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I.
D ESARROLLO
N general, la realizacion del modelo IBIS v3.2 requiere obtener los parametros del empaquetado (R PKG ,
L PKG , C PKG , C COMP ) , las curvas I V (P ULLDOWN ,
P ULLUP ), las curvas de las estructuras ESD (P OWER C LAMP,
GND C LAMP ), y las tablas V t (R ISING WAVEFORM ,
FALLING WAVEFORM ). Sin embargo, en el caso de un driver
de salida de dos estados como el buffer 74LVC04A, es posible
omitir las curvas de las estructuras ESD, ya que los efectos
de dichas estructuras estan incluidas en las tablas I V ;
debido a la imposibilidad de aislar los diodos para su medicion
o simulacion. Para la obtencion del conjunto de tablas, la
simulacion se llevo a cabo en ADS, tomando como referencia
el modelo IBIS del fabricante del buffer antes mencionado.
II.
A N ALISIS
DE RESULTADOS
C ONCLUSIONES