Captulo I

Objetivo

Conocer el funcionamiento de un panel solar basado en sus componentes y

comportamientos qumicos

Estudio en la parte qumica del vehculo solar

Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas
diferentes, agrupadas todas en la denominada Tabla de Elementos Qumicos. Desde el
punto de vista elctrico, todos los cuerpos simples o compuestos formados por esos
elementos se pueden dividir en tres amplias categoras:
Conductores
Aislantes
Semiconductores
Los materiales conductores ofrecen una baja resistencia al paso de la corriente elctrica.
Los semiconductores se encuentran a medio camino entre los conductores y los aislantes,
pues en unos casos permiten la circulacin de la corriente elctrica y en otros no.
Finalmente los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente
elctrica.

Materiales conductores
En la categora conductores se encuentran agrupados todos los metales que en mayor o
menor medida conducen o permiten el paso de la corriente elctrica por sus cuerpos. Entre
los mejores conductores por orden de importancia para uso en la distribucin de la energa
elctrica de alta, media y baja tensin, as como para la fabricacin de componentes de todo
tipo como dispositivos y equipos elctricos y electrnicos, se encuentran el cobre (Cu),
aluminio (Al), plata (Ag), mercurio (Hg) y oro (Au).

Los conductores de cobre son los materiales ms utilizados en los circuitos elctricos por la
baja resistencia que presentan al paso de la corriente.
En general el ncleo de los tomos de cualquier elemento que forman todos los cuerpos
slidos, lquidos y gaseosos que conocemos se encuentran rodeados por una nube de
electrones que giran su alrededor, distribuidos en una o en varias rbitas, capas o niveles de
energa. Al tomo de cada elemento contemplado en la Tabla de Elementos Qumicos le
corresponde un nmero atmico que sirve para diferenciar las propiedades de cada uno de
ellos. Ese nmero coincide tambin con la cantidad total de electrones que giran alrededor
del ncleo de cada tomo en particular. No obstante, independientemente de la cantidad
total de electrones que le corresponda a cada elemento, en la ltima capa u rbita slo
pueden girar de uno a ocho electrones como mximo.

Banda de valencia.
Como ya conocemos, todos tomos que integran cualquier cuerpo material poseen rbitas o
capas, denominadas tambin niveles de energa, donde giran electrones alrededor de sus
ncleos. La ltima de esas capas se denomina banda de valencia y es donde giran los
electrones que en unos casos el tomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en
otros casos puede atraer o captar de la banda de valencia de otros tomos cercanos. La
banda de valencia es el nivel de energa que determina que un cuerpo se comporte como
conductor, aislante o semiconductor.
En el caso de los metales en la ltima rbita o banda de valencia de sus tomos slo giran
entre uno y tres electrones como mximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los
excitamos empleando mtodos fsicos o qumicos. Las respectivas valencias de trabajo (o
nmeros de valencia) de los metales son las siguientes: +1, +2 y +3.
Esos nmeros con signo positivo (+) delante, corresponden a la cantidad de electrones que
pueden ceder los tomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno
en la ltima rbita.
En general la mayora de los elementos metlicos poseen conductividad elctrica, es decir,
se comportan como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que

poseen un solo electrn (a los que les corresponde el nmero de valencia +1, como el
cobre), son los que conducen la corriente elctrica con mayor facilidad.
En los conductores elctricos las bandas de energa, formadas por la banda de conduccin
y la banda de valencia del elemento metlico, se superponen facilitando que los electrones
puedan saltar desde la ltima rbita de un tomo a la de otro de los que integran tambin las
molculas del propio metal. (Raymond Chang Quimica General)
Es por eso que cuando se aplica corriente elctrica a un circuito formado por conductores
de cobre, por ejemplo, los electrones fluyen con facilidad por todo el cuerpo metlico del
alambre que integra el cable.
Normalmente las bandas de energas se componen de: 1) una banda de valencia. 2) una
banda de conduccin y, 3) otra banda interpuesta entre las dos anteriores denominada
banda prohibida. La funcin de esta ltima es impedir o dificultar que los electrones
salten desde la banda de valencia hasta la banda de conduccin. En el caso de los metales la
banda prohbida no existe, por lo que los electrones en ese caso necesitan poca energa para
saltar de una banda a la otra.
Debido a que en los metales conductores de corriente elctrica la banda de valencia o
ltima rbita del tomo pose entre uno y tres electrones solamente (de acuerdo con el tipo
de metal de que se trate), existe una gran cantidad de estados energticos vacos que
permiten excitar los electrones, bien sea por medio de una reaccin qumica, o una reaccin
fsica como la aplicacin de calor o la aplicacin de una diferencia de potencial (corriente
elctrica) que ponga en movimiento el flujo electrnico.

En general los metales mejores conductores de electricidad como el cobre, la plata y el oro
poseen una alta densidad de electrones portadores de carga en la banda de valencia, as
como una alta ocupacin de niveles de energa en la banda de conduccin. Hay que
destacar que aunque la plata y el oro son mucho mejores conductores de la corriente
elctrica que el cobre, la mayora de los cables se fabrican con este ltimo metal o con
aluminio en menor proporcin, por ser ambos metales buenos conductores de la corriente
elctrica, pero mucho ms baratos de producir y comercializar que la plata y el oro.

Materiales aislantes o dielctricos.

A diferencia de los cuerpos metlicos buenos conductores de la corriente elctrica, existen
otros como el aire, la porcelana, el cristal, la mica, la ebonita, las resinas sintticas, los
plsticos, etc., que ofrecen una alta resistencia a su paso. Esos materiales se conocen como
aislantes o dielctricos.
Los cuerpos aislantes ofrecen una alta resistencia al paso de la corriente elctrica. Los
materiales aislantes de plstico utilizados comnmente en las cajas de conexin y en otros
elementos propios de las instalaciones elctricas domsticas de baja tensin, as como el
PVC (PolyVinyl Chloride Policloruro de Vinilo) empleado como revestimiento en los
cables conductores.
Al contrario de lo que ocurre con los tomos de los metales, que ceden sus electrones con
facilidad y conducen bien la corriente elctrica, los de los elementos aislantes poseen entre
cinco y siete electrones fuertemente ligados a su ltima rbita, lo que les impide cederlos.
Esa caracterstica los convierte en malos conductores de la electricidad, o no la conducen
en absoluto.
En los materiales aislantes, la banda de conduccin se encuentra prcticamente vaca de
portadores de cargas elctricas o electrones, mientras que la banda de valencia est
completamente llena de estos.
Como ya conocemos, en medio de esas dos bandas se encuentra la banda prohibida, cuya
misin es impedir que los electrones de valencia, situados en la ltima rbita del tomo, se
exciten y salten a la banda de conduccin.
La energa propia de los electrones de valencia equivale a unos 0,03 eV (electronvolt)
aproximadamente, cifra muy por debajo de los 6 a 10 eV de energa de salto de banda (Eg)
que requeriran poseer los electrones para atravesar el ancho de la banda prohibida en los
materiales aislantes.

Semiconductor
Es un material aislante que, cuando se le aaden ciertas sustancias o en un determinado
contexto, se vuelve conductor. Esto quiere decir que, de acuerdo a determinados factores, el
semiconductor acta a modo de aislante o como conductor.
Los semiconductores pueden ser intrnsecos o extrnsecos. Los semiconductores intrnsecos
(que tambin se conocen como semiconductores extremadamente puros) son cristales que, a
travs de enlaces covalentes entre los tomos, desarrollan una estructura de tipo tetradrico
A temperatura de ambiente, estos cristales tienen electrones que absorben la energa que
necesitan para pasar a la banda de conduccin, quedando un hueco de electrn en la banda
de valencia.
Los semiconductores extrnsecos, por su parte, son semiconductores intrnsecos a los que
les agregan impurezas para lograr su dopaje (as se conoce el resultado del proceso que se
lleva a cabo para modificar las propiedades elctricas de un semiconductor).
Todos los elementos qumicos se califican como conductores, aislantes o semiconductores.
Mientras que las conductores tienen baja resistencia a la circulacin de la corriente elctrica
y los aislantes, alta, los semiconductores se ubican entre ambos ya que permiten el paso de
la corriente slo en ciertos casos. La temperatura, la presin, la radiacin y los campos
magnticos pueden hacer que un semiconductor acte como conductor o como aislante
segn el contexto.
Entre los semiconductores ms empleados en el mbito de la industria, se encuentran el
silicio, el azufre y el germanio.

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales

semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los
metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin
aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos
semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin
aumenta.
En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno
de los siguientes mtodos:
Elevacin de su temperatura
Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminacin.
Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias
dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de
acuerdo con la cantidad de luz que reciben.
Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o clula
fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la
intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o
elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en
el encendido y apagado automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades,
cuando disminuye la luz solar.
En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los
materiales semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes.

Cmo funciona un panel solar?

Sin lugar a dudas, la era de la energa producida por el petrleo est llegando a su fin, y
debemos centrarnos en nuevas energas que sean renovables y menos contaminantes, como
la energa solar

De qu estn hechos los paneles solares?

Los paneles solares estn compuestos de silicio, que hoy en da se utiliza en otras cosas,
como por ejemplo en las computadoras. El silicio despojado de impurezas es un material
ideal para transmitir electrones. Cada tomo tiene espacio para ocho electrones, aunque en
estado natural solo llevan cuatro, por lo que tienen espacio para cuatro ms. Cuando se
chocan, se crea un fuerte vnculo pero no estn cargados ni positiva ni negativamente.
Por esta razn, los paneles solares estn hechos de silicio mezclado con otros materiales
que generan cargas positivas o negativas, como por ejemplo el fsforo que tiene cinco
electrones y el boro que tiene tres. Esto es as porque se deben crear cargas positivas y
negativas para generar la electricidad.
Las placas negativas -con fsforo- y las positivas -con boro- se intercalan en el panel con
hilos conductores entre ellos.
A su vez, estos paneles estn recubiertos de cristal no reflectante. Tambin tienen un
inversor, que transforma la corriente continua generada en corriente alterna.

Cmo acta el sol en los paneles solares?

El sol libera muchas partculas de energa diferentes, pero slo los fotones son necesarios
para generar energa solar.
El fotn acta como un martillo en movimiento, nicamente cuando las placas negativas
se colocan de forma particular hacia el sol, por lo que los fotones bombardean esos tomos
de silicio y fsforo, rompiendo electrones y liberando algunos. (Lucia Vazquez 2013)
La electricidad generada por una nica clula solar no es mucha, pero unidas todas por los
hilos conductores permite generar ms energa.

Funcionamiento de las celdas solares.

Para entender la operacin de una clula fotovoltaica, necesitamos considerar la naturaleza
del material y la naturaleza de la luz del sol. Las celdas solares estn formadas por dos tipos
de material, generalmente silicio tipo p y silicio tipo n. La luz de ciertas longitudes de onda
puede ionizar los tomos en el silicio y el campo interno producido por la unin que separa
algunas de las cargas positivas ("agujeros") de las cargas negativas (electrones) dentro del
dispositivo fotovoltaico.
Los agujeros se mueven hacia la capa positiva o capa de tipo p y los electrones
hacia la negativa o capa tipo n. Aunque estas cargas opuestas se atraen mutuamente, la
mayora de ellas solamente se pueden re combinar pasando a travs de un circuito externo
fuera del material debido a la barrera de energa potencial interno. Por lo tanto si se hace un
circuito se puede producir una corriente a partir de las celdas iluminadas, puesto que los
electrones libres tienen que pasar a travs del circuito para recombinarse con los agujeros
positivos.
La cantidad de energa que entrega un dispositivo fotovoltaico est determinado por:
El tipo y el rea del material
La intensidad de la luz del sol
La longitud de onda de la luz del sol
Por ejemplo, las celdas solares de silicio mono cristalino actualmente no pueden convertir
ms el de 25% de la energa solar en electricidad, porque la radiacin en la regin infrarroja
del espectro electromagntico no tiene suficiente energa como para separar las cargas
positivas y negativas en el material.
Las celdas solares de silicio poli cristalino en la actualidad tienen una eficiencia de menos
del 20% y las celdas amorfas de silicio tienen actualmente una eficiencia cerca del 10%,
debido a prdidas de energa internas ms altas que las del silicio mono cristalino.
Una tpica clula fotovoltaica de silicio mono cristalino de 100 cm2 producir cerca

de 1.5 vatios de energa a 0.5 voltios de Corriente Continua y 3 amperios bajo la luz del sol
en pleno verano (el 1000Wm-2). La energa de salida de la clula es casi directamente
proporcional a la intensidad de la luz del sol. (Por ejemplo, si la
Intensidad de la luz del sol se divide por la mitad la energa de salida tambin ser
disminuida a la mitad).
Una caracterstica importante de las celdas fotovoltaicas es que el voltaje de la clula no
depende de su tamao, y sigue siendo bastante constante con el cambio de la intensidad de
luz. La corriente en un dispositivo, sin embargo, es casi directamente proporcional a la
intensidad de la luz y al tamao. Para comparar diversas celdas se las clasifica por densidad
de corriente, o amperios por centmetro cuadrado del rea de la clula.
La potencia entregada por una clula solar se puede aumentar con bastante eficacia
empleando un mecanismo de seguimiento para mantener el dispositivo fotovoltaico
directamente frente al sol, o concentrando la luz del sol usando lentes o espejos. Sin
embargo, hay lmites a este proceso, debido a la complejidad de los mecanismos, y de la
necesidad de refrescar las celdas. La corriente es relativamente estable a altas temperaturas,
pero el voltaje se reduce, conduciendo a una cada de potencia a causa del aumento de la
temperatura de la clula.

Cristales de silicio
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una
estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las
uniones entre tomos que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se
crea un equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los tomos de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma: (Figura 1 )
Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos vecinos, de tal
manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como se ve en la figura.

La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que quedan
(aunque sean compartidos) con cada tomo, gracias a esta caracterstica los enlaces
covalentes son de una gran solidez.
Semiconductor de tipo p
Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo
dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento
perteneciente al Grupo III A de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o
banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio
quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos
para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que
captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como
una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere
propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P
(positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de
electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.
Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) que forman, como en el caso
anterior, una celosa, dopada ahora con tomos de galio (Ga) para formar un semiconductor
extrnseco. Como se puede observar en la ilustracin(Figura 2 ), los tomos de silicio
(con cuatro electrones en. la. ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces
covalente con los tomos de galio (con tres. electrones en su banda de valencia). En esas
condiciones quedar un hueco con defecto de electrones en la estructura cristalina de
silicio, convirtindolo en un semiconductor tipo-P (positivo) provocado por el defecto de
electrones en la estructura.

Semiconductores de silicio tipo n

Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina
ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la
corriente

elctrica,

por

tanto,

se

comportan

como

materiales

aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos

aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide
como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores
del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de
valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus
cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio,
mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover
libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor
extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la
estructura cristalina del material semiconductor.
Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa. Como se
puede observar (figura 3) esta estructura se ha dopado aadiendo tomos de antimonio (Sb)
para crear un material semiconductor extrnseco. Los tomos de silicio (con cuatro
electrones en la ltima rbita o banda de valencia) se unen formando enlaces covalentes
con los tomos de antimonio (con cinco en su ltima rbita banda de valencia). En esa
unin quedar un electrn libre dentro de la estructura cristalina del silicio por cada tomo
de antimonio que se haya aadido. De esa forma el cristal de silicio se convierte en material
semiconductor tipo-N (negativo) debido al exceso electrones libres con cargas negativas
presentes en esa estructura.
Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente
elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en
la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de
corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos
una diferencia de potencia o corriente elctrica. (Jos Antonio E. Garca lvarez )
No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se
puedan mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor
es mucho ms limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen
conductor.

Mecanismo de conduccin de un semiconductor

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente
elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de
electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los
huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de
conduccin.
Cuando aplicamos una diferencia de potencial a un elemento semiconductor, se establece
una. corriente de electrones en un sentido y otra corriente de huecos en sentido
opuesto.
Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento
semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los
huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de
un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y
cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que
para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las
cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".

Figura 1 Cristal De Silicio

Figura 2 Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) , dopada ahora con
tomos de galio (Ga) para formar un semiconductor extrnseco.

Figura 3 Estructura cristalina compuesta por tomos de silicio (Si) formando una celosa
Bibliografa

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_3.htm
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/Pagina3.htm