador, la corriente
circula hacia el bus de continua a travs de los diodos y no es absorbida por los
IGBTs.
El diodo Schottky se emplea en varios circuitos integrados de lgica TTL. Por
ejemplo los tipos ALS y AS permiten que los tiempos de conmutacin entre los
transistores sean mucho menores puesto que son ms superficiales y de menor
tamao por lo que se da una mejora en la relacin velocidad/potencia. El tipo ALS
permite mayor potencia y menor velocidad que la LS, mientras que las AL
presentan el doble de velocidad que las Schottky TTL con la misma potencia.
Los diodos Schottky. Son dispositivos que tienen una cada de voltaje directa (VF)
muy pequea, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se
utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales.
Reciben tambin el nombre de diodos de recuperacin rpida (Fast recovery) o de
portadores calientes.
Estos diodos se caracterizan por su velocidad de conmutacin, una baja cada de
Voltaje uando estn polarizados en directo (tpicamente de 0.25 a 0.4 voltios).
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminal metlica se hace un
material semiconductor, el contacto tiene, tpicamente, un comportamiento hmico,

cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente.

Cuando este contacto se hace entre un metal y una regin semiconductora con la
densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser
el resistivo, comenzando tambin a tener un efecto de rectificacin. Un diodo
Schottky, se forma colocando una pelcula metlica en contacto directo con un
semiconductor, segn lo indicado en la figura N05. El metal se deposita
generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad ms grande de los
portadores en este tipo de material. La parte metlica ser el nodo y el
semiconductor, el ctodo.

En una deposicin de aluminio (3 electrones en la capa de valencia), los

electrones del semiconductor tipo N migran haca el metal, creando una regin de
transicin en la ensambladura.
Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de
ambos materiales) estn en trnsito. Su conmutacin es mucho ms rpida que la
de los diodos bipolares, una vez que no existan cargas en la regin tipo N, siendo
necesaria rehacer la barrera de potencial (tpicamente de 0,3V). La Regin N tiene
un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la prdida de conduccin, por esto, la
tensin mxima soportable para este tipo de diodo est alrededor de los 100V.
La principal aplicacin de este tipo de diodos, se realiza en fuentes de baja
tensin, en las cuales las cadas en los rectificadores son significativas.
Sin embargo el diodo Schottky encuentra gran cantidad de aplicaciones n circuitos
de alta velocidad como en computadoras, donde se necesitan grandes
velocidades de conmutacin y su poca cada de voltaje en directo ausa poco gasto
de energa.
En la imagen esta la curva caracteristica de diodo Schottky:

Diodo Zener
El diodo Zener es un diodo de cromo1 que se ha construido para que funcione en
las zonas de rupturas, recibe ese nombre por su inventor, el Dr. Clarence Melvin
Zener. El diodo Zener es la parte esencial de los reguladores de tensin casi
constantes con independencia de que se presenten grandes variaciones de la
tensin de red, de la resistencia de carga y temperatura.
Son mal llamados a veces diodos de avalancha, pues presentan comportamientos
similares a estos, pero los mecanismos involucrados son diferentes. Adems si el
voltaje de la fuente es inferior a la del diodo ste no puede hacer su regulacion
caracteristica.
Caractersticas
Si a un diodo Zener se le aplica una corriente elctrica del nodo al ctodo
(polarizacin directa) toma las caractersticas de un diodo rectificador bsico, pero
si se le suministra corriente elctrica de ctodo a nodo (polarizacin inversa), el
diodo solo dejara pasar una tensin constante.
En conclusin: el diodo Zener debe ser polarizado al revs para que adopte su
caracterstica de regulador de tensin.
Su smbolo es como el de un diodo normal pero tiene dos terminales a los lados.
Este diodo se comporta como un diodo convencional en condiciones de alta
corriente porque cuando recibe demasiada corriente se quema.
El diodo zener basa su funcionamiento en el efecto zener, de ah su nombre.
Recordaremos que, en polarizacin inversa y alcanzada esta zona, a pequeos
aumentos de tensin corresponden grandes aumentos de corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha regin cuando las condiciones de
polarizacin lo determinen y una vez hayan desaparecido stas, recupera sus
propiedades como diodo normal, no llegando por este fenmeno a su destruccin
salvo que se alcance la corriente mxima de zener Imx indicada por el fabricante.

Lgicamente la geometra de construccin es diferente al resto de los diodos,

estribando su principal diferencia en la delgadez de la zona de unin entre los
materiales tipo P y tipo N, as como de la densidad de dopado de los cristales
bsicos.
Sus parmetros principales son:

Comportamiento del Zener

Existe otro tipo de diodo, el llamado diodo Zener, cuyas caractersticas en
polarizacin directa son anlogas a las del diodo de unin estudiado en la prctica
anterior (figura 2 a), pero que en polarizacin inversa se comporta de manera
distinta (figura 2 b), lo que le permite tener una serie de aplicaciones que no
posea el anterior.
El smbolo circuital se muestra en la figura 1 y su caracterstica tensin-corriente
en la figura de abajo

Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por
l, llamada corriente de saturacin IS, esta corriente permanece relativamente
constante mientras aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta
alcanza VZ, llamada tensin Zener (que no es la tensin de ruptura zener), para la
cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente empieza a incrementarse
rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de
corriente. El diodo zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus
extremos para un amplio rango de corriente inversa.
Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

Funcionamiento
. EL ZENER COMO COMPONENTE
Como ha quedado expuesto, el diodo zener esta ideado para trabajar con
polarizacin inversa, careciendo de inters su funcionamiento en polarizacin
directa, que es igual al de cualquier diodo semiconductor.
La siguiente figura corresponde a su caracterstica tensin-corriente, y en ella nos
apoyaremos para estudiar su funcionamiento.

Cuando el zener est polarizado inversamente con pequeos valores de tensin

se alcanza la corriente inversa de saturacin prcticamente estable y de
magnitudes despreciables a efectos prcticos.
Si sigue aumentando la tensin de codo o de giro, donde los aumentos de
corriente son considerables frente a los aumentos de tensin (aprciese en torno a
esta tensin la curvatura de la grafica). Sobrepasada esta zona a pequeos
incrementos de tensin corresponden aumentos elevados de la corriente Iz.
Alcanzada la circunstancia anterior, nos encontraremos en la regin de trabajo
efectivo del zener. Debemos hacer ciertas consideraciones en este momento.
1. Se ha de asegurar que en rgimen de trabajo, el diodo sea atravesado como
mnimo por una corriente inversa Iz expresada por el fabricante para excluir la
regin de giro del funcionamiento normal.
2. No se debe sobrepasar en ningn caso Iz max para asegurar la supervivencia
del componente.
3. Estos dos valores de Iz llevan asociados un par de valores de tensin, Vz ;
aproximadamente el valor medio de ellos representa la tensin nominal del zener
Vz nom
Se suele expresar en las caractersticas un porcentaje de tolerancia sobre la
tensin nominal.

4. La potencia disipada en cada momento, Pz vendr expresada por el producto

de los valores instantneos de Vz e Iz
5. Los valores de Iz min e Iz max con sus valores de Vz asociados representan la
regin de trabajo
En estos momentos estamos en condiciones de asegurar que en la regin de
trabajo, el zener es capaz de mantener en sus extremos una tensin
considerablemente estable.
El zener como regulador de tension:
En muchas circunstancias la tension aplicada a una carga puede sufrir variaciones
indeseables que alteren el funcionamiento nomal de la misma. Estas variaciones
generalmente vienen provocadas por:

1. Una variacion de la resistencia de carga, que lleva emparejada una

variacion de la intensidad de carga.

2. Variaciones de la propia fuente de alimentacion.

3. Por ambas causas.

Si elegimos un diodo zener de tension nominal igual a la que es necesaria aplicar

a la carga y somos capaces de hacerlo funcionar en su region de trabajo,
conseguiremos una tension sin apenas variaciones.
El objeto de este apartado es disear un circuito capaz de conseguirlo, para ellos
nos apoyaremos en ejemplos de cada una de las tres posibles situaciones.
Ejemplo para la causa 1:
Supongamos que deseamos alimentar una carga que absorve una corriente que
puede variar entre 10mA y 40mA para una tension VL = 12V . Para ello
disponemos de una f.a VA =18V.
Debemos atenernos a unas condiciones minimas para abordar el diseo con xito,
las cuales son:

1. El circuito se disea para las peores condiciones(IL max).

2. El zener debe ser en todo momento atravesado por una IZ min para
asegurar su efecto regulador, fijemosla en 5 mA (este dato seria por
catalago).

3. La tension de la fuente ha de ser en todo momento mayor que la aplicada

a la carga para asegurar IZ min .

4. Debemos disponer de una resistencia limitadora en serie que absorba la

diferencia de tension entre VA y VL sera Rlim.

Resolviendo entonces para la mxima corriente zener, se obtiene:

Caractersticas del regulador de voltaje con diodo Zener

El diodo Zener se puede utilizar para regular una fuente de voltaje. Este
semiconductor se fabrica en una amplia variedad de voltajes y potencias
que van desde menos de 2 voltios hasta varios cientos de voltios, y la
potencia que pueden disipar va desde 0.25 watts hasta50 watts o ms.

La potencia que disipa un diodo Zener es simplemente la multiplicacin del

voltaje para el que fue fabricado por la corriente que circula por l, es decir:
Pz = Vz x Iz

Donde:
- Iz = Corriente que pasa por el diodo Zener
- Pz = Potencia del diodo zener (dato del fabricante)
- Vz = Voltaje del diodo zener (dato del fabricante)
Ejemplo: La corriente mxima que un diodo Zener de 10 Voltios y 50 Watts,
podr soportar ser:
Iz = Pz / Vz = 50/10 = 5 Amperios
Clculo de resistor limitador Rs:
El clculo del resistor Rs est determinado por la corriente que consumir
la carga (la que se encuentra conectada a esta fuente de voltaje).Ver
esquema del regulador de voltaje con diodo Zener, con el resistor Rs
conectado entre Vin y el ctodo del Zener:

Este resistor se puede calcular con la siguiente frmula:

Donde:
- Ven (min): es el valor mnimo del voltaje de entrada. (Recordar que es un
voltaje no regulado y puede variar sus parmetros)
- IL (max): es el valor de la mxima corriente que pedir la carga.

Diodo Varicap

Smbolo del diodo Varicap.

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es un
diodo que aprovecha determinadas tcnicas constructivas para comportarse, ante
variaciones de la tensin aplicada, como un capacitor (o condensador) variable.
Polarizado en inversa, este dispositivo electrnico presenta caractersticas que
son de suma utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los
cambios de capacidad.
Operacin
Cuando un diodo Varicap es polarizado en inversa, la barrera de potencial o
juntura que forman los materiales N y P a partir del punto de unin de las junturas
se produce una capacitancia. Visto en forma metafrica y prctica, es el
equivalente a dos placas de un capacitor que van separndose a medida que la
tensin de alimentacin se incrementa. Este incremento de tensin provoca una
disminucin de la capacidad equivalente final en los terminales del diodo (a mayor
distancia entre placas, menor capacidad final). Por este motivo queda claro el
concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de esta
naturaleza se encuentra en un punto de baja tensin de alimentacin (no cero),
mientras que la mnima capacidad final estar determinada por cunta tensin
inversa pueda soportar entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos, los
ms habituales suelen encontrarse entre 3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para
ejemplos como el diodo BB148 de NXP. Con una tensin menor a un volt alcanza
su mxima capacidad, llegando al mnimo valor con 12 o 13V, segn podemos ver
en la grfica obtenida de su hoja de datos.
Para poder medir la capacitancia de estos diodos se puede recurrir a la formula de
MBR
Cd = C/[ raiz cuadrada de (1+2|Vd|)] =pF
donde C = capacitancia del diodo con polarizacin inversa (Farads)
Vd= magnitud del voltaje de polarizacion inversa del diodo (Volts) como esta entre

barras el valor siempre es positivo

Cd= C
1
Diodo varicap. El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de
diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la
barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa
aplicada entre sus extremos.
Funcionamiento
El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa
su funcionamiento en el fenmeno que hace que la anchura de la barrera de
potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre
sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera,
disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un
condensado variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos
van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V.
La capacidad formada en extremos de la unin PN puede resultar de suma
utilidad cuando, al contrario de lo que ocurre con los diodos de RF, se busca
precisamente utilizar dicha capacidad en provecho del circuito en el cual est
situado el diodo.
Al polarizar un diodo de forma directa se observa que, adems de las zonas
constitutivas de la capacidad buscada, aparece en paralelo con ellas una
resistencia de muy bajo valor hmico, lo que conforma un condensador de
elevadas prdidas. Sin embargo, si polarizamos el mismo en sentido inverso la
resistencia paralelo que aparece es de un valor muy alto, lo cual hace que el diodo
se pueda comportar como un condensador con muy bajas prdidas. Si
aumentamos la tensin de polarizacin inversa las capas de carga del diodo se
espacian lo suficiente para que el efecto se asemeje a una disminucin de la
capacidad del hipottico condensador (similar al efecto producido al distanciar las
placas de un condensador estndar).
La capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo. Si la tensin aplicada al
diodo aumenta la capacitancia disminuye, Si la tensin disminuye la capacitancia
aumenta.
Curva caracterstica y simbologa del diodo Varicap.
Su modo de operacin depende de la capacitancia que existe en la unin P-N

cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones de polarizacin

inversa, se estableci que hay una regin sin carga en cualquiera de los lados de
la unin que en conjunto forman la regin de agotamiento y definen su ancho Wd.
La capacitancia de transicin (CT) establecida por la regin sin carga se
determina mediante:
CT = E (A/Wd) donde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, A
es el rea de la unin P-N y Wd el ancho de la regin de agotamiento.
Conforme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el ancho de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en CT con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de VR para [diodo]s varicap se limita aproximadamente 20V. En trminos
de la polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en
forma aproximada mediante: CT = K / (VT + VR)n
dnde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la tcnica de
construccin.
VT = potencial en la curva segn se defini en la seccin
VR = magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n = para uniones de aleacin y 1/3 para uniones de difusin
Caractersticas, relacin tensin-capacitancia
Ver el smbolo del diodo varactor o varicap en el grfico de la derecha
Todos los diodos cuando estn polarizados en sentido opuesto tienen una
capacitancia que aparece entre sus terminales.
Los diodos varactores o varicap han sido diseados de manera que su
funcionamiento sea similar al de un capacitor y tengan una caracterstica
capacitancia-tensin dentro de lmites razonables.
En el grfico inferior se muestran las similitudes entre un diodo y un
capacitor.
Debido a la recombinacin de los portadores en el diodo, una zona de
agotamiento se forma en la juntura.

Esta zona de agotamiento acta como un dielctrico (aislante), ya que no

hay ninguna carga y flujo de corriente.

Las reas exteriores a la zona de agotamiento si tienen portadores de

carga (rea semiconductor). Se puede visualizar sin dificultad la formacin
de un capacitor en el diodo (dos materiales semiconductores deparados por
un aislante).
La amplitud de la zona de agotamiento se puede ampliar incrementando la
tensin inversa aplicada al diodo con una fuente externa. Esto causa que
se aumente la separacin (aislante) y separa ms las reas
semiconductoras. Este ltimo disminuye la capacitancia.
Entonces la capacitancia es funcin de la tensin aplicada al diodo.
- Si la tensin aplicada al diodo aumenta la capacitancia disminuye- Si la
tensin disminuye la capacitancia aumenta
Diodo laser

LD (de las siglas en ingls Lser-Diode, diodo lser en espaol) es un dispositivo

semiconductor similar a un led1 pero que bajo las condiciones adecuadas emite
luz lser.
Cuando un diodo convencional o led se polariza en directa, los huecos de la zona
p se mueven hacia la zona n y los electrones de la zona n hacia la zona p; ambos
desplazamientos de cargas constituyen la corriente que circula por el diodo. Si los
electrones y huecos estn en la misma regin, pueden recombinarse cayendo el
electrn al hueco y emitiendo un fotn con la energa correspondiente a la banda
prohibida (vase semiconductor).
Esta emisin espontnea se produce normalmente en los diodos
semiconductores, pero slo es visible en algunos de ellos (como los leds), que
tienen una disposicin constructiva especial con el propsito de evitar que la
radiacin sea reabsorbida por el material circundante, y habitualmente una
energa de la banda prohibida coincidente con la correspondiente al espectro
visible; en otros diodos, la energa se libera principalmente en forma de calor,
radiacin infrarroja o radiacin ultravioleta. En condiciones apropiadas, el electrn
y el hueco pueden coexistir un breve tiempo, del orden de nanosegundos, antes

de recombinarse, de forma que si un fotn con la energa apropiada pasa por

casualidad por all durante ese periodo, se producir la emisin estimulada (vase
lser), es decir, al producirse la recombinacin el fotn emitido tendr igual
frecuencia, polarizacin y fase que el primer fotn.
Los Diodos lser, emiten luz por el principio de emisin estimulada, la cual surge
cuando un fotn induce a un electrn que se encuentra en un estado excitado a
pasar al estado de reposo, este proceso esta acompaado con la emisin de un
fotn, con la misma frecuencia y fase del fotn estimulante. Para que el numero
de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos de forma espontnea,
para que se compensen las perdidas, y para que se incremente la pureza
espectral, es necesario por un lado tener una fuerte inversin de portadores, la
que se logra con una polarizacin directa de la unin, y por el otro una cavidad
resonante, la cual posibilita tener una trayectoria de retroalimentacin positiva
facilitando que se emitan mas fotones de forma estimulada y se seleccione ciertas
longitudes de onda haciendo mas angosto al espectro emitido.
La presencia de una inversin grande de portadores y las propiedades de la
cavidad resonante hacen que las caractersticas de salida (potencia ptica como
funcin de la corriente de polarizacin) tenga un umbral a partir del cual se obtiene
emisin estimulada, el cual es funcin de la temperatura.
Un diodo lser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente lo que
significa que todas las ondas luminosas estn en fase entre s. La idea bsica de
un diodo lser consiste en usar una cmara resonante con espejos que refuerza la
emisin de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta
resonancia, un diodo lser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso,
enfocado y puro.
El diodo lser tambin se conoce como lser semiconductor o tambin conocidos
como lseres de inyeccin, Estos diodos pueden producir luz visible (roja, verde o
azul) y luz invisible (infrarroja).
Se usan en productos de consumo y comunicaciones de banda ancha.
CARACTERISTICAS BASICAS

Caracterstica de salida de los diodos lser Dependencia de la caracterstica de

salida como
Funcin de la temperatura
Los diodos lser son ms recomendables como fuentes pticas para sistemas de
comunicacin con grandes separaciones entre repetidores y altas velocidades de
transmisin. Se puede lograr distancias de 100Km sin repetidores con velocidades
de 1 GHz.
En un lser semiconductor, la ganancia es aportada por una corriente de
inyeccin. De esta manera, los pares electrn-hueco dan la inversin de poblacin
necesaria para la emisin lser. La recombinacin estimulada lleva a la
amplificacin de la luz, generando fotones con la misma direccin de propagacin,
polarizacin, frecuencia y fase que el fotn que ha inducido la recombinacin.
Los pares electrn-agujero deben estar confinados en una zona estrecha para
mantener la inversin de poblacin a un nivel elevado. Si no es as, hay que
suministrar inyecciones de corriente demasiado grandes al diodo para obtener
emisin lser. Por simplicidad, los pares electrn-hueco se llaman portadores, y la
vida media de los portadores es el tiempo medio que tardan los portadores en
recombinar.

La sencilla unin p-n, resultado del crecimiento en el mismo sustrato, pero con
diferentes niveles de dopaje, no es capaz de conseguir el confinamiento
necesario, porque la anchura de la regin en que los portadores estn confinados
aumenta debido a la difusin de los portadores. El problema de la difusin de los
portadores puede resolverse parcialmente usando heterostructuras.
Dos tipos diferentes de estructuras pueden analizarse dependiendo del
mecanismo de confinamiento lateral de los portadores. En lseres
semiconductores guiados por la ganancia, no se incorpora ningn confinamiento
aadido, y el perfil de la ganancia viene determinado esencialmente por la regin
con corriente de inyeccin y efectos difusivos.
En los lseres guiados por el ndice, la regin activa est rodeada lateralmente por
material con un ndice de refraccin menor. En estos dispositivos, se consigue un
nivel de confinamiento bastante elevado. Aparte de dar un buen confinamiento a
los portadores, los lseres de doble heterostructura guiados por el ndice tambin
incorporan un confinamiento adecuado para la luz. El mecanismo de guiaje es
debido a un mayor ndice de refraccin en la regin activa que en el resto de
capas que la rodean. De esta manera, la luz viaja hacia adelante y hacia atrs
como lo hara en el interior de una fibra ptica.Una cavidad ptica adecuada es
necesaria para conseguir la emisin lser. En otros tipos de lser, la cavidad est
limitada por dos espejos con curvaturas que dependen de la distancia entre ellos y
de la geometra del medio activo. Mientras uno de los espejos puede disearse
totalmente reflectante, el otro debe permitir que haya luz de salida.

Los lseres de cavidad vertical (VCSELs) tienen una longitud de cavidad muy
corta, y necesitan reflectividades del 99 %. El espejo normalmente est
incorporado en la estructura lser a partir del mismo sustrato, y est formado de
muchas capas alternadas de diferentes materiales. El reflector de Bragg que as
resulta permite una caracterstica casi plana de la reflectividad para un rango
considerable de longitudes de onda.
Lseres ms convencionales (EELs) no necesitan espejos para operar. La
longitud de su cavidad, de unas 300 micras, es suficientemente grande para
permitir la emisin lser sin espejos adicionales. De hecho, la reflectividad en la
separacin lser-aire es cercana al 32 %. El valor grande del ndice de refraccin
en la zona activa confina la luz a la regin con ganancia material.
Diodo PIN

Capas de un diodo PIN

Se llama diodo PIN a una estructura de tres capas, siendo la
intermedia semiconductor intrnseco, y las externas, una de tipo P y la otra tipo
N(estructura P-I-N que da nombre al diodo). Sin embargo, en la prctica, la capa
intrnseca se sustituye bien por una capa tipo P de alta resistividad () o bien por
una capa n de alta resistividad ().

El diodo PIN puede ejercer, entre otras cosas, como:

conmutador de RF

resistencia variable

protector de sobretensiones

fotodetector

Fotodiodo PIN
El fotodiodo PIN es uno de los fotodetectores ms comunes, debido a que la capa
intrnseca se puede modificar para optimizar su eficiencia cuntica y margen de
frecuencia.siendo as un material intrnseco semiconductor
Conmutador
El diodo PIN se puede utilizar como conmutador de microondas. Tiene capacidad
para manejar alta potencia.
Un diodo PIN es un diodo con una amplia, ligeramente 'cerca' de la regin
semiconductor intrnseco dopado entre un semiconductor de tipo p y una
regin de semiconductor de tipo n. Las regiones de tipo p y de tipo n son
tpicamente fuertemente dopados ya que se utilizan para los contactos
hmicos.
La regin intrnseca amplia es en contraste con un diodo PN ordinaria. La
regin intrnseca amplia hace que el diodo PIN un rectificador inferiores,
pero hace que el diodo PIN adecuado para atenuadores, interruptores
rpidos, fotodetectores, y aplicaciones de electrnica de potencia de alta
tensin.
Operacin
Un diodo PIN opera bajo lo que se conoce como la inyeccin de alto nivel.
En otras palabras, la regin intrnseca "i" se inunda con los portadores de
carga de las regiones de "n", "p" y. Su funcin se puede comparar a llenar
un cubo de agua con un agujero en el lado. Una vez que el agua alcanza
el nivel del agujero en el que comenzar a derramar. Del mismo modo, el
diodo conducir la corriente una vez que los electrones y los huecos
inundados llegan a un punto de equilibrio, donde el nmero de electrones
es igual al nmero de agujeros en la regin intrnseca. Cuando el diodo
est polarizado hacia adelante, la concentracin de portadores inyectada

es tpicamente varios rdenes de magnitud ms alta que la concentracin

de portadores nivel intrnseco. Debido a esta inyeccin de alto nivel, que
a su vez se debe al proceso de agotamiento, el campo elctrico se
extiende profundamente en la regin. Este campo elctrico ayuda en la
aceleracin del transporte de portadores de carga desde la P a la regin
N, que se traduce en un funcionamiento ms rpido del diodo, por lo que
es un dispositivo adecuado para operaciones de alta frecuencia.
Caractersticas
Un diodo PIN obedece a la ecuacin del diodo estndar para seales de
baja frecuencia. A frecuencias ms altas, el diodo se parece a una
resistencia casi perfecta. Hay una gran cantidad de carga almacenada en
la regin intrnseca. A bajas frecuencias, la carga se puede quitar y el
diodo se apaga. A frecuencias ms altas, no hay tiempo suficiente para
retirar la acusacin, por lo que el diodo no se apaga nunca. El diodo PIN
tiene un mal tiempo de recuperacin inverso.
La resistencia de alta frecuencia es inversamente proporcional a la
corriente continua de polarizacin a travs del diodo. Un diodo PIN,
adecuadamente sesgada, por lo tanto, acta como una resistencia
variable. Esta resistencia de alta frecuencia puede variar en un amplio
intervalo.
La regin intrnseca amplia tambin significa que el diodo tendr una
capacitancia baja cuando polarizado inversamente.
En un diodo PIN, la regin de agotamiento existe casi por completo dentro
de la regin intrnseca. Esta regin de agotamiento es mucho ms grande
que en un diodo PN, y casi constante de tamao, independiente de la
polarizacin inversa aplicada al diodo. Esto aumenta el volumen en el que
los pares electrn-hueco pueden ser generados por un fotn incidente.
Algunos dispositivos fotodetectores, tales como fotodiodos PIN y
fototransistores, utilizan una unin pin en su construccin.
El diseo de diodo tiene algunas ventajas y desventajas de diseo. El
aumento de las dimensiones de la regin intrnseca permite que el diodo
se vea como una resistencia a frecuencias ms bajas. Se afecta
negativamente el tiempo necesario para apagar el diodo y su capacitancia
en derivacin. Diodos PIN se adaptarn para un uso particular.
El diodo PIN es un diodo que presenta una regin P fuertemente dopada y otra
regin N tambin fuertemente dopada, separadas por una regin de material que
es casi intrnseco. Este tipo de diodos se utiliza en frecuencias de microondas, es
decir, frecuencias que exceden de 1 GHz, puesto que incluso en estas frecuencias
el diodo tiene una impedancia muy alta cuando est inversamente polarizado y
muy baja cuando esta polarizado en sentido directo. Adems, las tensiones de

ruptura estn comprendidas en el margen de 100 a 1000 V.

En virtud de las caractersticas del diodo PIN se le puede utilizar como interruptor
o como modulador de amplitud en frecuencias de microondas ya que para todos
los propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y
como un circuito abierto en sentido inverso. Tambin se le puede utilizar para
conmutar corrientes muy intensas y/o tensiones muy grandes.
El diodo se forma partiendo de silicio tipo P de alta resistividad. La capa P de baja
resistividad representada, est esta formada por difusin de tomos de boro en un
bloque de silicio tipo P y la capa N muy delgada est formada difundiendo grandes
cantidades de fsforo. La regin intrnseca i es realmente una regin P de alta
resistividad y se suele denominar regin p. Cuando el circuito est abierto, los
electrones fluyen desde la regin i(p) hasta la regin P para recombinarse con los
huecos en exceso, y los huecos fluyen desde la regin i para recombinarse con
los electrones de la regin N. Si el material i(p) fuese verdaderamente intrnseco,
la cada de tensin en la regin i sera nula, puesto que la emigracin de huecos
sera igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en
verdad p (P de alta resistividad), hay mas huecos disponibles que electrones.
Cuando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los huecos del
material p son barridos (swept free). Un posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones P-I e I-N. En el diodo PIN
la longitud de la regin de transicin L es aproximadamente igual a la regin i y
aproximadamente independiente de la tensin inversa. Por lo tanto, a diferencia
de los diodos PN o Schottky, el diodo PIN tiene una capacidad inversa que es
aproximadamente constante, independiente de la polarizacin. Una variacin
tpica de la capacidad podra ser desde 0,15 hasta 0,14 pF en una variacin de la
polarizacin inversa de, por ejemplo, 100 V. En virtud de que es igual a la longitud
de la regin i, la longitud de la regin de transicin es aproximadamente constante
y considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad
CR, que es proporcional a 1/L es significativamente menor que la de otros diodos,
por lo que el diodo PIN es apropiado para aplicaciones de microondas. Los
valores normales de CR varan desde 0,1 pF hasta 4 pF en los diodos PIN,
comercialmente asequibles.
Cuando el diodo est polarizado en sentido directo, los huecos del material P se
difunden el la regin p, creando una capa P de baja resistividad. La corriente es
debida al flujo de los electrones y de los huecos cuyas concentraciones son
aproximadamente iguales en la regin i. En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin i es muy pequea. Adems, al igual que el diodo PN,
cuando aumenta la corriente, tambin disminuye la resistencia. En consecuencia
el diodo PIN es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En
una primera aproximacin, la resistencia rd en pequea seal es inversamente
proporcional a la corriente IDQ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo

PN.
En frecuencias de microondas se representa de maneras mas sencillas por una
capacidad CR en serie con la resistencia directa rd. Con tensiones directas, CR es
aproximadamente infinita, mientras que en polarizacin inversa, rd es
aproximadamente nula. La capacidad CS es la capacidad parsita paralelo que se
produce soldando el diodo a la cpsula y LS es la inductancia serie debida a los
hilos de conexin desde el diodo hasta la cpsula.
Rectificador controlado de silicio

Smbolo del tiristor.

El rectificador controlado de silicio (en ingls SCR: Silicon Controlled Rectifier) es
un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con
estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unin de Tiratrn
(tyratron) y Transistor.

Tiristor.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y gate (puerta). La puerta es la
encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona
bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la
corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta
del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha
tensin, el tiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se
desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se
necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

El pulso de conmutacin ha de ser de una duracin considerable, o bien, repetitivo

si se est trabajando en corriente alterna. En este ltimo caso, segn se atrase o
adelante el pulso de disparo, se controla el punto (o la fase) en el que la corriente
pasa a la carga. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el
tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por
debajo de la corriente de mantenimiento (en la prctica, cuando la onda senoidal
cruza por cero)
Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un
tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta.
Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que
permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al
condensador parsito existente entre la puerta y el nodo.
Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia, en el campo del
control, especialmente control de motores, debido a que puede ser usado como
interruptor de tipo electrnico.

Los rectificadores controlados de silicio SCR se emplea como dispositivo de

control.
El rectificador controlado de silicio SCR, es un semiconductor que presenta dos
estados estables: en uno conduce, y en otro est en corte (bloqueo directo,
bloqueo inverso y conduccin directa).
El objetivo del rectificador controlado de silicio SCR es retardar la entrada en
conduccin del mismo, ya que como se sabe, un rectificador controlado de silicio
SCR se hace conductor no slo cuando la tensin en sus bornes se hace positiva
(tensin de nodo mayor que tensin de ctodo), sino cuando siendo esta tensin
positiva, se enva un impulso de cebado a puerta.
El parmetro principal de los rectificadores controlados es el ngulo de retardo, a.
Como lo sugiere su nombre, el SCR es un rectificador, por lo que pasa corriente
slo durante los semiciclos positivos de la fuente de ca. El semiciclo positivo es el
semiciclo en que el nodo del SCR es mas positivo que el ctodo. Esto significa
que el SCR no puede estar encendido ms de la mitad del tiempo. Durante la otra
mitad del ciclo, la polaridad de la fuente es negativa, y esta polaridad negativa
hace que el SCR tenga polarizaci6n inversa, evitando el paso de cualquier
corriente a la carga.
Rectificador controlado de silicio SCR (silicon controlled rectifier)
Es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres uniones pn con la
disposicin pnpn Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y
Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de
puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico),
conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez.

El SCR se asemeja a un diodo rectificador pero si el nodo es positivo en relacin

al ctodo no circular la corriente hasta que una corriente positiva se inyecte en la
puerta. Luego el diodo se enciende y no se apagar hasta que no se remueva la
tensin en el nodo-ctodo, de all el nombre rectificador controlado.
Funcionamiento bsico del SCR
El siguiente grfico muestra un circuito equivalente del SCR para comprender su
funcionamiento.
Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se
producen dos corrientes: IC2 = IB1.
IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de
colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a
su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1.
Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido
del SCR.

Operacin controlada del rectificador controlado de silicio

Como su nombre lo indica, el SCR es un rectificador construido con material de

silicio con una tercera terminal para efecto de control. Se escogi el silicio debido
a sus capacidades de alta temperatura y potencia.
La operacin bsica del SCR es diferente de la del diodo semiconductor de dos
capas fundamental, en que una tercera terminal, llamada compuerta, determina
cundo el rectificador conmuta del estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
No es suficiente slo la polarizacin directa del nodo al ctodo del dispositivo. En
la regin de conduccin la resistencia dinmica el SCR es tpicamente de 0.01 a
0.1
La resistencia inversa es tpicamente de 100 k
o ms. Un SCR acta a
semejanza de un interruptor. Cuando esta encendido (ON), hay una trayectoria de
flujo de corriente de baja resistencia del nodo al ctodo. Acta entonces como un
interruptor cerrado. Cuando esta apagado (OFF), no puede haber flujo de
corriente del nodo al ctodo. Por tanto, acta como un interruptor abierto. Dado
que es un dispositivo de estado s1ido, la accin de conmutacin de un SCR es
muy rpida.
El flujo de corriente promedio para una carga puede ser controlado colocando un
SCR en serie con la carga. Este arreglo es presentado en la figura 2. La
alimentaci6n de voltaje es comnmente una fuente de 60-Hz de ca, pero puede
ser de cd en circuitos especiales.
Si la alimentacin de voltaje es de ca, el SCR pasa una cierta parte del tiempo del
ciclo de ca en el estado ON, y el resto del tiempo en el estado OFF. Para una
fuente de 60-Hz de ca, el tiempo del ciclo es de 16.67 ms. Son estos 16.67 ms los
que se dividen entre el tiempo que esta en ON y el tiempo que esta en OFF. La
cantidad de tiempo que esta en cada estado es controlado por el disparador.
Si una porcin pequea del tiempo esta en el estado ON, la corriente promedio
que pasa a la carga es pequea. Esto es porque la corriente puede fluir de la
fuente, a travs del SCR, y a la carga, s1o por una porcin relativamente
pequea del tiempo. Si la seal de la compuerta es cambiada para hacer que el
SCR este en ON por un periodo mas largo del tiempo, entonces la corriente de
carga promedio ser mayor. Esto es porque la corriente ahora puede fluir de la
fuente, a travs del SCR, y a la carga, por un tiempo relativamente mayor. De esta
manera, la corriente para la carga puede variarse ajustando la porci6n del tiempo
del ciclo que el SCR permanece encendido.

Caractersticas
Interruptor casi ideal
Amplificador eficaz
Fcil controlabilidad
Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memorias).
Soportan altas tensiones
Capacidad para controlar Grandes Potencias
Relativa rapidez
CARACTERSTICAS ESTTICAS
Corresponden a la regin nodo- ctodo y son los valores mximos que colocan al
elemento en un limite de sus posibilidades
Vrwm. Vdrm, Vt, Itav, Itrms, Ir,Tj, Ih
CARACTERSTICAS DINMICAS
Tensiones transitorias
Son valores de tensin que van superpuesto a la seal sinusoidal de la fuente de
alimentacin. Son de escasa duracin, pero de amplitud considerable.
CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conduccin y
viceversa. Para frecuencias inferiores a 400hz podemos ignorar estos efectos. En
la mayora de las aplicaciones se requiere una conmutacin mas rpida por lo que
este tiempo de tenerse en cuenta.
CARACTERSTICAS POR TEMPERATURA
Dependiendo de las condiciones de trabajo de un tiristor, este disipa una cantidad
de energa que produce un aumento de la temperatura en las uniones del
semiconductor. Este aumento de la temperatura produce un aument de la

corriente de fuga, creando un fenmeno de acumulacin de calor que debe ser

evitado. Para ello se colocan Disipadores de calor.
LOS PARMETROS DE RENDIMIENTO DEL SCR SON:
- VRDM: Mximo voltaje inverso de cebado (VG = 0)- VFOM: Mximo voltaje
directo sin cebado (VG = 0)- IF: Mxima corriente directa permitida.- PG: Mxima
disipacin de potencia entre compuerta y ctodo.- VGT-IGT: Mximo voltaje o
corriente requerida en la compuerta (G) para el cebado- IH: Mnima corriente de
nodo requerida para mantener cebado el SCR- dv/dt: Mxima variacin de
voltaje sin producir cebado.- di/dt: Mxima variacin de corriente aceptada antes
de destruir el SCR.
Un TRIAC o Triodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la
familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es
unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que
el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna.
Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran
dos SCR en direcciones opuestas.
Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y
ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al
electrodo puerta.

Construccin del TRIAC.

El TRIAC (Triode for Alternative Current) es un dispositivo semiconductor
de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente promedio a una
carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos y puede ser
bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por debajo del

valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado independientemente de la

polarizacin de puerta, es decir, mediante una corriente de puerta positiva o
negativa.

Figura 1: Smbolo
del TRIAC.

Figura 2 : Estructura bsica del TRIAC.

La estructura contiene seis capas como se indica en la Figura 2, aunque

funciona siempre como un tiristor de cuatro capas. En sentido T2-T1 conduce a
travs de P1N1P2N2 y en sentido T1-T2 a travs de P2N1P1N4. La capa N3
facilita el disparo con intensidad de puerta negativa. La complicacin de su
estructura lo hace ms delicado que un tiristor en cuanto a di/dt y dv/dt y
capacidad para soportar sobre intensidades. Se fabrican para intensidades de
algunos amperios hasta unos 200 (A) eficaces y desde 400 a 1000 (V) de tensin
de pico repetitivo. Los TRIAC son fabricados para funcionar a frecuencias bajas;
los fabricados para trabajar a frecuencias medias son denominados alternistores.
El TRIAC acta como dos rectificadores controlados de silicio (SCR) en
paralelo Figura 3, este dispositivo es equivalente a dos "latchs"( transistores
conectados con realimentacin positiva, donde la seal de retorno aumenta el
efecto de la seal de entrada).

Figura 3.

La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento de

un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los
dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente,
bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado
una conduccin completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se
bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor
cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para volver
de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la adecuada.
Esto implica la perdida de un pequeo ngulo de conduccin, que en el caso de
cargas resistivas, en las que la corriente esta en fase con la tensin, no supone
ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe tener en cuenta, en el
diseo del circuito, que en el momento en que la corriente pasa por cero no
coincide con la misma situacin de la tensin aplicada, apareciendo en este
momento unos impulsos de tensin entre los dos terminales del componente.
CARACTERISTICA TENSION CORRIENTE

FIG. 4
La FIG. 4 describe la caracterstica tensin corriente del Triac. Muestra la
corriente a travs del Triac como una funcin de la tensin entre los nodos MT2 y
MT1.
El punto VBD ( tensin de ruptura) es el punto por el cual el dispositivo pasa de
una resistencia alta a una resistencia baja y la corriente, a travs del Triac, crece
con un pequeo cambio en la tensin entre los nodos.
El Triac permanece en estado ON hasta que la corriente disminuye por debajo de
la corriente de mantenimiento IH. Esto se realiza por medio de la disminucin de
la tensin de la fuente. Una vez que el Triac entra en conduccin, la compuerta no
controla mas la conduccin, por esta razn se acostumbra dar un pulso de
corriente corto y de esta manera se impide la disipacin de energa sobrante en la
compuerta.
El mismo proceso ocurre con respecto al tercer cuadrante, cuando la tensin en el
nodo MT2 es negativa con respecto al nodo MT1 y obtenemos la caracterstica
invertida. Por esto es un componente simtrico en cuanto a conduccin y estado
de bloqueo se refiere, pues la caracterstica en el cuadrante I de la curva es igual
a la del III
FORMAS DE ONDA DE LOS TRIACS
La relacin en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa
en la FIG.7. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando
la cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el estado encendido. Si
permanece una parte pequea del tiempo en el estado encendido, el flujo de
corriente promedio a travs de muchos ciclos ser pequeo, en cambio si
permanece durante una parte grande del ciclo de tiempo encendido, la corriente

promedio ser alta.

Un triac no esta limitado a 180 de conduccin por ciclo. Con un arreglo adecuado
del disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto
proporciona control de corriente de onda completa, en lugar del control de media
onda que se logra con un SCR.
Para ver el grfico seleccione la opcin "Descargar" del men superior
FIG.7
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los
SCR, a excepcin de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la
FIG.8 se muestran las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el
voltaje del triac ( a travs de los terminales principales) para dos condiciones
diferentes.
En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los
primeros 30 de cada semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un
interruptor abierto, durante este tiempo el voltaje completo de lnea se cae a
travs de las terminales principales del triac, sin aplicar ningn voltaje a la carga.
Por tanto no hay flujo de corriente a travs del triac y la carga.
La parte del semiciclo durante la cual existe seta situacin se llama ngulo de
retardo de disparo.
Despus de transcurrido los 30 , el triac dispara y se vuelve como un interruptor
cerrado y comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto
del semiciclo. La parte del semiciclo durante la cual el triac esta encendido se
llama ngulo de conduccin.
La FIG.8 (b) muestran las mismas formas de ondas pero con ngulo de retardo de
disparo mayor.

FIG.8

Diodo Shockley

Smbolo del diodo Shockley.

Grfica V-I del diodo Shockley

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados

estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja
impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor.
La caracterstica Tensin-Corriente (V-I) se muestra en la figura. La regin I es la
regin de alta impedancia y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del
estado apagado al de conduccin, se aumenta la tensin en el diodo hasta
alcanzar la tensin de conmutacin, denominada V s. La impedancia del diodo
desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviesa se incremente
y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto
B). Para volver al estado apagado, se disminuye la corriente hasta la corriente de
mantenimiento, denominada Ih. En ese instante el diodo aumenta su impedancia,
reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus
terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la
regin I (Punto A). La tensin inversa de avalancha es denominada Vrb.
Este dispositivo fue desarrollado por William Bradford Shockley tras abandonar los
Laboratorios Bell y fundar Shockley Semiconductor. Fueron fabricados por CleviteShockley.
Diodo de cuatro capas
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro
capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras
12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin
J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y
el dispositivo se encuentra cortado.
Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin V BO de ruptura o
avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin
decrece de la misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a
conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en

separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c).
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el
circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la
grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro
regiones de operacin:

1.Zona
directa
(V
>
0)
1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy
bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor

1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo es

suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento muy
elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una resistencia
negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura.
1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin entre
nodo y ctodo est comprendida entre 0.5V y 1.5V, prcticamente independiente
de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la tensin y corriente
alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de mantenimiento
definidos por VH e IH.
2.Zona
inversa
(V
<
0
)
2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa V RSM
que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de ruptura por
avalancha.
Diodo de cuatro capas
El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por cuatro
capas semiconductoras npnp, cuya estructura y smbolo se describen en la figuras
12.2.a y 12.2.b.
Esencialmente es un dispositivo interruptor.
Al aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la unin
J1 y J3 est polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja (despreciable) y
el dispositivo se encuentra cortado.
Aumentando esta tensin positiva se llega a una tensin V BO de ruptura o
avalancha donde la corriente crece de forma abrupta y la cada de tensin
decrece de la misma manera.
En este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a
conduccin.

Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en

separar su estructura fsica en dos mitades (figura 12.2.c).
La mitad izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el
circuito mostrado en la figura 12.3.d que normalmente es referido como candado.
Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la
grfica de la figura 12.3. En esta grfica, se pueden identificar dos zonas y cuatro
regiones de operacin:
SUS (Conmutador unidireccional de silicio)
Se llama SUS combinacin de un tirirstor con puerta andica y un diodo Zener
entre
puerta
y
ctodo.
Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parmetro es VS 6 y 10 V.
Se dispara a una tensin fija, Vzener , y su corriente IS est muy cercana a IH .
Sincronizacin mediante impulsos en puerta del SUS.
Se comporta esencialmente como diodo de cuatro capas de bajo voltaje y con
compuerta para su disparo. Se controla con mayor exactitud y depende menos de
la temperatura que el diodo de cuatro capas.

Aplicaciones practicas del SUS:

2N4987
Interruptor unilateral de silicio
Interruptor Unilateral de Silicio SUS El Interruptor unilateral de silicio o mejor
conocido por sus siglas en ingls como SUS (Silicon Unilateral Switch), es un
dispositivo de tres terminales (nodo, ctodo y compuerta) el cual conduce en una
sola direccin de nodo a ctodo cuando el voltaje en el primero es mayor que en
el segundo. Presenta caractersticas elctricas muy similares a la de un diodo de
cuatro capas; sin embargo, la presencia de la terminal de compuerta le permite
controlar su voltaje de disparo. Por su carcter unidireccional es utilizado para el
control de SCRs y para el control de TRIACS. . 1

ESTRUCTURA Y SIMBOLOGA. 1. Se puede apreciar las 4 capas y la presencia

de la compuerta en la Capa N adems del Zener entre compuerta y ctodo. 2
Circuito Equivalente de un tiristor de puerta de nodo al que se asocia el Zener. 3.
simbologa comn. 4.SUS en empaque TO98.
Este dispositivo presenta cuatro capas de materiales semiconductores; en el
nodo se tiene la terminal de compuerta y un diodo Zener de bajo voltaje entre los
terminales de compuerta y ctodo. Por esta razn, muchas veces es representado
como un tiristor de puerta de nodo al que se asocia el Zener.

Curva de comportamiento de la corriente en trminos del voltaje.

Comportamiento
Este dispositivo comienza a conducir cuando el voltaje entre nodo y Ctodo
alcanza un valor Vs el cual tpicamente es de 6 a 10V. Despus de esto el voltaje
cae dependiendo de la corriente de conduccin. Hay que destacar que este
dispositivo seguir conduciendo mientras se mantenga un voltaje por encima de
0.7 y la corriente de conduccin no caiga por debajo de la corriente de
mantenimiento IH la cual tpicamente es de 1.5mA. En el caso que se d una
polarizacin inversa este dispositivo no conduce, sin embargo tiene un lmite de
voltaje inverso llamado VR el cual puede estar por el orden de los 30V. Si se
supera este voltaje entonces se destruye el dispositivo. 2
onmutador unilateral : smbolo, circuito
equivalente y caracterstica V-I.

Switch unilateral de Silicio SUS

El SUS es tambin un dispositivo de cuatro capas que tiene una compuerta de
nodo y un diodo Zener de bajo voltaje entre los terminales de compuerta y

ctodo. En la figura 16 se muestra la conformacin fsica, su representacin

circuital y la caracterstica tensin-corriente.
En trminos generales trabaja con compuerta abierta y se saturar tan pronto
como el voltaje de nodo se haga lo suficientemente alto, de tal forma que el
diodo Zener entre a conducir.

Figura 16. Caractersticas del SUS

Diodo SBS
Para otros usos de este trmino, vase SBS (desambiguacin).

Smbolo esquemtico de un SBS.

Un SBS o Interruptor Bilateral de Silicio, por sus siglas en ingls (Silicon Bilateral
Switch) es un tiristor del tipo bidireccional, que est compuesto por dos tiristores
unidireccionales o SUS conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores UJT,
PUT y SUS, el SBS es utilizado en circuitos osciladores de relajacin para el
control de disparo de dispositivos que entregan potencia elctrica a una carga,
como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que pueden dispararse tanto
en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje de corriente
alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.
Construccin
Como casi todos los familiares de los tiristores, el SBS cuenta con tres
conexiones: la compuerta (G), el nodo o terminal 1 (A1 o T1) y el nodo o
terminal 2 (A2 o T2). Una caracterstica muy especial de este dispositivo es que
no es una versin modificada de un diodo con sus capas NPNP, sino ms bien

est compuesto internamente por transistores, diodos Zener y resistencias

internas, y que adems vienen fabricados como circuitos integrados.
Curva Caracterstica de Voltaje-Corriente
Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta
terminal solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera
sus caractersticas de voltaje-corriente. Si se comparara esta curva caracterstica
con la de un DIAC, se podra observar que son muy similares; sin embargo, la
curva del SBS tiene una regin de resistencia negativa ms pronunciada, lo que
significa que su cada de voltaje es mucho ms drstica despus de llegar a su
estado de conduccin. Usualmente, el voltaje de ruptura de un SBS se encuentra
entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es mucho menor que el de un DIAC.
Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva caracterstica de un SBS
La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la
curva caracterstica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ngulos de
disparo diferentes en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un
diodo Zener entre la compuerta G y la terminal T1, con la finalidad de que el
voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor de voltaje del diodo Zener, mientras
que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con esto, se logra modificar el
voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para una aplicacin
cualquiera, aunque no es comn tener diferentes ngulos de ruptura.
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico
para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC.
Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus
caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A).
Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores
con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas
aplicaciones.
EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que
es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y
resistencias.
La figura 12.7.a muestra su smbolo, la figura 12.7.b su estructura a nivel circuital
y la figura 12.7.c sus caractersticas I-V. El MBS4991 de Motorola es un ejemplo
tpico de un SBS simtrico.
Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grfica de la figura 12.7.c son: V

=8 V, I =175 A, I =0.7 mA y V =1.4 V. El disparo de este dispositivo se puede

realizar bien superando la tensin V o bien aplicando una corriente de puerta I
=100A.

SBS (Conmutador bidireccional de silicio)

Se llama SBS (Silicon Bilateral Switch) a una clase de tiristor bidireccional. Est
formado por dos SUS conectados en antiparalelo. A diferencia de otros tiristores,
el SBS, desde un punto de vista tecnolgico, no es una versin mejorada del
diodo npnp, sino que es un circuito integrado que incorpora diodos Zener
conectados a la puerta, transistores y resistencias. Esto le da la ventaja de poder
aparear estrechamente los componentes, consiguiendo una asimetra en la
tensin de disparo inferior a medio voltio. Aunque funciona como un dispositivo de
dos puertas, se ha incorporado un electrodo de puerta para una mayor flexibilidad
en el uso del dispositivo.
S.B.S. Conmutador bilateral : smbolo, circuito
equivalente y caracterstica V-I.

Tiristor GTO
Un Tiristor GTO o simplemente GTO (del ingls Gate Turn-Off Thyristor) es un
dispositivo de electrnica de potencia que puede ser encendido por un solo pulso
de corriente positiva en la terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal;
pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de corriente negativa en el

mismo terminal. Ambos estados, tanto el estado de encendido como el estado de

apagado, son controlados por la corriente en la puerta (G).
El proceso de encendido es similar al del tiristor. Las caractersticas de apagado
son un poco diferentes. Cuando un voltaje negativo es aplicado a travs de las
terminales puerta (G) y ctodo (C o K), la corriente en la puerta (ig), crece.
Cuando la corriente en la puerta (G) alcanza su mximo valor, IGR, la corriente de
nodo comienza a caer y el voltaje a travs del dispositivo (VAK), comienza a
crecer. El tiempo de cada de la corriente de nodo (IA) es abrupta, tpicamente
menor a 1 us. Despus de esto, la corriente de nodo vara lentamente y sta
porcin de la corriente de nodo es conocido como corriente de cola.
La razn (IA/IGR) de la corriente de nodo IA a la mxima corriente negativa en la
puerta (IGR) requerida para el voltaje es baja, comnmente entre 3 y 5. Por
ejemplo, para un voltaje de 2500 V y una corriente de 1000 A, un GTO
normalmente requiere una corriente negativa de pico en la puerta de 250 A para el
apagado.
Estructura y funcionamiento
La estructura del GTO es esencialmente la misma que un tiristor convencional.
Existen 4 capas de silicio (PNPN), 3 uniones (P-N, N-P y P-N) y tres terminales:
nodo (A), ctodo (C o K) y puerta (G). La diferencia en la operacin radica en
que una seal negativa en la puerta (G) puede apagar el GTO. Mientras el GTO
se encuentre apagado y no exista seal en la puerta, el dispositivo se bloquea
para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA leak) existe.
Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un voltaje de
ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso dinmico de
encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga. Cuando el
GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una pequea
corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK puede ser
alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje de ruptura inverso depende
del mtodo de fabricacin para la creacin de una regeneracin interna para
facilitar el proceso de apagado. Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al
nodo y un pulso de corriente positiva es aplicada a la puerta G (gate), el GTO se
enciende y permanece de esa forma. Para sta condicin, existen 2 formas de
apagarlo. Una forma es reduciendo la corriente de nodo IA por medios externos
hasta un valor menor a la corriente de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa
interna no es efectiva. La segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en
el gate, y este es el mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor
control. Como el GTO tiene una conduccin de corriente unidireccional, y puede
ser apagado en cualquier instante, ste se aplica en circuitos chopper
(conversiones de dc- dc) y circuitos inversores (conversiones dc -ac) a niveles de
potencia en los que los MOSFET's, TBJ's e IGBT's no pueden ser utilizados. A
bajos niveles de potencia los semiconductores de conmutacin rpida son

preferibles. En la conversin de AC - DC, los GTO's, son tiles porque las

estrategias de conmutacin que posee, pueden ser usadas para regular la
potencia, como el factor de potencia.
GTO (Gate Turn-off Thyristor)

Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin

suficientemente grande en su compuerta de entrada, aun si la corriente iD
excede
IH.
se usan desde 1960, pero se potencializaron al final de los aos setenta. son
comunes en las unidades de control de motores, ya que eliminan componentes
externos para apagar los SCR en circuitos de cc.
CARACTERISTICAS
El

disparo

se

realiza

mediante

El

bloqueo

se

realiza

con

una
una

VGK

VGK
<

>0
0.

La ventaja del bloqueo por puerta es que no se precisan de los circuitos de

bloqueo
forzado
que
requieren
los
SCR.
La desventaja es que la corriente de puerta tiene que ser mucho mayor por lo
que
el
generador
debe
estar
mas
dimensionado.
El GTO con respecto al SCR disipa menos potencia.
FUNCIONAMIENTO DEL GTO

Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en el gate, el dispositivo

se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente de fuga (IA
leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea hasta que un
voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe un proceso
dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada por la carga.
Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en inversa, solo una
pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin en inversa VAK
puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje del voltaje de
ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la creacin de una
regeneracin
interna
para
facilitar
el
proceso
de
apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma. Para
sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente de
holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La segunda
forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el mtodo ms
recomendable
porque
proporciona
un
mejor
control.
La ganancia se calcula con la siguiente formula.

Para conseguir cortar el GTO, con una corriente soportable por la puerta, debe
ser lo mayor posible, para ello debe ser a2=1 (lo mayor posible) y a1=0 (lo menor
posible):
alfa2=1 implica que la base de T2 (capa de control) sea estrecha y poco dopada
y que su emisor (capa catdica) este muy dopado. Estas condiciones tambin
son
normales
en
los
SCRs.
alfa1=0 implica que la base de T1 (capa de bloqueo) sea ancha y tenga una vida
media de los huecos muy corta.
ESPECIFICACIONES DE PUERTA DEL GTO

FORMA DE ONDA EN EL ENCENDIDO DEL GTO

Para entrar en conduccin, se necesita una subida rpida y valor IGM suficientes
para poner en conduccin todo el cristal. Si solo entra en conduccin una parte y
circula toda la corriente se puede daar. Si solo entra en conduccin bajara una
parte de la tensin nodo-ctodo y el resto de celdillas que forma el cristal no
podrn
entrar
en
conduccin.
Cuando se ha establecido la conduccin se deja una corriente IGON de
mantenimiento para asegurar que no se corta espontneamente (tiene menos
ganancia que el SCR).